JPH0463323A - 液晶配向処理法 - Google Patents
液晶配向処理法Info
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- JPH0463323A JPH0463323A JP17590690A JP17590690A JPH0463323A JP H0463323 A JPH0463323 A JP H0463323A JP 17590690 A JP17590690 A JP 17590690A JP 17590690 A JP17590690 A JP 17590690A JP H0463323 A JPH0463323 A JP H0463323A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子の電極基板上に積層される液晶配
向膜の液晶配向処理法に関する。
向膜の液晶配向処理法に関する。
［従来の技術１
従来、この種液晶配向膜の液晶配向処理法として、例え
ばポリイミドの表面を布などを用いて摩擦するラビング
処理法が知られている。また、別の方法として、液晶配
向膜材であるＳｉＯｘ自体を基板に対して斜方から蒸着
する斜方蒸着法がある。
ばポリイミドの表面を布などを用いて摩擦するラビング
処理法が知られている。また、別の方法として、液晶配
向膜材であるＳｉＯｘ自体を基板に対して斜方から蒸着
する斜方蒸着法がある。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら、前記ラビング処理を用いた液晶配向膜の
配向処理法では、ポリイミド等の配向膜が剥れたり、こ
の方法の中で使用する布から発生する繊維状の塵による
表示不良が発生し易いという不都合を有する。
配向処理法では、ポリイミド等の配向膜が剥れたり、こ
の方法の中で使用する布から発生する繊維状の塵による
表示不良が発生し易いという不都合を有する。
一方、ＳｉＯｘの斜方蒸着を用いる方法では上記不都合
はないが、生産性が低いという問題点を有する。
はないが、生産性が低いという問題点を有する。
本発明は、このような課題を解決するものでその目的と
するところは、液晶配向膜が剥れたりすることなく均一
に液晶配向処理が施されかつダストフリーで生産性の高
い液晶配向処理法を提供するところにある。
するところは、液晶配向膜が剥れたりすることなく均一
に液晶配向処理が施されかつダストフリーで生産性の高
い液晶配向処理法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶配向処理法は、以下のことを特徴とする。
（１）液晶配向膜表面をイオンシャワーに晒すことから
成ること。
成ること。
（２）前記液晶配向膜がポリイミド、ポリビニルアルコ
ール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリロニトリル
、Ｓ ｉ Ｏｘ 、 Ｔａｘ Ｏｓ 、 Ｉ Ｔ。
ール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリロニトリル
、Ｓ ｉ Ｏｘ 、 Ｔａｘ Ｏｓ 、 Ｉ Ｔ。
のうち少なくとも一つを含む膜からなること。
（３）＠紀イオンシャワーとなるガス種が水素、ヘリウ
ム、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気のうち少なくとも一
つを含むこと。
ム、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気のうち少なくとも一
つを含むこと。
〔実 施 例］
以下図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明方法を実施するための装置の一例を示す
もので、１は真空チャンバで、チャンバ内にグロー放電
発生室２を設けている。３は真空ポンプて、４はガス導
入口であり、圧力コントロールはマスフローコントロー
ラを用いるが、真空ポンプ３側で排気スピードをコント
ロールしてもよい。５はマイクロ波で、電磁石６による
磁界との共鳴を用いるいわゆるＥＣＲ放電を発生させる
。
もので、１は真空チャンバで、チャンバ内にグロー放電
発生室２を設けている。３は真空ポンプて、４はガス導
入口であり、圧力コントロールはマスフローコントロー
ラを用いるが、真空ポンプ３側で排気スピードをコント
ロールしてもよい。５はマイクロ波で、電磁石６による
磁界との共鳴を用いるいわゆるＥＣＲ放電を発生させる
。
このグロー放電の発生の方法も、ＥＣＲ敢電に限らず、
ＤＣ放電、ＲＦ放電でも可能である。７はイオン引き出
し電極で直流のマイナス電位が印加てきる電源を具備し
ている。８は被処理基板でイオンシャワーに晒す角度を
変えることのできる換角機構を具備した基板ホルダー９
で支持する。
ＤＣ放電、ＲＦ放電でも可能である。７はイオン引き出
し電極で直流のマイナス電位が印加てきる電源を具備し
ている。８は被処理基板でイオンシャワーに晒す角度を
変えることのできる換角機構を具備した基板ホルダー９
で支持する。
この装置を用いた液晶配向処理法の一例を液晶配向膜と
してポリイミドを、ガス種としてアルゴンを用いた場合
について以下に説明する。
してポリイミドを、ガス種としてアルゴンを用いた場合
について以下に説明する。
真空チャンバ１内を真空ポンプ３でｌＸｌ０−’Ｔｏｒ
ｒに排気後、ガス導入口４よりアルゴンガスを真空チャ
ンバ１内に導入して、所望の真空度に設定する。その後
、図には示さないが、２４５ＧＨｚのマイクロ波５を発
生するマイクロ波電源を用いて、グロー放電発生室２内
にアルゴンプラズマを発生させる。発生したアルゴンプ
ラズマ中にはイオン、電子、励起原子、励起分子、光等
の活性粒子が生成され、イオン引き出し電極７によりイ
オンを引き出し、ポリイミド液晶配向膜を予め形成しで
ある基板８に晒す。
ｒに排気後、ガス導入口４よりアルゴンガスを真空チャ
ンバ１内に導入して、所望の真空度に設定する。その後
、図には示さないが、２４５ＧＨｚのマイクロ波５を発
生するマイクロ波電源を用いて、グロー放電発生室２内
にアルゴンプラズマを発生させる。発生したアルゴンプ
ラズマ中にはイオン、電子、励起原子、励起分子、光等
の活性粒子が生成され、イオン引き出し電極７によりイ
オンを引き出し、ポリイミド液晶配向膜を予め形成しで
ある基板８に晒す。
製造、形成条件は幅広いが一例を示すと、処理ガス圧は
当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程イオン
引き出し電極７により引き出されるイオンは多くなり処
理時間は短くなる。また、イオン引き出し電極７に印加
するマイナス電位を太き（しても処理時間は短くなる。
当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程イオン
引き出し電極７により引き出されるイオンは多くなり処
理時間は短くなる。また、イオン引き出し電極７に印加
するマイナス電位を太き（しても処理時間は短くなる。
しかし、この場合、マイナス電位を大きくし過ぎると液
晶配向膜表面に物理的な衝撃によるダメージが発生する
にのダメージは従来のラビング処理時に強く擦った場合
とよく似ている。結局、イオン引き出し電極７に印加す
るマイナス電位は、従来のラビング処理時の液晶配向膜
へのローラーの加圧に匹敵し、従って、このイオン引き
出し電極７の電位により液晶配向力を調整できるのであ
る。また、基板８の法線方向に対するイオンシャワーの
角度は、４０°〜８０°位が最も効率的で、角度が大き
いほど液晶分子のプレティルト角が小さくなる。すなわ
ち、基板８のイオンシャワーに対する角度により、液晶
分子のプレティルト角を調整できるのである。
晶配向膜表面に物理的な衝撃によるダメージが発生する
にのダメージは従来のラビング処理時に強く擦った場合
とよく似ている。結局、イオン引き出し電極７に印加す
るマイナス電位は、従来のラビング処理時の液晶配向膜
へのローラーの加圧に匹敵し、従って、このイオン引き
出し電極７の電位により液晶配向力を調整できるのであ
る。また、基板８の法線方向に対するイオンシャワーの
角度は、４０°〜８０°位が最も効率的で、角度が大き
いほど液晶分子のプレティルト角が小さくなる。すなわ
ち、基板８のイオンシャワーに対する角度により、液晶
分子のプレティルト角を調整できるのである。
以上の方法で、アルゴンガス圧をｌ Ｏ−２Ｔｏｒｒ、
イオン引き出し電位を一１００■、基板の法線方向に対
するイオンシャワーの角度を７０°、処理時間１分とし
て配向処理を行なったところ、均一性の高い配向が得ら
れ、磁界電位法によって測定した液晶分子のプレティル
ト角は０５°であった。
イオン引き出し電位を一１００■、基板の法線方向に対
するイオンシャワーの角度を７０°、処理時間１分とし
て配向処理を行なったところ、均一性の高い配向が得ら
れ、磁界電位法によって測定した液晶分子のプレティル
ト角は０５°であった。
液晶配向膜にポリビニルアルコール、ポリエチレンオキ
サイド、ポリアクリロニトリル、Ｓ ｉ Ｏａ 、Ｔａ
ｇ Ｏｓ 、ＩＴＯを使用した場合もポリイミドと同様
均一な配向が得られるが、５ｉｏ２．Ｔａａ Ｏｓ、Ｉ
ＴＯの場合は他の有機膜と同等の配向性を得るには、有
機膜の配向処理条件に比べて、イオン引き出し電極７に
印加するマイナス電位を大きくするが、処理時間を長く
する必要がある。
サイド、ポリアクリロニトリル、Ｓ ｉ Ｏａ 、Ｔａ
ｇ Ｏｓ 、ＩＴＯを使用した場合もポリイミドと同様
均一な配向が得られるが、５ｉｏ２．Ｔａａ Ｏｓ、Ｉ
ＴＯの場合は他の有機膜と同等の配向性を得るには、有
機膜の配向処理条件に比べて、イオン引き出し電極７に
印加するマイナス電位を大きくするが、処理時間を長く
する必要がある。
ガス種に関しては、水素、ヘリウム、酸素、窒素、水蒸
気のいずれにおいても配向処理の効果があったが、酸素
を含むガス種を使用する場合は、装置を使用し続けると
イオン引き出し電極７の表面が酸化され引き出し効果が
薄れるため、定期的に電極のクリーニングあるいは交換
を必要とする。
気のいずれにおいても配向処理の効果があったが、酸素
を含むガス種を使用する場合は、装置を使用し続けると
イオン引き出し電極７の表面が酸化され引き出し効果が
薄れるため、定期的に電極のクリーニングあるいは交換
を必要とする。
［発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、液晶配向膜表面を
イオンシャワーに晒すことにより、液晶配向膜が剥れた
りすることなく均一に液晶配向処理が施されかつダスト
フリーで生産性の高い液晶配向処理を行なうことができ
るという効果を有する。
イオンシャワーに晒すことにより、液晶配向膜が剥れた
りすることなく均一に液晶配向処理が施されかつダスト
フリーで生産性の高い液晶配向処理を行なうことができ
るという効果を有する。
また、イオン引き出し電位により液晶配向力を調整でき
る。
る。
さらに、基板に対するイオンシャワーの角度により液晶
分子のプレティルト角を調整できるという多大な効果を
