JPH03222441A - 半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体モジュールの製造方法Info
- Publication number
- JPH03222441A JPH03222441A JP2018541A JP1854190A JPH03222441A JP H03222441 A JPH03222441 A JP H03222441A JP 2018541 A JP2018541 A JP 2018541A JP 1854190 A JP1854190 A JP 1854190A JP H03222441 A JPH03222441 A JP H03222441A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- wiring board
- suction
- wire bonding
- suction port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/681—Shapes or dispositions thereof comprising holes not having chips therein, e.g. for outgassing, underfilling or bond wire passage
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
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- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体モジュールの製造方法に係り、特に薄
型化が可能で成形精度の良い半導体モジュールを能率的
に製造する方法に関する。
型化が可能で成形精度の良い半導体モジュールを能率的
に製造する方法に関する。
（従来の技術）
たとえばＩＣカードのようなメモリーカード用として使
用されている半導体モジュールは、従来から以下のよう
にして製造されている。すなわち、まず所要の配線基板
などの上に導電性接着剤によって半導体チップをダイボ
ンドした後、半導体チップのパッドと基板上のリード端
子とを、金線のようなボンディングワイヤによって電気
的に接続する。次にボンディングワイヤを含めて半導体
チップの上に、エポキシ樹脂のようなモールド樹脂を注
型（ボッティング）することによって気密に封止する方
法が行われている。
用されている半導体モジュールは、従来から以下のよう
にして製造されている。すなわち、まず所要の配線基板
などの上に導電性接着剤によって半導体チップをダイボ
ンドした後、半導体チップのパッドと基板上のリード端
子とを、金線のようなボンディングワイヤによって電気
的に接続する。次にボンディングワイヤを含めて半導体
チップの上に、エポキシ樹脂のようなモールド樹脂を注
型（ボッティング）することによって気密に封止する方
法が行われている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来からの製造方法は、工程
数が多いばかりでなく、ボンディングワイヤのループの
高さが高くなるため、断線が生じ易いという問題があっ
た。また、モールド樹脂による封止層の厚さも厚くなり
、モジュール全体を薄型化することが困難であった。
数が多いばかりでなく、ボンディングワイヤのループの
高さが高くなるため、断線が生じ易いという問題があっ
た。また、モールド樹脂による封止層の厚さも厚くなり
、モジュール全体を薄型化することが困難であった。
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
、従来から行われていた半導体チップのダイボンド工程
を省略するとともに、ボンディングワイヤの低ループ化
および装置全体の薄型化を実現することができる、半導
体モジュールの製造方法の提供を目的とする。
、従来から行われていた半導体チップのダイボンド工程
を省略するとともに、ボンディングワイヤの低ループ化
および装置全体の薄型化を実現することができる、半導
体モジュールの製造方法の提供を目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体モジュールの製造方法は、実装する半導
体チップの径よりも小径の吸引口が上面に形設された保
持台上に、前記半導体チップを搭載する領域が繰抜き開
口された配線基板を前記保持台の吸引口に繰抜き開口を
位置合せして搭載配置する工程と、 前記配線基板を位置合せして搭載配置した保持台の吸引
口上に半導体チップを配置し、吸引によって仮固定した
状態で半導体チップ−配線基板面のリード端子間をワイ
ヤボンディングする工程と・前記ワイヤボンディング終
了後、ボンディングしたワイヤを含む半導体チ・ツブを
モールド樹脂で封止する工程とを具備して成ることを特
徴とする。
体チップの径よりも小径の吸引口が上面に形設された保
持台上に、前記半導体チップを搭載する領域が繰抜き開
口された配線基板を前記保持台の吸引口に繰抜き開口を
位置合せして搭載配置する工程と、 前記配線基板を位置合せして搭載配置した保持台の吸引
口上に半導体チップを配置し、吸引によって仮固定した
状態で半導体チップ−配線基板面のリード端子間をワイ
ヤボンディングする工程と・前記ワイヤボンディング終
了後、ボンディングしたワイヤを含む半導体チ・ツブを
モールド樹脂で封止する工程とを具備して成ることを特
徴とする。
（作用）
本発明の半導体モジュールの製造方法にお（１ては、保
持台に設けられた吸引口によるたとえば真空吸引によっ
て、この吸引口を塞ぐように配置された半導体チップが
、保持台面に真空吸着され固定される。つまり、保持台
の平坦面に載置され固定支持された配線基板面のリード
端子とのワイヤボンディングに当り、予め半導体チ・ツ
ブを配線基板面上にグイボンドしておかなくとも、半導
体チップは吸引固定されているため、保持台（すなわち
配線基板）に対してズしたりすることがなく、精度のよ
いワイヤボンディングを行うことができる。また、保持
台の上面部がモールド樹脂の成形型としての機能を果た
し、配線基板の繰抜き開口内周面がモールド樹脂の流れ
に対してダム枠の役割を成すので、樹脂封止層の形状を
一定に保持させ得るとともに厚さも薄く均一になし得る
。
持台に設けられた吸引口によるたとえば真空吸引によっ
て、この吸引口を塞ぐように配置された半導体チップが
、保持台面に真空吸着され固定される。つまり、保持台
の平坦面に載置され固定支持された配線基板面のリード
端子とのワイヤボンディングに当り、予め半導体チ・ツ
ブを配線基板面上にグイボンドしておかなくとも、半導
体チップは吸引固定されているため、保持台（すなわち
配線基板）に対してズしたりすることがなく、精度のよ
いワイヤボンディングを行うことができる。また、保持
台の上面部がモールド樹脂の成形型としての機能を果た
し、配線基板の繰抜き開口内周面がモールド樹脂の流れ
に対してダム枠の役割を成すので、樹脂封止層の形状を
一定に保持させ得るとともに厚さも薄く均一になし得る
。
さらに、ボンディングワイヤの両端となる、基板の主面
と半導体チップのパッド面との高さがほとんど変わらな
いので、ボンディングワイヤのループ頂点の基板からの
高さを低くすることができる。
と半導体チップのパッド面との高さがほとんど変わらな
いので、ボンディングワイヤのループ頂点の基板からの
高さを低くすることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施態様例を模式的に示めす添附図を参
照して実施例を説明する。
照して実施例を説明する。
まず自動ワイヤボンディング装置のステージ（加工台）
１の上に、以下に示すような構造の保持台２を載置する
。すなわち、この保持台２の上面はぼ中央部には、後述
する配線基板３の繰抜き開口とほぼ同形で適当な深さの
陥凹部４が形成され、この陥凹部２ａの底部には吸引口
２ｂが開口されている。そして吸引口２ｂの他端は、真
空発生装置（図示を省略。）に接続されている。
１の上に、以下に示すような構造の保持台２を載置する
。すなわち、この保持台２の上面はぼ中央部には、後述
する配線基板３の繰抜き開口とほぼ同形で適当な深さの
陥凹部４が形成され、この陥凹部２ａの底部には吸引口
２ｂが開口されている。そして吸引口２ｂの他端は、真
空発生装置（図示を省略。）に接続されている。
次いで、このような構造を有する保持台２の陥凹部２ａ
の底面に、吸引口２ｂの開口端を塞ぐようにして半導体
チップ４を配置した後、真空発生装置を作動させて吸引
口２ｂを開して真空引きし、半導体チップ４を保持台２
の陥凹部２ａの底面に吸着固定させる。
の底面に、吸引口２ｂの開口端を塞ぐようにして半導体
チップ４を配置した後、真空発生装置を作動させて吸引
口２ｂを開して真空引きし、半導体チップ４を保持台２
の陥凹部２ａの底面に吸着固定させる。
しかる後保持台２の上面（平坦面）に、中央の半導体チ
ップ４を配設する領域が繰抜かれ開口し、かつ上面にリ
ードを含めた導体パターン（図示を省略。）が形成され
た配ａＸ板（フィルム状配線基板を含む）３を載せた後
、ワイヤボンダー５を作動させ、配置１基板３面上のリ
ード端子と半導体チップ４のパッドとを、金線などのボ
ンディングワイヤ６によって電気的に接続する。
ップ４を配設する領域が繰抜かれ開口し、かつ上面にリ
ードを含めた導体パターン（図示を省略。）が形成され
た配ａＸ板（フィルム状配線基板を含む）３を載せた後
、ワイヤボンダー５を作動させ、配置１基板３面上のリ
ード端子と半導体チップ４のパッドとを、金線などのボ
ンディングワイヤ６によって電気的に接続する。
こうしてワイヤボンディングが終了した後、前記真空発
生装置の作動を停止させ、半導体チ・ツブ４およびボン
ディングワイヤ６の上から保持台２の陥凹部２ａ内およ
び配線基板３の繰抜き開口内へ、エポキシ樹脂のような
モールド樹脂７を流し込んで注型し、前記ボンディング
ワイヤ６を含め半導体チップ４が配設された領域全体を
封止する。
生装置の作動を停止させ、半導体チ・ツブ４およびボン
ディングワイヤ６の上から保持台２の陥凹部２ａ内およ
び配線基板３の繰抜き開口内へ、エポキシ樹脂のような
モールド樹脂７を流し込んで注型し、前記ボンディング
ワイヤ６を含め半導体チップ４が配設された領域全体を
封止する。
そして、モールド樹脂７が完全に硬化したら、この封止
層および配線基板３を保持台２の上から取り外し、半導
体モジュールを得る。
層および配線基板３を保持台２の上から取り外し、半導
体モジュールを得る。
上記操作ないし工程繰返すことにより、封止樹脂層およ
び装置全体の厚さが薄く均一であり、しかもボンディン
グワイヤ６のループ頂点の高さが比較的低い半導体モジ
ュールを、連続的にかつ能率的に得ることができる。
び装置全体の厚さが薄く均一であり、しかもボンディン
グワイヤ６のループ頂点の高さが比較的低い半導体モジ
ュールを、連続的にかつ能率的に得ることができる。
なお、上記では保持台２として、配線基板３に搭載ない
し実装する半導体チップ４に対応する位置に、陥凹部２
ａを形成したものを用い位置決めし易いようにしたが、
この陥凹部２ａを形設しておかなくともよい。また、半
導体チップ４などをモールド封止する際の離型性を考慮
すると、保持台２の上面に予め離型処理なと施しておく
ことが好ましい。さらに、前記保持台２に形設された吸
引口２ｂによる半導体チップ４の吸引保持・固定は、真
空といっても上記の半導体チップ４の吸引保持・固定の
目的を達し得る程度でよい。
し実装する半導体チップ４に対応する位置に、陥凹部２
ａを形成したものを用い位置決めし易いようにしたが、
この陥凹部２ａを形設しておかなくともよい。また、半
導体チップ４などをモールド封止する際の離型性を考慮
すると、保持台２の上面に予め離型処理なと施しておく
ことが好ましい。さらに、前記保持台２に形設された吸
引口２ｂによる半導体チップ４の吸引保持・固定は、真
空といっても上記の半導体チップ４の吸引保持・固定の
目的を達し得る程度でよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の半導体モジュールの製造方
法によれば、半導体チップの吸着固定（仮固定）工程、
ワイヤボンディング工程およびモールド樹脂による半導
体チップなどの封止工程とを連続的に行うことによって
、半導体モジュールの安定した能率的な製造が可能であ
る。
法によれば、半導体チップの吸着固定（仮固定）工程、
ワイヤボンディング工程およびモールド樹脂による半導
体チップなどの封止工程とを連続的に行うことによって
、半導体モジュールの安定した能率的な製造が可能であ
る。
また、本発明の方法によって得られる半導体モジュール
は、樹脂封止層の厚さが薄くかつボンディングワイヤが
低ループ化されているので、フレキシビリティが＾（品
質が良好である。したがって、たとえばメモリーカード
用モジュールの製造に有効な製造方法といえる。
は、樹脂封止層の厚さが薄くかつボンディングワイヤが
低ループ化されているので、フレキシビリティが＾（品
質が良好である。したがって、たとえばメモリーカード
用モジュールの製造に有効な製造方法といえる。
添附図は、本発明に係る半導体モジュールの製造方法の
一実施例を説明するための模式図である。 １・・・・・・ステージ ２・・・・・・保持台 ２ａ・・・・・・保持台の陥凹部 ２Ｉ３・・・・・・保持台の吸引口 ３・・・・・・配線基板 ４・・・・・・半導体チップ ５・・・・・・ワイヤボンダー ６・・・・・・ボンディングワイヤ ７・・・・・・モールド樹脂層
一実施例を説明するための模式図である。 １・・・・・・ステージ ２・・・・・・保持台 ２ａ・・・・・・保持台の陥凹部 ２Ｉ３・・・・・・保持台の吸引口 ３・・・・・・配線基板 ４・・・・・・半導体チップ ５・・・・・・ワイヤボンダー ６・・・・・・ボンディングワイヤ ７・・・・・・モールド樹脂層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 実装する半導体チップの径よりも小径の吸引口が上面に
形設された保持台上に、前記半導体チップを搭載する領
域が繰抜き開口された配線基板を前記保持台の吸引口に
繰抜き開口を位置合せして搭載配置する工程と、 前記配線基板を位置合せして搭載配置した保持台の吸引
口上に半導体チップを配置し、吸引によって仮固定した
状態で半導体チップ−配線基板面のリード端子間をワイ
ヤボンディングする工程と、前記ワイヤボンディング終
了後、ボンディングしたワイヤを含む半導体チップをモ
ールド樹脂で封止する工程とを具備して成ることを特徴
とする半導体モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018541A JPH03222441A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018541A JPH03222441A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222441A true JPH03222441A (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=11974494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018541A Pending JPH03222441A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03222441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232709B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-06-19 | Nitto Denko Corporation | Process for producing a semiconductor device |
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9153556B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-10-06 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2018541A patent/JPH03222441A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7232709B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-06-19 | Nitto Denko Corporation | Process for producing a semiconductor device |
| US9153556B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-10-06 | Nitto Denko Corporation | Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method |
| JP2008205195A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
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