JPH03219415A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03219415A JPH03219415A JP2046737A JP4673790A JPH03219415A JP H03219415 A JPH03219415 A JP H03219415A JP 2046737 A JP2046737 A JP 2046737A JP 4673790 A JP4673790 A JP 4673790A JP H03219415 A JPH03219415 A JP H03219415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- alumite
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/858—Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はアルマイト磁性膜を利用した磁気記録媒体に関
する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上され
たアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
する。更に詳細には、本発明は面内磁気特性が向上され
たアルマイト磁性膜利用磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
アルマイト微細孔中にＦｅｗ Ｃｏ、Ｎｉなどの磁性金
属をメッキ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から
垂直磁気異方性を示すことが知られている。
属をメッキ充填した磁性膜は、その大きな形状効果から
垂直磁気異方性を示すことが知られている。
近年、これらの材料をハードディスクに適用し、高密度
垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しかし
、ハードディスクでは記録再生時に磁気ヘッドが０．３
μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では、こ
の浮上量により媒体の最下層まで記録が十分に行えない
ため、再生時に十分な出力が得られず、オーバーライド
特性も十分な特性が得られないという問題がある。−殻
内に、垂直磁気記録では磁気ヘッドと媒体との距離（ス
ペーシング）を０．０５μｍ以下に保たなければ本来の
高密度記録が実現できない。
垂直磁気記録媒体とする検討が進められている。しかし
、ハードディスクでは記録再生時に磁気ヘッドが０．３
μｍ程度媒体から浮上しており、垂直磁気記録では、こ
の浮上量により媒体の最下層まで記録が十分に行えない
ため、再生時に十分な出力が得られず、オーバーライド
特性も十分な特性が得られないという問題がある。−殻
内に、垂直磁気記録では磁気ヘッドと媒体との距離（ス
ペーシング）を０．０５μｍ以下に保たなければ本来の
高密度記録が実現できない。
従って、垂直磁気記録では、ヘッドと媒体とが接触する
接触型のシステム（例えば、磁気テープまたはフロッピ
ーディスクなどの可＋ｉ性媒体）が原則と考えられる。
接触型のシステム（例えば、磁気テープまたはフロッピ
ーディスクなどの可＋ｉ性媒体）が原則と考えられる。
しかし、アルマイト系垂直磁化膜では前記のような接触
型システムを形成することはできない。これは、磁性粒
子を取り囲んでいる非晶質アルマイトが硬＜、シかも、
脆いために、アルマイト表面にヘッドを接触させること
ができないからである。
型システムを形成することはできない。これは、磁性粒
子を取り囲んでいる非晶質アルマイトが硬＜、シかも、
脆いために、アルマイト表面にヘッドを接触させること
ができないからである。
［発明が解決しようとする課題］
従って、本発明の目的はアルマイト表面から磁気ヘッド
を浮上させたままでも優れたＲ／Ｗ特性を示すアルマイ
ト系磁気記録媒体を提供することである。
を浮上させたままでも優れたＲ／Ｗ特性を示すアルマイ
ト系磁気記録媒体を提供することである。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明では、Ａλあるいは
Ａ、ｉｔ合金を陽極酸化して生成したアルマイトの微細
孔中に強磁性体を充填してなる磁気記録媒体において、
微細孔内に充填された強磁性体がその長軸方向で、非磁
性体あるいは該強磁性体よりも飽和磁化が小さい磁性体
により寸断され、前記強磁性体と、非磁性体または低飽
和磁化磁性体とが交互に積層する層状構造を有し、Ｍｒ
、〉Ｍｒ工であることを特徴とする磁気記録媒体を提供
する。
Ａ、ｉｔ合金を陽極酸化して生成したアルマイトの微細
孔中に強磁性体を充填してなる磁気記録媒体において、
微細孔内に充填された強磁性体がその長軸方向で、非磁
性体あるいは該強磁性体よりも飽和磁化が小さい磁性体
により寸断され、前記強磁性体と、非磁性体または低飽
和磁化磁性体とが交互に積層する層状構造を有し、Ｍｒ
、〉Ｍｒ工であることを特徴とする磁気記録媒体を提供
する。
アルマイトの有孔率は０．３３〜０．７５の範囲内であ
り、微細孔中に充填形成された磁性層の厚さは５００〜
５０００人の範囲内であることが好ましい。
り、微細孔中に充填形成された磁性層の厚さは５００〜
５０００人の範囲内であることが好ましい。
［作用］
アルマイト微細孔内に成長した針状磁性粒子をその長軸
方向で非磁性体あるいは充填母材（すなわち、針状強磁
性粒子）よりも飽和磁化の小さな磁性体で寸断すること
により、針状強磁性粒子の形状異方性を低下させ、その
結果アルマイト磁性膜に面内磁気異方性を発生させるこ
とが可能となる。
方向で非磁性体あるいは充填母材（すなわち、針状強磁
性粒子）よりも飽和磁化の小さな磁性体で寸断すること
により、針状強磁性粒子の形状異方性を低下させ、その
結果アルマイト磁性膜に面内磁気異方性を発生させるこ
とが可能となる。
面内磁気異方性膜ではヘッドとのスペーシングに対する
再生出力の減少係数が垂直磁気異方性膜に比較して１桁
から２桁小さく、０．３μｍ程度のスペーシングにおい
ても十分な再生出力が得られる。
再生出力の減少係数が垂直磁気異方性膜に比較して１桁
から２桁小さく、０．３μｍ程度のスペーシングにおい
ても十分な再生出力が得られる。
アルマイト微細孔中の磁性針状粒子は、その結晶磁気異
方性が無視できる小さな値であれば、その直径（ポア径
（Ｄｐ）に等しい）と各磁性粒子の中心間距離（セル径
（Ｄｃ）に等しい）の比（Ｄｐ／Ｄｃ）が０．６（有孔
率で表すと０．３２６）を越えると垂直膜から市内膜に
移行するため、アルマイトの有孔率は市内磁気特性向上
の面から０．３３以上にすることが好ましく、またその
上限は０．７５ （Ｄｐ＝０．９１ＸＤｃ）と考えられ
る。
方性が無視できる小さな値であれば、その直径（ポア径
（Ｄｐ）に等しい）と各磁性粒子の中心間距離（セル径
（Ｄｃ）に等しい）の比（Ｄｐ／Ｄｃ）が０．６（有孔
率で表すと０．３２６）を越えると垂直膜から市内膜に
移行するため、アルマイトの有孔率は市内磁気特性向上
の面から０．３３以上にすることが好ましく、またその
上限は０．７５ （Ｄｐ＝０．９１ＸＤｃ）と考えられ
る。
０．７５を越えると、各微細孔が部分的につながり、磁
性粒子が非晶質ＡＪ２２０３で完全に包まれ分離したア
ルマイト磁性膜の特性が消失する。
性粒子が非晶質ＡＪ２２０３で完全に包まれ分離したア
ルマイト磁性膜の特性が消失する。
磁性粒子の厚さは、５００〜５０００人が好ましい。５
００人未満では、膜全体としての飽和磁化量の絶対値が
小さく、十分な再生出力が得られない。一方、５０００
人を越えると磁気ヘッドでの十分な書き込みが不可能と
なる。
００人未満では、膜全体としての飽和磁化量の絶対値が
小さく、十分な再生出力が得られない。一方、５０００
人を越えると磁気ヘッドでの十分な書き込みが不可能と
なる。
磁性粒子間に存在する非磁性層、あるいは母充填材の強
磁性体の飽和磁化より小さな磁性体層の厚さは、静磁気
的な磁気カップリングを起こさない程度であれば良く、
２〜５人あれば良い。５人５− ６− 超の厚い領域でも同じ効果を生じるが、膜の飽和磁化が
低下するため、厚すぎるものは好ましくない。
磁性体の飽和磁化より小さな磁性体層の厚さは、静磁気
的な磁気カップリングを起こさない程度であれば良く、
２〜５人あれば良い。５人５− ６− 超の厚い領域でも同じ効果を生じるが、膜の飽和磁化が
