JPH03218352A - ピリジン系液晶化合物 - Google Patents

ピリジン系液晶化合物

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JPH03218352A
JPH03218352A JP2193365A JP19336590A JPH03218352A JP H03218352 A JPH03218352 A JP H03218352A JP 2193365 A JP2193365 A JP 2193365A JP 19336590 A JP19336590 A JP 19336590A JP H03218352 A JPH03218352 A JP H03218352A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は強誘電性液晶材料として有用な新規な液晶化合
物に関する。
[従来の技術コ ー1ー 現在、液晶表示素子としてはTN(ねじれネマチック)
型表示方式が最も広汎に使用されている。
このTN液晶表示は、駆動電圧が低い、消費電力が少な
いなど、多くの利点を持っている。しかしながら、応答
速度の点に於で発光型素子(陰極管、エレクトロルミネ
ツセンス、プラズマディスプレイ等)と比較して劣って
いる。ねじれ角を180〜270°にした新しいTN型
表示素子も開発されているが、応答速度はやはり劣って
いる。この様に種々の改善の努力は行われているが、応
答速度の速いTN型表示素子は実現には至っていない。
しかしながら最近、盛んに研究が進められている強誘電
性液晶を用いる新しい表示方式においては、著しい応答
速度の改善の可能性がある(N. A.Clarkら;
 App! ied Phys.Lett., 36,
 899(1980))。この方式は強誘電性を示すカ
イラルスメクチックC相等のカイラルスメクチツク相を
利用する方法である。強誘電性を示す相はカイラルスメ
クチックC相のみではなく、カイラルスメクチックF,
G,H等の相が強誘電性を示すことが−2− 知られている。実際に利用される強誘電性液晶表示素子
に使用される強誘電性液晶材料には多くの特性が要求さ
れるが、それらを満たすには現在のところ、一つの化合
物では応じられず、いくつかの液晶化合物または非液晶
化合物を混合して得られる強誘電性液晶組成物を使用す
る必要がある。
また、強誘電性液晶化合物のみからなる強誘電性液晶組
成物ばかりではなく、特開昭60−36003号公報に
は非カイラルなスメクチックC,F、G,H,I等の相
を呈する化合物および組成物を基本物質として、これに
強誘電性液晶相を呈する一種または複数の化合物を混合
して全体を強誘電性液晶組成物とし得ることが報告され
ている。さらにスメクチックC等の相を呈する化合物お
よび組成物を基本物質として、光学活性ではあるが強誘
電性液晶相は呈しない一種あるいは複数の化合物を混合
して全体を強誘電性液晶組成物とする報告も見受けられ
る(Mol.Cryst.Liq.Cryst., 8
9,327 (1982))。
これらのことを総合すると強誘電性液晶相を呈−3− するか否にかかわらず光学活性である化合物の一種また
は複数を基本物質と混合して強誘電性液晶組成物を構成
できることがわかる。
これらの基本物質としては、スメクチツクC等の非力イ
ラルなスメクチツク液晶相を示す種々の化合物が用いら
れるが、実用的には室温を含む広い温度範囲でスメクチ
ツクC相を呈する液晶化合物もしくは混合物が望ましい
。これらのスメクチックC液晶混合物の成分として、フ
エニルベンゾエート系、ビフエニル系、フエニルビリジ
ン系および5−アルキルー2−(4−アルコキシフエニ
ル)ピリミジンなどの液晶化合物が挙げられる。
[発明が解決しようとする課題] しかし、これらに光学活性化合物を添加することによっ
て得られるカイラルスメクチツクC液品材料が強誘電性
を利用する液晶表示に於で優れた性能を示すか否かにつ
いては、未だ最終的な評価が得られていない。それは強
誘電性を利用する液晶表示が技術的に完成していないこ
とによるものである。従って、現状では新しいスメクチ
ツクC−4− 材料を種々試験してみることが必要である。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは上記の様な用途に使用するに適した、スメ
クチックC相を呈する新規な液晶化合物について鋭意検
討を行った結果、本発明に到達した。すなわち本発明は
、一般式 R−X’−(−A’−X”−)n−A”−A3−X3−
R’  (1)〔式中、R,R’は炭素数1〜18のア
ルキル基を、X1は直接結合、−0−、一S−または−
C≡C一を、A1、A3は1〜4個のフッ素原子または
塩素原子で置換されていてもよい1,4−フェニレン基
を、nは0または1を、x2はーCEC−またはーCH
2CH2−を、A2は−Q一またはーD−を、X3は直
接結合、一〇−またはーS−を表す(ただしnがO、A
2が−Q−(7)場合、X1は−(,”C−である))
 で示されるビリジン系液晶化合物である。
一般式(1)において、R,R’を示す炭素数1〜18
のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロ
ビル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル
基、n−へブチル基、n−オクチ−5ー ル基、n−ノニル基、 n−デシル基、n−ウンデシル
基、n−ドデシル基、n−テトラデシル基、n−ヘキサ
デシル基、n−オクタデシル基などが挙げられる。
これらのうち、好ましくは炭素数4〜14のアルキル基
である。
A1、A3は、好ましくは1〜2個のフッ素原子で置換
されていてもよい1,4−フエニレン基である。
X3は好ましくは直接結合および一〇−である。
一般式(1)で示される化合物の具体例としては、表−
1に示すような基を有する化合物が挙げられる。
一6ー (I)nが1の場合。
表−1(1) −7− 表−1 (2) −8− 表−1 (3) −9ー 表−1 (4) −10− 表−1 (5) 表−1 (6) 表−1 (7) −13一 表−1 (8) −14ー 表−1 (9) (II) nが1、 X2が−C≡C−、A2が一〇−の場合。
表−1(10) 表−1 (11) 表−1 (12) (m)nが1、X2が−CH2CH2−、A2が一〇−
の場合。
表−1 (13) =17− 表−1 (14) −18− 表−1 (15) 表−1中、 BUT PEN 11EX 11EP OCT NON DEC UND DOD TED Ac ?記号はそれぞれ以下の基を表す。
n−C4}1g − n−C5 t{1 1 − n−C6 H1 3 − n−C7 H15 − n−CBH.■一 n−Cg ■1g − n−c1s}I2t− n−C,1 1{23− n一〇12H25− n−C1,tl2g− −C≡C− 単結合 一般式(1)に含まれる化合物は、例えば次の工程を経
て合成できる〔下記式中、R,R’ 、X’およびX3
は一般式(1)の場合と同一である〕。
■ nが0、x1が−C≡C−、A2が−O−、A3が
−21− すなわち、一般式(2)の化合物を、塩基(例えば水酸
化ナトリウム)の存在下アルキル化剤(例えばハロゲン
化アルキル)と反応させて、般式(4)の化合物を得る
一般式(4)の化合物に金属マグネシウムを作用させグ
リニャール試薬とした後、不活性ガス雰囲気下、0価ま
たは2価のパラジウム触媒存在下、2,5−ジハロゲノ
ピリジン類(例えば2,5−ジブロモピリジン)と反応
させることにより、一般式(6)の化合物を得る 一般式(6)の化合物と一般式(7)の化合物を、トリ
エチルアミン中不活性ガス雰囲気下、0価または2価の
パラジウム触媒を用いて反応させ−22− ることにより、本発明の化合物である一般式(1a)の
化合物を得ることができる。
■ nがo, x’が直接結合、A2がーD−、A3が
Y”−(:)−NO2 (Y”; Cl,Br or ) (8) R”−CミC−Q−NO2 (10) R−Q−V” (13) トリエチルアミン中不活性ガス雰囲気下、O価または2
価のパラジウム触媒を用いて反応させることにより、一
般式(10)の化合物を得る。
一般式(10)の化合物をパラジウムカーボン存在下、
水素添加することにより一般式(11)の化合物を得る
一般式(11)の化合物に亜硝酸ナトリウムを作用させ
ジアゾニウム塩へと誘導後、ハロゲン化カリウムと反応
させることにより一般式(13)の化合物を得る。
一般式(8)の化合物に金属マグネシウムを作用させグ
リニャール試薬とした後、不活性ガス雰囲気下、0価ま
たは2価のパラジウムあるいはニッケル触媒存在下、一
般式(13)の化合物と反応させることにより、本発明
の化合物である一般式(1b)の化合物を得ることがで
きる。
−25ー (Y”; Cl,Br or I) −26− すなわち一般式(14)の化合物と3−メチル−1−ブ
チンー3−オールを、不活性ガス雰囲気下、0価または
2価のパラジウム触媒を用いて反応させ、次いで水酸化
ナトリウムで処理することにより、一般式(16)の化
合物を得る。
一般式(6′)の化合物と一般式(16)の化合物とを
、不活性ガス雰囲気下、0価または2価のパラジウム触
媒を用いて反応させることにより、本発明の化合物であ
る一般式(IC)の化合物を得ることができる。
なお、一般式(6′)の化合物の合成法は、x3が−O
−の場合は、一般式(6)の化合物の合成法に従う。X
3が直接結合の場合、例えば次の工程を経て合成できる
R’−0−Nll2 (17) R’−0−Y” (18) すなわち、一般式(11)の化合物に亜硝酸ナトリウム
を作用させジアゾニウム塩へと誘導後、ハロゲン化カリ
ウムと反応させることにより一般式(18)の化合物を
得る。
一般式(18)の化合物に金属マグネシウムを作用させ
グリニャール試薬とした後、不活性ガス雰囲気下、0価