有する。
分子のプレティルト角を調整できるという多大な効果を
有する。
第１図は、本発明液晶配向処理法を実施するための装！
の一例を示す概略図。 １ ・ ・ ２ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ 真空チャンバ グロー１１１電発生室 真空ポンプ ガス導入口 マイクロ波 を磁石 イオン引き出し電極 被処理基板 基板ホルダ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
の一例を示す概略図。 １ ・ ・ ２ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ５ ・ ・ ６ ・ ・ ７ ・ ・ ８ ・ ・ ９ ・ ・ 真空チャンバ グロー１１１電発生室 真空ポンプ ガス導入口 マイクロ波 を磁石 イオン引き出し電極 被処理基板 基板ホルダ 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (3)
- （１）液晶配向膜表面をイオンシャワーに晒すことから
成ることを特徴とする液晶配向処理法。 - （２）前記液晶配向膜がポリイミド、ポリビニルアルコ
ール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリロニトリル
、ＳｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿５、ＩＴＯのうち少なくと
も一つを含む膜からなることを特徴とする請求項１記載
の液晶配向処理法。 - （３）前記イオンシャワーとなるガス種が水素、ヘリウ
ム、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気のうち少なくとも一
つを含むことを特徴とする請求項１記載の液晶配向処理
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17590690A JPH0463323A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17590690A JPH0463323A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463323A true JPH0463323A (ja) | 1992-02-28 |
Family
ID=16004307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17590690A Pending JPH0463323A (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0463323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
| WO2002057839A3 (en) * | 2000-11-30 | 2003-03-13 | Ibm | Improving the stability of ion beam generated alignment layers by surface modification |
| KR100937844B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조 방법 |
| CN103728785A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 光配向设备与光配向方法 |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17590690A patent/JPH0463323A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770826A (en) * | 1996-05-10 | 1998-06-23 | International Business Machines Corporation | Atomic beam alignment of liquid crystals |
| WO2002057839A3 (en) * | 2000-11-30 | 2003-03-13 | Ibm | Improving the stability of ion beam generated alignment layers by surface modification |
| US6665033B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Method for forming alignment layer by ion beam surface modification |
| KR100937844B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 제조 방법 |
| CN103728785A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 光配向设备与光配向方法 |
| CN103728785B (zh) * | 2013-11-05 | 2016-04-06 | 友达光电股份有限公司 | 光配向设备与光配向方法 |
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