JPH03218603A - 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH03218603A JPH03218603A JP2252284A JP25228490A JPH03218603A JP H03218603 A JPH03218603 A JP H03218603A JP 2252284 A JP2252284 A JP 2252284A JP 25228490 A JP25228490 A JP 25228490A JP H03218603 A JPH03218603 A JP H03218603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- oxide
- weight
- parts
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 34
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 3
- 241000522182 Dialium Species 0.000 claims 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 19
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 16
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 description 9
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- -1 CoOSMnO Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910019114 CoAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N boron monoxide Inorganic materials O=[B] MOWNZPNSYMGTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000001 cobalt(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、非直線性電圧一電流特性を有する素子即ちバ
リスタに使用するための金属酸化物から成る抵抗体及び
その製造方法に関する。
リスタに使用するための金属酸化物から成る抵抗体及び
その製造方法に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]非直線
性電圧一電流特性を有する抵抗器即ちバリスクはサージ
電圧の吸収素子として広く使用されている。このバリス
タのための抵抗体の1種として、ZnOとBi2O3と
CoOとM n OとSb2O3とNiOとS i O
2とから成る焼結体が特公昭5B−11076号公報に
開示されている。
性電圧一電流特性を有する抵抗器即ちバリスクはサージ
電圧の吸収素子として広く使用されている。このバリス
タのための抵抗体の1種として、ZnOとBi2O3と
CoOとM n OとSb2O3とNiOとS i O
2とから成る焼結体が特公昭5B−11076号公報に
開示されている。
また、サージ電流を流すことによる特性劣化の少ないバ
リスタ即ちサージ耐量の大きいバリスタのための抵抗体
として、ZnOとBi2O3と、CoOSMnO,Mg
OSCabSS rO、BaO、NiO1SIO2、S
nO2、TIO2、GeO2、Sb2O3、B2O3お
よびCr2O3の内の一種以上の酸化物と、 Y b 2 0 3 、E r 2 0 3 、Y 2
0 3、L a 2 03、Pr2O3およびNd2
O3の内の1種以上の酸化物と、 Al2O3と、 Li2Oとから成る抵抗体が特開昭61−43404公
報に開示されている。
リスタ即ちサージ耐量の大きいバリスタのための抵抗体
として、ZnOとBi2O3と、CoOSMnO,Mg
OSCabSS rO、BaO、NiO1SIO2、S
nO2、TIO2、GeO2、Sb2O3、B2O3お
よびCr2O3の内の一種以上の酸化物と、 Y b 2 0 3 、E r 2 0 3 、Y 2
0 3、L a 2 03、Pr2O3およびNd2
O3の内の1種以上の酸化物と、 Al2O3と、 Li2Oとから成る抵抗体が特開昭61−43404公
報に開示されている。
ところで、電子機器を異常電圧(サージ電圧)から高い
信頼性を有して保護するために、サージ耐量が更に優れ
たバリスタが要求されている。また、バリスタ電流の小
さい領域から大きい領域の全部において電圧一電流の非
直線係数の大きいバリスタが要求されている。
信頼性を有して保護するために、サージ耐量が更に優れ
たバリスタが要求されている。また、バリスタ電流の小
さい領域から大きい領域の全部において電圧一電流の非
直線係数の大きいバリスタが要求されている。
そこで本発明の目的は、サージ耐量の大きいバリスタ用
抵抗体及びその製造方法を提供することにある。本発明
の別の目的は、サージ耐量が大きく且つ非直線係数が小
電流領域から大電流領域にわたって大きいバリスタ用抵
抗体及びその製造方法を提供することにある。
抵抗体及びその製造方法を提供することにある。本発明
の別の目的は、サージ耐量が大きく且つ非直線係数が小
電流領域から大電流領域にわたって大きいバリスタ用抵
抗体及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するための本発明は、Zn(亜鉛)、B
i(ビスマス)、Sb(アンモチン)、Co(コバルト
) 、Mg (マグネシウム)、Mn(マンガン)、N
i(ニッケル)をそれぞれ代表的酸化物であるZnO
(酸化亜鉛)、Bi2O3(酸化ビスマス)、Sb2O
3(酸化アンチモン)CoO (酸化コノくルト) 、
MgO (酸化マグネシウム)、MnO(酸化マンガン
)、Nip(酸化ニッケル)に換算して ZnO 80.0〜97.5モル%Bi2O3
0.3〜 3.0モル%Sb2O3 0.3〜
3.0モル%CoO 0.3〜 3.0モル%
MgO 1.0〜 5,0モル%MnO
0.3〜 3.0モル%NiO 0.3〜
3.0モル%の割合で含む基礎成分100重量部と、
B(ホウ素)をその代表的酸化物であるB2O3(酸化
ホウ素)に換算して0.01〜0.1重量部と、Al(
アルミニウム)をその代表的酸化物であるA l 2
03 (酸化アルミニウム)に換算して0,002〜
0.008重量部とを含む焼結体から成る酸化物電圧非
直線抵抗体に係わるものである。
i(ビスマス)、Sb(アンモチン)、Co(コバルト
) 、Mg (マグネシウム)、Mn(マンガン)、N
i(ニッケル)をそれぞれ代表的酸化物であるZnO
(酸化亜鉛)、Bi2O3(酸化ビスマス)、Sb2O
3(酸化アンチモン)CoO (酸化コノくルト) 、
MgO (酸化マグネシウム)、MnO(酸化マンガン
)、Nip(酸化ニッケル)に換算して ZnO 80.0〜97.5モル%Bi2O3
0.3〜 3.0モル%Sb2O3 0.3〜
3.0モル%CoO 0.3〜 3.0モル%
MgO 1.0〜 5,0モル%MnO
0.3〜 3.0モル%NiO 0.3〜
3.0モル%の割合で含む基礎成分100重量部と、
B(ホウ素)をその代表的酸化物であるB2O3(酸化
ホウ素)に換算して0.01〜0.1重量部と、Al(
アルミニウム)をその代表的酸化物であるA l 2
03 (酸化アルミニウム)に換算して0,002〜
0.008重量部とを含む焼結体から成る酸化物電圧非
直線抵抗体に係わるものである。
なお、非直線係数を小電流領域から大電流領域の全部で
大きくするために、Al2O3の代りにMgAl2O4
を使用することができる。
大きくするために、Al2O3の代りにMgAl2O4
を使用することができる。
また、B2O3の代りにH3BO3を使用することがで
きる。
きる。
[作用]
請求項1又は3又は5て特定された組成の金属酸化物か
ら成る非直線電圧一電流特性を有する低抗体は、大きな
サージ耐量を有する。
ら成る非直線電圧一電流特性を有する低抗体は、大きな
サージ耐量を有する。
請求項2又は4又は6て特定された組成の低抗体は、ス
ピネル構造のMgAl2O4を含むので、小電流領域か
ら大電流領域まで大きな非直線係数を有し、且つ大きな
サージ耐量を有する。
ピネル構造のMgAl2O4を含むので、小電流領域か
ら大電流領域まで大きな非直線係数を有し、且つ大きな
サージ耐量を有する。
[第1の実施例]
次に本発明の実施例及び比較例を説明する。第1表に示
すように、ZnO、Bi2O3、Sb2O,、CoO、
MgO,MnO、NiOから成る基礎成分と、B2O,
及びAl2O3から成る添加成分の組成を種々変えた試
料No、1〜48のバリスタを作製した。第1表におい
て、基礎成分の欄には総和が100モル%となるように
計量されたZnO、B12O3、Sb2O3、CoO、
MgO、MnO,NiOの割合がモル%で示されている
。添加成分のB2O3とAl2O3の添加量は100重
量部の基礎成分に対する重量部(重量%)で示されてい
る。
すように、ZnO、Bi2O3、Sb2O,、CoO、
MgO,MnO、NiOから成る基礎成分と、B2O,
及びAl2O3から成る添加成分の組成を種々変えた試
料No、1〜48のバリスタを作製した。第1表におい
て、基礎成分の欄には総和が100モル%となるように
計量されたZnO、B12O3、Sb2O3、CoO、
MgO、MnO,NiOの割合がモル%で示されている
。添加成分のB2O3とAl2O3の添加量は100重
量部の基礎成分に対する重量部(重量%)で示されてい
る。
次に、試料No. 1のバリスタの製造方法および特性
測定方法を説明する。まず、基礎成分としてZnOを9
3.2モル%、 Bi2O3を0.3モル%、 Sb2O3を1.5モル%、 CoOを1,0モル%、 MgOを2.5モル%、 M n Oを0.5モル%、 NiOを1.0モル% の割合となるように計量し、この基礎成分100重量部
に対して添加成分としてB2O3を0.05重量部、A
l2O3を0.003重量部添加し、これ等の原料粉末
に更に100重量部の水を加えてボールミルで十分に混
合し、これを造粒した。
測定方法を説明する。まず、基礎成分としてZnOを9
3.2モル%、 Bi2O3を0.3モル%、 Sb2O3を1.5モル%、 CoOを1,0モル%、 MgOを2.5モル%、 M n Oを0.5モル%、 NiOを1.0モル% の割合となるように計量し、この基礎成分100重量部
に対して添加成分としてB2O3を0.05重量部、A
l2O3を0.003重量部添加し、これ等の原料粉末
に更に100重量部の水を加えてボールミルで十分に混
合し、これを造粒した。
次に、造粒された原料を直径12.0+nr@、厚さ1
.5 mに圧縮成型形してディスクに仕上げ、更にこの
成形体を大気中において1250℃で1時間焼成した。
.5 mに圧縮成型形してディスクに仕上げ、更にこの
成形体を大気中において1250℃で1時間焼成した。
これにより、出発原料と実質的に等しい組成の焼結体か
得られた。最後に、この焼結体の両面に銀(Ag)ペー
ストを塗布して焼付けることにより一対の電極を形成し
て酸化物バリスタを完成させた。
得られた。最後に、この焼結体の両面に銀(Ag)ペー
ストを塗布して焼付けることにより一対の電極を形成し
て酸化物バリスタを完成させた。
第1図はこのバリスタを示すものであり、金属酸化物の
焼結体から成る抵抗体10と、この抵抗体10の一対の
主面に形成された一対の電極12、14とから成る。な
お、抵抗体10自身が非直線電圧一電流特性を有するの
で、銀焼付け電極12、14をInSAl,Snなどの
蒸着による電極あるいはNiメッキによる電極に置き換
えることができる。
焼結体から成る抵抗体10と、この抵抗体10の一対の
主面に形成された一対の電極12、14とから成る。な
お、抵抗体10自身が非直線電圧一電流特性を有するの
で、銀焼付け電極12、14をInSAl,Snなどの
蒸着による電極あるいはNiメッキによる電極に置き換
えることができる。
試料No. 1のバリスタの特性を調べるために、バリ
スタ電圧v1、電圧非直線係数α、電圧変化率b1サー
ジ電流耐量を測定したところ、V1は139V、αは5
0、電圧変化率bは−2(%)、サージ電流耐量は25
〜30であった。
スタ電圧v1、電圧非直線係数α、電圧変化率b1サー
ジ電流耐量を測定したところ、V1は139V、αは5
0、電圧変化率bは−2(%)、サージ電流耐量は25
〜30であった。
なお、各特性は次の要領で求めた。
(a) バリスタ電圧vlはバリスタに1mAの電流
を流した時における電極12、14間の電圧である。な
お、第1表のバリスタ電圧V1は10個のバリスタの平
均値で示されている。
を流した時における電極12、14間の電圧である。な
お、第1表のバリスタ電圧V1は10個のバリスタの平
均値で示されている。
(b) 電圧非直線係数αはバリスタに0.1mAの
電流を流した時の電極12、14間の電圧V0.1と前
記のハリスタ電圧Vlとに基づいて次式で求めた。
電流を流した時の電極12、14間の電圧V0.1と前
記のハリスタ電圧Vlとに基づいて次式で求めた。
α= 1 / log (V0.l /Vl )このα
が大きい値を有しているほど、バリスタの非直線性が優
れている。なお、第1表のαの欄には10個のバリスタ
の平均値か示されている。
が大きい値を有しているほど、バリスタの非直線性が優
れている。なお、第1表のαの欄には10個のバリスタ
の平均値か示されている。
(C) 電圧変化率bはバリスタに0.1mAの電流
を流した時の電極12、14間の電圧vo.1を求めた
後に、ハリスタを85℃に保たれた恒温槽に入れ、直流
電流を1mA、24時間流し続けた後に、このバリスタ
を恒温槽から取り出し、室温(2O℃)でハリスタに0
.1mAの電流を流して電極12、14間の電圧V0.
l −を測定し、■0.1に対するvo.i −の
電圧変化率を次式に従って求めた。
を流した時の電極12、14間の電圧vo.1を求めた
後に、ハリスタを85℃に保たれた恒温槽に入れ、直流
電流を1mA、24時間流し続けた後に、このバリスタ
を恒温槽から取り出し、室温(2O℃)でハリスタに0
.1mAの電流を流して電極12、14間の電圧V0.
l −を測定し、■0.1に対するvo.i −の
電圧変化率を次式に従って求めた。
電圧変化率b− [V0.1 −/ (V0.l −
V0.1 ′)コ XIOO ( %) この電圧変化率bは、課電寿命特性を表わし、小さいほ
どバリスタの課電寿命が長いことになる。
V0.1 ′)コ XIOO ( %) この電圧変化率bは、課電寿命特性を表わし、小さいほ
どバリスタの課電寿命が長いことになる。
なお、第1表の電圧変化率bの欄には10個のバリスタ
の平均値が示されている。
の平均値が示されている。
(d) サージ耐量は、まずバリスタに1mAの電流
を流した時の電極12、14間の電圧v1を測定し、そ
の後立上り時間が8μs (マイクロ秒)、立下り時間
が2Oμsの波形を有し、且つピーク値が2500Aの
サージ電流を30秒の間隔で5回印加し、再びバリスタ
に1mAの電流を流して電極12、14間の電圧Vt
−を測定し、サージ電流を流す前と後との間の電圧変化
率[ (Vl −Vl ”)/Vl] XIOO (%
)が10%以上低下したか否かを判定した。1回の上記
測定で電圧変化率が10%以上低下していない場合には
、同一の測定を複数回繰返し、電圧変化率が1096以
上に低下するまでの測定回数nを求めた。第1表のnの
欄には、この測定回数が示されている。測定回数nが大
きいはとバリスタのサージ耐量が大きいことを意味する
。なお、同一試料胤のバリスタを10個用意し、これ等
のすべてについて同一方法でサージ耐量の測定を行った
。そして、第1表には最もサージ耐量の悪かったバリス
タの測定回数nの値と、最もサージ耐量の良かったハリ
スタの測定回数nの値とか示されている。
を流した時の電極12、14間の電圧v1を測定し、そ
の後立上り時間が8μs (マイクロ秒)、立下り時間
が2Oμsの波形を有し、且つピーク値が2500Aの
サージ電流を30秒の間隔で5回印加し、再びバリスタ
に1mAの電流を流して電極12、14間の電圧Vt
−を測定し、サージ電流を流す前と後との間の電圧変化
率[ (Vl −Vl ”)/Vl] XIOO (%
)が10%以上低下したか否かを判定した。1回の上記
測定で電圧変化率が10%以上低下していない場合には
、同一の測定を複数回繰返し、電圧変化率が1096以
上に低下するまでの測定回数nを求めた。第1表のnの
欄には、この測定回数が示されている。測定回数nが大
きいはとバリスタのサージ耐量が大きいことを意味する
。なお、同一試料胤のバリスタを10個用意し、これ等
のすべてについて同一方法でサージ耐量の測定を行った
。そして、第1表には最もサージ耐量の悪かったバリス
タの測定回数nの値と、最もサージ耐量の良かったハリ
スタの測定回数nの値とか示されている。
第1表の試料N0.2〜48のバリスタは、組成が第1
表に示すように変えられている他は、試料No.1と同
一の方法で作製され、これ等の特性が試料No. 1と
同一の方法で測定されている。
表に示すように変えられている他は、試料No.1と同
一の方法で作製され、これ等の特性が試料No. 1と
同一の方法で測定されている。
第1表の試料No. 1〜6及び第2図から明らかなよ
うに、ZnO及びBi2O.を除く基礎成分と添加成分
とを固定し、Bi2O3のモル%を0.1〜5,0モル
%の範囲で変化させ、且つ基礎成分の総和か100モル
%となるようにZnOを変化させると、サージ耐量を示
すサージ耐量測定回数nが変化する。Bi2O3が3モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Bi2
O,が0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのBi2O3の好ましい範囲は0.3〜3.
0モル%であり、より好ましい範囲は0、5〜2.0モ
ル%である。なお、この範囲では、第1表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率bが小さい。
うに、ZnO及びBi2O.を除く基礎成分と添加成分
とを固定し、Bi2O3のモル%を0.1〜5,0モル
%の範囲で変化させ、且つ基礎成分の総和か100モル
%となるようにZnOを変化させると、サージ耐量を示
すサージ耐量測定回数nが変化する。Bi2O3が3モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Bi2
O,が0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのBi2O3の好ましい範囲は0.3〜3.
0モル%であり、より好ましい範囲は0、5〜2.0モ
ル%である。なお、この範囲では、第1表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率bが小さい。
試料N0.7〜12及び第3図から明らかなように、Z
nO及びSb2O3を除く基礎成分と添加成分とを固定
し、Sb2O3のモル%を0.1〜5.0モル%の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となる
ようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数nが変化する。Sb2O3が3.0モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Sb2
O3が0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのSb2O3の好ましい範囲は0.3〜3.
0モル%であり、より好ましい範囲は0,5〜2.0モ
ル%である。なお、この範囲では、第1表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率bが小さい。
nO及びSb2O3を除く基礎成分と添加成分とを固定
し、Sb2O3のモル%を0.1〜5.0モル%の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となる
ようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数nが変化する。Sb2O3が3.0モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、Sb2
O3が0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電
流耐量が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量
を得るためのSb2O3の好ましい範囲は0.3〜3.
0モル%であり、より好ましい範囲は0,5〜2.0モ
ル%である。なお、この範囲では、第1表に示すように
、電圧非直線係数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す
電圧変化率bが小さい。
試料No. 1 3〜18及び第4図から明らかなよう
に、ZnO及びCoOを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、CoOのモル%を0.1〜5.0モル%の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となるよ
うにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数nが変化する。CoOが3.0モル%を
越えるとサージ電流耐量か低下し、また、CoOが0.
3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量が低
下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得るため
のCoOの好ましい範囲は0.3〜3.0モル%であり
、より好ましい範囲は0.5〜2.0モル%である。な
お、この範囲では、第1表に示すように、電圧非直線係
数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す電圧変化率bが
小さい。
に、ZnO及びCoOを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、CoOのモル%を0.1〜5.0モル%の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となるよ
うにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数nが変化する。CoOが3.0モル%を
越えるとサージ電流耐量か低下し、また、CoOが0.
3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量が低
下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得るため
のCoOの好ましい範囲は0.3〜3.0モル%であり
、より好ましい範囲は0.5〜2.0モル%である。な
お、この範囲では、第1表に示すように、電圧非直線係
数αが大きく、且つ課電寿命特性を示す電圧変化率bが
小さい。
試料No、19〜23及び第5図から明らかなように、
ZnO及びM g Oを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、MgOのモル%を0.5〜10.0モル%の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となる
ようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数nが変化する。M g Oか5.0モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、MgO
が1.0モル%より少ない範囲では電圧非直線係数αが
小さくなる。したがって、優れたサージ電流耐量が得ら
れ且つ電圧非直線係数αか大きく得られるためのCoO
の好ましい範囲は1.0〜5.0モル96であり、より
好ましい範囲は2.0〜4.0モル%である。なお、こ
の範囲では、第1表に示すように課電寿命特性を示す電
圧変化率bか小さい。
ZnO及びM g Oを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、MgOのモル%を0.5〜10.0モル%の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となる
ようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサ
ージ耐量測定回数nが変化する。M g Oか5.0モ
ル%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、MgO
が1.0モル%より少ない範囲では電圧非直線係数αが
小さくなる。したがって、優れたサージ電流耐量が得ら
れ且つ電圧非直線係数αか大きく得られるためのCoO
の好ましい範囲は1.0〜5.0モル96であり、より
好ましい範囲は2.0〜4.0モル%である。なお、こ
の範囲では、第1表に示すように課電寿命特性を示す電
圧変化率bか小さい。
試料Nα24〜29及び第6図から明らかなように、Z
nO及びMnOを除く基礎成分と添加成分とを固定し、
M n Oのモル%を06 1〜5.0モル%の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となるよ
うにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数nが変化する。M n Oが3.0モル
%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、MnOか
0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのM n Oの好ましい範囲は0.3〜3.0モル
%であり、より好ましい範囲は0.4〜1.0モル%で
ある。なお、この範囲では、第1表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、課電寿命特性を示す電圧変化率
bが小さい。
nO及びMnOを除く基礎成分と添加成分とを固定し、
M n Oのモル%を06 1〜5.0モル%の範囲で
変化させ、且つ基礎成分の総和が100モル%となるよ
うにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示すサー
ジ耐量測定回数nが変化する。M n Oが3.0モル
%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、MnOか
0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したがって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのM n Oの好ましい範囲は0.3〜3.0モル
%であり、より好ましい範囲は0.4〜1.0モル%で
ある。なお、この範囲では、第1表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、課電寿命特性を示す電圧変化率
bが小さい。
試料No. 3 0〜35及び第7図から明らかなよう
に、ZnO及びNiOを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、NiOのモル%を0.1〜5.0モル?6の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和か100モル96とな
るようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示す
サージ耐量測定回数nが変化する。NiOが3.0モル
%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、NiOが
0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのNiOの好ましい範囲は0.3〜3.0モル%で
あり、より好ましい範囲は0.5〜2. 0モル%で
ある。なお、この範囲では、第1表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、且っ課電寿命特性を示す電圧変
化率bか小さい。
に、ZnO及びNiOを除く基礎成分と添加成分とを固
定し、NiOのモル%を0.1〜5.0モル?6の範囲
で変化させ、且つ基礎成分の総和か100モル96とな
るようにZnOを変化させると、サージ電流耐量を示す
サージ耐量測定回数nが変化する。NiOが3.0モル
%を越えるとサージ電流耐量が低下し、また、NiOが
0.3モル%より少ない範囲においてもサージ電流耐量
が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を得る
ためのNiOの好ましい範囲は0.3〜3.0モル%で
あり、より好ましい範囲は0.5〜2. 0モル%で
ある。なお、この範囲では、第1表に示すように、電圧
非直線係数αが大きく、且っ課電寿命特性を示す電圧変
化率bか小さい。
試料No. 3 6〜40及び第8図から明らかなよう
に、基礎成分と添加成分のうちAl,O,を固定し、B
2O3を100重量%の基礎成分に対する重量%を0.
005重量%〜0.15重量%の範囲で変化させると、
サージ電流耐量を示すサージ耐量測定回数nか変化する
。B2O,が0.1重量%より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、B2O3が0.01重量%より少
ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。したか
って、優れたサージ耐量特性を得るためのB2O.の好
ましい範囲は0.01重量%〜0.1重量%てあり、よ
り好ましい範囲は0.02〜0,05重量モル%である
。なお、この範囲では、表に示すように、電圧非直線係
数αか大きく且つ課電寿命特性を示す電圧変化率bが小
さい。
に、基礎成分と添加成分のうちAl,O,を固定し、B
2O3を100重量%の基礎成分に対する重量%を0.
005重量%〜0.15重量%の範囲で変化させると、
サージ電流耐量を示すサージ耐量測定回数nか変化する
。B2O,が0.1重量%より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、B2O3が0.01重量%より少
ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。したか
って、優れたサージ耐量特性を得るためのB2O.の好
ましい範囲は0.01重量%〜0.1重量%てあり、よ
り好ましい範囲は0.02〜0,05重量モル%である
。なお、この範囲では、表に示すように、電圧非直線係
数αか大きく且つ課電寿命特性を示す電圧変化率bが小
さい。
試料No.41〜48及び第9図に示すように、基礎成
分と添加成分のうちB2O3を固定し、Al2O,を1
00重量%の上記基礎成分に対する重量%を0.001
重量%〜0.01重量%の範囲で変化させると、サージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数nが変化する。Al
2O,が0.008重量%より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、Al2O3が0.002重量%よ
り少ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。
分と添加成分のうちB2O3を固定し、Al2O,を1
00重量%の上記基礎成分に対する重量%を0.001
重量%〜0.01重量%の範囲で変化させると、サージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数nが変化する。Al
2O,が0.008重量%より多くなると、サージ電流
耐量が低下し、また、Al2O3が0.002重量%よ
り少ない範囲においてもサージ電流耐量が低下する。
したがって、優れたサージ電流耐量を得るためのAl2
O,の好ましい範囲は0.002重量%〜0.008重
量%であり、より好ましい範囲は0.003重量%〜0
.006重量%である。なお、この範囲では、第1表に
示すように、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特
性を示す電圧変化率bが小さい。
O,の好ましい範囲は0.002重量%〜0.008重
量%であり、より好ましい範囲は0.003重量%〜0
.006重量%である。なお、この範囲では、第1表に
示すように、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特
性を示す電圧変化率bが小さい。
なお、本発明は、サージ電流耐量を示すnの値か10以
上、課電寿命を示す電圧変化率bか−10%〜+10%
の範囲、電圧非直線係数αの値が40以上のバリスタを
提供することを目的としている。本願の特許請求の範囲
で特定されている組成範囲内の試料は、上記目標特性を
満たしている。
上、課電寿命を示す電圧変化率bか−10%〜+10%
の範囲、電圧非直線係数αの値が40以上のバリスタを
提供することを目的としている。本願の特許請求の範囲
で特定されている組成範囲内の試料は、上記目標特性を
満たしている。
しかし、試料No. 2、6、7、12、13、18、
19、23、24、29、30、35、36、40、4
1、48は上記目標特性を満足していないので、本発明
の範囲外のものである。
19、23、24、29、30、35、36、40、4
1、48は上記目標特性を満足していないので、本発明
の範囲外のものである。
[第2の実施例]
第1の実施例における試料No.41〜48のAl2O
,の代りに平均粒径0.1〜5.0μmの範囲のMgA
l 2 04 (スピネル)を使用した他は、試料
No.41〜48と同一の方法で8種類のバリスタを作
り、同一の方法で特性を測定した。第2表の試料No.
4 9〜56はこれを示すものである。
,の代りに平均粒径0.1〜5.0μmの範囲のMgA
l 2 04 (スピネル)を使用した他は、試料
No.41〜48と同一の方法で8種類のバリスタを作
り、同一の方法で特性を測定した。第2表の試料No.
4 9〜56はこれを示すものである。
第2表の試料No. 4 9〜56の基礎成分及びB2
O,は第1表の試料No.41〜48とまったく同一て
ある。MgAl2O4は0.0014重量部〜0.01
40重量部の範囲で添加されている。
O,は第1表の試料No.41〜48とまったく同一て
ある。MgAl2O4は0.0014重量部〜0.01
40重量部の範囲で添加されている。
第2表及び第10図から明らかなように、基礎成分とB
2O3を固定し、MgAl2O4を変化させるとサージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数nの値が変化する。
2O3を固定し、MgAl2O4を変化させるとサージ
電流耐量を示すサージ耐量測定回数nの値が変化する。
MgAl2O4か0.0112重量部よりも多くなると
サージ電流耐量が低下し、M g A 1 2 0 4
か0.0028重量部よりも少なくなってもサーシ電流
耐量が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を
得るためのMgAl2O4の好ましい範囲は0.002
8〜0.0112重量部であり、より好ましい範囲は0
,0042〜0.0070重量部である。なお、この範
囲では、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特性を
示す電圧変化率bが小さい。
サージ電流耐量が低下し、M g A 1 2 0 4
か0.0028重量部よりも少なくなってもサーシ電流
耐量が低下する。したかって、優れたサージ電流耐量を
得るためのMgAl2O4の好ましい範囲は0.002
8〜0.0112重量部であり、より好ましい範囲は0
,0042〜0.0070重量部である。なお、この範
囲では、電圧非直線係数αが大きく且つ課電寿命特性を
示す電圧変化率bが小さい。
ところで、M g A ] 2 0 4はAl2O3と
同様な作用効果を有する他に、低い電流領域における電
圧非直線係数αを増大させる作用効果を有する。
同様な作用効果を有する他に、低い電流領域における電
圧非直線係数αを増大させる作用効果を有する。
試料No. 4 9〜56の各バリスタについて、0.
1mAの電流を流した時の電極12、14間の電圧VO
,■と、0.001mAの電流を流した時の電極12、
14間の電圧V0.001とを求め、低電流領域の電圧
非直線係数α一を次式で求めた。
1mAの電流を流した時の電極12、14間の電圧VO
,■と、0.001mAの電流を流した時の電極12、
14間の電圧V0.001とを求め、低電流領域の電圧
非直線係数α一を次式で求めた。
a − − 1/log (V[l.l /V0.0
01 )この結果、試料No. 4 9〜56のα′の
値は、75、63、52、42、34、29、23、1
9てあった。
01 )この結果、試料No. 4 9〜56のα′の
値は、75、63、52、42、34、29、23、1
9てあった。
比較のために、添加成分としてAl2O3が使用されて
いる試料No.41〜48について同様にa−を求めた
ところ、63、47、35、30、25、18、12、
7であった。
いる試料No.41〜48について同様にa−を求めた
ところ、63、47、35、30、25、18、12、
7であった。
両者の比較から明らかなように、第2の実施例に従って
Al2O3の代りにMgAl2O4を使用することによ
り低電流領域の電圧非直線係数α′を増大させることが
できる。なお、基礎成分及びB2O3を本願発明で特定
されている範囲で変えても、MgAl2O,に基づくα
′の増大効果が得られることか確認されている。
Al2O3の代りにMgAl2O4を使用することによ
り低電流領域の電圧非直線係数α′を増大させることが
できる。なお、基礎成分及びB2O3を本願発明で特定
されている範囲で変えても、MgAl2O,に基づくα
′の増大効果が得られることか確認されている。
?第3の実施例]
基礎成分に対するB2O3及びAl2O3又はMgA
I■04の添加量は0.01〜0.1重量部、0.00
2〜0.008重量部又は0.0028〜0.0112
重量部のように微量である。
I■04の添加量は0.01〜0.1重量部、0.00
2〜0.008重量部又は0.0028〜0.0112
重量部のように微量である。
従って、基礎成分に添加成分を均一に混合することに困
難を伴う。そこで、試料No. 4 4と同一の組成の
バリスタを得るために、 ZnO 92.5モル% Bi2O3 1.0モル% sb2o3 1.5モル% CoO 1.0モル% MgO 2.5モル% MnO 0.5モル% NiO 1.0モル% から成る基礎成分を100重量部用意すると共に、10
0重量部の熱水(温水)に0.0281重量部のH3B
O3 (ホウ酸)を加えて溶解させてホウ酸水溶液を作
り、このホウ酸水溶液に0.004重量部のAl2O3
及び4重量部の有機パインダを加えた液体を用意した。
難を伴う。そこで、試料No. 4 4と同一の組成の
バリスタを得るために、 ZnO 92.5モル% Bi2O3 1.0モル% sb2o3 1.5モル% CoO 1.0モル% MgO 2.5モル% MnO 0.5モル% NiO 1.0モル% から成る基礎成分を100重量部用意すると共に、10