または2価のパラジウムあるいはニッケル触媒存在下、
2,5−ジハロゲノピリジン類(例えば2,5−ジブロ
モピリジン)と反応させることにより、一般式(6”)
の化合物を得ることができる。
−29− すなわち、一般式(1c)の化合物をパラジウムカーボ
ン存在下、水素添加することにより本発明の化合物であ
る一般式(1d)の化合物を得ることができる。
液晶は一般に2種以上の多成分から成る液晶組成物とし
て用いられ、本発明の液晶化合物も液晶組成物の成分と
して利用することができる。液晶組成物には、スメクチ
ック液晶、たとえば光学活性部位を有しないスメクチッ
ク液晶[2−p−アルキルオキシフエニルー5−アルキ
ルビリミジン、2−p−アルキルフエニル−5−アルキ
ルオキシビリミシン、2−p−アルカノイルオキシフェ
ニル−5−アルキルピリミシン、2−p−アルキルオキ
シ力ルポニルフエニル−5−アルキルビリミジン、2−
p−アルキルフエニルー5−p−アルキルオキシフエニ
ルビリミジン、2−p−アルキルオキシーm−フルオロ
フエニル−5−アルキルビリミジン、2−p−アルキル
−30一 オキシフェニル−5− (trans−4−アルキルシ
クロヘキシル)ピリミジン、2−p−アルキルオキシフ
ェニル−5−アルキルビリジン、2−p−アルキルオキ
シーm−フルオロフェニル−5−アルキルピリジン、2
−p− (p’−アルキルフェニル)フェニルー5−ア
ルキルピリミジン、2−p−アルキルフェニル−5−p
−アルキルフエニルピリミジン、p−アルキルオキシフ
ェニルー5−アルキルピコリネート、2−pーアルキル
オキシフエニルー5−アルキルオキシピラジン、2−p
−アルキルフエニルー5−アルキルピリミジン、2−p
−アルキルオキシフエニル−5−アルキルオキシビリミ
シン、2−p−アルキルフェニル−5−アルキルオキシ
ピリミシン、4−アルキルオキシ−4′−ビフェニルカ
ルボン酸−p’−(アルキルオキシ力ルボニル)フエニ
ルエステル、4−アルキルオキシ− 4′−ビフェニル
カルボン酸一アルキルエステルなど]および/または強
誘電性液晶[光学活性4−アルキルオキシ−4′−ビフ
ェニルカルボン酸−p’ − (2−メチルブチルオキ
シ力ルボニル)フエニルエステル、光学活性4−n−ア
ルキルオキシー4′−ビフエニルカルボン酸−2−メチ
ルブチルエステル、光学活性p−アルキルオキシベンジ
リデン−p′−アミノー2−クロロプロビルシンナメー
ト、光学活性p−アルキルオキシベンジリデンーp′−
アミノー2−メチルブチルシンナメートなどコおよび/
または通常のカイラルスメクチック液晶[光学活性4−
(p−アルキルオキシビフェニルーp′−オキシカルボ
ニル)″−4’−(2−メチルブチルオキシ力ルボニル
)シクロヘキサン、光学活性p−n−アルキルオキシベ
ンジリデン−p’−(2−メチルブチルオキシカルボニ
ル)アニリンなど]を含有してもよい。また液晶性を示
さないカイラル化合物および/または2色性色素、たと
えばアントラキノン系色素、アゾ系色素などを含んでい
てもよい。
強誘電性を示す液晶組成物は、電圧印加により光スイッ
チング現象を起こし、これを利用した応答の速い表示素
子を作製できる〔たとえば特開昭56−107216号
公報、特開昭59−118744号公報、エヌエークラ
ーク(N.A.Clark)、エス ティー ラガウォ
ール (S.T.Lagerwal l) ;アブライ
ド フィジックス レタ− (Applied  Ph
ysics  Letter)卵、899(1980)
など〕。
本発明における液晶組成物は、セル間隔0.5〜10μ
m1好ましくは0.5〜3μmの液晶セルに真空封入し
、両側偏光子を設置することにより光スイッチング素子
(表示素子)として使用できる。
上記液晶セルは透明電極を設け、表面を配向処理した2
枚のガラス基板をスペーサーを挟んで貼り合わせること
によって作製することができる。
上記スペーサーとしては、アルミナビーズ、ガラスファ
イバー、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。配向処
理方法としては、通常の配向処理、たとえばポリイミド
膜、ラビング処理、SiO斜め蒸着などが適用できる。
[実施例] 以下、本発明を実施例により更に説明するが、本発明は
これに限定されない。
実施例−1 表−1中No,2の化合物の製造 ■0−フルオローp−ヨードフェノール22.0gをジ
メ−33− チルスルホキシド80■1に溶かし、これに水酸化ナト
リウム水溶液(7.4g/30ml)および1−プロモ
ヘブタン19.6gを加え、室温で4日間攪拌した。反
応混合物をヘキサンで抽出、3回水洗した。ヘキサンを
留去することにより、油状のp−n−ヘプチルオキシー
m−フルオロヨードベンゼン24.0gを得た。
■p−n−ヘプチルオキシーm−フルオロヨードベンゼ
ン3.2gとマグネシウムより調整したグ刀ニャール試
薬のエーテル溶液20■1と、2,5−ジブロモピリジ
ン1.5gの乾燥テトラヒド口フラン溶液20■1とを
