JPH0443989B2 - - Google Patents
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- JPH0443989B2 JPH0443989B2 JP59199870A JP19987084A JPH0443989B2 JP H0443989 B2 JPH0443989 B2 JP H0443989B2 JP 59199870 A JP59199870 A JP 59199870A JP 19987084 A JP19987084 A JP 19987084A JP H0443989 B2 JPH0443989 B2 JP H0443989B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、たとえば薄膜磁気ヘツドに代表され
る磁電変換器用の磁気コア材に適した高磁束密度
でかつ高透磁率を有するCo−Ni−Feの三元系合
金薄膜を形成する電気めつき浴及び電気めつき方
法に関するものである。 〔発明の背景〕 従来、薄膜磁気ヘツドに代表される磁電変換器
用の磁気コア材には約80重量％のニツケルと20重
量％の鉄とから成る２元合金（パーマロイ）が使
用されている。この材料は、磁歪定数がほぼ零付
近の組成であり、高周波領域での透磁率が高く、
磁電変換器に要求される高速スイツチング動作に
優れているという特徴を有するところから一般に
使用されて来ている。 しかしながら、磁気記録の分野では益々高記録
密度化が要求され、上記パーマロイ合金では飽和
磁束密度の点で限界に来ており、さらに飽和磁束
密度の高い材料の要求が高まつている。上記パー
マロイ合金より飽和磁束密度の高い材料を薄膜磁
気ヘツドのコア材に適用できれば、１）記録密度
の向上、２）ヘツドの信頼性向上、３）周波数特
性の向上の３つが期待できる。 ところで、上記した従来のパーマロイの磁気特
性、特に飽和磁束密度を向上させる方法としては
パーマロイの基本組成であるNi−Fe2元系合金に
第３元素としてCoを添加することが試みられ、
これらに関する技術は多くの公知文献に開示され
ている。たとえば、BradlyはNi−Co−Fe3元系
合金薄膜の磁気的性質について述べており、薄膜
の磁歪定数が零になると単なるNi−Fe2元パーマ
ロイ薄膜に比べてより大きな飽和磁束密度を示
す。またCoの添加量を重量比で10％以上にする
と異方性磁界が10Oe以上になり、かえつて透磁
率は小さくなることを開示している〔Journal of
Applied Physics，Supplement to Vol.33（1962）
PP.1051〜1057参照〕。 また、Tolmanは磁歪定数が零近くになるNi−
Co−Fe3元系合金薄膜において、一方向の外部磁
界を印加しながら薄膜を作製するとFe−Ni系に
Coを添加することにより異方性磁界および保持
力が大きくなることを文献（Journal of
Applied Physics，Vol.38（1967）PP.3409〜
3410）に開示している。 また、磁歪定数が零近くになる組成（Ni：０
〜80重量％、Co：０〜90重量％およびFe：０〜
20重量％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパー
マロイより大きくなることが文献（Bozorth
著、Van Nostrand 社刊、“Ferromagnetism”
第４刷、p165）に明らかにされている。 さらに、SakakimaはCo基合金膜を作製した
後、回転磁界中で熱処理を施すことにより透磁率
を高めることができることも文献（IEEE
Transactions on Magnetics，Vol.MAG−19
（1983）pp.131〜135）で明らかにしている。 しかし、これに関する公知技術においては、非
晶質のCo基合金膜についた示唆しているが、結
晶質の合金膜について回転磁界中での熱処理効果
についてはなんら開示されていない。 以上のように公知技術から見てNi−Fe2元パー
マロイの飽和磁束密度を高めるためのCo添加量
は異方性磁界及び保持力の増大を考えれば高高10
重量％以下と予想され、その場合飽和磁束密度は
高々1.2テスラ程度であり、記録密度の向上、磁
気ヘツドコアの信頼性、周波数特性の向上を図る
には不十分であるという問題点を有していた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、高い飽和磁束密度を有し、か
つ低い異方性磁界を有すると共に、高周波領域で
高い透磁率を示し、磁気ヘツドに使う磁気コア材
料として好適なCo基のCo−Ni−Fe3元系合金薄
膜を形成する電気めつき浴及び電気めつき方法を
提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明は、３〜20ｇ／の濃度範囲のCo++イ
オン、10〜30ｇ／の濃度範囲のNi++イオン及
び0.2〜1.0ｇ／の濃度範囲のFe++イオンと、応
力緩和剤及び界面活性剤、を添加した溶媒とを含
み、PHが2.5〜3.5であるCo−Ni−Fe合金の電気
めつき浴であり、 更に、Co++イオンの濃度範囲が３〜20ｇ／、
Ni++イオンの濃度範囲が10〜30ｇ／及びFe++
イオンの濃度範囲が0.2〜1.0ｇ／であつて、2.5
〜3.5のPHを有し、20〜35℃の温度に保持して６
〜25mA／cm2の電流密度で電気めつきを施し、該
めつきの間中、めつき面に互いに直行する方向に
所定の周波数で外部磁界を交互に印加する電気め
つき方法を含むものである。 通常、磁電変換器用素子、特に薄膜磁気ヘツド
用の磁気コア等は複雑な形状をしている上に５〜
20μm程度の段差部を有している。従つて、コア
部の場合によつて磁性膜の内部応力が異つている
ために磁性膜の磁気特性を十分に確保するために
は磁性膜の磁歪定数を出来る限り小さくしておく
ことが必要であり、望ましくは磁歪定数を±２×
10-6の以内の範囲内に納めることが必要である。 そこで、Co−Ni−Fe3元系合金薄膜について
磁歪定数を＋２×10-6〜−２×10-6の範囲内に維
持することができると共に、飽和磁束密度1.3テ
スラ以上、異方性磁界10Oe以下になる合金組成
はCo：60〜90重量％、Ni：15〜30重量％および
Fe：３〜10重量％の範囲であることを見出した。 上記Co−Ni−Fe3元系合金薄膜の組成範囲を
このように限定した理由は、Coは60重量％以下
では飽和磁束密度が1.3テスラ以下となり高飽和
磁束密度としての性能を発揮せずまた90重量％以
上になると保持力が大きく高透磁率化が期待でき
ない。 NiはCoと相俟つて飽和磁束密度に関係し、30
重量％より多くなると1.3テスラ以下となり、15
重量％以下になると磁歪定数が正側に移行し＋20
×10-6より高くなり好ましくない。また、Feは
磁歪定数に最も大きく影響し、Co及びNiを上記
の範囲内に収め高飽和磁束密度を確保した上で、
３重量％より少ないと磁歪定数は−２×10-6より
低く負側に大きくずれ、10重量％より多くなると
＋２×10-6より高くなり正側に大きくずれてくる
ためである。 また、その他Coが90重量％以上になると異方
性磁界が著しく大きくなり、直交スイツチング磁
界による低減効果が低く異方性磁界が10エルステ
ツド以下になりにくいことと、Feが３重量％以
下になると保持力が大きくなり高透磁率化が期待
できない。 このような磁気特性を有するCo−Ni−Fe3元
系合金の薄膜を製造するには基板面に平行に直交
する方向に所定の周波数の外部磁界を加えながら
Co−Ni−Fe3元系合金を堆積するようにすれば
よい。 本発明の実施に当つては、主としてめつき法に
よる堆積方法が採用された、Coの源には水和さ
れた硫酸コバルトを２〜70ｇ／、Niの源には
水和された塩化ニツケルあるいは水和された硫酸
ニツケル及びそれらの存在で10〜90ｇ／及び
Feの源には水和された硫酸第一鉄を１〜５ｇ／
の濃度のものが使用された。その他、めき中の
PH緩衝剤として適量の硼酸、めつき膜の応力緩和
剤として適量のサツカリンナトリウム及び界面活
性剤として適量のラウリル硫酸ナトリウムが添加
された。 めつき浴の温度は25〜35℃に設定され、めつき
電流密度は10〜30mA／cm2に変化された。PHは2.5
〜3.5に設定された。 また、Co−Ni−Fe3元系薄膜はめつきの間中基
板を挟んで平行に互に直交するように設置された
ヘルムホルツコイルにより１〜10Hzの繰返し周波
数によりそれぞれ30Oe〜60Oeの直交スイツチン
グ磁界が印加された。 このような範囲の条件下でめつきされたCo−
Ni−Fe3元系合金薄膜は一軸異方性を示し、その
異方性磁界は10Oe以下と良好な磁性薄膜を得る
ことができる。 ところで、めつきに際し、他の外部磁界下及び
一方向の外部磁界下では一軸異方性を有する膜を
得ることは可能であるが、異方性磁界が20Oe以
上と大きくなり好ましくない。本発明のようにめ
つき膜堆積用の基板上に直交する方向に互に所定
の周波数で繰り返して外部磁界を印加すると、一
軸異方性を示すと共に、異方性磁界の小さな磁性
薄膜を得ることができる。さらに、繰り返し周波
数及び直交するＸ−Ｙ方向の磁界印加時間の比を
適当に選ぶことによつて磁性膜の異方性磁界を
10Oe以下にすることができる。 〔発明の実施例〕 基板は通常のガラス基板であり、寸法は直径３
インチ、厚さ0.5mmである。まず基板をトリクレ
ンの煮沸超音波洗浄により十分洗浄したあとに、
0.1μm厚さのパーマロイがスパツタリング法ある
いは真空蒸着法により施され、めつき用の下地基
板とした。 〔実施例 １〕 下地膜を施した基板はめつき槽中の治具に取付
けられ、槽は次のような組成のCo−Ni−Fe電気
めつき浴で満され循環、攪拌された。 CoSO4・7H2Ｏ ：45ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：60ｇ／ NiSO4・6H2Ｏ ：25ｇ／ FeSO4・7H2Ｏ ：2.0ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.15ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に17mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰り返
し周波数５Hz、Ｘ方向（磁化容易軸方向）及びＹ
方向（磁化困難軸方向）の印加磁界30Oe、Ｘ方
向とＹ方向の繰り返しのパルス幅比を６：４の比
率の直交スイツチング磁界が印加された。 尚、比較のために直交スイツチング磁界でなく
従来適用されている一方向の磁界中でめつきした
膜についても評価した。膜厚は1.5μmであつた。 このようにして得られた本発明の磁性薄膜及び
従来の方法でめつきされた磁性薄膜のＢ−Ｈ曲線
を第１図及び第２図に示す。図において１は磁化
容易軸方向のＢ−Ｈ曲線、２は磁化困難軸方向の
Ｂ−Ｈ曲線を示す、また、その他の磁気特性およ
び膜組成は第１表に示す通りである。
る磁電変換器用の磁気コア材に適した高磁束密度
でかつ高透磁率を有するCo−Ni−Feの三元系合
金薄膜を形成する電気めつき浴及び電気めつき方
法に関するものである。 〔発明の背景〕 従来、薄膜磁気ヘツドに代表される磁電変換器
用の磁気コア材には約80重量％のニツケルと20重
量％の鉄とから成る２元合金（パーマロイ）が使
用されている。この材料は、磁歪定数がほぼ零付
近の組成であり、高周波領域での透磁率が高く、
磁電変換器に要求される高速スイツチング動作に
優れているという特徴を有するところから一般に
使用されて来ている。 しかしながら、磁気記録の分野では益々高記録
密度化が要求され、上記パーマロイ合金では飽和
磁束密度の点で限界に来ており、さらに飽和磁束
密度の高い材料の要求が高まつている。上記パー
マロイ合金より飽和磁束密度の高い材料を薄膜磁
気ヘツドのコア材に適用できれば、１）記録密度
の向上、２）ヘツドの信頼性向上、３）周波数特
性の向上の３つが期待できる。 ところで、上記した従来のパーマロイの磁気特
性、特に飽和磁束密度を向上させる方法としては
パーマロイの基本組成であるNi−Fe2元系合金に
第３元素としてCoを添加することが試みられ、
これらに関する技術は多くの公知文献に開示され
ている。たとえば、BradlyはNi−Co−Fe3元系
合金薄膜の磁気的性質について述べており、薄膜
の磁歪定数が零になると単なるNi−Fe2元パーマ
ロイ薄膜に比べてより大きな飽和磁束密度を示
す。またCoの添加量を重量比で10％以上にする
と異方性磁界が10Oe以上になり、かえつて透磁
率は小さくなることを開示している〔Journal of
Applied Physics，Supplement to Vol.33（1962）
PP.1051〜1057参照〕。 また、Tolmanは磁歪定数が零近くになるNi−
Co−Fe3元系合金薄膜において、一方向の外部磁
界を印加しながら薄膜を作製するとFe−Ni系に
Coを添加することにより異方性磁界および保持
力が大きくなることを文献（Journal of
Applied Physics，Vol.38（1967）PP.3409〜
3410）に開示している。 また、磁歪定数が零近くになる組成（Ni：０
〜80重量％、Co：０〜90重量％およびFe：０〜
20重量％の組成範囲内）では飽和磁束密度がパー
マロイより大きくなることが文献（Bozorth
著、Van Nostrand 社刊、“Ferromagnetism”
第４刷、p165）に明らかにされている。 さらに、SakakimaはCo基合金膜を作製した
後、回転磁界中で熱処理を施すことにより透磁率
を高めることができることも文献（IEEE
Transactions on Magnetics，Vol.MAG−19
（1983）pp.131〜135）で明らかにしている。 しかし、これに関する公知技術においては、非
晶質のCo基合金膜についた示唆しているが、結
晶質の合金膜について回転磁界中での熱処理効果
についてはなんら開示されていない。 以上のように公知技術から見てNi−Fe2元パー
マロイの飽和磁束密度を高めるためのCo添加量
は異方性磁界及び保持力の増大を考えれば高高10
重量％以下と予想され、その場合飽和磁束密度は
高々1.2テスラ程度であり、記録密度の向上、磁
気ヘツドコアの信頼性、周波数特性の向上を図る
には不十分であるという問題点を有していた。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、高い飽和磁束密度を有し、か
つ低い異方性磁界を有すると共に、高周波領域で
高い透磁率を示し、磁気ヘツドに使う磁気コア材
料として好適なCo基のCo−Ni−Fe3元系合金薄
膜を形成する電気めつき浴及び電気めつき方法を
提供することにある。 〔発明の概要〕 本発明は、３〜20ｇ／の濃度範囲のCo++イ
オン、10〜30ｇ／の濃度範囲のNi++イオン及
び0.2〜1.0ｇ／の濃度範囲のFe++イオンと、応
力緩和剤及び界面活性剤、を添加した溶媒とを含
み、PHが2.5〜3.5であるCo−Ni−Fe合金の電気
めつき浴であり、 更に、Co++イオンの濃度範囲が３〜20ｇ／、
Ni++イオンの濃度範囲が10〜30ｇ／及びFe++
イオンの濃度範囲が0.2〜1.0ｇ／であつて、2.5
〜3.5のPHを有し、20〜35℃の温度に保持して６
〜25mA／cm2の電流密度で電気めつきを施し、該
めつきの間中、めつき面に互いに直行する方向に
所定の周波数で外部磁界を交互に印加する電気め
つき方法を含むものである。 通常、磁電変換器用素子、特に薄膜磁気ヘツド
用の磁気コア等は複雑な形状をしている上に５〜
20μm程度の段差部を有している。従つて、コア
部の場合によつて磁性膜の内部応力が異つている
ために磁性膜の磁気特性を十分に確保するために
は磁性膜の磁歪定数を出来る限り小さくしておく
ことが必要であり、望ましくは磁歪定数を±２×
10-6の以内の範囲内に納めることが必要である。 そこで、Co−Ni−Fe3元系合金薄膜について
磁歪定数を＋２×10-6〜−２×10-6の範囲内に維
持することができると共に、飽和磁束密度1.3テ
スラ以上、異方性磁界10Oe以下になる合金組成
はCo：60〜90重量％、Ni：15〜30重量％および
Fe：３〜10重量％の範囲であることを見出した。 上記Co−Ni−Fe3元系合金薄膜の組成範囲を
このように限定した理由は、Coは60重量％以下
では飽和磁束密度が1.3テスラ以下となり高飽和
磁束密度としての性能を発揮せずまた90重量％以
上になると保持力が大きく高透磁率化が期待でき
ない。 NiはCoと相俟つて飽和磁束密度に関係し、30
重量％より多くなると1.3テスラ以下となり、15
重量％以下になると磁歪定数が正側に移行し＋20
×10-6より高くなり好ましくない。また、Feは
磁歪定数に最も大きく影響し、Co及びNiを上記
の範囲内に収め高飽和磁束密度を確保した上で、
３重量％より少ないと磁歪定数は−２×10-6より
低く負側に大きくずれ、10重量％より多くなると
＋２×10-6より高くなり正側に大きくずれてくる
ためである。 また、その他Coが90重量％以上になると異方
性磁界が著しく大きくなり、直交スイツチング磁
界による低減効果が低く異方性磁界が10エルステ
ツド以下になりにくいことと、Feが３重量％以
下になると保持力が大きくなり高透磁率化が期待
できない。 このような磁気特性を有するCo−Ni−Fe3元
系合金の薄膜を製造するには基板面に平行に直交
する方向に所定の周波数の外部磁界を加えながら
Co−Ni−Fe3元系合金を堆積するようにすれば
よい。 本発明の実施に当つては、主としてめつき法に
よる堆積方法が採用された、Coの源には水和さ
れた硫酸コバルトを２〜70ｇ／、Niの源には
水和された塩化ニツケルあるいは水和された硫酸
ニツケル及びそれらの存在で10〜90ｇ／及び
Feの源には水和された硫酸第一鉄を１〜５ｇ／
の濃度のものが使用された。その他、めき中の
PH緩衝剤として適量の硼酸、めつき膜の応力緩和
剤として適量のサツカリンナトリウム及び界面活
性剤として適量のラウリル硫酸ナトリウムが添加
された。 めつき浴の温度は25〜35℃に設定され、めつき
電流密度は10〜30mA／cm2に変化された。PHは2.5
〜3.5に設定された。 また、Co−Ni−Fe3元系薄膜はめつきの間中基
板を挟んで平行に互に直交するように設置された
ヘルムホルツコイルにより１〜10Hzの繰返し周波
数によりそれぞれ30Oe〜60Oeの直交スイツチン
グ磁界が印加された。 このような範囲の条件下でめつきされたCo−
Ni−Fe3元系合金薄膜は一軸異方性を示し、その
異方性磁界は10Oe以下と良好な磁性薄膜を得る
ことができる。 ところで、めつきに際し、他の外部磁界下及び
一方向の外部磁界下では一軸異方性を有する膜を
得ることは可能であるが、異方性磁界が20Oe以
上と大きくなり好ましくない。本発明のようにめ
つき膜堆積用の基板上に直交する方向に互に所定
の周波数で繰り返して外部磁界を印加すると、一
軸異方性を示すと共に、異方性磁界の小さな磁性
薄膜を得ることができる。さらに、繰り返し周波
数及び直交するＸ−Ｙ方向の磁界印加時間の比を
適当に選ぶことによつて磁性膜の異方性磁界を
10Oe以下にすることができる。 〔発明の実施例〕 基板は通常のガラス基板であり、寸法は直径３
インチ、厚さ0.5mmである。まず基板をトリクレ
ンの煮沸超音波洗浄により十分洗浄したあとに、
0.1μm厚さのパーマロイがスパツタリング法ある
いは真空蒸着法により施され、めつき用の下地基
板とした。 〔実施例 １〕 下地膜を施した基板はめつき槽中の治具に取付
けられ、槽は次のような組成のCo−Ni−Fe電気
めつき浴で満され循環、攪拌された。 CoSO4・7H2Ｏ ：45ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：60ｇ／ NiSO4・6H2Ｏ ：25ｇ／ FeSO4・7H2Ｏ ：2.0ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.15ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に17mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰り返
し周波数５Hz、Ｘ方向（磁化容易軸方向）及びＹ
方向（磁化困難軸方向）の印加磁界30Oe、Ｘ方
向とＹ方向の繰り返しのパルス幅比を６：４の比
率の直交スイツチング磁界が印加された。 尚、比較のために直交スイツチング磁界でなく
従来適用されている一方向の磁界中でめつきした
膜についても評価した。膜厚は1.5μmであつた。 このようにして得られた本発明の磁性薄膜及び
従来の方法でめつきされた磁性薄膜のＢ−Ｈ曲線
を第１図及び第２図に示す。図において１は磁化
容易軸方向のＢ−Ｈ曲線、２は磁化困難軸方向の
Ｂ−Ｈ曲線を示す、また、その他の磁気特性およ
び膜組成は第１表に示す通りである。
実施例−１で示した基板を同じめつき槽に取付
け下記に示すCo−Ni−Fe電気めつき浴中に浸し
た。浴の循環、攪拌の中で電気めつきを施した。 CoSO4・7H2Ｏ ：35ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：85ｇ／ FeSO4・6H2Ｏ ：2.0ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.1ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に10mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰り返
し周波数１Hz、Ｘ方向及びＹ方向の印加磁界
45Oe、Ｘ方向とＹ方向の繰返しのパルス幅比を
５：５の比率の直交スイツチング磁界が印加され
た。膜厚は2.5μmであつた。このようにして得ら
れた本発明の磁性膜のＢ−Ｈ曲線は第１図とほぼ
同じ形であり異方性磁界は9Oe、磁化困難軸方向
の保磁力は0.9Oeであつた。その他の磁気特性及
び膜組成を第２表に示す。
け下記に示すCo−Ni−Fe電気めつき浴中に浸し
た。浴の循環、攪拌の中で電気めつきを施した。 CoSO4・7H2Ｏ ：35ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：85ｇ／ FeSO4・6H2Ｏ ：2.0ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.1ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に10mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰り返
し周波数１Hz、Ｘ方向及びＹ方向の印加磁界
45Oe、Ｘ方向とＹ方向の繰返しのパルス幅比を
５：５の比率の直交スイツチング磁界が印加され
た。膜厚は2.5μmであつた。このようにして得ら
れた本発明の磁性膜のＢ−Ｈ曲線は第１図とほぼ
同じ形であり異方性磁界は9Oe、磁化困難軸方向
の保磁力は0.9Oeであつた。その他の磁気特性及
び膜組成を第２表に示す。
実施例−１で示したものと同様の基板をめつき
槽中の治具に取り付け下記に示すCo−Ni−Fe電
気めつき浴中に浸した。浴の循環、攪拌を行なつ
た中で電気めつきを施した。 CoSO4・7H2Ｏ ：55ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：60ｇ／ NiSO4・6H2Ｏ ：25ｇ／ FeSO4・7H2Ｏ ：2.5ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.1ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に15mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰返し
周波数３Hz、Ｘ方向及びＹ方向の印加磁界40Oe、
Ｘ方向とＹ方向の繰返し周波数のパルス幅比を
６：４の比率の直交スイツチング磁界が印加され
た。膜厚は1.5μmであつた。 このようにして得られた本発明の磁性膜のＢ−
Ｈ曲線は第１図に示したものとほぼ同じ形であり
異方性磁界6Oe、困難軸方向の保磁力は1Oeであ
つた。磁気特性をまとめて第３表に示す。
槽中の治具に取り付け下記に示すCo−Ni−Fe電
気めつき浴中に浸した。浴の循環、攪拌を行なつ
た中で電気めつきを施した。 CoSO4・7H2Ｏ ：55ｇ／ NiCl2・6H2Ｏ ：60ｇ／ NiSO4・6H2Ｏ ：25ｇ／ FeSO4・7H2Ｏ ：2.5ｇ／ 硼酸 ：25ｇ／ サツカリンナトリウム ：1.5ｇ／ ラウリル硫酸ナトリウム ：0.1ｇ／ 陽極（Ni）と陰極（基板）との間に15mA／cm2
に制御されためつき電流が流された。浴温は30
℃、PHは3.0に制御された。めつきの間中繰返し
周波数３Hz、Ｘ方向及びＹ方向の印加磁界40Oe、
Ｘ方向とＹ方向の繰返し周波数のパルス幅比を
６：４の比率の直交スイツチング磁界が印加され
た。膜厚は1.5μmであつた。 このようにして得られた本発明の磁性膜のＢ−
Ｈ曲線は第１図に示したものとほぼ同じ形であり
異方性磁界6Oe、困難軸方向の保磁力は1Oeであ
つた。磁気特性をまとめて第３表に示す。
本発明のCo−Ni−Fe合金の電気めつき浴及び
電気めつき方法は、従来薄膜磁気ヘツドのコア材
に用いられているパーマロイ（Ni−Fe合金）よ
り大きな飽和磁束密度とほぼ同等の異方性磁界、
磁歪定数を有するために、磁気記録用の薄膜磁気
ヘツドコア材料に適用でき、高密度記録化に適す
る。
電気めつき方法は、従来薄膜磁気ヘツドのコア材
に用いられているパーマロイ（Ni−Fe合金）よ
り大きな飽和磁束密度とほぼ同等の異方性磁界、
磁歪定数を有するために、磁気記録用の薄膜磁気
ヘツドコア材料に適用でき、高密度記録化に適す
る。
第１図は本発明によるCo−Ni−Fe3元系合金
膜のＢ−Ｈ曲線の一例を示す図、第２図は従来法
による合金膜のＢ−Ｈ曲線を示す図である。
膜のＢ−Ｈ曲線の一例を示す図、第２図は従来法
による合金膜のＢ−Ｈ曲線を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ３〜20ｇ／の濃度範囲のCo++イオン、10
〜30ｇ／の濃度範囲のNi++イオン及び0.2〜1.0
ｇ／の濃度範囲のFe++イオンと、応力緩和剤
及び界面活性剤、を添加した溶媒とを含み、PHが
2.5〜3.5であるCo−Ni−Fe合金の電気めつき浴。 ２ Co++イオンの濃度範囲が３〜20ｇ／、
Ni++イオンの濃度範囲が10〜30ｇ／及びFe++
イオンの濃度範囲が0.2〜1.0ｇ／であつて、2.5
〜3.5のPHを有し、20〜35℃の温度に保持して６
〜25mA／cm2の電流密度で電気めつきを施し、該
めつきの間中、めつき面に互いに直行する方向に
所定の周波数で外部磁界を交互に印加するCo−
Ni−Fe合金の電気めつき方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199870A JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
| US06/779,469 US4780781A (en) | 1984-09-25 | 1985-09-24 | Thin film magnetic head having magnetic film of Co-Ni-Fe alloy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59199870A JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176642A JPS6176642A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0443989B2 true JPH0443989B2 (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=16415000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59199870A Granted JPS6176642A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | Ｃｏ―Ｎｉ―Ｆｅ合金の電気めっき浴及び電気めっき方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4780781A (ja) |
| JP (1) | JPS6176642A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4661216A (en) * | 1986-04-21 | 1987-04-28 | International Business Machines Corporation | Electrodepositing CoNiFe alloys for thin film heads |
| JPH0770026B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1995-07-31 | 日本電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| US4939610A (en) * | 1987-10-05 | 1990-07-03 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head having magnetic core including a thin film of cobalt alloy |
| JP2510679B2 (ja) * | 1987-10-05 | 1996-06-26 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置 |
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| JPH08212512A (ja) | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 磁気記憶装置及びそれに用いる薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
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| US9797057B2 (en) * | 2009-08-24 | 2017-10-24 | Empire Technology Development Llc | Magnetic electro-plating |
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-
1984
- 1984-09-25 JP JP59199870A patent/JPS6176642A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-24 US US06/779,469 patent/US4780781A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6176642A (ja) | 1986-04-19 |
| US4780781A (en) | 1988-10-25 |
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|---|---|---|---|
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