JPH03216657A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は密着性が良く、弾性率が小さく、しかも保存安
定性に優れた、高感度で高耐熱の感光性ポリイミド樹脂
組成物に関するものである。
定性に優れた、高感度で高耐熱の感光性ポリイミド樹脂
組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、半導体素子の表面保護膜、居間絶縁膜などには、
耐熱性が優れ、また卓越した電気的特性、機械的特性な
どを有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年゛
15導体素子の高果積化、大型化、封止樹脂パッケージ
の薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装方式な
どへの移行により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の
著しい向上の要求があり、これまでのポリイミド樹脂で
は、対応が困難となってきた。
耐熱性が優れ、また卓越した電気的特性、機械的特性な
どを有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年゛
15導体素子の高果積化、大型化、封止樹脂パッケージ
の薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装方式な
どへの移行により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の
著しい向上の要求があり、これまでのポリイミド樹脂で
は、対応が困難となってきた。
この対策として、例えばポリイミド樹脂にシリコーン成
分を導入して、密着性を上げ弾性率を低くすることが知
られている。(特開昭61−64730号公報、特開昭
62−223228号公報等)一方、ポリイミド樹脂自
身に感光性を付与する技術が最近注目を集めてきた。
分を導入して、密着性を上げ弾性率を低くすることが知
られている。(特開昭61−64730号公報、特開昭
62−223228号公報等)一方、ポリイミド樹脂自
身に感光性を付与する技術が最近注目を集めてきた。
これらの感光性を付与したポリイミド樹脂を使用すると
、付与していないポリイミド樹脂に比較してパターン作
成工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性の強いエッ
チング液を使用しなくてすむので、安全、公害上も優れ
ており、ポリイミド樹脂の感光性化はポリイミド樹脂の
高密着、低弾性率化とともに今後一層重要な技術となる
ことが期待されている。
、付与していないポリイミド樹脂に比較してパターン作
成工程の簡素化効果があるだけでなく、毒性の強いエッ
チング液を使用しなくてすむので、安全、公害上も優れ
ており、ポリイミド樹脂の感光性化はポリイミド樹脂の
高密着、低弾性率化とともに今後一層重要な技術となる
ことが期待されている。
感光性ポリイミド樹脂としては、例えば下式で示される
ような構造のエステル基で感光性基を付与したポリイミ
ド前駈体組成物(特公昭55−41422号公軸)ある
いは下式 で示されるような構造のポリアミック酸に化学線により
2量化、または重合可能な炭素一炭素二重結合およびア
ミノ基または、その四級化塩を含む化合物を添加した組
成物(例えば特開詔54−145794号公報)などが
知られている。
ような構造のエステル基で感光性基を付与したポリイミ
ド前駈体組成物(特公昭55−41422号公軸)ある
いは下式 で示されるような構造のポリアミック酸に化学線により
2量化、または重合可能な炭素一炭素二重結合およびア
ミノ基または、その四級化塩を含む化合物を添加した組
成物(例えば特開詔54−145794号公報)などが
知られている。
これらは、いずれも適当な有機溶剤に溶解し、フェス状
態で塗布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照
射し、現像、リンス処理して所望のパターンを得、さら
に加熱処理することによりポリイミド被膜としている。
態で塗布、乾燥した後、フォトマスクを介して紫外線照
射し、現像、リンス処理して所望のパターンを得、さら
に加熱処理することによりポリイミド被膜としている。
しかし、かかる従来の感光化技術をポリイミド樹脂成分
にシリコーン基を導入した高密着、低弾性率のポリイミ
ド樹脂に適用すると、紫外線を照射してもバターニング
することは難しいか、または著しく感度が低く、半導体
工業で通常用いられている露光装置で処理するには不充
分であった。
にシリコーン基を導入した高密着、低弾性率のポリイミ
ド樹脂に適用すると、紫外線を照射してもバターニング
することは難しいか、または著しく感度が低く、半導体
工業で通常用いられている露光装置で処理するには不充
分であった。
更には、これらの感光性ポリイミド樹脂の膜厚を厚くし
ていくと光感度が極端に低下してしまい、適正露光時間
が極端に長くなってしまうという欠点があった。
ていくと光感度が極端に低下してしまい、適正露光時間
が極端に長くなってしまうという欠点があった。
また、吸水性が大きいために、露光皮膜を長期保存する
と、現像時間が長くなるだけでなく、できたパターンが
クラックを起こすなどの不都合があった。
と、現像時間が長くなるだけでなく、できたパターンが
クラックを起こすなどの不都合があった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的とするところは、ポリアミック酸中にシリ
コーン基を導入して密着性を向上させ、弾性率を低下さ
せたにもかかわらず高感度の光硬化性を有し、保存安定
性が良く、さらに硬化後の被膜の耐熱性に優れた感光性
樹脂組成物を提供するにある。
コーン基を導入して密着性を向上させ、弾性率を低下さ
せたにもかかわらず高感度の光硬化性を有し、保存安定
性が良く、さらに硬化後の被膜の耐熱性に優れた感光性
樹脂組成物を提供するにある。
[課題を解決するための手段]
本発明は、
下記式〔
■〕で示されるシリコーン
系ジアミン
(式中rl:
1〜50)
を0.5〜25重量%共重合した、
下記式( II )で示
されるポリアミック酸(A)
(式中R0、
R2:芳香族環状基
n :
1〜2、
m
: 0〜2
)
に、
下記式( III )で示されるジアクリルアミド化
合物(B)
1
0
(III)
(式中R 3 : 一H , −C H 3R4,R5
: 一H ,−CH:l,−cH20H )を必須成分
とし、(A)100重量部に対して(B)20〜200
重量部及び必要に応じて増感剤及び/または開始剤を配
してなる感光性樹脂組成物を用いることにある。
: 一H ,−CH:l,−cH20H )を必須成分
とし、(A)100重量部に対して(B)20〜200
重量部及び必要に応じて増感剤及び/または開始剤を配
してなる感光性樹脂組成物を用いることにある。
[作用]
本発明において用いる一般式CI)で示されるシリコー
ン系ジアミンはポリイミド被膜の密着性を向上させ、弾
性率を低下させる効果を有する。
ン系ジアミンはポリイミド被膜の密着性を向上させ、弾
性率を低下させる効果を有する。
シリコーン系ジアミンの重合度nは1〜50であること
が必要であり、nが1未満であると密着性?向上させ、
弾性率を低下させる効果が得られず、またnが50を越
える長鎖シリコーン系ジアミンを使用すると、テトラカ
ルボン酸二無水物との反応が定量的に進行しにくくなり
、未反応物として残存し、分子量が大きくならないばか
りか柔軟性を低下させ、クラックを発生し易くなるので
好ましくない。
が必要であり、nが1未満であると密着性?向上させ、
弾性率を低下させる効果が得られず、またnが50を越
える長鎖シリコーン系ジアミンを使用すると、テトラカ
ルボン酸二無水物との反応が定量的に進行しにくくなり
、未反応物として残存し、分子量が大きくならないばか
りか柔軟性を低下させ、クラックを発生し易くなるので
好ましくない。
またシリコーン系ジアミンの使用景は、ポリアミック酸
成分に対して0.5〜25重量%が好ましい。
成分に対して0.5〜25重量%が好ましい。
0.5重量%未満では密着性の向上、弾性率の低下の効
果が得られず、また25重量%を越えると耐熱性が苦し
く低下し、ポリイミド樹脂本来の特徴が得られなくなる
ので好ましくない。
果が得られず、また25重量%を越えると耐熱性が苦し
く低下し、ポリイミド樹脂本来の特徴が得られなくなる
ので好ましくない。
本発明において用いる一般式〔1■〕で示されるポリア
ミック酸(A)は、R■の芳香族環状基を有する酸と、
R2の芳香族環状基を有するアミンによって合成される
。R0の芳香族環状基を有する酸としては、n=1のト
リカルボン酸無水物やn=2のテトラカルボン酸二無水
物などが用いられ、酸無水物成分は1種類でも、2種類
以上の混合物でもかまわない。用いられる酸無水物の種
類としては、例えば、トリメリット酸無水物、ピロメリ
ット酸二無水物、ベンゼン−1.2,3.4−テトラカ
ルボン酸二無水物、3.3’ ,4.4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2.2’ ,3.3’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3.
3’ ,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン−2.3,6.7−テトラカルボン酸二
無水物、ナフタレン−1.2,5.6−テトラカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1.2,4.5−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1.4,5.8−テトラ
カルポン酸二無水物、ナフタレン−1.2,6.7−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1.2,
3,5,6.7−ヘキサヒド口ナフタレン−1.2,5
.6−テトラカルポン酸二無水物、4,8−ジメチル−
1.2,3,5,6.7−へキサヒド口ナフタレン−2
.3,6.7−テトラカルポン酸二無水物、2,6−ジ
クロ口ナフタレン−1.4,5.8−テトラカルボン酸
二無水物、2.7−ジクロ口ナフタレン−1.4,5.