低下するため、厚すぎるものは好ましくない。
また、充填する母材料（強磁性体）には、Ｆｅ単体およ
びＦｅ合金系材料（例えば、Ｆｅ−ＮｉまたはＦｅ−Ｐ
）の他に、膜面内方向に大きな結晶磁気異方性を生じる
材料、例えばＣｏ単体またはＣｏ合金系材料（例えば、
Ｃｏ−Ｎｉ＋Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ＋ Ｆｅ−Ｃ
ｏ）が好ましく、形状異方性の低下と相乗し、面内磁気
特性を更に向上できる。
びＦｅ合金系材料（例えば、Ｆｅ−ＮｉまたはＦｅ−Ｐ
）の他に、膜面内方向に大きな結晶磁気異方性を生じる
材料、例えばＣｏ単体またはＣｏ合金系材料（例えば、
Ｃｏ−Ｎｉ＋Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ＋ Ｆｅ−Ｃ
ｏ）が好ましく、形状異方性の低下と相乗し、面内磁気
特性を更に向上できる。
前記の母材料と共に使用される非磁性体は例えば、Ｃｕ
ｔ Ａｇ＋ Ｐｂ＋ Ｓｎｔ Ｚｎ＋ Ｍｎ、ｐｔ。
ｔ Ａｇ＋ Ｐｂ＋ Ｓｎｔ Ｚｎ＋ Ｍｎ、ｐｔ。
Ａｕ、Ｗｔ Ｐ＋ Ｓｔ Ｎ、Ｂ、Ｃ等の元素単独ある
いは、前記金属の水酸化物、酸化物、硫化物、リン化物
、ホウ化物などである。また、母材料よりも飽和磁化が
小さな磁性体は使用される母材料との組み合わせにより
決定される。例えば、ｃｏが母材料として使用される場
合、これよりも飽和磁化の小さな磁性体は例えば、Ｎｉ
＋ Ｃｏ−Ｎｉ。
いは、前記金属の水酸化物、酸化物、硫化物、リン化物
、ホウ化物などである。また、母材料よりも飽和磁化が
小さな磁性体は使用される母材料との組み合わせにより
決定される。例えば、ｃｏが母材料として使用される場
合、これよりも飽和磁化の小さな磁性体は例えば、Ｎｉ
＋ Ｃｏ−Ｎｉ。
Ｃｏ Ｐ ＋ Ｃｏ−Ｎ Ｉ Ｐ ＋ Ｃｏ Ｃ
ｕなどである。また、Ｆｅが母材料である場合、該当す
る低飽和磁化磁性体は例えば、Ｆｅ−Ｃｕｔ Ｆｅ −
Ａｇ、Ｆｅ−Ｐなどである。
ｕなどである。また、Ｆｅが母材料である場合、該当す
る低飽和磁化磁性体は例えば、Ｆｅ−Ｃｕｔ Ｆｅ −
Ａｇ、Ｆｅ−Ｐなどである。
これらの非磁性体および低飽和磁化磁性体は使用するメ
ッキ浴に対して溶解性があり、強磁性体と共にメッキ可
能なものでなければならない。非磁性体または低飽和磁
化磁性体はそれぞれ単独でも、あるいは、二種類以上を
併用することもできる。併用の場合、非磁性体同士また
は低飽和磁化磁性体同士を併用する他、非磁性体と低飽
和磁化磁性体とを混合併用することもできる。要するに
、所望の面内膜特性を得るのに必要な成分を適宜選択し
て使用すればよい。
ッキ浴に対して溶解性があり、強磁性体と共にメッキ可
能なものでなければならない。非磁性体または低飽和磁
化磁性体はそれぞれ単独でも、あるいは、二種類以上を
併用することもできる。併用の場合、非磁性体同士また
は低飽和磁化磁性体同士を併用する他、非磁性体と低飽
和磁化磁性体とを混合併用することもできる。要するに
、所望の面内膜特性を得るのに必要な成分を適宜選択し
て使用すればよい。
本発明の好ましい実施例によれば、アルマイト微細孔中
のＣｏ単体またはＣｏを主体とする合金磁性体中にＰ元
素を含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するア
ルマイト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べ
て大きい磁性膜）となることが発見された。
のＣｏ単体またはＣｏを主体とする合金磁性体中にＰ元
素を含有させることで、膜面内に磁気異方性を有するア
ルマイト磁性膜（面内方向の残留磁化が垂直方向に比べ
て大きい磁性膜）となることが発見された。
Ｃｏを主体とする合金とは、ｃｏの配合量が５０％超の
合金のことであり、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅなどである。
合金のことであり、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−ＦｅまたはＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅなどである。
磁性体中のＰの含有量は一般的に、０．０５ａｔ％〜３
３ａｔ％の範囲内、特に、２〜１０ａｔ％の範囲内であ
ることが好ましい。アルマイトのポア中にメッキ充填さ
れたＣｏ系磁性体のＰ含有率が２〜１０ａｔ％の範囲内
にある場合、アルマイト−Ｃｏメッキ膜に強い面内磁気
異方性を持たせることが可能である。
３ａｔ％の範囲内、特に、２〜１０ａｔ％の範囲内であ
ることが好ましい。アルマイトのポア中にメッキ充填さ
れたＣｏ系磁性体のＰ含有率が２〜１０ａｔ％の範囲内
にある場合、アルマイト−Ｃｏメッキ膜に強い面内磁気
異方性を持たせることが可能である。
更に、アルマイトの有孔率（セル中に占めるポアの面積
の割合）を０．３〜０．７に増大させ、Ｃｏ−２粒子の
軸比（長軸／ポア径）を０．５〜１０にすることで、ｃ
ｏ−２粒子の形状異方性を低下させ、面内磁気特性を一
層向上させることができる。
の割合）を０．３〜０．７に増大させ、Ｃｏ−２粒子の
軸比（長軸／ポア径）を０．５〜１０にすることで、ｃ
ｏ−２粒子の形状異方性を低下させ、面内磁気特性を一
層向上させることができる。
アルマイト中のＣｏ粒子を断面ＴＥＭ像で観察するとＰ
添加により粒子内に層状構造が出現しており、粒子が薄
い層の積み重ねにより構成されている。各層は基板面に
対して完全に平行ではないが、Ｐ添加によりＣｏ粒子が
その長さ方向において薄片に切断され、粒子の形状異方
性が大きく低下したため、市内磁気異方性を生じたもの
と考えられる。更に、Ｐ添加によりＣｏの磁化容易軸で
あるＣ軸が膜面内方向に配向する確率が増大し、Ｃｏの
結晶磁気異方性も面内磁気異方性の出現に影響を及ぼし
ていると考えられる。
添加により粒子内に層状構造が出現しており、粒子が薄
い層の積み重ねにより構成されている。各層は基板面に
対して完全に平行ではないが、Ｐ添加によりＣｏ粒子が
その長さ方向において薄片に切断され、粒子の形状異方
性が大きく低下したため、市内磁気異方性を生じたもの
と考えられる。更に、Ｐ添加によりＣｏの磁化容易軸で
あるＣ軸が膜面内方向に配向する確率が増大し、Ｃｏの
結晶磁気異方性も面内磁気異方性の出現に影響を及ぼし
ていると考えられる。
ＣｏまたはＣｏ合金磁性体中のＰ元素の含有量は、３３
ａｔ％以下であり、このＰ元素の含有量が３３ａｔ％を
超えると飽和磁化が大幅に減少し、再生出力の低下を招
くため好ましくない。なお、ＧｏまたはＣｏ合金磁性体
中のＰ元素の含有量のド限については、Ｃｏ中に添加す
るＰ元素は少量であっても面内膜形成に効果があるので
特に限定されないが、−膜内な指標としては、０．０５
ａｔ％以上である。
ａｔ％以下であり、このＰ元素の含有量が３３ａｔ％を
超えると飽和磁化が大幅に減少し、再生出力の低下を招
くため好ましくない。なお、ＧｏまたはＣｏ合金磁性体
中のＰ元素の含有量のド限については、Ｃｏ中に添加す
るＰ元素は少量であっても面内膜形成に効果があるので
特に限定されないが、−膜内な指標としては、０．０５
ａｔ％以上である。
一般的に、Ｐの含有量は２〜１０ａｔ％が好ましく、２
ａｔ％未満では、而内方向の磁気特性を一層向上させる
のに不十分であり、１０ａｔ％を越えると而内方向の保
磁力が１５０００ｅを上回り、十分９− １０− な書き込みができなくなる恐れがある。
ａｔ％未満では、而内方向の磁気特性を一層向上させる
のに不十分であり、１０ａｔ％を越えると而内方向の保
磁力が１５０００ｅを上回り、十分９− １０− な書き込みができなくなる恐れがある。
一方、マクロな形状異方性を低下させ、面内磁気特性を
一層向上させるため、アルマイトの有孔率を０．３〜０
．７とし、かつＣｏ−Ｐ粒子の軸比を０．５〜１０にす
ることが好ましい。有孔率を上げることはアルマイト磁
性膜の飽和磁化を高める効果も含んでおり、再生出力の
向上にも都合が良い。
一層向上させるため、アルマイトの有孔率を０．３〜０
．７とし、かつＣｏ−Ｐ粒子の軸比を０．５〜１０にす
ることが好ましい。有孔率を上げることはアルマイト磁
性膜の飽和磁化を高める効果も含んでおり、再生出力の
向上にも都合が良い。
Ｐ元素を含有することにより市内磁気異方性が発生する
原因は明らかではないが、Ｐ含有により針状粒子が内部
で層状に分断されたこと、および／または、粒子内にＰ
が周期的に局在し、Ｃｏのリン化物を生成することによ
り針状粒子の微視的な形状異方性が低下したことが関係
していると推測される。
原因は明らかではないが、Ｐ含有により針状粒子が内部
で層状に分断されたこと、および／または、粒子内にＰ
が周期的に局在し、Ｃｏのリン化物を生成することによ
り針状粒子の微視的な形状異方性が低下したことが関係
していると推測される。
Ｃｕの場合、０．０５ａｔ％〜５０ａｔ％、好ましくは
、０．１ａｔ％〜３Ｑａｔ％の範囲内の含有量で使用さ
れる。その他の非磁性体の場合、所望の面内磁気特性を
得るのに必要な含有量は実験を繰り返すことにより当業
者ならば適宜決定することができる。
、０．１ａｔ％〜３Ｑａｔ％の範囲内の含有量で使用さ
れる。その他の非磁性体の場合、所望の面内磁気特性を
得るのに必要な含有量は実験を繰り返すことにより当業
者ならば適宜決定することができる。
前記のように、本発明のアルマイト磁性膜では市内磁気
記録が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出
力の減少が抑制され、また、十分なオーバーライド特性
が期待できる。
記録が可能になり、磁気ヘッドの浮上量に対する再生出
力の減少が抑制され、また、十分なオーバーライド特性
が期待できる。
更に、各々の磁性粒子が酸化アルミニウムで囲まれ、完
全に分離されているため、耐食性および耐久性に優れ、
しかも、連続薄膜型磁気記録媒体のように磁化遷移領域
でジグザグドメインが発生しに（り、その結果、再生時
のノイズが小さくなり高い再生出力が得られ、ノイズの
低減が期待出来る。また、膜面内で特定の方向に異方性
を生じないため（膜面内での異方性磁界〜５００ｅ）、
再生時のモジュレーションも無い。
全に分離されているため、耐食性および耐久性に優れ、
しかも、連続薄膜型磁気記録媒体のように磁化遷移領域
でジグザグドメインが発生しに（り、その結果、再生時
のノイズが小さくなり高い再生出力が得られ、ノイズの
低減が期待出来る。また、膜面内で特定の方向に異方性
を生じないため（膜面内での異方性磁界〜５００ｅ）、
再生時のモジュレーションも無い。
ＣｏまたはＣｏ合金中に添加するＰ元素の供給源として
は、ｃｏメッキ浴に可溶性のリン化合物が用いられる。
は、ｃｏメッキ浴に可溶性のリン化合物が用いられる。
リン化合物としてはリンの原子価が３価以下の、亜リン
酸塩および次亜リン酸塩、例えば、亜リン酸ナトリウム
（Ｎａｚ ＨＰＯ３）および次亜リン酸ナトリウム（Ｎ
ａＰＨ２０２）などが好適に使用できる。亜リン酸塩お
よび次亜リン酸塩は単独でも、あるいは、二種類以上を
組み合わせて併用することもできる。原子価が３価より
も高いＰはＦｅ中に混入されない。従って、リン酸（Ｈ
３ＰＯ４）はＣｏメッキ浴中に添加してもアルマイト微
細孔中のＣｏには取り込まれない。この場合、Ｐの原子
価は＋５価であり、Ｐの電子配列はＮｅと同じである。
酸塩および次亜リン酸塩、例えば、亜リン酸ナトリウム
（Ｎａｚ ＨＰＯ３）および次亜リン酸ナトリウム（Ｎ
ａＰＨ２０２）などが好適に使用できる。亜リン酸塩お
よび次亜リン酸塩は単独でも、あるいは、二種類以上を
組み合わせて併用することもできる。原子価が３価より
も高いＰはＦｅ中に混入されない。従って、リン酸（Ｈ
３ＰＯ４）はＣｏメッキ浴中に添加してもアルマイト微
細孔中のＣｏには取り込まれない。この場合、Ｐの原子
価は＋５価であり、Ｐの電子配列はＮｅと同じである。
従って、＋５価のＰは安定化し、メッキの際、電子の授
受を行わないことが関係していると考えられる。
受を行わないことが関係していると考えられる。
ＣｏまたはＣｏ合金磁性体中のＰ元素の含有量は、メッ
キ浴中に添加されるリン化合物の濃度の他、メッキ時間
、印加電圧、ｐＨ１浴温などのメッキ条件を変化させる
ことによりコントロールすることができる。
キ浴中に添加されるリン化合物の濃度の他、メッキ時間
、印加電圧、ｐＨ１浴温などのメッキ条件を変化させる
ことによりコントロールすることができる。
Ｃｕおよびその他の非磁性体または低飽和磁化磁性体に
ついても、前記のＰの場合と大体同様であり、メッキ浴
に可溶性の化合物により強磁性体中に供給され、かつ、
Ｐの場合と同様な方法により含有量のコントロールが行
われる。
ついても、前記のＰの場合と大体同様であり、メッキ浴
に可溶性の化合物により強磁性体中に供給され、かつ、
Ｐの場合と同様な方法により含有量のコントロールが行
われる。
陽極酸化浴に硫酸を用いる方法が試みられている。硫酸
は、解離度が大きい酸であるため浴の抵抗が小さく、陽
極酸化時にかかる電圧は、〜２０Ｖ程度であり、微細孔
径は、〜２００人である。
は、解離度が大きい酸であるため浴の抵抗が小さく、陽
極酸化時にかかる電圧は、〜２０Ｖ程度であり、微細孔
径は、〜２００人である。
硫酸に対し、シュウ酸およびリン酸は、解離度が小さく
、陽極酸化時に大きな電圧がかかる。従って、微細孔径
〜５００人のアルマイトが得られ、磁性層厚が同じ場合
、硫酸浴に比べ軸比が１／２以下のものが得られる。陽
極酸化の後にリン酸またはスルファミン酸等の浴で微細
孔拡大を行うと、さらに軸比を小さくする事もできる。
、陽極酸化時に大きな電圧がかかる。従って、微細孔径
〜５００人のアルマイトが得られ、磁性層厚が同じ場合
、硫酸浴に比べ軸比が１／２以下のものが得られる。陽
極酸化の後にリン酸またはスルファミン酸等の浴で微細
孔拡大を行うと、さらに軸比を小さくする事もできる。
前記のように、Ｐ元素の添加および軸比のコントロール
により面内磁化膜を形成させることもできるが、これに
加えて他の方法を併用することもできる。
により面内磁化膜を形成させることもできるが、これに
加えて他の方法を併用することもできる。
例えば、アルマイト微細孔中にＣｒ下地層を設け、この
上に本発明の磁性体を積層させると、ＣｏまたはＣｏ合
金の（１００）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が
基板面内に配向し、−層良好な面内磁化膜となる。下地
層はＣｒに限らず、１３− １４− ＧｏのＣ軸を膜面内方向に配向させることができるもの
であれば何でもよい。
上に本発明の磁性体を積層させると、ＣｏまたはＣｏ合
金の（１００）面が基板に平行に成長し、軸化容易軸が
基板面内に配向し、−層良好な面内磁化膜となる。下地
層はＣｒに限らず、１３− １４− ＧｏのＣ軸を膜面内方向に配向させることができるもの
であれば何でもよい。
下地層の厚さは特に限定されないが、一般的には０．０
２μｍ−１μｍの範囲内が好ましい。０゜０２μｍ以下
では、Ｃｒの（１１０）面が十分に成長せず、ｃｏまた
はＣｏ合金を面内配向させることが困難となる。一方、
１μｍ超では、ｃｏまたはＣｏ合金の面内配向に及ぼす
効果が飽和し、厚（するだけ不経済となる。
２μｍ−１μｍの範囲内が好ましい。０゜０２μｍ以下
では、Ｃｒの（１１０）面が十分に成長せず、ｃｏまた
はＣｏ合金を面内配向させることが困難となる。一方、
１μｍ超では、ｃｏまたはＣｏ合金の面内配向に及ぼす
効果が飽和し、厚（するだけ不経済となる。
アルマイト層中に形成される微細孔の深さは電界時間を
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以Ｆである。軸比が
問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計値に
より決定される。
制御することにより調節できる。説明するまでもなく、
微細孔の深さはアルマイト層の厚さ以Ｆである。軸比が
問題になる場合、微細孔の直径は前記の軸比の設計値に
より決定される。
アルマイト層はアルミニウム基板を陽極酸化することに
より基板上に直接形成させることもできるが、非磁性基
板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸着
法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによっ
ても形成させることができる。物理蒸着法としては、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
、イオンビームデポジション法および化学的気相成長法
（ＣＶＤ法）などがある。
より基板上に直接形成させることもできるが、非磁性基
板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を物理蒸着
法により蒸着し、この蒸着層を陽極酸化することによっ
ても形成させることができる。物理蒸着法としては、真
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法
、イオンビームデポジション法および化学的気相成長法
（ＣＶＤ法）などがある。
アルミニウムの陽極酸化法は公知である。一般的に、ア
ルミニウムの陽極酸化は直流（ＤＣ）で行っている。Ｄ
Ｃでは、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し
、腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多
くなる。この電解初期に生じたピットが続けてエツチン
グされ微細なホール（孔）が形成される。
ルミニウムの陽極酸化は直流（ＤＣ）で行っている。Ｄ
Ｃでは、電流密度を増大させると、耐電場強度が増大し
、腐食性が強くなり、その結果、開始点（ピット）が多
くなる。この電解初期に生じたピットが続けてエツチン
グされ微細なホール（孔）が形成される。
本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
、アルミニウム基板の他に、ポリイミド。
ポリエチレンテレフタレート等の高分子フィルム。
ガラス類、セラミック、陽極酸化アルミ、黄銅などの金
属板ＩＳＩ単結晶板５表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶
板などがある。
属板ＩＳＩ単結晶板５表面を熱酸化処理したＳｉ単結晶
板などがある。
また、本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステルフ
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
ィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを
基体とする磁気テープや磁気ディスク、合成樹脂フィル
ム、アルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やド
ラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気
ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実ｍ
純度９９．９９％のＡ、Ｒ板（厚さ６５μｍ、 ２０闘
Ｘ２０ｍｍ）をトリクロロエチレンで超音波洗浄し、５
ｗｔ％ＮａＯＨで表面酸化物層を除去後、Ｑｖｏ１％Ｈ
ＮＯ３で中和し、水洗した。次いで、１モル／、ｉｔの
Ｈ２ＳＯ４浴中（２０°Ｃ）で対極をカーボンとし、Ｉ
Ａ／ｄｍ２の電流密度でＡλ板の陽極酸化を行い、厚さ
０．３μｍのアルマイト層を形成した。その後、１ｗｔ
％のＨａ ＰＯ４浴（３０℃）で微細孔径の拡大を行い
、ポア径を２７０人とした。Ｇｏ−Ｐメッキ浴としては
、ＣｏＳＯ４・７Ｈ２０：０．２モル／、ｌ！、Ｈａ
ＢＯ３：０．２０モル／Ｊ１１グリセリン： ２ｍＪ２
／、Ｉ！、ＮａＰＨ２Ｏ２”Ｈ２０： ０．１モル／、
Ｉ！からなるものを使用し、１モル／λＨ２ＳＯ４によ
りｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した電源はＡ
Ｃ３００Ｈｚ、１６Ｖｐ−ｐの交流で、カーボンを対極
とし、２０℃において３分間メッキした。
Ｘ２０ｍｍ）をトリクロロエチレンで超音波洗浄し、５
ｗｔ％ＮａＯＨで表面酸化物層を除去後、Ｑｖｏ１％Ｈ
ＮＯ３で中和し、水洗した。次いで、１モル／、ｉｔの
Ｈ２ＳＯ４浴中（２０°Ｃ）で対極をカーボンとし、Ｉ
Ａ／ｄｍ２の電流密度でＡλ板の陽極酸化を行い、厚さ
０．３μｍのアルマイト層を形成した。その後、１ｗｔ
％のＨａ ＰＯ４浴（３０℃）で微細孔径の拡大を行い
、ポア径を２７０人とした。Ｇｏ−Ｐメッキ浴としては
、ＣｏＳＯ４・７Ｈ２０：０．２モル／、ｌ！、Ｈａ
ＢＯ３：０．２０モル／Ｊ１１グリセリン： ２ｍＪ２
／、Ｉ！、ＮａＰＨ２Ｏ２”Ｈ２０： ０．１モル／、
Ｉ！からなるものを使用し、１モル／λＨ２ＳＯ４によ
りｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した電源はＡ
Ｃ３００Ｈｚ、１６Ｖｐ−ｐの交流で、カーボンを対極
とし、２０℃において３分間メッキした。
工校ＬＬ
実施例１においてメッキ浴中にＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２０
を添加しなかったこと以外は実施例１と同じ方法でＣｏ
メッキ膜を作製した。
を添加しなかったこと以外は実施例１と同じ方法でＣｏ
メッキ膜を作製した。
Ｌ敷帆λ
実施例１と同じ方法により厚さ０．４５μｍのアルマイ
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ｃｏＮｉ−Ｐメ
ッキを以“ドの方法により行った。メッキ浴は、Ｃｏ３
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０９０モル／、Ｉ２、ＮｉＳＯ４
・６Ｈ２０： ０．０３８モル／、Ｉ！、Ｈａ ＢＯ３
：Ｑ、２４モル／ｉｔ、グリセリン：２ｍＪ！／Ｊｌ、
ＮａＰＨ２Ｏ２＊Ｈ２０：０．５１モル／λからなるも
のを使用し、５ｗｔ％ＮａＯＨによりｐＨを６．５に調
整した。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ １２
５Ｖｐ−ｐ１７− １８− の交流で、アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）
に＋１０ｖとなるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃
において１０秒間メッキした。
ト層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ｃｏＮｉ−Ｐメ
ッキを以“ドの方法により行った。メッキ浴は、Ｃｏ３
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０９０モル／、Ｉ２、ＮｉＳＯ４
・６Ｈ２０： ０．０３８モル／、Ｉ！、Ｈａ ＢＯ３
：Ｑ、２４モル／ｉｔ、グリセリン：２ｍＪ！／Ｊｌ、
ＮａＰＨ２Ｏ２＊Ｈ２０：０．５１モル／λからなるも
のを使用し、５ｗｔ％ＮａＯＨによりｐＨを６．５に調
整した。メッキに使用した電源はＡＣ３００Ｈｚ １２
５Ｖｐ−ｐ１７− １８− の交流で、アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）
に＋１０ｖとなるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃
において１０秒間メッキした。
Ｌ狡健λ
実施例２においてメッキ浴組成が、Ｃｏ Ｓ Ｏ４・７
Ｈ２０： Ｏ，０Ｎ３４モル／、１２、ＮｉＳＯ４・６
Ｈ２０： ０．０６４モル／ｊｌ、Ｎ３ＢＯａ ： ０
゜２４モル／Ｊ２、グリセリフ ： ２ｍＪｌ／Ｊ２か
らなること以外は実施例２と同様の方法でＣｏＮｉメッ
キ膜を作製した。
Ｈ２０： Ｏ，０Ｎ３４モル／、１２、ＮｉＳＯ４・６
Ｈ２０： ０．０６４モル／ｊｌ、Ｎ３ＢＯａ ： ０
゜２４モル／Ｊ２、グリセリフ ： ２ｍＪｌ／Ｊ２か
らなること以外は実施例２と同様の方法でＣｏＮｉメッ
キ膜を作製した。
実Ｗ工
実施例１と同じ方法により厚さ０．３μｍのアルマイト
層を生成させた後、３０°Ｃ１１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＦｅ−Ｐメ
ッキを以下の方法により行った。
層を生成させた後、３０°Ｃ１１ｗｔ％のリン酸浴中で
ポア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＦｅ−Ｐメ
ッキを以下の方法により行った。
メッキ浴は、ＣｏＳＯ４・７Ｈ２０：０．０９０モル／
Ｊ１Ｆｅ８０４ （ＮＨ４）２ ＳＯ４＠ ０Ｈ２０
：０．００８モル／λ、Ｎ３ ＢＯ３： ０．２４モル
／Ｊ２、グリセリフ ： ２ｍ、Ｉｔ／Ｊｌ、ＮａＰＨ
２Ｏ２・Ｎ２０：０．５１モル／Ｊ２からなるものを使
用し、１モル／λのＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調
整した。メッキに使用した電源はＡＣ５００ＨＺ Ｎ
２５ Ｖ ｐ−ｐの交流で、アルマイト側ｋｎ−１５Ｖ
、対極（カーボン）に＋１０ｖとなるようにＤＣバイア
スを印加し、２０℃において１０秒間メッキした。
Ｊ１Ｆｅ８０４ （ＮＨ４）２ ＳＯ４＠ ０Ｈ２０
：０．００８モル／λ、Ｎ３ ＢＯ３： ０．２４モル
／Ｊ２、グリセリフ ： ２ｍ、Ｉｔ／Ｊｌ、ＮａＰＨ
２Ｏ２・Ｎ２０：０．５１モル／Ｊ２からなるものを使
用し、１モル／λのＨ２ＳＯ４によりｐＨを４．０に調
整した。メッキに使用した電源はＡＣ５００ＨＺ Ｎ
２５ Ｖ ｐ−ｐの交流で、アルマイト側ｋｎ−１５Ｖ
、対極（カーボン）に＋１０ｖとなるようにＤＣバイア
スを印加し、２０℃において１０秒間メッキした。
比較立Ｊユ
実施例３においてメッキ浴中にＮａＰＨ２０ｚ・Ｎ２０
を添加しなかったこと以外は実施例３と同じ方法でＣｏ
Ｆｅメッキ膜を作製した。
を添加しなかったこと以外は実施例３と同じ方法でＣｏ
Ｆｅメッキ膜を作製した。
実施（目。
実施例１と同じ方法により厚さ０．３μｍのアルマイト
層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中でポ
ア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＮ１Ｆｅ−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣｏＳ
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０８５モル／λ、ＮｉＳＯ４・６
Ｈ２０： ０．０３６モル／Ｊ１１Ｆ ｅ ８０４
（ＮＨ４） ２８０４ ＊ ６Ｈ２０：０．００７モル
／λ、Ｎ３ ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ２、グリセリ
フ：２ｍＪＩ／λ、ＮａＰＨ２Ｏ２拳Ｈ２０：０．５１
モル／Ｊ！からなるものを使用し、１モル／Ｊ！Ｈ２Ｓ
Ｏ４によりｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した
電源はＡＣ５００Ｈｚ １２５ Ｖ ｐ−ｐの交流で、
アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋１０Ｖ
となるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃において１
０秒間メッキした。
層を生成させた後、３０℃、１ｗｔ％のリン酸洛中でポ
ア径を３７０人に拡大した。この後、ＣｏＮ１Ｆｅ−Ｐ
メッキを以下の方法により行った。メッキ浴は、ＣｏＳ
Ｏ４・７Ｈ２０：０．０８５モル／λ、ＮｉＳＯ４・６
Ｈ２０： ０．０３６モル／Ｊ１１Ｆ ｅ ８０４
（ＮＨ４） ２８０４ ＊ ６Ｈ２０：０．００７モル
／λ、Ｎ３ ＢＯ３： ０゜２４モル／Ｊ２、グリセリ
フ：２ｍＪＩ／λ、ＮａＰＨ２Ｏ２拳Ｈ２０：０．５１
モル／Ｊ！からなるものを使用し、１モル／Ｊ！Ｈ２Ｓ
Ｏ４によりｐＨを４．０に調整した。メッキに使用した
電源はＡＣ５００Ｈｚ １２５ Ｖ ｐ−ｐの交流で、
アルマイト側に一１５Ｖ１対極（カーボン）に＋１０Ｖ
となるようにＤＣバイアスを印加し、２０℃において１
０秒間メッキした。
比致（目。
実施例４においてメッキ浴中にＮａＰＨ２Ｏ２・Ｎ２０
を添加しなかったこと以外は実施例４と同じ方法でＣｏ
ＮｉＦｅメッキ膜を作製した。
を添加しなかったこと以外は実施例４と同じ方法でＣｏ
ＮｉＦｅメッキ膜を作製した。
前記各実施例および比較例で得られたアルマイト磁性膜
の面内方向保磁力と角形比を試料振動型磁力計により最
大印加磁場１０ｋＯｅで測定した。
の面内方向保磁力と角形比を試料振動型磁力計により最
大印加磁場１０ｋＯｅで測定した。
測定結果を下記の表１に要約して示す。
（以下余白）
２１−
２−
表１に示された結果から明らかなように、メッキ充填さ
れる磁性体中にＰを含有させることにより、磁性膜の面
内方向保磁力および角形比の何れも大幅に向上される。
れる磁性体中にＰを含有させることにより、磁性膜の面
内方向保磁力および角形比の何れも大幅に向上される。
実１１何５一
実施例２におけるメッキ浴組成が（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２
０）＋ （Ｎｉ ８０４・８Ｈ２０）＝０−１２８モル
／λで一定とし、各々の添加比を変えたこと以外は実施
例２と同じ方法でＣｏＮ１−Ｐメッキを行った。
０）＋ （Ｎｉ ８０４・８Ｈ２０）＝０−１２８モル
／λで一定とし、各々の添加比を変えたこと以外は実施
例２と同じ方法でＣｏＮ１−Ｐメッキを行った。
一佼阻ｉ
比較例２におけるメッキ浴組成が（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２
０）＋ （Ｎｉ ＳＯ４壷６Ｈ２０）＝０゜１２８モル
／、Ｉ！で一定とし、各々の添加比を変えたこと以外は
比較例２と同じ方法でＣｏＮｉメッキを行った。
０）＋ （Ｎｉ ＳＯ４壷６Ｈ２０）＝０゜１２８モル
／、Ｉ！で一定とし、各々の添加比を変えたこと以外は
比較例２と同じ方法でＣｏＮｉメッキを行った。
第１図（Ａ）および（Ｂ）に実施例５と比較例５で得ら
れたアルマイト磁性膜の面内方向の角形比および保磁力
と、膜中のＮｉ／ （Ｎｉ十Ｃｏ）の原子比の関係を示
す。なお、実施例５においてはＰの含有率、Ｐ ／ （
Ｃｏ ＋ Ｎ ｔ ＋ Ｐ ）は０．０９２〜０．１３
５であり、比較例５ではＰは含有されていない。第１図
より明らかなように、Ｐの含有によりＣｏ組成の高い領
域で面内方向の角形比と保磁力が増大していることが分
かる。Ｃｏ組成の高い領域では飽和磁化が大きく、再生
出力に有利に作用すると考えられる。
れたアルマイト磁性膜の面内方向の角形比および保磁力
と、膜中のＮｉ／ （Ｎｉ十Ｃｏ）の原子比の関係を示
す。なお、実施例５においてはＰの含有率、Ｐ ／ （
Ｃｏ ＋ Ｎ ｔ ＋ Ｐ ）は０．０９２〜０．１３
５であり、比較例５ではＰは含有されていない。第１図
より明らかなように、Ｐの含有によりＣｏ組成の高い領
域で面内方向の角形比と保磁力が増大していることが分
かる。Ｃｏ組成の高い領域では飽和磁化が大きく、再生
出力に有利に作用すると考えられる。
実ｌｕ舛℃ユ
実施例１においてメッキ浴のｐＨを５ｗｔ％ＮａＯＨに
より６．５に調整したこと以外は実施例１と同じ方法で
Ｃｏ−Ｐメッキを行った。
より６．５に調整したこと以外は実施例１と同じ方法で
Ｃｏ−Ｐメッキを行った。
実施例１および実施例６で得られたＣｏ−Ｐメッキ膜の
面内方向保磁力と角形比の測定結果を表２に示す。
面内方向保磁力と角形比の測定結果を表２に示す。
（以下余白）
表２に示された結果から明らかなように、メッキ浴組成
が同一でも、ｐＨが４．０から６．５に増大すると、Ｐ
含有量が減少し、市内磁気特性がやや劣化する。
が同一でも、ｐＨが４．０から６．５に増大すると、Ｐ
含有量が減少し、市内磁気特性がやや劣化する。
支敷肚り
純度９９．９９％の圧延Ａ、ｌ！を２０℃、１モル／Ｊ
２のＨ２ＳＯ４中、ＩＡ／ｄｍ２の定電流密度で陽極酸
化し、アルマイト層を０．４５μｍ設けた。この時セル
径、ポア径はそれぞれ４５０人。
２のＨ２ＳＯ４中、ＩＡ／ｄｍ２の定電流密度で陽極酸
化し、アルマイト層を０．４５μｍ設けた。この時セル
径、ポア径はそれぞれ４５０人。
１３０人であった。次に３０℃、１ｗｔ％のＨ３ＰＯ４
中においてポア径拡大およびバリヤ層調整を行い、ポア
径を最大３９５人まで拡大した。その後、ＣｏＳＯ４：
ｏ、２モル／λ、Ｈ３ＢＯ３：０．２モル／、Ｉｔ、グ
リセリン２モル／、ｌ！を含む基本メッキ浴にＮａＰＨ
２Ｏ２を、０モル／Ｊ２〜０゜２モル／λを加え、ｃｏ
−Ｐメッキを行った。浴温２０°Ｃ，ｐＨ４において、
ＡＣ３００Ｈｚ、１ｅｖｐ−ｐの交流電源を用いた。得
られた代表的なアルマイト−Ｃｏ−Ｐメッキ膜の緒特性
を下記の表３に示す。
中においてポア径拡大およびバリヤ層調整を行い、ポア
径を最大３９５人まで拡大した。その後、ＣｏＳＯ４：
ｏ、２モル／λ、Ｈ３ＢＯ３：０．２モル／、Ｉｔ、グ
リセリン２モル／、ｌ！を含む基本メッキ浴にＮａＰＨ
２Ｏ２を、０モル／Ｊ２〜０゜２モル／λを加え、ｃｏ
−Ｐメッキを行った。浴温２０°Ｃ，ｐＨ４において、
ＡＣ３００Ｈｚ、１ｅｖｐ−ｐの交流電源を用いた。得
られた代表的なアルマイト−Ｃｏ−Ｐメッキ膜の緒特性
を下記の表３に示す。
２６−
２５−
表３において、試料ＡおよびＢはポア径２７０人、有孔
率０．３３の条件下で、Ｐ添加の効果を示すもので、Ｐ
を含まない試料ＡではＳ、／Ｓよが０．３１となってお
り垂直磁化膜になっている。
率０．３３の条件下で、Ｐ添加の効果を示すもので、Ｐ
を含まない試料ＡではＳ、／Ｓよが０．３１となってお
り垂直磁化膜になっている。
一方、Ｐを９．０ａｔ％含んだ試料Ｂでは軸比が試料Ａ
の約２倍であるにもかかわらず、Ｓ／／は０゜０９８か
ら０．４１４に向上し、Ｓ、／Ｓエ は、１．７６とな
り、面内磁化膜（Ｓ／／／Ｓ工〉１）に移行している。
の約２倍であるにもかかわらず、Ｓ／／は０゜０９８か
ら０．４１４に向上し、Ｓ、／Ｓエ は、１．７６とな
り、面内磁化膜（Ｓ／／／Ｓ工〉１）に移行している。
しかし、Ｈｅ工は１３５００ｅと大きく、未だ垂直成分
が残留していると考えられる。
が残留していると考えられる。
試料ＣおよびＤは有孔率を０．３３から０．６１に増大
させ、軸比を５以ドに低ドさせた時のＰ添加の効果を調
べたものである。Ｐを含まない試料ＣにおいてもＳ、は
０．６６７と大きく向上している。しかし、面内方向の
保磁力が３４００ｅと低い。これに対し、Ｐを５．０ａ
ｔ％含有させた試料りでは、Ｓ、０．５８．Ｓ、／Ｓ工
１０．７゜Ｈｅ、６８０と良好な面内磁気特性を示し、
垂直方向の保磁力も約７０００ｅ程度まで低下している
。
させ、軸比を５以ドに低ドさせた時のＰ添加の効果を調
べたものである。Ｐを含まない試料ＣにおいてもＳ、は
０．６６７と大きく向上している。しかし、面内方向の
保磁力が３４００ｅと低い。これに対し、Ｐを５．０ａ
ｔ％含有させた試料りでは、Ｓ、０．５８．Ｓ、／Ｓ工
１０．７゜Ｈｅ、６８０と良好な面内磁気特性を示し、
垂直方向の保磁力も約７０００ｅ程度まで低下している
。
実１Ｊ１釦
純度９９．９９％の圧延Ａλ（３ｃｎ Ｘ ３ ｃｎ
Ｘ ６５μｍ厚）をトリクロロエタン中で洗浄脱脂し、
陽極酸化を１８℃、１モル／λのＨ２Ｓ ０４ ｔ ５
ｇ／λのＡλ２（８０４）３を含む洛中で、１７゜５Ｖ
の定電圧で行い、アルマイト層を０．４５μｍ化成した
。次にアルマイトを３０°Ｃ，１ｗｔ％のＨ３ＰＯ４中
に移し、４０ｍＡ／ｄｍ２の定電流密度で両極間電圧（
対極：カーボン）が８ｖになるまで再陽極酸化し、その
後、同洛中に試料を浸漬し微細孔系の拡大処理を行った
。
Ｘ ６５μｍ厚）をトリクロロエタン中で洗浄脱脂し、
陽極酸化を１８℃、１モル／λのＨ２Ｓ ０４ ｔ ５
ｇ／λのＡλ２（８０４）３を含む洛中で、１７゜５Ｖ
の定電圧で行い、アルマイト層を０．４５μｍ化成した
。次にアルマイトを３０°Ｃ，１ｗｔ％のＨ３ＰＯ４中
に移し、４０ｍＡ／ｄｍ２の定電流密度で両極間電圧（
対極：カーボン）が８ｖになるまで再陽極酸化し、その
後、同洛中に試料を浸漬し微細孔系の拡大処理を行った
。
その後同浴中において８ｖの定電圧で２分間化成し、バ
リヤ層の調整と均一化を行った。
リヤ層の調整と均一化を行った。
次に試料を、Ｃｏ” ：ｏ、２モル／Ｊ！。
Ｃｕ” ：Ｑ、００２モル／Ｊ！、Ｈ３ＢＯ３：０゜２
モル／Ｊ２．グリセリフ ： ２ｍｌ／、１１を含むメ
ッキ浴に移し、パルス波電源を用い、Ｃｏ ／ Ｃｕ多
層膜を０．２５μｍ微細孔中にメッキ充填した。
モル／Ｊ２．グリセリフ ： ２ｍｌ／、１１を含むメ
ッキ浴に移し、パルス波電源を用い、Ｃｏ ／ Ｃｕ多
層膜を０．２５μｍ微細孔中にメッキ充填した。
パルス波の基本的な考え方は、Ｃｏ２＋が還元される電
位（ＥＣｏ）とＣｕ２＋が還元される電位（Ｅ Ｃｕ）
を交互に印加するものである。
位（ＥＣｏ）とＣｕ２＋が還元される電位（Ｅ Ｃｕ）
を交互に印加するものである。
爽直髭１
前記実施例８で使用したメッキ浴中に０．０２モル／λ
の濃度でＮａＰＨ２Ｏ２を加え、前記実施例８のアルマ
イト微細孔中にＣｏｑ ４−Ｐ６／Ｃｕ多層膜を０．２
５μｍメッキ充填した。
の濃度でＮａＰＨ２Ｏ２を加え、前記実施例８のアルマ
イト微細孔中にＣｏｑ ４−Ｐ６／Ｃｕ多層膜を０．２
５μｍメッキ充填した。
実１江１」−
前記実施例８で使用したメッキ浴中にＦｅ”を０．２モ
ル／ｆ／の濃度で加え、前記実施例８のアルマイト微細
孔中にＦｅｅ Ｏ−Ｃｏ４０／Ｃｕ多層膜を０．２５μ
ｍメッキ充填した。
ル／ｆ／の濃度で加え、前記実施例８のアルマイト微細
孔中にＦｅｅ Ｏ−Ｃｏ４０／Ｃｕ多層膜を０．２５μ
ｍメッキ充填した。
実ＪＵ舛ユ」−
前記実施例８で用いたメッキ浴中からＣｕ”を取り除き
、新たにＮｉ２＋を０．１モル／λの濃度で加え、前記
実施例８のアルマイト微細孔中に、Ｃｏ／Ｎｉ多層膜を
０．２５μｍメッキ充填した。
、新たにＮｉ２＋を０．１モル／λの濃度で加え、前記
実施例８のアルマイト微細孔中に、Ｃｏ／Ｎｉ多層膜を
０．２５μｍメッキ充填した。
実ｌ側ＬＬと
前記実施例８で用いたメッキ浴からＣｕ＋２を取り除き
、Ｆｅ＋２を０．２モル／λの濃度で加２９− ３０− え、前記実施例８のアルマイト微細孔中にＦｅ／Ｃｕ多
層膜を０．２５μｍメッキ充填した。
、Ｆｅ＋２を０．２モル／λの濃度で加２９− ３０− え、前記実施例８のアルマイト微細孔中にＦｅ／Ｃｕ多
層膜を０．２５μｍメッキ充填した。
比１１何３一
実施例８において、メッキ洛中に、Ｃｕ２＋を含まない
こと、および、メッキに使用した電源がＡＣ３００Ｈｚ
、１６Ｖｐ−ｐであること以外は同一条件とし、アルマ
イト微細孔中にＣｏ ＠体粒子を０．２５μｍメッキ充
填した。
こと、および、メッキに使用した電源がＡＣ３００Ｈｚ
、１６Ｖｐ−ｐであること以外は同一条件とし、アルマ
イト微細孔中にＣｏ ＠体粒子を０．２５μｍメッキ充
填した。
比ｌｕ舛ｌ−
実施例１２においてＣｕ＋２イオンを加えないこと、お
よび、メッキに用いた電源がＡＣ３００Ｈｚ １１６
Ｖｐ−ｐであること以外は同一条件とし、アルマイト微
細孔中にＦｅ単独粒子を０．２５μｍメッキ充填した。
よび、メッキに用いた電源がＡＣ３００Ｈｚ １１６
Ｖｐ−ｐであること以外は同一条件とし、アルマイト微
細孔中にＦｅ単独粒子を０．２５μｍメッキ充填した。
下記の表４に前記実施例８〜１２および比較例６〜７で
作製したアルマイト磁性膜の形状特性と磁気特性を示す
。
作製したアルマイト磁性膜の形状特性と磁気特性を示す
。
（以下余白）
３１−
３２−
表４に示された結果から明らかなように、層状構造を磁
性粒子中に持たせることにより、膜面内方向の角形比お
よび保磁力が、ｃｏ単独メッキおよびＦｅ単独メッキの
場合に比べ向上している。
性粒子中に持たせることにより、膜面内方向の角形比お
よび保磁力が、ｃｏ単独メッキおよびＦｅ単独メッキの
場合に比べ向上している。
この結果より、多層構造の導入により、粒子の形状異方
性が低下した効果が生じていると考えられる。
性が低下した効果が生じていると考えられる。
層状構造は完全な層状でなくとも、母充填磁性体の長軸
方向の形状異方性を低下させる状態でも良い。
方向の形状異方性を低下させる状態でも良い。
［発明の効果コ
以上説明した様に、強磁性体中に非磁性体または低飽和
磁化磁性体を添加し、アルマイト微細孔中の強磁性体粒
子に層状構造を持たせることにより、優れた面内磁気特
性を何するアルマイト磁性膜を作製することが可能とな
り、媒体／ヘッド非接触系の場合においても高い再生出
力を有するアルマイト磁性膜を作製することが可能とな
る。
磁化磁性体を添加し、アルマイト微細孔中の強磁性体粒
子に層状構造を持たせることにより、優れた面内磁気特
性を何するアルマイト磁性膜を作製することが可能とな
り、媒体／ヘッド非接触系の場合においても高い再生出
力を有するアルマイト磁性膜を作製することが可能とな
る。
第１図（Ａ）は実施例５および比較例５で得られたメッ
キ膜の、膜中のＮｉ／（Ｎｉ＋Ｃｏ）含有率と面内方向
角形比との関係を示す特性図であり、第１図（Ｂ）は実
施例５および比較例５で得られたメッキ膜の、膜中のＮ
ｉ／（Ｎｉ＋Ｃｏ）含有率と面内方向保磁力との関係を
示す特性図である。
キ膜の、膜中のＮｉ／（Ｎｉ＋Ｃｏ）含有率と面内方向
角形比との関係を示す特性図であり、第１図（Ｂ）は実
施例５および比較例５で得られたメッキ膜の、膜中のＮ
ｉ／（Ｎｉ＋Ｃｏ）含有率と面内方向保磁力との関係を
示す特性図である。
Claims (8)
- （１）ＡｌあるいはＡｌ合金を陽極酸化して生成したア
ルマイトの微細孔中に強磁性体を充填してなる磁気記録
媒体において、微細孔内に充填された強磁性体がその長
軸方向で、非磁性体あるいは該強磁性体よりも飽和磁化
が小さい磁性体により寸断され、前記強磁性体と、非磁
性体または低飽和磁化磁性体とが交互に積層する層状構
造を有し、Ｍｒ＿■＞Ｍｒ＿⊥であることを特徴とする
磁気記録媒体。 - （２）アルマイトの有孔率が０．３３〜０．７５である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - （３）磁性層厚が５００〜５０００Åであることを特徴
とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。 - （４）ＡｌまたはＡｌ合金の表面を陽極酸化することに
より生成された微細孔（ポア）中に磁性体をメッキ充填
した磁気記録媒体において、前記磁性体はＣｏ単体また
はＣｏを主体とする合金中にＰ元素を含有することを特
徴とする磁気記録媒体。 - （５）Ｐの含有量が０．０５ａｔ％〜３３ａｔ％の範囲
内であることを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体
。 - （６）Ｃｏを主体とする合金はＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ
またはＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅであることを特徴とする請求項
４または５に記載の磁気記録媒体。 - （７）Ｐの含有量が２ａｔ％〜１０ａｔ％の範囲内であ
ることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。 - （８）メッキ充填したＣｏ−Ｐ粒子の軸比が０．５〜１
０の範囲内であることを特徴とする請求項４記載の磁気
記録媒体。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14259989 | 1989-06-05 | ||
| JP1-142599 | 1989-06-05 | ||
| JP1-310070 | 1989-11-29 | ||
| JP31007089 | 1989-11-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219415A true JPH03219415A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2923790B2 JP2923790B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=26474549
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2046737A Expired - Fee Related JP2923790B2 (ja) | 1989-06-05 | 1990-02-27 | 磁気記録媒体 |
| JP2072768A Expired - Lifetime JP2923791B2 (ja) | 1989-06-05 | 1990-03-22 | 磁気記録媒体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2072768A Expired - Lifetime JP2923791B2 (ja) | 1989-06-05 | 1990-03-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5480694A (ja) |
| EP (1) | EP0402065A3 (ja) |
| JP (2) | JP2923790B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8139616B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-03-20 | Fujikura Ltd. | Pulsed light generator and pulsed fiber laser |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679473A (en) * | 1993-04-01 | 1997-10-21 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
| US5923511A (en) * | 1995-05-26 | 1999-07-13 | International Business Machines Corporation | Directly contactable disk for vertical magnetic data storage |
| SG54536A1 (en) * | 1996-07-26 | 1998-11-16 | Toshiba Kk | Magnetic recording apparatus |
| JP2821456B1 (ja) * | 1997-07-03 | 1998-11-05 | 学校法人早稲田大学 | コバルト・鉄・ニッケル磁性薄膜とその製造方法，及びそれを用いた複合型薄膜磁気ヘッドと磁気記憶装置 |
| US5867239A (en) * | 1997-10-17 | 1999-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Wide angle optical retarder |
| RU2169398C1 (ru) * | 2000-02-11 | 2001-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЛабИНТЕХ" (Лаборатория ионных нанотехнологий) | Способ изготовления магнитного носителя |
| US20020145826A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | University Of Alabama | Method for the preparation of nanometer scale particle arrays and the particle arrays prepared thereby |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| US6995121B1 (en) | 2002-06-24 | 2006-02-07 | Seagate Technology Llc | Stability polymeric lubricants and thin film recording media comprising same |
| US6846542B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-25 | Seagate Technology Llc | UV treatment for improving performance of lubricated thin film recording media and media obtained thereby |
| SG118264A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-27 | Sony Corp | A magnetic material and a MEMS device using the magnetic material |
| US20070147348A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Tingting Lu | Methods, systems, and computer program products for providing location information for VoIP emergency calling |
| US7719793B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Circumferentially patterned disk for longitudinal and perpendicular recording |
| US7502249B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-03-10 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
| US7532505B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-05-12 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
