JPH03227114A - 入力回路 - Google Patents
入力回路Info
- Publication number
- JPH03227114A JPH03227114A JP2022640A JP2264090A JPH03227114A JP H03227114 A JPH03227114 A JP H03227114A JP 2022640 A JP2022640 A JP 2022640A JP 2264090 A JP2264090 A JP 2264090A JP H03227114 A JPH03227114 A JP H03227114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- current
- input terminal
- turned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- IMCUVBSHZXQITN-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(4-chlorophenyl)-5-(2-methoxy-2-oxoethyl)-1,3-thiazol-2-yl]amino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound S1C(NC(=O)CCC(O)=O)=NC(C=2C=CC(Cl)=CC=2)=C1CC(=O)OC IMCUVBSHZXQITN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N N,N-diethyl-m-toluamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 MMOXZBCLCQITDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は入力回路に関し、
に有効な入力回路に関する。
従来のCMO3論理回路において、
特に消費電流の低減
論理レベル
の異なる回路からの信号を受ける入力回路として。
第3図に示す入力回路が用いられている。第3図におい
て、本人力回路は、バッファ回路20を備え、このバッ
ファ回路20の入力側を入力回路の入力端子25とし、
かつこれと第1の電源線23とが、抵抗22で接続しで
ある。次に本回路の動作に付いて説明する。他の論理回
路の出力回路がオープンコレクタ出力であって、これと
入力端子25とを接続した場合、入力端子25での論理
レベルは出力トランジスタ21がONまたはOFFする
ことにより、LOWレベル(第2の電源線24電圧+ト
ランジスタ21の飽和電圧V。ESAT〜0.2V)ま
たは、HIGHレベル(第1の電源線23電圧)となる
。つまり、はぼCMOSレベルに変換される。この関係
をタイミング図に示したものが第6図である。
て、本人力回路は、バッファ回路20を備え、このバッ
ファ回路20の入力側を入力回路の入力端子25とし、
かつこれと第1の電源線23とが、抵抗22で接続しで
ある。次に本回路の動作に付いて説明する。他の論理回
路の出力回路がオープンコレクタ出力であって、これと
入力端子25とを接続した場合、入力端子25での論理
レベルは出力トランジスタ21がONまたはOFFする
ことにより、LOWレベル(第2の電源線24電圧+ト
ランジスタ21の飽和電圧V。ESAT〜0.2V)ま
たは、HIGHレベル(第1の電源線23電圧)となる
。つまり、はぼCMOSレベルに変換される。この関係
をタイミング図に示したものが第6図である。
第6図において、抵抗22の電流工。は、トランジスタ
21を介して第2の電源線24へ流れる。
21を介して第2の電源線24へ流れる。
前述した従来の入力回路では、第6図からもわかるよう
に、トランジスタ21がONの状態の時には第1の電源
線23から第2の電源線24へ絶えず電流工。が流れ続
け、その分消費電流が大きくなるという欠点を持つ。今
、第1の電源線23電圧を5■、第3の電源線5電圧を
O■とすると、従来例で、抵抗22の抵抗値R22=1
0にΩとすれば、トランジスタ21がONのとき、消費
電流工。は、 ■。−(5−0,2)/ 10に=0.48mAとなる
。このとき、抵抗値R22を大きくすれは、消費電流を
抑える事ができるが、入力端子25のインピータンスが
大きくなるので、ノイズによる誤動作を防ぐためには、
抵抗値R22をあまり大きくする事ができない。
に、トランジスタ21がONの状態の時には第1の電源
線23から第2の電源線24へ絶えず電流工。が流れ続
け、その分消費電流が大きくなるという欠点を持つ。今
、第1の電源線23電圧を5■、第3の電源線5電圧を
O■とすると、従来例で、抵抗22の抵抗値R22=1
0にΩとすれば、トランジスタ21がONのとき、消費
電流工。は、 ■。−(5−0,2)/ 10に=0.48mAとなる
。このとき、抵抗値R22を大きくすれは、消費電流を
抑える事ができるが、入力端子25のインピータンスが
大きくなるので、ノイズによる誤動作を防ぐためには、
抵抗値R22をあまり大きくする事ができない。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、誤動作せず、し
かも消費電流を小さくした入力回路を提供することにあ
る。
かも消費電流を小さくした入力回路を提供することにあ
る。
本発明の構成は、入力端子と出力端子との間にインバー
タを備えた入力回路において、前記入力端子と第1の電
源との間に第1.第2の電界効果トランジスタをそれぞ
れ介在させ、前記第1の電界効果トランジスタのケート
を第2の電源に接続し、前記第2の電界効果トランジス
タのゲートを前記出力端子に接続したことを特徴とする
。
タを備えた入力回路において、前記入力端子と第1の電
源との間に第1.第2の電界効果トランジスタをそれぞ
れ介在させ、前記第1の電界効果トランジスタのケート
を第2の電源に接続し、前記第2の電界効果トランジス
タのゲートを前記出力端子に接続したことを特徴とする
。
次に図面を参照しながら本発明を説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の入力回路を示す回路図
である。第1図に示すように、本実施例の入力回路は、
バッファ回路20を備え、バッファ回路20の入力側を
入力回路の入力端子25と接続し、ドレインが入力端子
25、ソースが第3の電源線5、ゲートが第1の電源線
23に接続サレタエンハンスメント型NチャネルMO8
)ランシスタ2と、ドレインが入力端子25、ソースが
第3の電源線(GND)5、ゲートがバッファ回路20
の出力に接続されたエンハンスメント型NチャネルMO
8)ランジスタ3とを含み、構成されている。
である。第1図に示すように、本実施例の入力回路は、
バッファ回路20を備え、バッファ回路20の入力側を
入力回路の入力端子25と接続し、ドレインが入力端子
25、ソースが第3の電源線5、ゲートが第1の電源線
23に接続サレタエンハンスメント型NチャネルMO8
)ランシスタ2と、ドレインが入力端子25、ソースが
第3の電源線(GND)5、ゲートがバッファ回路20
の出力に接続されたエンハンスメント型NチャネルMO
8)ランジスタ3とを含み、構成されている。
次に、本回路の動作について説明する。出力回路の出力
端子4がオープンコレクタ出力であってこれと入力端子
25とを接続した場合、入力端子25でのレベルはトラ
ンジスタ1がONまたはOFFする事により、LOWレ
ベル(第3の電源線5電圧)またはHIGHレベル(第
1の電源線23電圧−トランジスタ1の飽和電圧V。ゆ
SAT〜0.2V)となる。この関係を第4図に示す。
端子4がオープンコレクタ出力であってこれと入力端子
25とを接続した場合、入力端子25でのレベルはトラ
ンジスタ1がONまたはOFFする事により、LOWレ
ベル(第3の電源線5電圧)またはHIGHレベル(第
1の電源線23電圧−トランジスタ1の飽和電圧V。ゆ
SAT〜0.2V)となる。この関係を第4図に示す。
この第4図から明らかなように、トランジスタlがOF
Fの時、入力端子25には第1の電源線23から電流は
供給されず、トランジスタ2は常にON状態なので、入
力端子25の電位はLOWである。
Fの時、入力端子25には第1の電源線23から電流は
供給されず、トランジスタ2は常にON状態なので、入
力端子25の電位はLOWである。
このとき、バッファ回路20の出力はHIGHとなるの
で、トランジスタ3もONとなり、入力端子25の電位
はLOWのままである。次に、トランジスタ1がONに
なると、第1の電源線23から電流り、Lが流れ出す。
で、トランジスタ3もONとなり、入力端子25の電位
はLOWのままである。次に、トランジスタ1がONに
なると、第1の電源線23から電流り、Lが流れ出す。
それにともない、入力端子25の電位が上昇して、バッ
ファ回路20の出力がLOWとなり、トランジスタ3は
OFFとなる。このとき流れる電流は■2のみとなる。
ファ回路20の出力がLOWとなり、トランジスタ3は
OFFとなる。このとき流れる電流は■2のみとなる。
トランジスタ2とトランジスタ3の駆動能力に差をつけ
ておけば、前述した一連の動作を遅くする事なく、消費
電流を少なくする事ができる。
ておけば、前述した一連の動作を遅くする事なく、消費
電流を少なくする事ができる。
本実施例は、制御可能なプルアップ素子(トランジスタ
13)またはプルダウン素子(トランジスタ3)と、制
御不可能なプルアップ素子(トランジスタ12)または
プルダウン素子(トランジスタ25)と、入力レベルを
検出して前記制御可能なプルアップまたはプルタウン素
子を制御する。
13)またはプルダウン素子(トランジスタ3)と、制
御不可能なプルアップ素子(トランジスタ12)または
プルダウン素子(トランジスタ25)と、入力レベルを
検出して前記制御可能なプルアップまたはプルタウン素
子を制御する。
本実施例では、トランジスタ1がONのときは、トラン
ジスタ2をハイインピーダンスとして消!電流を低減し
、トランジスタ1がOFFのときは、トランジスタ3を
ロウインピーダンスとしてノイズの影響を低減している
。以下、このことについて定量的に述べる。MOS)ラ
ンジスタの基本式において、トレイン電流工。は3極管
領域で、次式となる。
ジスタ2をハイインピーダンスとして消!電流を低減し
、トランジスタ1がOFFのときは、トランジスタ3を
ロウインピーダンスとしてノイズの影響を低減している
。以下、このことについて定量的に述べる。MOS)ラ
ンジスタの基本式において、トレイン電流工。は3極管
領域で、次式となる。
工ゎ=β((V OV T ) V D V D ’
/ 2 )又、飽和領域では、次式となる。
/ 2 )又、飽和領域では、次式となる。
ISAアーβ(v c V T ) 2ここで、βは
トランジスタの定数によって決まる比例係数で、■oは
ゲート電圧、vTはしきい値電圧、Vnはドレイン電圧
である。3極管領域におけるコンダクタンスg0は、V
D=0■と■。=1vの時の値を単純に平均すると、g
、、〜3.5βである。今、トランジスタ2のコンダク
タンスg、、、2を、gm2二3.5β2.= 1/1
00にとし、トランジスタ3のβを、β3=10・β2
とすれば、トランジスタ3の3極管領域のコンタクタン
スg□3はg、、3==3.5・〜3−35・β2=1
/IOKとなり、トータルでのコンタクタンスはgゆ=
(1/gm2+1 / g 、3)= 1.1 / 1
0 Kとなり、従来例と同程度である。このときトラン
ジスタ1がONの時流れる電流は、トランジスタ2に流
れる電流だけであるから、l5AT”β(■o−vT)
2−42/350KO,0457mAとなり、消費電流
をおよそl/10に低減できる。トランジスタ1がOF
Fの時は、トランジスタ3のコンタクタンスが従来例と
同程度であるので、ノイズの影響は従来例と同程度に抑
える事ができる。
トランジスタの定数によって決まる比例係数で、■oは
ゲート電圧、vTはしきい値電圧、Vnはドレイン電圧
である。3極管領域におけるコンダクタンスg0は、V
D=0■と■。=1vの時の値を単純に平均すると、g
、、〜3.5βである。今、トランジスタ2のコンダク
タンスg、、、2を、gm2二3.5β2.= 1/1
00にとし、トランジスタ3のβを、β3=10・β2
とすれば、トランジスタ3の3極管領域のコンタクタン
スg□3はg、、3==3.5・〜3−35・β2=1
/IOKとなり、トータルでのコンタクタンスはgゆ=
(1/gm2+1 / g 、3)= 1.1 / 1
0 Kとなり、従来例と同程度である。このときトラン
ジスタ1がONの時流れる電流は、トランジスタ2に流
れる電流だけであるから、l5AT”β(■o−vT)
2−42/350KO,0457mAとなり、消費電流
をおよそl/10に低減できる。トランジスタ1がOF
Fの時は、トランジスタ3のコンタクタンスが従来例と
同程度であるので、ノイズの影響は従来例と同程度に抑
える事ができる。
第2図は本発明の第2の実施例の入力回路を示す回路図
である。第2図に示すように、本実施例は、バッファ回
路20を備え、バッファ回路20の入力側を入力回路の
入力端子25と接続し、ドレインが入力端子、ソースが
第1の電源線23、ゲートが第2の電源線24に接続さ
れたエンハンスメント型PチャネルMO8)ランジスタ
12と、トレインが入力端子25、ソースが第1の電源
線23、ゲートがバッファ回路20の出力に接続さレタ
エンハンスメントffPチャネルMO8)ランジスタ1
3とを含み構成されている。
である。第2図に示すように、本実施例は、バッファ回
路20を備え、バッファ回路20の入力側を入力回路の
入力端子25と接続し、ドレインが入力端子、ソースが
第1の電源線23、ゲートが第2の電源線24に接続さ
れたエンハンスメント型PチャネルMO8)ランジスタ
12と、トレインが入力端子25、ソースが第1の電源
線23、ゲートがバッファ回路20の出力に接続さレタ
エンハンスメントffPチャネルMO8)ランジスタ1
3とを含み構成されている。
次に本回路の動作について説明する。出力回路の出力端
子がオープンコレクタであって、これと入力端子25と
を接続した場合、入力端子25でのレベルはトランジス
タ110がONまたはOFFすることにより、LOW
(低)レベル(第2の電源線24電圧+トランジスタ1
1の飽和電圧V。ESAT・〜0.2V)またはI(I
GH(高)レベル(第1の電源線23電圧)となる。こ
の関係を第5図に示す。
子がオープンコレクタであって、これと入力端子25と
を接続した場合、入力端子25でのレベルはトランジス
タ110がONまたはOFFすることにより、LOW
(低)レベル(第2の電源線24電圧+トランジスタ1
1の飽和電圧V。ESAT・〜0.2V)またはI(I
GH(高)レベル(第1の電源線23電圧)となる。こ
の関係を第5図に示す。
第5図から明らかなように、トランジスタ11がOFF
のとき、電流I2.I3は流れずにトランジスタ12は
常にON状態なので、入力端子25のレベルはHIGH
である。このとき、バッファ回路20の出力は、LOW
となるので、トランジスタ13はONとなり、入力端子
25のレベルはHIGHのままである。次に、トランジ
スタ11がONとなると、第1の電源線23から電流工
、2゜I+3が流れ出す。それにともない、入力端子2
5の電位が下降すると、バッファ回路20の出力がE(
IGHとなり、トランジスタ13はOFFとなる。この
とき流れる電流は工、のみとなる。再びトランジスタ1
1がOFFとなると、入力端子25の電位は上昇しバッ
ファ回路20の出力もLOWとなり、トランジスタ13
がONとなって瞬間的に電流113が流れ、入力端子2
5のレベルは、すはや<HIGHレベルとなる。トラン
ジスタ12とトランジスタ13との駆動能力に差をつけ
て、トランジスタ12のβを、3.5βu=1/100
Kとし、トランジスタ13のβをβ13=10・β2と
すれば、前記第1の実施例と同様にして、従来例に比し
て消費電流を低減でき、かつノイズによる影響を同程度
に抑える事ができる。
のとき、電流I2.I3は流れずにトランジスタ12は
常にON状態なので、入力端子25のレベルはHIGH
である。このとき、バッファ回路20の出力は、LOW
となるので、トランジスタ13はONとなり、入力端子
25のレベルはHIGHのままである。次に、トランジ
スタ11がONとなると、第1の電源線23から電流工
、2゜I+3が流れ出す。それにともない、入力端子2
5の電位が下降すると、バッファ回路20の出力がE(
IGHとなり、トランジスタ13はOFFとなる。この
とき流れる電流は工、のみとなる。再びトランジスタ1
1がOFFとなると、入力端子25の電位は上昇しバッ
ファ回路20の出力もLOWとなり、トランジスタ13
がONとなって瞬間的に電流113が流れ、入力端子2
5のレベルは、すはや<HIGHレベルとなる。トラン
ジスタ12とトランジスタ13との駆動能力に差をつけ
て、トランジスタ12のβを、3.5βu=1/100
Kとし、トランジスタ13のβをβ13=10・β2と
すれば、前記第1の実施例と同様にして、従来例に比し
て消費電流を低減でき、かつノイズによる影響を同程度
に抑える事ができる。
以上説明したように、本発明は、入力端子の電位を検出
し入力端子を流れる電流を制御する手段を用いることに
より、消費電流を節減できる効果がある。
し入力端子を流れる電流を制御する手段を用いることに
より、消費電流を節減できる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の入力回路を示す回路図
、第2図は本発明の第2の実施例の回路図、第3図は従
来例の入力回路を示す回路図、第4図は第1図のタイミ
ング図、第5図は第2図のタイミング図、第6図は従来
例のタイミング図である。 1.11.21・・・・・・バイポーラトランジスタ、
2.3,1..2.13・・・・・・電界効果トランジ
スタ、20・・・・・・インバータからなるノ・ソファ
回路、5゜23.24・・・・・・電源線、4・・・・
・・出力端子、Io。 I2. I3. I+z、 I、3・・・・・・電流。
、第2図は本発明の第2の実施例の回路図、第3図は従
来例の入力回路を示す回路図、第4図は第1図のタイミ
ング図、第5図は第2図のタイミング図、第6図は従来
例のタイミング図である。 1.11.21・・・・・・バイポーラトランジスタ、
2.3,1..2.13・・・・・・電界効果トランジ
スタ、20・・・・・・インバータからなるノ・ソファ
回路、5゜23.24・・・・・・電源線、4・・・・
・・出力端子、Io。 I2. I3. I+z、 I、3・・・・・・電流。
Claims (1)
- 入力端子と出力端子との間にインバータを備えた入力回
路において、前記入力端子と第1の電源との間に第1、
第2の電界効果トランジスタをそれぞれ介在させ、前記
第1の電界効果トランジスタのゲートを第2の電源に接
続し、前記第2の電界効果トランジスタのゲートを前記
出力端子に接続したことを特徴とする入力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022640A JPH03227114A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 入力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022640A JPH03227114A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 入力回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227114A true JPH03227114A (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=12088439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022640A Pending JPH03227114A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 入力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03227114A (ja) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022640A patent/JPH03227114A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2616142B2 (ja) | 出力回路 | |
| JPS603249B2 (ja) | 低消費電力の相補型比較器/インバータ回路 | |
| JPH11103227A (ja) | 出力振幅調整回路 | |
| JPH01296491A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JPH0680993B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
| JPH03227114A (ja) | 入力回路 | |
| JP2621140B2 (ja) | センスアンプ回路 | |
| JPH0685497B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP4087540B2 (ja) | プッシュプル型増幅回路 | |
| JPS63253425A (ja) | バスドライブ回路 | |
| JPH0636482B2 (ja) | 入力アンプ回路 | |
| JPH0344692B2 (ja) | ||
| JPH05243937A (ja) | 信号出力回路 | |
| JP2544796B2 (ja) | 半導体集積回路装置の入力回路 | |
| JP2697024B2 (ja) | 出力回路 | |
| JPS63275223A (ja) | 出力バツフア−回路 | |
| JP2541289B2 (ja) | 出力回路 | |
| JPS6025323A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2932858B2 (ja) | レベル変換回路 | |
| JPH03238919A (ja) | 出力回路 | |
| JP2595074B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2550942B2 (ja) | Cmos型論理集積回路 | |
| JPS62222713A (ja) | 遅延用cmosインバ−タ回路 | |
| JP2754673B2 (ja) | Ecl―ttlレベル変換回路 | |
| JPH028486B2 (ja) |