8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6.7−テト
ラク口口ナフタレン−1.4,5.8−テトラカルボン
酸二無水物、l , 4 ,5,8−テトラク口口ナフ
タレン−2.3,6.7−テトラカルボン酸二無水物、
3.3’ ,4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2.2’ ,3.3’−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’ ,4’−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3.3”,4.4”−p−テ
ルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2.2”,3.
3”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2
,3,3″,4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)一プロパンニ無水物、2.2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)一プロパンニ無水物、ビス(2,3
−ジカルポキシフェニル)エーテルニ無水物、ビス(3
.4−ジカルボキシフェニル)エーテルニ無水物、ビス
(2.3−ジカルポキシフェニル)メタンニ無水物、ビ
ス(3.4−ジカルボキシフェニル)メタンニ無水物、
ビス(2.3−ジカルボキシフェニル)スルホンニ無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホンニ
無水物、1.1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル
)エタンニ無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)エタンニ無水物、ペリレン−2.3,8.
9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3.4,9
.10−テトラカルボン酸二無水物、ベリレン−4.5
,10.11−テトラカルボン酸二無水物、ベリレン−
5.6,11.12−テトラカルボン酸二無水物、フェ
ナンスレンー1,2,7.8−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレンー1,2,6.7−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−1,2,9,lO−テト
ラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1.2,3.
4−テトラカルボン酸二無水物、ビラジン−2.3,5
.6−テトラカルボン酸二無水物、ビロリジン−2,3
,4.5−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−2
.3,4.5−テトラカルボン酸二無水物などがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
ミック酸(A)は、R■の芳香族環状基を有する酸と、
R2の芳香族環状基を有するアミンによって合成される
。R0の芳香族環状基を有する酸としては、n=1のト
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物などが用いられ、酸無水物成分は1種類でも、2種類
以上の混合物でもかまわない。用いられる酸無水物の種
類としては、例えば、トリメリット酸無水物、ピロメリ
ット酸二無水物、ベンゼン−1.2,3.4−テトラカ
ルボン酸二無水物、3.3’ ,4.4’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、2.2’ ,3.3’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3.
3’ ,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン−2.3,6.7−テトラカルボン酸二
無水物、ナフタレン−1.2,5.6−テトラカルボン
酸二無水物、ナフタレン−1.2,4.5−テトラカル
ボン酸二無水物、ナフタレン−1.4,5.8−テトラ
カルポン酸二無水物、ナフタレン−1.2,6.7−テ
トラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1.2,
3,5,6.7−ヘキサヒド口ナフタレン−1.2,5
.6−テトラカルポン酸二無水物、4,8−ジメチル−
1.2,3,5,6.7−へキサヒド口ナフタレン−2
.3,6.7−テトラカルポン酸二無水物、2,6−ジ
クロ口ナフタレン−1.4,5.8−テトラカルボン酸
二無水物、2.7−ジクロ口ナフタレン−1.4,5.
8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6.7−テト
ラク口口ナフタレン−1.4,5.8−テトラカルボン
酸二無水物、l , 4 ,5,8−テトラク口口ナフ
タレン−2.3,6.7−テトラカルボン酸二無水物、
3.3’ ,4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸二
無水物、2.2’ ,3.3’−ジフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、2,3.3’ ,4’−ジフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、3.3”,4.4”−p−テ
ルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2.2”,3.
3”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2
,3,3″,4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸
二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)一プロパンニ無水物、2.2−ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)一プロパンニ無水物、ビス(2,3
−ジカルポキシフェニル)エーテルニ無水物、ビス(3
.4−ジカルボキシフェニル)エーテルニ無水物、ビス
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ビス(2.3−ジカルボキシフェニル)スルホンニ無水
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シフェニル)エタンニ無水物、ペリレン−2.3,8.