、触媒にジクロロビスジフエニルホスフイノブタンパラ
ジウム51rngを用いて、窒素雰囲気下室温で5時間
反応させた。水で反応を止め、反応混合物をエーテルで
抽出、IN塩酸、水で順次洗浄後、エーテルを留去した
。得られた固体をメタノールから再結晶することにより
、下記化合物(a)L4gを得た。
F Br−Q−d−OC7H+ 5    (a)■■で得
られた化合物(a)1.4gと1−オクチン一34− 540mgをトリエチルアミン50ml中、触媒にジク
ロ口ビストリフェニルホスフィンパラジウム40mg、
ヨウ化鋼(I)10mgおよびトリフエニルホスフィン
60mgを用いて、窒素雰囲気下5時間加熱還流させた
。放冷後、トリエチルアミンを留去し、ヘキサンで抽出
した。ヘキサン層を IN塩酸、水で順次洗浄後、シリ
カゲル力ラムクロマトグラフィーで精製した。得られた
固体をエタノールから2回再結晶することにより、本発
明の化合物である表−1中No,2の化合物1.1gを
得た。化合物の構造は、NMR (核磁気共鴫スペク1
・ル分析)、MS(質量分析)、IR(赤外吸収スペク
トル分析)および元素分析により確認した。上記化合物
のIRスペクトル、H−NMRスペクトルおよびF−N
MRスペクトルをそれぞれ第1図、第2図および第3図
に示す。
元素分析値:  理論値(%)  実測値(%)C:7
8.99     C:79.00I1: 8.61 
    H: 8.55F: 4.81     F:
 4.80N: 3.54     N: 3.60実
施例−2 表−1中N o.3の化合物の製造 ■0−フルオローp−ヨードフェノール22.0gをジ
メチルスルホキシド80■1に溶かし、これに水酸化ナ
トリウム水溶液(7.4g/30ml )および1−ブ
ロモオクタン21.2gを加え、室温で4日間攪拌した
。反応混合物をヘキサンで抽出、3回水洗した。ヘキサ
ンを留去することにより、油状のp−n−オクチルオキ
シーm−フルオロヨードベンゼン25.0gを得た。
■p−n−オクチルオキシーm−フルオロヨードベンゼ
ン3.3gとマグネシウムより調整したグリニャール試
薬のエーテル溶液20■1と、2,5−ジブロモビリジ
ン1.5gの乾燥テトラヒド口フラン溶液20■1とを
、触媒にジクロロビスジフエニルホスフィノブタンパラ
ジウム57mgを用いて、窒素雰囲気下室温で5時間反
応させた。水で反応を止め、反応混合物をエーテルで抽
出、IN塩酸、水で順次洗浄後、エーテルを留去した。
得られた固体をメタノールから再結晶することにより、
下記化合物(b)1.5gを得た。
F Br−Q−d−OC8H+ 7    (b)■■で得
られた化合物(b)1.5gと1−オクチン550mg
をトリエチルアミン50ml中、触媒にジクロ口ビスト
リフエニルホスフィンパラジウム40mg,ヨウ化m 
( I ) 10mgおよびトリフエニルホスフィン6
0mgを用いて、窒素雰囲気下5時間加熱還流させた。
放冷後、トリエチルアミンを留去し、ヘキサンで抽出し
た。ヘキサン層を IN塩酸、水で順次洗浄後、シリカ
ゲル力ラムクロマトグラフイーで精製した。得られた固
体をエタノールから2回再結晶することにより、本発明
の化合物である表−1中N o,3の化合物1.2gを
得た。上記化合物のIRスペクトル、H−NMRスペク
トルおよびF−−37= NMRスペクトルをそれぞれ第4図、第5図および第6
図に示す。
元素分析値: 理論値(%)  実測値(%) C:79.22     C:79.16H: 8.8
0     +1: 8.85F: 4.65    
 F: 4.55N: 3.42     N: 3.
50実施例−3 表−1中NO.8の化合物の製造 ■実施例−2■で得られた化合物(b)1 .5gと1
一ノニン620mgをトリエチルアミン50m I中、
触媒にジクロ口ビストリフエニルホスフィンパラジウム
40mg、ヨウ化鋼(I)10mgおよびトリフエニル
ホスフイン60mgを用いて、窒素雰囲気下5時間加熱
還流させた。放冷後、トリエチルアミンを留去し、ヘキ
サンで抽出した。ヘキサン層を IN塩酸、水で順次洗
浄後、シリカゲル力ラムクロマトグラフイーで精製した
。得られた固体をエタノールから2−38− 回再結晶することにより、本発明の化合物である表−1
中N o,8の化合物1.2gを得た。上記化合物のI
Rスペクトル、H−NMRスペクトルおよびF−NMR
スペクトルをそれぞれ第7図、第8図および第9図に示
す。
元素分析値:  理論値(%)  実測値(%)C:7
9.38      C:79.16H: 9.04 
     H: 9.15F: 4.49      
F: 4.55N: 3.31     N: 3.3
0実施例−4 表−1中N o.3 6の化合物の製造■p−ヨードフ
ェノール25.0gをジメチルスルホキシド200ml
に溶かし、これに水酸化ナトリウム水溶液(8.4g/
30ml )および1−ブロモヘブタン19.3gを加
え、室温で4日間攪拌した。反応混合物をヘキサンで抽
出、3回水洗した。ヘキサンを留去することにより、油
状のp−n−へプチルオキシーヨードベンゼン29.0
gを得た。
■p−n−へプチルオキシーヨードベンゼン6.0gと
マグネシウムより調整したグ刀ニャール試薬のエーテル
溶液50mlと、2,5−ジブロモピリジン3.0gの
乾燥テトラヒド口フラン溶液50n1lとを、触媒にジ
クロ口ビスジフエニルホスフィノブタンパラジウム11
5mgを用いて、窒素雰囲気下室温で5時間反応させた
。水で反応を止め、反応混合物をエーテルで抽出、IN
塩酸、水で順次洗浄後、エーテルを留去した。得られた
固体をメタノールから再結晶することにより、下記化合
物(c)2.0gを得た。
Br−Q−0−OC7H,s      (c)■■で
得られた化合物(c)1.3gと1−オクチン540m
gをトリエチルアミン50■1中、触媒にジクロ口ビス
トリフエニルホスフィンパラジウム40mg、ヨウ化銅
(I)10mgおよびトリフェニルホスフィン60+n
gを用いて、窒素雰囲気下5時間加熱還流させた。放冷
後、トリエチルアミンを留去し、ヘキサンで抽出した。
ヘキサン層をIN塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲル力
ラムクロマトグラフィーで精製した。得られた固体をエ
タノールから2回再結晶することにより、本発明の化合
物である表−1中No,36の化合物0.9gを得た。
上記化合物のIRスペクトル、H−NMRスペクトルお
よびF−NMRスペクトルをそれぞれ第10図および第
11図に示す。
元素分析値:  理論値(%)  実測値(%)C:8
2.76     C:82.7011: 9.28 
    H: 9.38N: 3.71     N:
 3.60実施例−5 表−1中No.86の化合物の製造 ■2−ブロモー5−ニトロピリジン5.0gと1−ノニ
ン3.1gをトリエチルアミン50ml中、触媒にジク
ロ口ビストリフエニルホスフィンパラジウム204mg
およびヨウ化銅(I)51mgを用いて、窒素雰囲気下
室温で一昼夜反応させた。反応終了後、トリエチルアミ
ンを留去しヘキサンで抽出した。ヘキサン層ー41ー をIN塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲル力ラムクロマ
トグラフィーで精製した。得られた固体をメタノールか
ら再結晶することにより下記化合物(d)3.0gを得
た。
nc7H1 5−C≡C−0−NO2    (d)■
■で得られた化合物(cl)3.0gをエタノール25
0m lに溶かし、これに5%パラジウムカーボン0.
5gを加えて常圧の水素雰囲気下、室温で水素添加を行
った。水素の吸収が無くなるのを確認した後、ろ過によ
り触媒を除き、エタノールを留去することにより、油状
の2−n−ノニルー5−アミノピリジン2.5gを得た
■36χ塩酸11gを含む水100+nlO中へ2−n
−ノニルー5−アミノピリジン2.5gを加えて5℃以
下に冷却した。これに亜硝酸ナトリウム水溶液(0.7
2g/5ml)を5℃以下で滴下した。滴下終了後さら
に1時間攪拌した後、ヨウ化カリウム水溶液(8.6g
/10ml)を加えてゆっくり室温に戻し、窒素の発生
が無くなるまで攪拌した。反応終了後、溶液に水酸化ナ
トリウムを加えてアルカリ性にしてヘキサンで抽出−4
2− した。ヘキサン層を水、亜硫酸水素ナトリウム水溶液、
水で順次洗浄後、シリカゲル力ラムクロマタグラフィー
で精製することにより、油状の2−n一ノニルー5−ヨ
ードビリジン2.5gを得た。
■実施例−2■で得たp−n−オクチルオキシーm−フ
ルオローヨードベンゼン2.0gとマグネシウムより調
整したグリニャール試薬のエーテル溶液30m1と、2
−n−ノニルー5−ヨードピリジン2.5gの乾燥テ1
・ラヒドロフラン溶液50mlとを、触媒にジクロ口ビ
スジフエニルホスフィノブタンパラジウム45mgを用
いて、窒素雰囲気下8時間加熱還流させた。放冷後、水
で反応を止め、反応混合物をエーテルで抽出、IN塩酸
、水で順次洗浄後、エーテルを留去した。得られた固体
をシリカゲル力ラムクロマトグラフィーで精製後、メタ
ノールから2回再結晶することにより、本発明の化合物
である表−1中No.86の化合物0.7gを得た。上
記化合物のIRスペクトル、H−NMRスペクトルおよ
びF一NMRスペクトルをそれぞれ第12図、第13図
および第14図に示す。
元素分析値: 理論値(%)  実測値(%) C:78.69     C:78.60H: 9.8
4     H: 9.90N: 3.28     
N: 3.30F: 4.45     F: 4.4
4実施例−6 表−1中No,114の化合物の製造 ■0−フルオローp−ヨードフェノール15.0gをジ
メチルスルホキシド120mlに溶かし、これに水酸化
ナトリウム水溶液(3.0g/10ml )および1−
プロモヘキサン10.4gを加え、室温で4日間攪拌し
