JPH03224024A - メモリカード - Google Patents
メモリカードInfo
- Publication number
- JPH03224024A JPH03224024A JP2020583A JP2058390A JPH03224024A JP H03224024 A JPH03224024 A JP H03224024A JP 2020583 A JP2020583 A JP 2020583A JP 2058390 A JP2058390 A JP 2058390A JP H03224024 A JPH03224024 A JP H03224024A
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- Japan
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- capacitor
- battery
- memory
- diode
- memory card
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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- Power Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパソコン、ハンディターミナル、ワードフロセ
ッサ等の外部記憶装置に使用するメモリカードに関する
。
ッサ等の外部記憶装置に使用するメモリカードに関する
。
従来この種のメモリカードは、第２図に示す如く、リチ
ウム電池等の記憶保持用電池（Ｂ）および記憶保持用Ｉ
Ｃメモ！Ｊ （ＩＣＩ〜ＩＣ４）、電池への充電防止用
ダイオードＤ１、およびパソコン等の装置側へ電池から
電流が逆流する事を防止するダイオードＤ２および電源
の平滑のためのコンデンサＣ２および高周波吸収用コン
デンサＣＷｔ〜Ｃ２４とから構成されている。
ウム電池等の記憶保持用電池（Ｂ）および記憶保持用Ｉ
Ｃメモ！Ｊ （ＩＣＩ〜ＩＣ４）、電池への充電防止用
ダイオードＤ１、およびパソコン等の装置側へ電池から
電流が逆流する事を防止するダイオードＤ２および電源
の平滑のためのコンデンサＣ２および高周波吸収用コン
デンサＣＷｔ〜Ｃ２４とから構成されている。
上述した従来のメモリカードの記憶保持回路においてコ
ンデンサＣ１は、数μＦ〜数十μＦの大容量値のコンデ
ンサが要求される。携帯可能な名刺サイズのメモリカー
ドの如く超小型に集積化する必要上、タンタルコンデン
サ、アルミ電解コンデンサ等が用いられる。高周波吸収
用コンデンサ０２１〜Ｃ２４は通常記憶保持用ＩＣメモ
リのすぐ近傍に配置されその容量値は０．１μＦ程度の
セラミックコンデンサが用いられる。
ンデンサＣ１は、数μＦ〜数十μＦの大容量値のコンデ
ンサが要求される。携帯可能な名刺サイズのメモリカー
ドの如く超小型に集積化する必要上、タンタルコンデン
サ、アルミ電解コンデンサ等が用いられる。高周波吸収
用コンデンサ０２１〜Ｃ２４は通常記憶保持用ＩＣメモ
リのすぐ近傍に配置されその容量値は０．１μＦ程度の
セラミックコンデンサが用いられる。
上述した大容量のタンタルコンデンサ、アルミ電解コン
デンサは、耐湿性が悪く、たとえば８５℃８５％の温湿
度環境に１０００時間放置された場合初期値は０．１μ
Ａ程度のリーク電流が数μＡから数十μＡ迄劣化する。
デンサは、耐湿性が悪く、たとえば８５℃８５％の温湿
度環境に１０００時間放置された場合初期値は０．１μ
Ａ程度のリーク電流が数μＡから数十μＡ迄劣化する。
極端な場合は短絡するに至る。高周波吸収用コンデンサ
０２１〜ｃ２４は、セラミックコンデンサであり、耐湿
性の劣化はタンタルやアルミ電解コンデンサに比ベリー
ク電流の劣化はほとんど無い。従って、前記大容量コン
デンサＣ１のリーク電流は電池ＢからダイオードＤ１を
経由して供給されるため電池の寿命を、縮める結果とな
る。この結果予期せずしてメモリカードに記憶した内容
が消失してしまうという欠点があった。
０２１〜ｃ２４は、セラミックコンデンサであり、耐湿
性の劣化はタンタルやアルミ電解コンデンサに比ベリー
ク電流の劣化はほとんど無い。従って、前記大容量コン
デンサＣ１のリーク電流は電池ＢからダイオードＤ１を
経由して供給されるため電池の寿命を、縮める結果とな
る。この結果予期せずしてメモリカードに記憶した内容
が消失してしまうという欠点があった。
本発明は、記憶保持用電池Ｂおよび記憶保持用ＩＣメモ
リ （Ｉ Ｃｌ〜ＩＣ４）１！池への充電防止用ダイオ
ードＤいおよびパソコン等の装置側へ電池から電流が逆
流する事を防止するダイオードＤ２および前記記憶保持
用ＩＣメモリの電源に並列にコンデンサを接続してなる
メモリカードにおいて前記コンデンサにヒユーズ又は抵
抗を組込んだことを特徴としている。
リ （Ｉ Ｃｌ〜ＩＣ４）１！池への充電防止用ダイオ
ードＤいおよびパソコン等の装置側へ電池から電流が逆
流する事を防止するダイオードＤ２および前記記憶保持
用ＩＣメモリの電源に並列にコンデンサを接続してなる
メモリカードにおいて前記コンデンサにヒユーズ又は抵
抗を組込んだことを特徴としている。
〔実施例〕
メモリカードの記憶保持回路は第１図に示される如く、
記憶保持用電池Ｂおよび記憶保持用ＩＣメモ！ｊ （Ｉ
ＣＩ〜ＩＣ４）、電池への充電防止用ダイオードＤ１．
パソコン等の装置側へ電池Ｂから電流が放電することを
防止するダイオードＤ２および電源平滑用コンデンサＣ
Ｉから構成される。
記憶保持用電池Ｂおよび記憶保持用ＩＣメモ！ｊ （Ｉ
ＣＩ〜ＩＣ４）、電池への充電防止用ダイオードＤ１．
パソコン等の装置側へ電池Ｂから電流が放電することを
防止するダイオードＤ２および電源平滑用コンデンサＣ
Ｉから構成される。
Ｃ２，〜Ｃ２４はＩＣメモリの高周波ノイズを吸収する
ためのコンデンサである。コンデンサＣ！はＩＣメモ！
ｊ （Ｃ２１” Ｃ２４）の電源に並列に接続される。
ためのコンデンサである。コンデンサＣ！はＩＣメモ！
ｊ （Ｃ２１” Ｃ２４）の電源に並列に接続される。
メモリカードを装置から取りはずし携帯したり、保管し
たりした場合でコンデンサＣ３が耐湿性等により劣化し
た場合は、電池ＢからダイオードＤ、を経由し、電池が
コンデンサのリーク分に見合う電流を余分に消費する事
となる。従って、コンデンサＣ１を第２図に示す様な従
来のコンデンサとすると電池Ｂが完全に放電してしまう
迄続けられ結局電池の電流容量が無くなってしまう。一
方、第１図の如くコンデンサＣ１を自己溶断型のコンデ
ンサを用いる事により前記欠点を除く事ができる。
たりした場合でコンデンサＣ３が耐湿性等により劣化し
た場合は、電池ＢからダイオードＤ、を経由し、電池が
コンデンサのリーク分に見合う電流を余分に消費する事
となる。従って、コンデンサＣ１を第２図に示す様な従
来のコンデンサとすると電池Ｂが完全に放電してしまう
迄続けられ結局電池の電流容量が無くなってしまう。一
方、第１図の如くコンデンサＣ１を自己溶断型のコンデ
ンサを用いる事により前記欠点を除く事ができる。
第３図は第１図のコンデンサＣ１を、ヒユーズ機能に有
するコンデンサ複数個並列接続したものである。このた
め、このうちの１個〜２個のヒユーズが溶断しコンデン
サとしての役目が無くなっても残ったコンデンサにより
メモリカードとしての機能を果すという利点がある。
するコンデンサ複数個並列接続したものである。このた
め、このうちの１個〜２個のヒユーズが溶断しコンデン
サとしての役目が無くなっても残ったコンデンサにより
メモリカードとしての機能を果すという利点がある。
第４図は本発明の他の実箆例を示すメモリカードの記憶
保持回路である。ダイオードＤ１．Ｄ２は通常順方向電
圧の小さいショットキーバリアダイオードが用いられる
。大容量コンデンサＣ１は１〜１０μＦが用いられ外形
サイズが小さくて容量値の大キいコンデンサとしてタン
タルコンデンサ、アルミ電解コンデンサが用いられる。
保持回路である。ダイオードＤ１．Ｄ２は通常順方向電
圧の小さいショットキーバリアダイオードが用いられる
。大容量コンデンサＣ１は１〜１０μＦが用いられ外形
サイズが小さくて容量値の大キいコンデンサとしてタン
タルコンデンサ、アルミ電解コンデンサが用いられる。
小容量のコンデンサＣ２１〜Ｃ２４は高周波吸収用とし
てセラミックコンデンサ０．１μＦ程度が選ばれる。こ
こで、電池の電流容量が１６５ｍＡＨのＢＲ２３２５を
使用し２５６ＫｂｉｔのＳＲＡＭを４個使用したメモリ
カードを設計したとする。この場合、常温２５℃でのＳ
ＲＡＭの記憶保持状態でのリーク電流は約１μ八以下程
度である。従って４ケで４μＡ程度である。従って、こ
の程度の電流をこの電池で受持つ場合４．７年の記憶保
持が可能である。ここで高周波吸収用コンデンサはセラ
ミックを主体にしたコンデンサでありリーク電流の劣化
はタンタルコンデンサ、アルミ電解コンデンサに比べほ
とんど劣化しない。しかしながら平滑用大容量コンデン
サＣ１が劣化した場合数十μＡも流れる事がある。ここ
でその電流を２０μＡとし上記メモリへの記憶保持用電
流を４μＡとすると、０．８年程度の記憶保持時間とな
ってしまう。従って少くとも常温において２年間の記憶
保持時間を保証する場合電流を９．４μＡ以下に抑える
必要がある。従って直列抵抗を３Ｖ／（９，４−４）μ
Ａ＝５５０にΩとすると、最悪大容量コンデンサＣ１が
短絡しても常温において２年間の寿命を保証する事がで
きる。
てセラミックコンデンサ０．１μＦ程度が選ばれる。こ
こで、電池の電流容量が１６５ｍＡＨのＢＲ２３２５を
使用し２５６ＫｂｉｔのＳＲＡＭを４個使用したメモリ
カードを設計したとする。この場合、常温２５℃でのＳ
ＲＡＭの記憶保持状態でのリーク電流は約１μ八以下程
度である。従って４ケで４μＡ程度である。従って、こ
の程度の電流をこの電池で受持つ場合４．７年の記憶保
持が可能である。ここで高周波吸収用コンデンサはセラ
ミックを主体にしたコンデンサでありリーク電流の劣化
はタンタルコンデンサ、アルミ電解コンデンサに比べほ
とんど劣化しない。しかしながら平滑用大容量コンデン
サＣ１が劣化した場合数十μＡも流れる事がある。ここ
でその電流を２０μＡとし上記メモリへの記憶保持用電
流を４μＡとすると、０．８年程度の記憶保持時間とな
ってしまう。従って少くとも常温において２年間の記憶
保持時間を保証する場合電流を９．４μＡ以下に抑える
必要がある。従って直列抵抗を３Ｖ／（９，４−４）μ
Ａ＝５５０にΩとすると、最悪大容量コンデンサＣ１が
短絡しても常温において２年間の寿命を保証する事がで
きる。
第５図、第６図は第４図に示されるＲ１とＣの変形を示
したものである。即ち大容量コンデンサＣ１がメモリカ
ードの外形サイズ等の制限により容量値が所望の値に達
しない時は複数個のコンデンサを用いる事ができる。第
５図の場合は、Ｃ１ｌ〜ＣＩ３のうち１個でも短絡した
らコンデンサの役目をなさないが、第６図の場合は１ケ
〜２ケ短絡しても少くとも他の１ケがコンデンサの役目
を行うため信頼性の高いカードとなる。
したものである。即ち大容量コンデンサＣ１がメモリカ
ードの外形サイズ等の制限により容量値が所望の値に達
しない時は複数個のコンデンサを用いる事ができる。第
５図の場合は、Ｃ１ｌ〜ＣＩ３のうち１個でも短絡した
らコンデンサの役目をなさないが、第６図の場合は１ケ
〜２ケ短絡しても少くとも他の１ケがコンデンサの役目
を行うため信頼性の高いカードとなる。
本発明によれば第１図の場合コンデンサＣ０が劣化した
場合コンデンサ自身のヒユーズ溶断によりコンデンサＣ
１が電源回路から切り離され電池の消耗を防止すること
ができる。
場合コンデンサ自身のヒユーズ溶断によりコンデンサＣ
１が電源回路から切り離され電池の消耗を防止すること
ができる。
第３図の場合コンデンサＣＩｌ〜ＣＩ３のうち１ケだけ
劣化した場合においても１ケだけが電源回路から切り離
され他の２個が働くので信頼性のあるメモリカードを提
供できる効果がある。
劣化した場合においても１ケだけが電源回路から切り離
され他の２個が働くので信頼性のあるメモリカードを提
供できる効果がある。
また、第５図に示される直列抵抗Ｒ１により電源平滑用
コンデンサｃ１が劣化し最悪の場合は短絡した場合にお
いても電池の消耗を直列抵抗Ｒ１により制限する事がで
きる事により、メモリカードの記憶保持寿命時間を保証
する事が可能となり、ひいては信頼性のあるメモリカー
ドを提供できる効果がある。
コンデンサｃ１が劣化し最悪の場合は短絡した場合にお
いても電池の消耗を直列抵抗Ｒ１により制限する事がで
きる事により、メモリカードの記憶保持寿命時間を保証
する事が可能となり、ひいては信頼性のあるメモリカー
ドを提供できる効果がある。
第１図は本発明によるメモリカードの記憶保持回路を示
す図、第２図は従来技術によるメモリカードを示す図、
第３図は第１図のコンデンサＣ１を複数個のコンデンサ
ＣＩｌ〜ＣＨにより実施した例を示す図、第４図ないし
第６図は本発明の他の実施例を示す図である。 Ｂ・・・・・・記憶保持用電池、Ｄ、・・・・・・電池
への充電防止用ダイオード、Ｄ２・・・・・・逆流防止
用ダイオード、ＩＣ，〜ＩＣ４・・・・・・メモリＩＣ
，Ｃ２，〜Ｃ２４・・・・・・高周波吸収用ダイオード
、ＣＩ、Ｃ１ｌ〜ＣＩ３・・・・・・電源平滑用コンデ
ンサ。
す図、第２図は従来技術によるメモリカードを示す図、
第３図は第１図のコンデンサＣ１を複数個のコンデンサ
ＣＩｌ〜ＣＨにより実施した例を示す図、第４図ないし
第６図は本発明の他の実施例を示す図である。 Ｂ・・・・・・記憶保持用電池、Ｄ、・・・・・・電池
への充電防止用ダイオード、Ｄ２・・・・・・逆流防止
用ダイオード、ＩＣ，〜ＩＣ４・・・・・・メモリＩＣ
，Ｃ２，〜Ｃ２４・・・・・・高周波吸収用ダイオード
、ＣＩ、Ｃ１ｌ〜ＣＩ３・・・・・・電源平滑用コンデ
ンサ。
Claims (1)
- 記憶保持用電池、記憶保持用ＩＣメモリ、電池への充電
防止用ダイオード、電池から装置側へ電流が逆流する事
を防止するダイオードを有し、前記記憶保持用ＩＣメモ
リの電源に並列にコンデンサを接続してなるメモリカー
ドにおいて、前記コンデンサに直列にヒューズ又は抵抗
を挿入したことを特徴とするメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020583A JPH03224024A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | メモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020583A JPH03224024A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | メモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224024A true JPH03224024A (ja) | 1991-10-03 |
Family
ID=12031243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020583A Pending JPH03224024A (ja) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | メモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03224024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8014223B2 (en) | 2007-08-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-30 JP JP2020583A patent/JPH03224024A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8014223B2 (en) | 2007-08-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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