9−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3.4,9
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,10.11−テトラカルボン酸二無水物、ベリレン−
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物、フェナンスレンー1,2,6.7−テトラカルボン
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.6−テトラカルボン酸二無水物、ビロリジン−2,3
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.3,4.5−テトラカルボン酸二無水物などがあげら
れるが、これらに限定されるものではない。
R2の芳香族環状基を有するアミンとしては、m=0の
ジアミンやm=1のジアミノカルボン酸、m=2のジア
ミノジカルボン酸などが用いられ、アミン成分は1種類
でも、2種類以上の混合物でもかまわない。用いられる
アミンの種類としては例えばm−フェニレンージアミン
、l−イソプロビル−2,4−フェニレンージアミン、
p−フエニレンージアミン、4,4′−ジアミノージフ
エニルプロパン、3.3’−ジアミノージフェニルプロ
パン、4,4′−ジアミノージフェニルエタン、3,3
′−ジアミノージフェニルエタン、4,4′−ジアミノ
ージフェニルメタン、3.3’−ジアミノージフェニル
メタン、4,4′−ジアミノージフェニルスルフィド、
3.3′−ジアミノージフェニルスルフィド、4,4′
−ジアミノージフェニルスルホン、3.3′−ジアミノ
ージフェニルスルホン、4,4′−ジアミノージフェニ
ルエーテル、3,3′−ジアミノージフェニルエーテル
、ベンジジン、3,3′−ジアミノービフェニル、3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノービフェニル、3
.3′−ジメトキシーベンジジン、4.4”−ジアミノ
ーp−テルフェニル、3.3″−ジアミノーp−テルフ
ェニル、ビス(p−アミノーシク口ヘキシル)メタン、
ビス(p一β−アミノーt−プチルフェニル)エーテル
、ビス(p−β−メチル−δ〜アミノペンチル)ベンゼ
ン、ρ−ビス(2−メチル−4−アミノーペンチル)ベ
ンゼン、p−ビス(1.1−ジメチル−5−アミノーベ
ンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノーナフタレン、2
.6−ジアミノーナフタレン、2.4−ビス(β−アミ
ノー[一ブチル)トルエン、2,4−ジアミノートルエ
ン、m−キシレン−2.5−ジアミン、p−キシレン−
2.5−ジアミン、m−キシリレンージアミン、p−キ
シリレンージアミン、2.6−ジアミノーピリジン、2
.5−ジアミノービリジン、2.5−ジアミノ−1.3
.4−オキサジアゾール、1.4−ジアミノーシク口ヘ
キサン、ビペラジン、メチレンージアミン、エチレンー
ジアミン、プロピレンージアミン、2.2−ジメチルー
プロピレンージアミン、テトラメチレンージアミン、ペ
ンタメチレンージアミン、ヘキサメチレンージアミン、
2,5−ジメチルーへキサメチレンージアミン、3−メ
トキシーへキサメチレンージアミン、ヘプタメチレンー
ジアミン、2,5−ジメチルーへブタメチレンージアミ
ン、3−メチルーへブタメチレンージアミン、4,4−
ジメチルーへブタメチレンージアミン、オクタメチレン
ージアミン、ノナメチレンージアミン、5−メチルーノ
ナメチレンージアミン、2.5−ジメチルーノナメチレ
ンージアミン、デカメチレンージアミン、■,10−ジ
アミノ−1.10−ジメチルーデカン、2,1l−ジア
ミノードデカン、1.12−ジアミノーオクタデカン、
2.12−ジアミノーオクタデカン、2,17−ジアミ
ノーアイコサン、ジアミノシロキサン、2.6−ジアミ
ノー4−カルボキシリックベンゼン、3.3′−ジアミ
ノ−4.4′−ジカルボキシリックベンジジンなどがあ
げられるが、これらに限定されるものではない。
ジアミンやm=1のジアミノカルボン酸、m=2のジア
ミノジカルボン酸などが用いられ、アミン成分は1種類
でも、2種類以上の混合物でもかまわない。用いられる
アミンの種類としては例えばm−フェニレンージアミン
、l−イソプロビル−2,4−フェニレンージアミン、
p−フエニレンージアミン、4,4′−ジアミノージフ
エニルプロパン、3.3’−ジアミノージフェニルプロ
パン、4,4′−ジアミノージフェニルエタン、3,3
′−ジアミノージフェニルエタン、4,4′−ジアミノ
ージフェニルメタン、3.3’−ジアミノージフェニル
メタン、4,4′−ジアミノージフェニルスルフィド、
3.3′−ジアミノージフェニルスルフィド、4,4′
−ジアミノージフェニルスルホン、3.3′−ジアミノ
ージフェニルスルホン、4,4′−ジアミノージフェニ
ルエーテル、3,3′−ジアミノージフェニルエーテル
、ベンジジン、3,3′−ジアミノービフェニル、3,
3′−ジメチル−4,4′−ジアミノービフェニル、3
.3′−ジメトキシーベンジジン、4.4”−ジアミノ
ーp−テルフェニル、3.3″−ジアミノーp−テルフ
ェニル、ビス(p−アミノーシク口ヘキシル)メタン、
ビス(p一β−アミノーt−プチルフェニル)エーテル
、ビス(p−β−メチル−δ〜アミノペンチル)ベンゼ
ン、ρ−ビス(2−メチル−4−アミノーペンチル)ベ
ンゼン、p−ビス(1.1−ジメチル−5−アミノーベ
ンチル)ベンゼン、1,5−ジアミノーナフタレン、2
.6−ジアミノーナフタレン、2.4−ビス(β−アミ
ノー[一ブチル)トルエン、2,4−ジアミノートルエ
ン、m−キシレン−2.5−ジアミン、p−キシレン−
2.5−ジアミン、m−キシリレンージアミン、p−キ
シリレンージアミン、2.6−ジアミノーピリジン、2
.5−ジアミノービリジン、2.5−ジアミノ−1.3
.4−オキサジアゾール、1.4−ジアミノーシク口ヘ
キサン、ビペラジン、メチレンージアミン、エチレンー
ジアミン、プロピレンージアミン、2.2−ジメチルー
プロピレンージアミン、テトラメチレンージアミン、ペ
ンタメチレンージアミン、ヘキサメチレンージアミン、
2,5−ジメチルーへキサメチレンージアミン、3−メ
トキシーへキサメチレンージアミン、ヘプタメチレンー
ジアミン、2,5−ジメチルーへブタメチレンージアミ
ン、3−メチルーへブタメチレンージアミン、4,4−
ジメチルーへブタメチレンージアミン、オクタメチレン
ージアミン、ノナメチレンージアミン、5−メチルーノ
ナメチレンージアミン、2.5−ジメチルーノナメチレ
ンージアミン、デカメチレンージアミン、■,10−ジ
アミノ−1.10−ジメチルーデカン、2,1l−ジア
ミノードデカン、1.12−ジアミノーオクタデカン、
2.12−ジアミノーオクタデカン、2,17−ジアミ
ノーアイコサン、ジアミノシロキサン、2.6−ジアミ
ノー4−カルボキシリックベンゼン、3.3′−ジアミ
ノ−4.4′−ジカルボキシリックベンジジンなどがあ
げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明において用いる一般式( III )で示される
ジアクリルアミド化合物(B) (III) (式中R3 : −H , −C H3R4,R5:
−H .−CH3.−CH20H )を感光剤として配
合した感光性樹脂は、吸水性が小さいため、バターニン
グ工程で、基板に塗布し乾燥した後長期に放置しても、
あるいは露光したまま長期に放置した後現像しパターン
化しても、塗布皮膜にクラックが発生するということは
ない。
ジアクリルアミド化合物(B) (III) (式中R3 : −H , −C H3R4,R5:
−H .−CH3.−CH20H )を感光剤として配
合した感光性樹脂は、吸水性が小さいため、バターニン
グ工程で、基板に塗布し乾燥した後長期に放置しても、
あるいは露光したまま長期に放置した後現像しパターン
化しても、塗布皮膜にクラックが発生するということは
ない。
また、ジアクリルアミド化合物の使用量は、ポリアミッ
ク酸成分100重量部に対して20〜200重量部が好
ましい。20重量部未満では感度が不充分であり、20
0重量部をこえると析出がおこり良好な皮膜が得られな
い。
ク酸成分100重量部に対して20〜200重量部が好
ましい。20重量部未満では感度が不充分であり、20
0重量部をこえると析出がおこり良好な皮膜が得られな
い。
本発明において用いられる増感剤としてはペンゾフェノ
ン、アセトフェノン、アントロン、p,p’−テトラメ
チルジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、フェ
ナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナ
フテン、ペンゾキノン、N−アセチルーp−ニトロアニ
リン、p−ニトロアニリン、2−エチルアントラキノン
、2−ターシャリーブチルアントラキノン、N−アセチ
ルー4−ニトロ−1−ナフチルアミン、ピクラミド、1
.2−ペンズアンスラキノン、3−メチル−1.3−ジ
アザー1.9−ペンズアンスロン、p,p′−テトラ、
エチルジアミノベンゾフエノン、2−クロロ−4−ニト
ロアニリン、ジベンザルアセトン、l,2−ナフトキノ
ン、2,5−ビス−(4′−ジエチルアミノベンザル)
一シクロペンタン、2.6−ビスー(4′−ジエチルア
ミノベンザル)一シクロヘキサノン、2.6−ビスー(
4′−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルーシクロ
ヘキサノン、2.6−ビスー(4′−ジエチルアミノベ
ンザル)−4−メチルーシクロヘキサノン、4,4′−
ビスー(ジメチルアミノ)一カルコン、4.4′−ビス
ー(ジェチルアミノ)一カルコン、p−ジメチルアミノ
ベンジリデンインダノン、1.3−ビス−(4゛−ジメ
チルアミノベンザル)一アセトン、1.3−ビス−(4
′−ジエチルアミノベンザル)一アセトン、N−フェニ
ルージエタノールアミン、N−p−トリルージエチルア
ミンやスチリル化合物、クマリン化合物などがあるが、
これらに限定されるものでなく、単独または併用して使
用することができる。
ン、アセトフェノン、アントロン、p,p’−テトラメ
チルジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、フェ
ナントレン、2−ニトロフルオレン、5−ニトロアセナ