た。反応混合物をヘキサンで抽出、3回水洗した。ヘキ
サンを留去することにより、油状のp−n−へキシルオ
キシーm−フルオロヨードベンゼン16.7gを得た。
■■で得たp−n−へキシルオキシーm−フルオロヨー
ドベンゼン14.0gと3−メチル−1−ブチンー3−
オールをトリエチルアミン80m I中、触媒にジクロ
口ビストリフエニルホスフィンパラジウム272mgお
よびヨウ化銅( I ) 68mgを用いて窒素雰囲気
下室温で一昼夜反応させた。反応終了後、トリエチルア
ミンを留去しヘキサンで抽出した。ヘキサン層をIN塩
酸、水で順次洗浄後、ヘキサンを留去することにより下
記化合物(e)12.5gを得た。
F n−C6}1.30−δ一(,’C−C(CH3)2−
OH  (e)■■で得た化合物(e)12.5gを乾
燥トルエン400mlに溶かし、これに粉末の水酸化ナ
トリウム5.4gを加えて1時間加熱還流した。冷却後
、水洗を経てからトルエンを留去した。得られた黒色の
オイルをメタノール抽出した後、メタノールを留去する
ことにより油状のp−n−へキシルオキシーm−フルオ
ロフエニルアセチレン7.55gを得た。
■■で得たp−n−へキシルオキシーm−フルオロヨ一
ドベンゼン15.0gとマグネシウムより調整したグリ
ニャール試薬のエーテル溶液120mlと、2,5−ジ
プロモピリジン13.2gの乾燥テトラヒド口フラン溶
液1 20m lとを、触媒にジクロ口ビスジフェニル
ホスフィノブタンパラジウム338mgを用いて、窒素
雰囲気下室温で5時間反応させた。水で反応を止め、−
45− 反応混合物をエーテルで抽出、1N塩酸、水で順次洗浄
後、エーテルを留去した。得られた固体をメタノールか
ら再結晶することにより、下記化合物(f)10.0g
を得た。
F Br−Q−d−OCeH+ 3    (f)■■で得
た化合物(f)2.0gと■で得たp−n−へキシルオ
キシーm−フルオロフエニルアセチレン1.6gをトリ
エチルアミン50ml中、触媒にジクロ口ビストリフエ
ニルホスフィンパラジウム122mg、ヨウ化銅(I)
31mgおよびトリフエニルホスフイン160mgを用
いて、窒素雰囲気下5時間加熱還流させた。放冷後、ト
リエチルアミンを留去しトルエンで抽出した。トルエン
層をIN塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲル力ラムクロ
マ1・グラフイーで精製した。
得られた固体をエタノールで2回再結晶することにより
本発明の化合物である表−1中No,114の化合物2
.0gを得た。上記化合物のIRスペクトル、H−NM
RスペクトルおよびF−NMRスペクトルをそれぞれ第
15図、第16図および第17−46− 図に示す。
元素分析値: 理論値(%)  実測値(%) C:75.76     C:75.70H: 7.1
3     H: 7.23F: 7.74     
F: 7.82N: 2.85     N: 2.8
3実施例−7 表−1中No,108の化合物の製造 ■p−ヨードフェノール25.0gをジメチルスルホキ
シド250mlに溶かし、これに水酸化ナトリウム水溶
液(5.0g/20ml)およびn−ヘキシルブロマイ
ド17.8gを加えて室温で3日間攪拌した。反応混合
物をヘキサンで抽出、3回水洗した。ヘキサンを留去す
ることにより油状のp−n−ヘキシルオキショードベン
ゼン29.5gを得た。
■p−n−へキシルオキシーヨードベンゼン29.5g
と3−メチル−1−ブチンー3−オール12.4gをト
リエチルアミン1 50m I中、触媒にジクロ口ビス
トリフエニルホスフィンパラジウム300mgおよびヨ
ウ化銅(I)75mgを用いて窒素雰囲気下室温で一昼
夜反応させた。反応終了後、トリエチルアミンを留去し
ヘキサンで抽出した。ヘキサン層をIN塩酸、水で11
k次洗浄後、ヘキサンを留去することにより固体の下記
化合物(g)23.2gを得た。
n−C6H130−()−C≡C−C(CH3)2−O
H(g)■■で得た化合物(g)23.2gを乾燥トル
エン800m lに溶かし、これに粉末の水酸化ナトリ
ウムlO.7gを加えて1時間加熱還流した。冷却後、
水洗を経てからトルエンを除去した。得られた黒色のオ
イルをメタノール抽出した後、メタノールを留去するこ
とにより油状のp−n−へキシルオキシーフエニルアセ
チレン12.8gを得た。
■実施例−6■で得た化合物(f)2.0gと■で得た
p−n−へキシルオキシーフ工ニルアセチレン1.5g
をトリエチルアミン50ml中、触媒にジクロ口ビスト
リフエニルホスフィンパラジウム122mg、ヨウ化銅
(I)31mgおよびトリフェニルホスフィン1 60
mgを用いて窒素雰囲気下5時間加熱還流させた。放冷
後、トリエチルアミンを留去しトルエンで抽出した。ト
ルエン層をIN塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲル力ラ
ムクロマトグラフィーで精製した。
得られた固体をエタノールで2回再結晶することにより
本発明の化合物である表−1中No,108の化合物1
.7gを得た。上記化合物のIRスベク1・ル、H−N
MRスペクトルおよびF−NMRスペクトルをそれぞれ
第18図、第19図および第20図に示す。
元素分析値:  理論値(%) C:78.65 H: 7.61 F: 4.02 N: 2.96 実測値(%) C:78.71 H: 7.60 F: 4.00 N: 2.93 実施例−8 表−1中No,117の化合物の製造 ■p−n−へキシルーヨードベンゼン30.0gと3−
メチル−1−ブチンー3−オール10.5gをトリエチ
ルアミン−49一 200ml中、触媒にジクロ口ビストリフエニルホスフ
ィンパラジウム330mgおよびヨウ化銅( I ) 
80mgを用いて窒素雰囲気下室温で一昼夜反応させた
。反応終了後、トリエチルアミンを留去しヘキサンで抽
出した。ヘキサン層をIN塩酸、水で順次洗浄後、ヘキ
サンを留去することにより油状の下記化合物(h)25
.4gを得た。
n−C6H13−0−CEC−C(Cll3)2−01
1   (h)■■で得た化合物(h)25.4gを乾
燥トルエン800mlに溶かし、これに粉末の水酸化ナ
トリウム12.5gを加えて1時間加熱還流した。冷却
後、水洗を経てからトルエンを除去した。得られた黒色
のオイルをメタノール抽出した後、メタノールを留去す
ることにより油状のp−n−ヘキシルーフエニルアセチ
レン15. 1gを得た。
■実施例−6■で得た化合物(f)2.0gと■で得た
p一n−へキシルフエニルアセチレン1.4gをトリエ
チルアミン50■1中、触媒にジクロ口ビストリフエニ
ルホスフィンパラジウム122mg、ヨウ化鋼(I)3
1mgおよびトリフエニルホスフィン160mgを用い
て、−50一 窒素雰囲気下5時間加熱還流させた。放冷後、トリエチ
ルアミンを留去しトルエンで抽出した。トルエン層をI
N塩酸、水で順次洗浄後、シリカゲル力ラムクロマトグ
ラフィーで精製した。得られた固体をエタノールで2回
再結晶することにより本発明の化合物である表−1中N
o,117の化合物1.6gを得た。上記化合物のIR
スペクトル、H−NMRスペクトルおよびF−NMRス
ペクトルをそれぞれ第21図、第22図および第23図
に示す。
元素分析値: 実測値(%) C:83.20 H: 8.07 F: 4.20 N: 3.20 理論値(%) C:83.22 H: 8.05 F: 4.25 N: 3.13 実施例−9 表−1中No,1 1 1の化合物の製造■p−ヨード
フェノール25.0gをジメチルスルホキシド200m
lに溶かし、これに水酸化ナトリウム水溶液(8.4g
/30ml )および1−ブロモヘキサン17.8gを
加え、室温で4日間攪拌した。反応混合物をヘキサンで
抽出、3回水洗した。ヘキサンを留去することにより、
油状のp−n−ヘキシルオキシーヨードベンゼン31.
0gを得た。
■p−n−へキシルオキシーヨードベンゼン15.0g
とマグネシウムより調整したグリニャール試薬の工一テ
ル溶液120mlと、2,5−ジブロモビリジン14.
0gの乾燥テトラヒド口フラン溶液120mlとを、触
媒にジクロ口ビスジフエニルホスフィノブタンパラジウ
ム357mgを用いて、窒素雰囲気下室温で5時間反応
させた。水で反応を止め、反応混合物をエーテルで抽出
、IN塩酸、水で順次洗浄後、工一テルを留去した。得
られた固体をメタノールから再結晶することにより、下
記化合物(i)8.9gを得た。
Br−Q−0−OCeH+a      (i)■■で
得た化合物(i)1.9gと実施例−60で得たp−n
−へキシルオキシーm−フルオロフエニルアセチレン1
.6gをトリエチルアミン50ml中、触媒にジクロロ
ビストリフエニルホスフィンパラジウム1 22mg,
ヨウ化銅(I)31mgおよびトリフエニルホスフィン
1 60mgを用いて、窒素雰囲気下5時間加熱還流さ
せた。放冷後、トリエチルアミンを留去しトルエンで抽
出した。トルエン層をIN塩酸、水で順次洗浄後、シリ
カゲル力ラムクロマトグラフィーで精製した。得られた
固体をエタノールで2回再結晶することにより本発明の
化合物である表一1中No,1 1 1の化合物1.5
gを得た。上記化合物のIRスペクトル、H−NMRス
ペクトルおよびF−NMRスペクトルをそれぞれ第24
図、第25図および第26図に示す。
元素分析値:  理論値(%) C:78.65 H: 7.61 F: 4.02 N: 2.96 実測値(%) C:78.55 H: 7.53 F: 4.00 N: 3.06 −53− 実施例−10 表−1中N o.1 3 3の化合物の製造実施例−9
で得られた表−1中No,111の化合物500mgを
エタノール20■1に懸濁させ、これに5%パラジウム
カーボン100mgを加え、常圧の水素雰囲気下、室温
で水素添加を行った。水素の吸収が無くなるのを確認し
た後、ろ過により触媒を除きエタノールを留去した。得
られた固体をシリカゲル力ラムクロマトグラフィーで精
製後、エタノールから2回再結晶することにより、本発
明の化合物である表−1中N o,1 3 3の化合物
350mgを得た。
上記化合物のIRスペクトル、H−NMRスペクトルお
よびF−NMRスペクトルをそれぞれ第27図、第28
図および第29図に示す。
元素分析値:  理論値(%) C:77.99 N: 8.39 F: 3.98 N: 2.94 実測値(%) C:77.70 H: 8.45 F: 4.01 N: 3.01 −54一 実施例−1、実施例−2、実施例−3、実施例−4、実
施例−5、実施例−6、実施例−7、実施例−8、実施
例−9および実施例−10で得られた化合物の相転移温
度を表−2に示す。
表−2(1) 表−2 (2) 表−2中各記号はそれぞれ以下のとうりである。
Cry  結晶相 S, 未同定スメクチック相 Sc スメクチツクC相 S, スメクチックA相 N  ネマチック相 Iso  等方性液体相 相が存在する 一  相が存在しない [発明の効果コ 本発明は新規のスメクチックC液晶を提供し、またこれ
らのスメクチック液晶は次のような顕著な特徴を有する
(1)液晶組成物には負の誘電率異方性が求められてい
るが、本発明のスメクチックC液晶は分子短軸方向に電
子吸引性であるハロゲン原子が結合および/または窒素
原子を含有しているため誘電率異方性が負であり、液晶
組成物の誘電率異方性を負にするための成分として非常
に有用である。
−57− (2)特にフッ素原子が結合した本発明のスメクチック
C液晶はスメクチックC相より低温側に他のスメクチッ
ク相がないため混合によりスメクチックC相の温度範囲
を広げることができ非常に有用である。
(3)本発明のスメクチック液晶の中でCry−Soの
相系列を持つものは、混合によりスメクチツクC相の下
限温度を下げることが可能であり、スメクチックC相の
温度範囲を拡大する成分として非常に有用である。
(4)分子内にエステル結合が無いため低粘度である。
(5)他のスメクチツクC液晶との相溶性がすぐれてい
る。
(6)分子が剛直なため配向性が非常に良い。
(7)光、熱、水分に対する安定性が良い。
(8)本発明のスメクチック液晶はアセチレン結合を有
しているため複屈折率が大きく、このためスメクチック
C液晶組成物だけでなくネマチック液晶組成物にも添加
することにより液晶表示セル−58− の厚さを薄くして応答速度を速くすることができる。
上記効果を奏することから本発明の液晶化合物は実用的
な強誘電性スメクチック液晶組成物を開発するにあたっ
て非常に有用な物質である。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図はそれぞれ実施例−1で得られ
た化合物のIR,H−NMRおよびF−NMRスペクト
ルを、第4図、第5図、第6図はそれぞれ実施例−2で
得られた化合物のIR,H−NMRおよびF−NMRス
ペクトルを、第7図、第8図、第9図はそれぞれ実施例
−3で得られた化合物のIR,H−NMRおよびF−N
MRスペクトルを、第10図、第11図はそれぞれ実施
例−4で得られた化合物のIRおよびH−NMRスペク
トルを、第12図、第13図、第14図はそれぞれ実施
例−5で得られた化合物のIR,H−NMRおよびF−
NMRスペクトルを、第15図、第16図、第17図は
それぞれ実施例−6で得られた化合物のIR,H−NM
RおよびF−NMRスペクトルを、第18図、第19図
、第20図はそれぞれ実施例−7で得られた化合物のI
R,H−NMRおよびF−NMRスペクトルを、第21
図、第22図、第23図はそれぞれ実施例−8で得られ
た化合物のIR,H−NMRおよびF−NMRスペクト
ルを、第24図、第25図、第26図はそれぞれ実施例
−9で得られた化合物のIR,H−NMRおよびF−N
MRスペクトルを、第27図、第28図、第29図はそ
れぞれ実施例−10で得られた化合物のIR,H−NM
RおよびF−NMRスペクトルを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式 R−X^1−(−A^1−X^2−)n−A^2−A^
    3−X^3−R’(1)〔式中、R、R’は炭素数1〜
    18のアルキル基を、X^1は直接結合、−O−、−S
    −または−C≡C−を、A^1、A^3は1〜4個のフ
    ッ素原子または塩素原子で置換されていてもよい1,4
    −フェニレン基を、nは0または1を、X^2は−C≡
    C−または−CH_2CH_2−を、A^2は▲数式、
    化学式、表等があります▼または▲数式、化学式、表等
    があります▼を、X^3は直接結合、−O−または−S
    −を表す(ただしnが0、A^2が▲数式、化学式、表
    等があります▼の場合、X^1は−C≡C−である)〕
    で示されるピリジン系液晶化合物。
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