JPH03225820A - 薄膜の膜質改善方法 - Google Patents
薄膜の膜質改善方法Info
- Publication number
- JPH03225820A JPH03225820A JP2020287A JP2028790A JPH03225820A JP H03225820 A JPH03225820 A JP H03225820A JP 2020287 A JP2020287 A JP 2020287A JP 2028790 A JP2028790 A JP 2028790A JP H03225820 A JPH03225820 A JP H03225820A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＳｉウェハーなどに所定薄膜の形成などに好適
な薄膜の膜質改善方法に関する。
な薄膜の膜質改善方法に関する。
−層詳細には、形成された薄膜に加速イオンが衝突し、
この衝撃効果による薄膜形成分子が叩き込まれる作用を
生起せしめることにより、薄膜表面がより平滑化され、
さらに薄膜の密着（付着）強１ならびに有機汚染膜が除
去されて薄膜表面の清浄がそれぞれ向上するようにした
ものである。
この衝撃効果による薄膜形成分子が叩き込まれる作用を
生起せしめることにより、薄膜表面がより平滑化され、
さらに薄膜の密着（付着）強１ならびに有機汚染膜が除
去されて薄膜表面の清浄がそれぞれ向上するようにした
ものである。
従来、グロー放電によるイオン照射として知悉されるイ
オンボンバード（ｉｏｎ Ｂｏｏｍｂａｒｄ）法はＳ
ｉウェハーなどに薄膜が形成される直前の清浄のみにに
多用されている。
オンボンバード（ｉｏｎ Ｂｏｏｍｂａｒｄ）法はＳ
ｉウェハーなどに薄膜が形成される直前の清浄のみにに
多用されている。
第２図にイオン照射による清浄装置を示す。
符号２は真空槽であり、４は陰極、６は陽極、８はＳｉ
ウェハーなどの基板である。
ウェハーなどの基板である。
この真空槽２にＡｒガス（稀ガス）を流入せしめ、さら
に陰極４、陽極６間に電圧を印加する。
に陰極４、陽極６間に電圧を印加する。
これによりグロー放電の放電空間が形成され、基板８に
加速されたイオン（Ａｒ＋）群９が衝突する。
加速されたイオン（Ａｒ＋）群９が衝突する。
このようにして基板８の清浄が行われる。
しかしながら、前記の従来の技術のイオン照射はＳｉウ
ェハーなどの清浄に用いられるものであり、薄膜表面の
平滑化、薄膜の密着強化に供された例は現況において見
当たらない。
ェハーなどの清浄に用いられるものであり、薄膜表面の
平滑化、薄膜の密着強化に供された例は現況において見
当たらない。
本発明は上記の課題に鑑みてなされ、加速イオンを１膜
へ衝突せしめ、この際の薄膜形成分子が叩き込まれる作
用により、薄膜表面の平滑化、薄膜の密着の強化、薄膜
表面の清浄化に優れる薄膜のＭ’ｌ改善方法を捉供する
ことを目的とする。
へ衝突せしめ、この際の薄膜形成分子が叩き込まれる作
用により、薄膜表面の平滑化、薄膜の密着の強化、薄膜
表面の清浄化に優れる薄膜のＭ’ｌ改善方法を捉供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記の課題を解決するために、本発明の薄膜の膜質改善
方法において、ガスを有した真空槽内に配設される陰極
と陽極に電圧が印加され、生起したグロー放電の放電空
間に生起するイオンが陽極に対向した基板の薄膜に衝突
することを特徴とする。
方法において、ガスを有した真空槽内に配設される陰極
と陽極に電圧が印加され、生起したグロー放電の放電空
間に生起するイオンが陽極に対向した基板の薄膜に衝突
することを特徴とする。
上記において、形成された薄膜に加速イオンが衝突して
、薄膜形成分子が叩き込まれる作用を生起する。
、薄膜形成分子が叩き込まれる作用を生起する。
これにより、薄膜表面が平滑化され、さらに薄膜の密着
が強化されるとともに有機汚染膜が除去される。
が強化されるとともに有機汚染膜が除去される。
〔実施例〕
次に、本発明に係る薄膜の膜質改善方法の一実施例を添
付図面を参照して詳細に説明する。
付図面を参照して詳細に説明する。
第１図は実施例の説明に供されるイオン照射装置の概略
構成図である。
構成図である。
第１図において、符号１２は真空槽であり、１４は陰極
、１６は陽極、１８はＳｉウェハーなどの基板であり、
この基板１８は、必要に応じてこの真空槽内で上記従来
例で述べたのとどうように、その表面を清浄し、その後
数千人程度の薄膜１８ａ（例えば、電極用の薄ｌ１ｌ）
が、この真空槽内で基体１８ｂに設けられている。
、１６は陽極、１８はＳｉウェハーなどの基板であり、
この基板１８は、必要に応じてこの真空槽内で上記従来
例で述べたのとどうように、その表面を清浄し、その後
数千人程度の薄膜１８ａ（例えば、電極用の薄ｌ１ｌ）
が、この真空槽内で基体１８ｂに設けられている。
なお符号１９は陰極１４と陽極１６に所定の電圧を印加
するための電圧印加部である。
するための電圧印加部である。
この真空槽１２にＡ「ガス（稀ガス）が予め流入（充填
）している、さらに陰極１４、陽８ｉ１６に電圧を印加
される。これによるグロー放電の放電空間が形成され、
陽極１６から陰極１４に向かう加速イオン（Ａｒ＋）群
２０が生起する。
）している、さらに陰極１４、陽８ｉ１６に電圧を印加
される。これによるグロー放電の放電空間が形成され、
陽極１６から陰極１４に向かう加速イオン（Ａｒ＋）群
２０が生起する。
この場合、加速イオン（Ａｒ＋）群２０が基１１８の薄
膜１８ａに衝突する。ここで衝突した加速イオン（Ａｒ
−ｔ−）群２０により薄膜１８ａの形成分子が叩き込ま
れる作用を生じる。
膜１８ａに衝突する。ここで衝突した加速イオン（Ａｒ
−ｔ−）群２０により薄膜１８ａの形成分子が叩き込ま
れる作用を生じる。
これにより、薄膜１８ａの表面が平滑化される。さらに
薄膜の密着が強化される０例えば、本発明が実施された
事例において、従来例に比較し密着強度が３０〜４０％
向上するものとなり、その改善が顕著であった。
薄膜の密着が強化される０例えば、本発明が実施された
事例において、従来例に比較し密着強度が３０〜４０％
向上するものとなり、その改善が顕著であった。
また比較的厚膜である有機汚染膜が除去され、１１表面
の清浄化が向上する。
の清浄化が向上する。
なお、上記実施例の説明で用いたイオン照射装！にかか
わらず本発明の作用効果を逸脱しない範囲でどのような
装置を用いても良いことは勿論である。
わらず本発明の作用効果を逸脱しない範囲でどのような
装置を用いても良いことは勿論である。
以上のように、本発明の薄膜の膜質改善方法によれば、
稀ガスを有した真空槽内に配設される陰極と陽極に電圧
が印加され、生起したグロー放電の放電空間に生起する
イオンが陽極に対向したＳ板の１膜に衝突することを特
徴としている。
稀ガスを有した真空槽内に配設される陰極と陽極に電圧
が印加され、生起したグロー放電の放電空間に生起する
イオンが陽極に対向したＳ板の１膜に衝突することを特
徴としている。
これにより、形成されたａｌｌに加速イオンが衝突して
、その衝撃効果による薄膜の形成分子が叩き込まれる作
用が生起するものとなり、薄膜表面が平滑化され、さら
に薄膜の密着強度ならびに有機汚染膜が除去されて薄膜
表面の清浄化がそれぞれ向上する効果を奏する。
、その衝撃効果による薄膜の形成分子が叩き込まれる作
用が生起するものとなり、薄膜表面が平滑化され、さら
に薄膜の密着強度ならびに有機汚染膜が除去されて薄膜
表面の清浄化がそれぞれ向上する効果を奏する。
第１図は本発明の薄膜の膜質改善方法に係る実施例の説
明に供されるイオン照射装置の概略構成図、第２図は従
来の技術の説明に供されるイオン照射による清浄装置の
概略構成図である。 １２・・・真空槽、 １４・・・陰極、１６・・・
陽極、 １８・・・基板、１８ａ−１膜、
１８ ｂ −・・基体、２０・・・加速イオン群。
明に供されるイオン照射装置の概略構成図、第２図は従
来の技術の説明に供されるイオン照射による清浄装置の
概略構成図である。 １２・・・真空槽、 １４・・・陰極、１６・・・
陽極、 １８・・・基板、１８ａ−１膜、
１８ ｂ −・・基体、２０・・・加速イオン群。
Claims (1)
- ガスを有した真空槽内に配設される陰極と陽極に電圧が
印加され、生起したグロー放電の放電空間に生起するイ
オンが陽極に対向した基板の薄膜に衝突することを特徴
とする薄膜の膜質改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020287A JPH03225820A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 薄膜の膜質改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020287A JPH03225820A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 薄膜の膜質改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225820A true JPH03225820A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12022955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020287A Pending JPH03225820A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | 薄膜の膜質改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976328A (en) * | 1996-01-26 | 1999-11-02 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2020287A patent/JPH03225820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976328A (en) * | 1996-01-26 | 1999-11-02 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
| US6344115B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-02-05 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system |
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