フテン、ペンゾキノン、N−アセチルーp−ニトロアニ
リン、p−ニトロアニリン、2−エチルアントラキノン
、2−ターシャリーブチルアントラキノン、N−アセチ
ルー4−ニトロ−1−ナフチルアミン、ピクラミド、1
.2−ペンズアンスラキノン、3−メチル−1.3−ジ
アザー1.9−ペンズアンスロン、p,p′−テトラ、
エチルジアミノベンゾフエノン、2−クロロ−4−ニト
ロアニリン、ジベンザルアセトン、l,2−ナフトキノ
ン、2,5−ビス−(4′−ジエチルアミノベンザル)
一シクロペンタン、2.6−ビスー(4′−ジエチルア
ミノベンザル)一シクロヘキサノン、2.6−ビスー(
4′−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルーシクロ
ヘキサノン、2.6−ビスー(4′−ジエチルアミノベ
ンザル)−4−メチルーシクロヘキサノン、4,4′−
ビスー(ジメチルアミノ)一カルコン、4.4′−ビス
ー(ジェチルアミノ)一カルコン、p−ジメチルアミノ
ベンジリデンインダノン、1.3−ビス−(4゛−ジメ
チルアミノベンザル)一アセトン、1.3−ビス−(4
′−ジエチルアミノベンザル)一アセトン、N−フェニ
ルージエタノールアミン、N−p−トリルージエチルア
ミンやスチリル化合物、クマリン化合物などがあるが、
これらに限定されるものでなく、単独または併用して使
用することができる。
本発明において用いられる開始剤としては2,2一ジメ
トキシー2−フェニルーアセトフェノン、1−ヒドロキ
シーシク口へキシルーフェニルケトン、2−メチル−1
4−(メチルチオ)フェニル]−2一モルフォリノ−1
−プロパン、3.3’ ,4.4’−テトラー(t−プ
チルバーオキシカルボニル)ペンゾフェノン、ベンジル
、ペンゾインーイソグロピルエーテル、ペンゾインーイ
ソプチルエーテル、4.4′−ジメトキシベンジル、1
.4−ジベンゾイルベンゼン、4−ペンゾイルビフェニ
ル、2−ペンゾイルナフタレン、メチル一〇−ペンゾイ
ルベンゾエート、2.2′−ビス(O−クロロフェニル
)−4,4’ ,5.5’−テトラフェニル−1,2′
−ビイミダゾール、10−プチルー2−クロロアクリド
ン、エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、ジベン
ゾイルメタン、2.4−ジエチルチオキサントン、3,
3−ジメチル−4−メトキシーペンゾフェノン、2−ヒ
ドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパンーl−オ
ン、l−(4−イソプロビルフェニル)−2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロパン−1−オン、l−(4−ドデシ
ルフェニル)−2−ヒドロキシー2−メチルプロパン−
1−オン、■−フェニルー1.2−ブタンジオンー2−
(0−メトキシカルボニル)オキシム、l−フェニルー
プロパンブタンジオンー2−(O−ベンゾイル)オキシ
ム、1.2−ジフェニルーエタンジオンー1−(O−ベ
ンゾイル)オキシム、1.3−ジフエニループロパント
リオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム、l−フェニ
ル−3−エトキシープロパントリオン−2−(0−ベゾ
イル)オキシムやグリシン化合物、オキサゾロン化合物
などがあるが、これらに限定されるものではなく、単独
または併用して使用することができる。
トキシー2−フェニルーアセトフェノン、1−ヒドロキ
シーシク口へキシルーフェニルケトン、2−メチル−1
4−(メチルチオ)フェニル]−2一モルフォリノ−1
−プロパン、3.3’ ,4.4’−テトラー(t−プ
チルバーオキシカルボニル)ペンゾフェノン、ベンジル
、ペンゾインーイソグロピルエーテル、ペンゾインーイ
ソプチルエーテル、4.4′−ジメトキシベンジル、1
.4−ジベンゾイルベンゼン、4−ペンゾイルビフェニ
ル、2−ペンゾイルナフタレン、メチル一〇−ペンゾイ
ルベンゾエート、2.2′−ビス(O−クロロフェニル
)−4,4’ ,5.5’−テトラフェニル−1,2′
−ビイミダゾール、10−プチルー2−クロロアクリド
ン、エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、ジベン
ゾイルメタン、2.4−ジエチルチオキサントン、3,
3−ジメチル−4−メトキシーペンゾフェノン、2−ヒ
ドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパンーl−オ
ン、l−(4−イソプロビルフェニル)−2−ヒドロキ
シ−2−メチルプロパン−1−オン、l−(4−ドデシ
ルフェニル)−2−ヒドロキシー2−メチルプロパン−
1−オン、■−フェニルー1.2−ブタンジオンー2−
(0−メトキシカルボニル)オキシム、l−フェニルー
プロパンブタンジオンー2−(O−ベンゾイル)オキシ
ム、1.2−ジフェニルーエタンジオンー1−(O−ベ
ンゾイル)オキシム、1.3−ジフエニループロパント
リオン−2−(O−ベンゾイル)オキシム、l−フェニ
ル−3−エトキシープロパントリオン−2−(0−ベゾ
イル)オキシムやグリシン化合物、オキサゾロン化合物
