JPH03217823A - 液晶配向膜の形成方法 - Google Patents
液晶配向膜の形成方法Info
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- JPH03217823A JPH03217823A JP1410990A JP1410990A JPH03217823A JP H03217823 A JPH03217823 A JP H03217823A JP 1410990 A JP1410990 A JP 1410990A JP 1410990 A JP1410990 A JP 1410990A JP H03217823 A JPH03217823 A JP H03217823A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子の電極基根上に積層される液晶配
向膿の形成方法に関する。
向膿の形成方法に関する。
Ｃ従来の技術１
従来、この種液晶配向膜の形成方法として、Ｓ１０２、
ポリイミド膿等の表面をラビング処理する方法が知られ
ている． また、グロー敢電に晒す、イオンビームを叩射する方法
等もある。
ポリイミド膿等の表面をラビング処理する方法が知られ
ている． また、グロー敢電に晒す、イオンビームを叩射する方法
等もある。
Ｃ発明が解決しようとする課Ｕ］
しかしながら、上記ラビング処理を用いた液晶配向膜の
形成方法では、Ｓ ｉ ０ ２ポリイミド膜が剥れたり
、また膜表面やこれを擦る布にダストが付着している場
合には、液晶配向膜自体を傷付けるという不都合を有す
る。
形成方法では、Ｓ ｉ ０ ２ポリイミド膜が剥れたり
、また膜表面やこれを擦る布にダストが付着している場
合には、液晶配向膜自体を傷付けるという不都合を有す
る。
一方、グロー放電、イ才ンビームを用いる方法では上記
不都合はないが、電子、イオンによる電気的ダメージが
ある６たとえば、液晶配向膜の形成以前に基板上に作製
されたデバイスの特性シフト、あるいは液晶注入後のＣ
−■カーブのヒステリシス横の増大という形で表われる
液晶配向膜の劣化である。
不都合はないが、電子、イオンによる電気的ダメージが
ある６たとえば、液晶配向膜の形成以前に基板上に作製
されたデバイスの特性シフト、あるいは液晶注入後のＣ
−■カーブのヒステリシス横の増大という形で表われる
液晶配向膜の劣化である。
本発明は、このような問題を解決するものでその目的と
するところは、Ｓ ｉ Ｏｘポリイミド膜が剥れたりす
ることなく、ダストフリーでかつ電気的なダメージのな
い液晶配向膿の形成方法を提供するところにある。
するところは、Ｓ ｉ Ｏｘポリイミド膜が剥れたりす
ることなく、ダストフリーでかつ電気的なダメージのな
い液晶配向膿の形成方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶配向膜の形成方法は、ＳｉＯ２、？リイミ
ド膜の表面を電気的に中性なラジカル及び原子に晒すこ
とから成ることを特徴とする。
ド膜の表面を電気的に中性なラジカル及び原子に晒すこ
とから成ることを特徴とする。
グロー放電により生成したイオン、電子の中からイオン
のみを引き出し電極より取り出し、加速する。そのイオ
ンをニュートライズすることにより、電気的には中性な
ラジカル、原子のシャワーとし、これをＳｉＯ■、ポリ
イミド膜表面に照射する。
のみを引き出し電極より取り出し、加速する。そのイオ
ンをニュートライズすることにより、電気的には中性な
ラジカル、原子のシャワーとし、これをＳｉＯ■、ポリ
イミド膜表面に照射する。
（実 施 例１
以下図面に従って本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明方法を実施するための装置の一例を示す
もので，真空チャンバ１内にグロー放電ｌＯ発生室２を
設け、真空ポンブ３て真空排気できるようにしてある６
真空排気後、ガス導入口７よリアルゴンあるいは、窒素
、酸素、水素、ヘリウム、空気等の所望のガスを導入し
所定の圧力とする。圧力コントロールはマスフローコン
トローラを用いたが、真空ポンプ３側で排気スピードを
コントロールしてもよい。次に、マイクロ波９バワを印
加し、電５ｎ石８による磁界との共鳴を用い？いわゆる
ＥＣＲ放電を発生させる。このグロ放電１０の発生の方
法も、ＥＣＲ放電に限らず、ＤＣ放電、ＲＦ放電でも可
能である。グロー放電ＩＯによりイオンと電子を生成し
、イオン引き出し電極４に直流のマイナス電位を印加す
ることにより、前記グロー放電１０中からイオンを引き
出す。そのイオンをニュートライザ５で電気的な中性す
なわちラジカル及び原子とし、ＳｉＯ■、ポリイミド膜
をあらかじめ形成してある基板６にシャワーで照射する
。
もので，真空チャンバ１内にグロー放電ｌＯ発生室２を
設け、真空ポンブ３て真空排気できるようにしてある６
真空排気後、ガス導入口７よリアルゴンあるいは、窒素
、酸素、水素、ヘリウム、空気等の所望のガスを導入し
所定の圧力とする。圧力コントロールはマスフローコン
トローラを用いたが、真空ポンプ３側で排気スピードを
コントロールしてもよい。次に、マイクロ波９バワを印
加し、電５ｎ石８による磁界との共鳴を用い？いわゆる
ＥＣＲ放電を発生させる。このグロ放電１０の発生の方
法も、ＥＣＲ放電に限らず、ＤＣ放電、ＲＦ放電でも可
能である。グロー放電ＩＯによりイオンと電子を生成し
、イオン引き出し電極４に直流のマイナス電位を印加す
ることにより、前記グロー放電１０中からイオンを引き
出す。そのイオンをニュートライザ５で電気的な中性す
なわちラジカル及び原子とし、ＳｉＯ■、ポリイミド膜
をあらかじめ形成してある基板６にシャワーで照射する
。
製造、形成条件は幅広いが一例を示すと、処理ガス圧は
当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程、イオ
ン引き出し電極４により引き出されるイオンは多くなり
処理時間が短くなる。反面、イオン量が増すとニュート
ライズしにくいという問題が生じる。また、イオン引き
出し電極４のマイナス電位を大きくしても処理時間が短
くなる。しかし、これも上記同様にニュートライズしに
くいという問題ばかりか、ＳｉＯ２．ポリイミド膜表面
へ物理的な衝撃によるダメージが発生す？。このダメー
ジはラビング処理時に強く擦った場合とよく似ている。
当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程、イオ
ン引き出し電極４により引き出されるイオンは多くなり
処理時間が短くなる。反面、イオン量が増すとニュート
ライズしにくいという問題が生じる。また、イオン引き