0重量部の熱水(温水)に0.0281重量部のH3B
O3 (ホウ酸)を加えて溶解させてホウ酸水溶液を作
り、このホウ酸水溶液に0.004重量部のAl2O3
及び4重量部の有機パインダを加えた液体を用意した。
なお、Al2O3は水に溶解しない。そして、この液体
を基礎成分に加えて混合した。これにより、基礎成分に
対して添加成分を均一性よく混在させることができた。
を基礎成分に加えて混合した。これにより、基礎成分に
対して添加成分を均一性よく混在させることができた。
この添加成分の均一性は、バリスタを量産した時の特性
の均一性で判断できる。
の均一性で判断できる。
第2表の試料No. 5 2と同一組成のバリスタを作
るために、前述のホウ酸水溶液にAl2O3を加える代
りにMgAl2O4を加えて添加成分を作り、これを使
用して前述と同様に多数のバリスタを作ったところ、同
様にバリスタの特性の均一性が良かった。
るために、前述のホウ酸水溶液にAl2O3を加える代
りにMgAl2O4を加えて添加成分を作り、これを使
用して前述と同様に多数のバリスタを作ったところ、同
様にバリスタの特性の均一性が良かった。
試料No. 4 4及び52以外の組成においても勿論
ホウ酸水溶液を使用する効果が得られる。
ホウ酸水溶液を使用する効果が得られる。
[変形例]
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
(1) 各成分の出発原料として酸化物以外の水酸化物
、炭酸塩、フッ化物等を使用することができる。例えば
、CoO、MgO,MnOの代りに、CoCo3、Mg
Co3、MnC03を使用することができる。
、炭酸塩、フッ化物等を使用することができる。例えば
、CoO、MgO,MnOの代りに、CoCo3、Mg
Co3、MnC03を使用することができる。
(2) 成形体の焼成温度を例えば12O0℃〜135
0℃の範囲、焼成時間を例えば30〜12O分の範囲で
種々変えることができる。
0℃の範囲、焼成時間を例えば30〜12O分の範囲で
種々変えることができる。
(3) 基礎成分と添加成分とを混合するために、基礎
成分にAl2O3又はMgAl2O4を加えたものをま
ず用意し、これ等に0.0056〜0.0563重量部
のH3BO3を含む水溶液を添加して混合することかで
きる。
成分にAl2O3又はMgAl2O4を加えたものをま
ず用意し、これ等に0.0056〜0.0563重量部
のH3BO3を含む水溶液を添加して混合することかで
きる。
(4) 基礎成分と添加成分とを混合する時の水の量を
例えば50〜150重量部の範囲で種々変えることがで
きる。
例えば50〜150重量部の範囲で種々変えることがで
きる。
(5) 添加成分のAl2O,の代りに、スピネル構造
のCoAl2O4を使用することができる。この場合、
MgAl2O4と同様な効果が得られる。
のCoAl2O4を使用することができる。この場合、
MgAl2O4と同様な効果が得られる。
[発明の効果コ
以上述べたように、本発明によれば、従来の酸化物バリ
スタに比べてサージ耐量が優れており、且つ電圧非直線
係数か大きく、また課電寿命特性も良好である酸化物バ
リスタを提供することができる。このバリスタによれば
、電子機器内で発生する異常電圧や外部からのサージ電
圧を吸収し、半導体素子などの電子部品を保護すること
が可能となる。また、MgAl2O4を使用することに
よって低電流領域における電圧非直線係数を大きくする
ことができる。
スタに比べてサージ耐量が優れており、且つ電圧非直線
係数か大きく、また課電寿命特性も良好である酸化物バ
リスタを提供することができる。このバリスタによれば
、電子機器内で発生する異常電圧や外部からのサージ電
圧を吸収し、半導体素子などの電子部品を保護すること
が可能となる。また、MgAl2O4を使用することに
よって低電流領域における電圧非直線係数を大きくする
ことができる。
第1図はバリスタの正面図、
第2図、第3図、第4図、第5図、第6図、第7図、第
8図、第9図及び第10図は各成分の量を対数目盛で横
軸に示し、サージ耐量を示すnを縦軸に示す図である。 代 理 人 高 野 則 次1N2図 @3図 sb〆〕コ (七ノレ゜/.) 第4図 CoO (モミノレ6/,冫 第5図 M90 (毛ル″17。) 第6図 MnQ (七ノレーン 第rm NiQ (Lル1/.) 第8図 第9図 Al2O3 Cti’l!4)
8図、第9図及び第10図は各成分の量を対数目盛で横
軸に示し、サージ耐量を示すnを縦軸に示す図である。 代 理 人 高 野 則 次1N2図 @3図 sb〆〕コ (七ノレ゜/.) 第4図 CoO (モミノレ6/,冫 第5図 M90 (毛ル″17。) 第6図 MnQ (七ノレーン 第rm NiQ (Lル1/.) 第8図 第9図 Al2O3 Cti’l!4)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 [1]Zn(亜鉛)、Bi(ビスマス)、Sb(アンモ
チン)、Co(コバルト)、Mg(マグネシウム)、M
n(マンガン)、Ni(ニッケル)をそれぞれ代表的酸
化物であるZnO(酸化亜鉛)、Bi_2O_3(酸化
ビスマス)、Sb_2O_3(酸化アンチモン)、Co
O(酸化コバルト)、MgO(酸化マグネシウム)、M
nO(酸化マンガン)、NiO(酸化ニッケル)に換算
してZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_3O_30.3〜3.0モル%CoO0.