などがあるが、これらに限定されるものではなく、単独
または併用して使用することができる。
本発明による耐熱性、感光性樹脂組成物には、接希助剤
やレベリング剤その他各種充填剤を添加してもよい。本
発明による感光性樹脂組成物は、IP導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバ
ーコート、ソルダーレジス1・膜や液晶配向膜などとし
ても有用である。
やレベリング剤その他各種充填剤を添加してもよい。本
発明による感光性樹脂組成物は、IP導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバ
ーコート、ソルダーレジス1・膜や液晶配向膜などとし
ても有用である。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例1
3.3’ ,4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物57gと、アミンとして4.4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル33gと下記式で示されるシリコー
ンジアミン10gとの混合物をN−メチルビロリドンに
投入し 20゜Cで6時間反応させた。
酸二無水物57gと、アミンとして4.4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル33gと下記式で示されるシリコー
ンジアミン10gとの混合物をN−メチルビロリドンに
投入し 20゜Cで6時間反応させた。
得られたポリアミック酸に、下式のジアクリルアミド化
合物100g と2−(p−ジメチルアミノスチリル)ペンゾオキサゾ
ール4gとN−フェニルグリシン8gを添加し、室温で
混合溶解した。
合物100g と2−(p−ジメチルアミノスチリル)ペンゾオキサゾ
ール4gとN−フェニルグリシン8gを添加し、室温で
混合溶解した。
得られた溶液をアルミ板上にスピンナーで塗布し、乾燥
機により65℃で1時間乾燥した。
機により65℃で1時間乾燥した。
このフイルムにコダック社製フォトグラフイツクステッ
プタブレットNo2. 21ステップ(本グレースケー
ルでは、段数が一段増加するごとに透過光量が前段の1
/f2に減少するので現像後の残存段階が大きいものほ
ど感度が良い)を重ね、500mj/cm2の紫外線を
照射した。2日間休日で放置後、N−メチルビロリドン
60重量%、メタノール40重量%の現像液を用い現像
、さらにイソプロビルアルコールでリンスをしたところ
13段までパターンが残存し、クラックもなく、高感度
であることが判った。
プタブレットNo2. 21ステップ(本グレースケー
ルでは、段数が一段増加するごとに透過光量が前段の1
/f2に減少するので現像後の残存段階が大きいものほ
ど感度が良い)を重ね、500mj/cm2の紫外線を
照射した。2日間休日で放置後、N−メチルビロリドン
60重量%、メタノール40重量%の現像液を用い現像
、さらにイソプロビルアルコールでリンスをしたところ
13段までパターンが残存し、クラックもなく、高感度
であることが判った。
次に、前述と同様な方法でシリコンウェハー上に塗布し
全面露光し、現像、+7ンスの各工程を行い、さらに1
50、250、350゜Cで各々30分間加熱硬化した
。
全面露光し、現像、+7ンスの各工程を行い、さらに1
50、250、350゜Cで各々30分間加熱硬化した
。
密着力試験のため1mm角に100個カットし、セロテ
ープで引き剥がそうとしたが、1個も剥がれず、高密着
性であることが判った。
ープで引き剥がそうとしたが、1個も剥がれず、高密着
性であることが判った。
また、別途アルミ板上に塗布し、全面露光、現像、リン
ス、熱硬化したあとアルミ板をエッチングで除去し、フ
イルムを得た。
ス、熱硬化したあとアルミ板をエッチングで除去し、フ
イルムを得た。
得られたフイルムの引張弾性率(JIS K−6760
)は140Kg/mm2と小さく(小さい方が良い)、
熱分解開始温度は430゜Cと高かった(高い方が良い
)。
)は140Kg/mm2と小さく(小さい方が良い)、
熱分解開始温度は430゜Cと高かった(高い方が良い
)。
比較例1〜6
実施例1にの方法に従い、シリコーン系ジアミンのシロ
キサン結合数と添加量、感光剤であるジアクリルアミド
化合物の添加量をそれぞれかえ、同様の実験を行ない、
第1表の結果を得た。
キサン結合数と添加量、感光剤であるジアクリルアミド
化合物の添加量をそれぞれかえ、同様の実験を行ない、
第1表の結果を得た。
比較例1では、ジメタクリルアミド化合物の添加量を1
0重量部に減らしたところ、感度が低く、クラックも発
生した。
0重量部に減らしたところ、感度が低く、クラックも発
生した。
比較例2では、ジメタクリルアミド化合物の橋加量を2
10重量部に増やしたところ、きれいなフィルムが得ら
れなかった。
10重量部に増やしたところ、きれいなフィルムが得ら
れなかった。
比較例3では、シリコーン系ジアミンの添加量を0.2
重量%に減らしたところ、弾性率を低下させることがで
きなかった。
重量%に減らしたところ、弾性率を低下させることがで
きなかった。
比較例4では、シリコーン系ジアミンの添加量を30重
量%に増やしたところ、フイルムが脆く、密着性もよく
なかった。
量%に増やしたところ、フイルムが脆く、密着性もよく
なかった。
比較例5では、シリコーン系ジアミンのシロキサン結合
数をn=0にしたところ、柔軟性に欠け、フィルム化時
点でクラックが発生しバラバラになった。
数をn=0にしたところ、柔軟性に欠け、フィルム化時
点でクラックが発生しバラバラになった。
比較例6では、シリコーン系ジアミンのシロキサン結合
数をn = 100にしたところ、反応率が低く未反応
シリコーンがフィルム表面にブリードし剥がれてしまっ
た。
数をn = 100にしたところ、反応率が低く未反応
シリコーンがフィルム表面にブリードし剥がれてしまっ
た。
[発明の効果]
ポリイミド樹脂の吸水性、吸湿性が大きいことは、ある
意味で宿命的欠点である。このため、従来の感光性化技
術では露光後の放置により吸湿し、現像時にクラックが
発生するという保存安定性の悪さを解決できなかった。
意味で宿命的欠点である。このため、従来の感光性化技
術では露光後の放置により吸湿し、現像時にクラックが
発生するという保存安定性の悪さを解決できなかった。
しかるに、本発明では、特殊な感光剤により、感度の向
上があっただけでなく、クラックのない良好なパターン
が得られるようになった。
上があっただけでなく、クラックのない良好なパターン
が得られるようになった。
さらには、ポリイミド樹脂としての耐熱性の優秀さ、ま
たシリコーン変性による低弾性率で高密着であるという
非常に優れた効果も同時に得られた。
たシリコーン変性による低弾性率で高密着であるという
非常に優れた効果も同時に得られた。
Claims (1)
- (1)下記式〔 I 〕で示されるシリコーン系ジアミン ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・〔 I 〕 (式中n:1〜50) を0.5〜25重量%共重合した、下記式〔II〕で示さ
れるポリアミック酸(A) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・〔II〕 (式中R_1、R_2:芳香族環状基 n:1〜2、m:0〜2) に、下記式〔III〕で示されるジアクリルアミド化合物
(B) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・〔III〕 (式中R_3:−H、−CH_3 R_4、R_5:−H、−CH_3、−CH_2OH)
を必須成分とし、(A)100重量部に対して(B)2
0〜200重量部及び必要に応じて増感剤及び/または
開始剤を配してなる感光性樹脂組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011944A JPH03216657A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 感光性樹脂組成物 |
| DE69030643T DE69030643T2 (de) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Lichtempfindliche Harzzusammensetzung und ihre Verwendung zur Herstellung eines Halbleiterapparats |
| EP90122780A EP0430220B1 (en) | 1989-11-30 | 1990-11-28 | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
| KR1019900019635A KR0147307B1 (ko) | 1989-11-30 | 1990-11-30 | 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 반도체 장치 |
| US08/140,893 US5385808A (en) | 1989-11-30 | 1993-10-25 | Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011944A JPH03216657A (ja) | 1990-01-23 | 1990-01-23 | 感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03216657A true JPH03216657A (ja) | 1991-09-24 |
Family
ID=11791760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011944A Pending JPH03216657A (ja) | 1989-11-30 | 1990-01-23 | 感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03216657A (ja) |
-
1990
- 1990-01-23 JP JP2011944A patent/JPH03216657A/ja active Pending
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