出し電極４のマイナス電位を大きくしても処理時間が短
くなる。しかし、これも上記同様にニュートライズしに
くいという問題ばかりか、ＳｉＯ２．ポリイミド膜表面
へ物理的な衝撃によるダメージが発生す？。このダメー
ジはラビング処理時に強く擦った場合とよく似ている。
結局、イオン引き出し電極４に印加するマイナス電位は
、ラビング処理時のＳｉＯ。、ポリイミド膜への加圧に
匹敵し、従ってこのイオン引き出し電位により、液晶配
向力を調整できるのである。また基板６のラジカル、原
子シャワーに対する角度は、１０゜〜４５゜位が最も効
率的であった。
、ラビング処理時のＳｉＯ。、ポリイミド膜への加圧に
匹敵し、従ってこのイオン引き出し電位により、液晶配
向力を調整できるのである。また基板６のラジカル、原
子シャワーに対する角度は、１０゜〜４５゜位が最も効
率的であった。
本実施例ではガス種にもよるが、アルゴンを使用した場
合、ＩＰａの圧力で配向材にポリイミドを使用するとイ
オン引き出し電位は−１０Ｖから配向を始め、ＳｉＯ■
を使用すると−３０Ｖから配向を始めた。また、両配向
材共−２００ｖ〜一５００■位からダメージを生・し、
液晶注入後のＣ一■特性のみならず画質の劣化がみられ
た。これらの定量的な値は、放電の発生方法、ガス圧、
ガス種、あるいは、ラジカル、原子シャワーに対する基
板６の角度等によって当然変わるものである。
合、ＩＰａの圧力で配向材にポリイミドを使用するとイ
オン引き出し電位は−１０Ｖから配向を始め、ＳｉＯ■
を使用すると−３０Ｖから配向を始めた。また、両配向
材共−２００ｖ〜一５００■位からダメージを生・し、
液晶注入後のＣ一■特性のみならず画質の劣化がみられ
た。これらの定量的な値は、放電の発生方法、ガス圧、
ガス種、あるいは、ラジカル、原子シャワーに対する基
板６の角度等によって当然変わるものである。
また、本記述では、ラジカル、原子としてある？，分子
であっても電気的に中性であれば、本発明の意としてい
るところの範ちゅうに入る。
であっても電気的に中性であれば、本発明の意としてい
るところの範ちゅうに入る。
［発明の効果］
このように、本発明によれば、Ｓｉ０２．ポリイミド膜
の表面を電気的に中性なラジカル及び原子のシャワーに
晒すことから、上記ＳｉＯ■、ポノイミド膜表面に傷が
なく、クリーンでしかも、電気的ダメージのない液晶配
向膜を簡単に形成することができるという効果を有する
。
の表面を電気的に中性なラジカル及び原子のシャワーに
晒すことから、上記ＳｉＯ■、ポノイミド膜表面に傷が
なく、クリーンでしかも、電気的ダメージのない液晶配
向膜を簡単に形成することができるという効果を有する
。
第１図は、本発明における液晶配向膜の形成方法を実施
するための装置の一例を示す図。 ・真空チャンバ ・グロー放電発生室 真空ポンプ イオン引き出し電極 ・ニュートライザ ・基板 ７ ・ガス導入口 ８ ・ｉｔｍ石 ９ ・マイクロ波 １ ０ グロー放電 以 上
するための装置の一例を示す図。 ・真空チャンバ ・グロー放電発生室 真空ポンプ イオン引き出し電極 ・ニュートライザ ・基板 ７ ・ガス導入口 ８ ・ｉｔｍ石 ９ ・マイクロ波 １ ０ グロー放電 以 上
Claims (1)
- ＳｉＯ＿２、ポリイミド膜の表面を電気的に中性なラジ
カル及び原子のシャワーに晒すことから成る液晶配向膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1410990A JPH03217823A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 液晶配向膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1410990A JPH03217823A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 液晶配向膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03217823A true JPH03217823A (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=11851952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1410990A Pending JPH03217823A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 液晶配向膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03217823A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0806699A3 (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-10 | International Business Machines Corporation | Particle beam alignment of liquid crystals |
| JP2007047252A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及び投射型表示装置 |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1410990A patent/JPH03217823A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0806699A3 (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-10 | International Business Machines Corporation | Particle beam alignment of liquid crystals |
| US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
| CN1107696C (zh) * | 1996-05-10 | 2003-05-07 | 国际商业机器公司 | 液晶的原子束排列方法 |
| JP2007047252A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の製造方法及び投射型表示装置 |
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