| US8900655B2 (en) | 2006-10-04 | 2014-12-02 | Seagate Technology Llc | Method for fabricating patterned magnetic recording device |
| US7704614B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Process for fabricating patterned magnetic recording media |
| US8411497B2 (en) | 2010-05-05 | 2013-04-02 | Grandis, Inc. | Method and system for providing a magnetic field aligned spin transfer torque random access memory |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221826A (ja) * | 1983-05-28 | 1984-12-13 | Toshiro Takahashi | 磁気記録媒体 |
| US4548682A (en) * | 1983-06-10 | 1985-10-22 | Nippon Light Metal Company Limited | Process of producing magnetic recording media |
| US4774130A (en) * | 1985-01-17 | 1988-09-27 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS623423A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-09 | Pilot Precision Co Ltd | Ａｌ製磁気記録材料の基板 |
| JPS6262419A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Pilot Precision Co Ltd | 磁気記録材料およびその製造方法 |
| JPS62125526A (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-06 | Nippon Gakki Seizo Kk | 磁気記録媒体 |
| US4738885A (en) * | 1986-02-24 | 1988-04-19 | Kyocera Corporation | Magnetic disk, substrate therefor and process for preparation thereof |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2046737A patent/JP2923790B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 JP JP2072768A patent/JP2923791B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-01 EP EP19900306015 patent/EP0402065A3/en not_active Withdrawn
- 1990-06-04 US US07/532,756 patent/US5480694A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8139616B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-03-20 | Fujikura Ltd. | Pulsed light generator and pulsed fiber laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0402065A3 (en) | 1991-10-02 |
| JPH03219416A (ja) | 1991-09-26 |
| JP2923790B2 (ja) | 1999-07-26 |
| EP0402065A2 (en) | 1990-12-12 |
| JP2923791B2 (ja) | 1999-07-26 |
| US5480694A (en) | 1996-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03219415A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3762277B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP4732668B2 (ja) | コバルト鉄モリブデン合金およびコバルト鉄モリブデン合金めっき磁性薄膜の製造方法 | |
| JPH0443989B2 (ja) | ||
| JP4027145B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び情報処理装置 | |
| JP4637040B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2006269690A (ja) | 軟磁性薄膜および磁気記録ヘッド | |
| JPS5882514A (ja) | 連続薄膜磁性媒体およびその製造方法 | |
| JP2007302998A (ja) | 電気めっき層の磁気特性制御方法、磁性層の電気めっき方法、磁性層の製造方法、磁気ヘッドの製造方法およびそれに用いるめっき浴 | |
| US20100247960A1 (en) | Patterned ecc and gradient anisotropy media through electrodeposition | |
| US5575897A (en) | Method of manufacturing soft-magnetic multilayer thin film including re-dissolution effect magnetically isolating layer | |
| JP3102505B2 (ja) | 軟磁性多層めっき膜の製造方法および軟磁性多層めっき膜ならびに磁気ヘッド | |
| JPH0765228B2 (ja) | 高磁束密度４元系合金電着薄膜の製造方法 | |
| JPH02500069A (ja) | 磁気記録材料 | |
| US6794063B2 (en) | Thin film magnetic head and method of fabricating the head | |
| JP2897485B2 (ja) | 軟磁性薄膜およびその製造方法 | |
| US20060222871A1 (en) | Method for lowering deposition stress, improving ductility, and enhancing lateral growth in electrodeposited iron-containing alloys | |
| JPH02223008A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS6238543A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63187415A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0482012A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0479026A (ja) | アルマイト面内磁化膜の製造方法 | |
| JPH038108A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2635674B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用磁性薄膜およびその製造方法 | |
| JP2007208144A (ja) | 構造体の製造法、構造体、磁気記録媒体および永久磁石 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |