JPH0321858U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0321858U JPH0321858U JP8193189U JP8193189U JPH0321858U JP H0321858 U JPH0321858 U JP H0321858U JP 8193189 U JP8193189 U JP 8193189U JP 8193189 U JP8193189 U JP 8193189U JP H0321858 U JPH0321858 U JP H0321858U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- well region
- conductivity type
- guard ring
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
第１図と第２図は夫々本考案を説明する為の断
面図と平面図、第３図と第４図は夫々従来例を説
明する為の断面図と平面図である。
面図と平面図、第３図と第４図は夫々従来例を説
明する為の断面図と平面図である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一導電型半導体基板の表面に形成した逆導
電型のウエル領域と、 該ウエル領域の表面に前記ウエル領域とのＰＮ
接合で保護ダイオードを構成するように形成した
一導電型のアノード（又はカソード）領域と、 該アノード（又はカソード領域）の表面にオー
ミツク接触し入力接続パツドと接続されるアノー
ド（又はカソード）電極と、 前記ウエル領域の表面に前記アノード（又はカ
ソード）領域を取り囲むように形成し且つ固定電
位が印加される逆導電型のガードリング領域と、 前記保護ダイオードと隣接し、外部接続パツド
と接続されるＩＧ−ＦＥＴのドレイン（又はソー
ス）を構成する逆導電型のドレイン（又はソース
）領域とを具備する半導体集積回路において、 少なくとも前記保護ダイオードと前記ＩＧ−Ｆ
ＥＴとが隣接する部分において、前記ウエル領域
を前記ガードリング領域よりも拡張し、前記基板
と前記ガードリング領域との間に、前記ウエル領
域の抵抗分が介在するようにしたことを特徴とす
る半導体集積回路。 (2) 前記ウエル領域は前記ガードリング領域の
全周において拡大されていることを特徴とする請
求項第１項に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989081931U JP2509485Y2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989081931U JP2509485Y2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0321858U true JPH0321858U (ja) | 1991-03-05 |
| JP2509485Y2 JP2509485Y2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=31628300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989081931U Expired - Lifetime JP2509485Y2 (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2509485Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147278A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Fujitsu Ltd | Protecting device for mis integrated circuit |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1989081931U patent/JP2509485Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147278A (en) * | 1981-03-05 | 1982-09-11 | Fujitsu Ltd | Protecting device for mis integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2509485Y2 (ja) | 1996-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |