JPH03219626A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH03219626A JPH03219626A JP1410690A JP1410690A JPH03219626A JP H03219626 A JPH03219626 A JP H03219626A JP 1410690 A JP1410690 A JP 1410690A JP 1410690 A JP1410690 A JP 1410690A JP H03219626 A JPH03219626 A JP H03219626A
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- Japan
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- semiconductor device
- etching
- manufacturing apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方
法に関し、特に真空を利用した半導体装置のエツチング
装置における反応室の構造及びこれを用いた半導体装置
の製造方法に関する。
法に関し、特に真空を利用した半導体装置のエツチング
装置における反応室の構造及びこれを用いた半導体装置
の製造方法に関する。
従来の半導体装置の製造装置は第３図に示すような構造
をしていた。ｌｏｔは反応室の容器であり、１０２はガ
スの導入口、１０３は排気口、１０４はウェハーステー
ジ、１０５はウェハー、１０６はＲＦユニット、１０７
は終点モニター用のポートである。エツチングの均一性
を得るために対称性を重視した配置となっている。この
装置で例えば圧力を４００ｍＴｏｒｒ、反応ガスとして
酸素を２００５Ｃ’ＣＭ流し、２Ｗ／ｃｍ２のＲＦパワ
ーでフォトレジストのエツチング処理をすると終点モニ
ターのポート付近でエツチング速度が小さくなっており
、終点モニター用のポート部において反応室壁面の面積
が変わるためであると考えられる。このときの条件とエ
ツチング特性を表１に示す。 表 １ ［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では反応室壁面の対称性が重要
で反応室壁面の面積が変わると、エツチングの均一性が
極端に落ちたり、面内におけるエツチング形状などに影
響を与えるという課題を有する。そこで本発明はこのよ
うな課題を解決するもので、その目的とするところはエ
ツチングの均一性が極端に落ちたりすることがなく、面
内におけるエツチング形状などに影響を与えることのな
い半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提
供するところにある。 ［課題を解決するための手段］ （１）本発明の半導体装置の製造装置及び半導体装置の
製造方法は、反応室中を真空に保ち反応ガスを導入して
半導体装置をエツチングする半導体装置の製造装置にお
いて、該反応室内の対称性のない部分には、反応室と同
一の材料で出来た網目状の部材を有することを特徴とす
る。 ［作 用］ 本発明の上記の構成によれば、エツチングチャンバー内
を対称に保てるためＲＦパワーがエツチングサンプルに
均等にかかるためエツチングの均一性が極端に落ちたり
することがなく、面内におけるエツチング形状などに影
響を与えることのないエツチングが可能になる。 〔実 施 例〕 第１図は本発明の実施例における半導体装置の製造装置
の一実施例を示す一構成図、１０１は反応室の容器であ
り、１０２はガスの導入口、１０３は排気口、１０４は
ウェハーステージ、１０５はウェハー、１０６はＲＦユ
ニット、１０７は終点モニター用のポート、１０８はメ
ツシュ板である。この装置で例えば圧力を４００ｍＴｏ
ｒｒ、反応ガスとして酸素を２００ＳＣＣＭ流し、２Ｗ
／ ｃ ｍ ２のＲＦパワーでフォトレジストのエツ
チング処理をすると終点モニターのポート付近でエツチ
ング速度が小さくなることはなくなった。 λ このときの条件とエツチング特性を表尋に示す。 さらに、排気口・ガスの導入口にメツシュ板を配置して
同様のエツチングをした。このときの条件とエツチング
特性を表３に示す。 表 ２ 表 ３ このように、エツチングチャンバー内にメツシュ板を配
置してチャンバー内の対称性を得ることにより、エツチ
ングの均一性が１１．３％から２．１％へ改善され、面
内におけるエツチング形状などに影響を与えることがな
（なった。 【発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、エツチングチャンバ
ー内にメツシュ板を配置してチャンバー内の対称性を得
ることにより、反応室壁面の対称性が変わると、エツチ
ングの均一性が極端に落ちたり、面内におけるエツチン
グ形状などに影響を与えるという課題を解決し、エツチ
ングの均一性が極端に落ちたりすることがなく、面内に
おけるエツチング形状などに影響を与えることのない半
導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供す
ることができた。 １０８・・・メツシュ板 １０９・・・石英
をしていた。ｌｏｔは反応室の容器であり、１０２はガ
スの導入口、１０３は排気口、１０４はウェハーステー
ジ、１０５はウェハー、１０６はＲＦユニット、１０７
は終点モニター用のポートである。エツチングの均一性
を得るために対称性を重視した配置となっている。この
装置で例えば圧力を４００ｍＴｏｒｒ、反応ガスとして
酸素を２００５Ｃ’ＣＭ流し、２Ｗ／ｃｍ２のＲＦパワ
ーでフォトレジストのエツチング処理をすると終点モニ
ターのポート付近でエツチング速度が小さくなっており
、終点モニター用のポート部において反応室壁面の面積