3〜3.0モル% MgO1.0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% の割合で含む基礎成分100重量部と、 B(ホウ素)をその代表的酸化物であるB_2O_3(
酸化ホウ素)に換算して0.01〜0.1重量部と、 Al(アルミニウム)をその代表的酸化物であるAl_
2O_3(酸化アルミニウム)に換算して0.002〜
0.008重量部と を含む焼結体から成る酸化物電圧非直線抵抗体。 [2]Zn(亜鉛)、Bi(ビスマス)、Sb(アンモ
チン)、Co(コバルト)、Mg(マグネシウム)、M
n(マンガン)、Ni(ニッケル)をそれぞれ代表的酸
化物であるZnO(酸化亜鉛)、Bi_2O_3(酸化
ビスマス)、Sb_2O_3(酸化アンチモン)、Co
O(酸化コバルト)、MgO(酸化マグネシウム)、M
nO(酸化マンガン)、NiO(酸化ニッケル)に換算
してZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_30.3〜3.0モル% CoO0.3〜3.0モル% MgO1.0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% の割合で含む基礎成分100重量部と、 B(ホウ素)をその代表的酸化物であるB_2O_3(
酸化ホウ素)に換算して0.01〜0.1重量部と、 MgAl_2O_4(四酸化二アルミニウムマグネシウ
ム)を0.0028〜0.0112重量部とを含む焼結
体から成る酸化物電圧非直線抵抗体。 [3]ZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_30.3〜3.0モル% CoO0.3〜3.0モル% MgO1.0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% から成る基礎成分100重量部と、 B_2O_3(酸化ホウ素)を0.01〜0.10重量
部と、 Al_2O_3を0.002〜0.008重量部とから
成る混合物を用意する工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 [4]ZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_30.3〜3.0モル% CoO0.3〜3.0モル% MgO1,0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% から成る基礎成分100重量部と、 B_2O_3を0.01〜0.10重量部と、MgAl
_2O_4を0.0028〜0.0112重量部と から成る混合物を用意する工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 [5]ZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_30.3〜3.0モル% CoO0.3〜3.0モル% MgO1.0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% から成る100重量部の基礎成分を用意する工程と、 0.0056〜0.0563重量部のH_3BO_3と
0.002〜0.008重量部のAl_2O_3とを含
む液体を用意する工程と、 前記基礎成分に前記液体を加えて混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。 [6]ZnO80.0〜97.5モル% Bi_2O_30.3〜3.0モル% Sb_2O_30.3〜3.0モル% CoO0.3〜3.0モル% MgO1.0〜5.0モル% MnO0.3〜3.0モル% NiO0.3〜3.0モル% から成る100重量部の基礎成分を用意する工程と、 0.0056〜0.0563重量部のH_3BO_3と
0.0028〜0.0112重量部のMgAl_2O_
4とを含む液体を用意する工程と、前記基礎成分に前記
液体を加えて混合物を得る工程と、 前記混合物を所定の形状に成形する工程と、前記混合物
の成形体を焼成する工程と から成る酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-286788 | 1989-11-02 | ||
| JP28678889 | 1989-11-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03218603A true JPH03218603A (ja) | 1991-09-26 |
Family
ID=17709055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252284A Pending JPH03218603A (ja) | 1989-11-02 | 1990-09-21 | 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03218603A (ja) |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2252284A patent/JPH03218603A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0249525B2 (ja) | ||
| JPH03218603A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法 | |
| JPH0249523B2 (ja) | ||
| JPH0249524B2 (ja) | ||
| JPS63315554A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315550A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPH0249526B2 (ja) | ||
| JPH03139803A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体 | |
| JPS6236361B2 (ja) | ||
| JPS626323B2 (ja) | ||
| JPH04139702A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| KR900001979B1 (ko) | 전압 비직선성 저항체의 제조방법 | |
| JP3089370B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| JP3089371B2 (ja) | 電圧非直線抵抗組成物 | |
| JPS63315549A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS583364B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS63315556A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH04369803A (ja) | 電圧非直線性抵抗体 | |
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH04175259A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| JPS60169102A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS583363B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS63315551A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPH0249522B2 (ja) | ||
| JPH0283902A (ja) | 電圧非直線抵抗体と製造方法 |