が変わるためであると考えられる。このときの条件とエ
ツチング特性を表１に示す。 表 １ ［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では反応室壁面の対称性が重要
で反応室壁面の面積が変わると、エツチングの均一性が
極端に落ちたり、面内におけるエツチング形状などに影
響を与えるという課題を有する。そこで本発明はこのよ
うな課題を解決するもので、その目的とするところはエ
ツチングの均一性が極端に落ちたりすることがなく、面
内におけるエツチング形状などに影響を与えることのな
い半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提
供するところにある。 ［課題を解決するための手段］ （１）本発明の半導体装置の製造装置及び半導体装置の
製造方法は、反応室中を真空に保ち反応ガスを導入して
半導体装置をエツチングする半導体装置の製造装置にお
いて、該反応室内の対称性のない部分には、反応室と同
一の材料で出来た網目状の部材を有することを特徴とす
る。 ［作 用］ 本発明の上記の構成によれば、エツチングチャンバー内
を対称に保てるためＲＦパワーがエツチングサンプルに
均等にかかるためエツチングの均一性が極端に落ちたり
することがなく、面内におけるエツチング形状などに影
響を与えることのないエツチングが可能になる。 〔実 施 例〕 第１図は本発明の実施例における半導体装置の製造装置
の一実施例を示す一構成図、１０１は反応室の容器であ
り、１０２はガスの導入口、１０３は排気口、１０４は
ウェハーステージ、１０５はウェハー、１０６はＲＦユ
ニット、１０７は終点モニター用のポート、１０８はメ
ツシュ板である。この装置で例えば圧力を４００ｍＴｏ
ｒｒ、反応ガスとして酸素を２００ＳＣＣＭ流し、２Ｗ
／ ｃ ｍ ２のＲＦパワーでフォトレジストのエツ
チング処理をすると終点モニターのポート付近でエツチ
ング速度が小さくなることはなくなった。 λ このときの条件とエツチング特性を表尋に示す。 さらに、排気口・ガスの導入口にメツシュ板を配置して
同様のエツチングをした。このときの条件とエツチング
特性を表３に示す。 表 ２ 表 ３ このように、エツチングチャンバー内にメツシュ板を配
置してチャンバー内の対称性を得ることにより、エツチ
ングの均一性が１１．３％から２．１％へ改善され、面
内におけるエツチング形状などに影響を与えることがな
（なった。 【発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、エツチングチャンバ
ー内にメツシュ板を配置してチャンバー内の対称性を得
ることにより、反応室壁面の対称性が変わると、エツチ
ングの均一性が極端に落ちたり、面内におけるエツチン
グ形状などに影響を与えるという課題を解決し、エツチ
ングの均一性が極端に落ちたりすることがなく、面内に
おけるエツチング形状などに影響を与えることのない半
導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供す
ることができた。 １０８・・・メツシュ板 １０９・・・石英
第１図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例を示
す構成図。 第２図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例を示
す構成図。 第３図は従来の半導体装置の製造装置の一実施例を示す
構成図。
す構成図。 第２図は本発明の半導体装置の製造装置の一実施例を示
す構成図。 第３図は従来の半導体装置の製造装置の一実施例を示す
構成図。
Claims (1)
- （１）反応室中を真空に保ち反応ガスを導入して半導体
装置をエッチングする半導体装置の製造装置において、
該反応室内の対称性のない部分には、反応室と同一の材
料で出来た網目状の部材を有することを特徴とする半導
体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1410690A JPH03219626A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1410690A JPH03219626A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03219626A true JPH03219626A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11851868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1410690A Pending JPH03219626A (ja) | 1990-01-24 | 1990-01-24 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03219626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6327736B1 (en) * | 1996-10-02 | 2001-12-11 | Braun Gmbh | Bristle for a toothbrush |
-
1990
- 1990-01-24 JP JP1410690A patent/JPH03219626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6327736B1 (en) * | 1996-10-02 | 2001-12-11 | Braun Gmbh | Bristle for a toothbrush |
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