JPH03228894A - 結晶成長方法及び該方法に使用する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 駁漿上幻剋里方１ 本発明は結晶成長方法及び該方法に使用する装置に関し
、より詳しくは例えば半導体材料として使用されるシリ
コン単結晶等の結晶を成長させる方法及びその装置に関
する。

良米Ω肢ｌ 単結晶を成長させるには種々の方法があるが、その中に
チョクラルスキー法（Ｃ７法）等の回転引き上げ方法が
ある。第７図は従来の回転引き上げ方法に用いられる結
晶成長装置の模式的縦断面図であり、図中１１は坩堝を
示している。坩堝１１は有底円筒形状の石英製の内層保
持容器１１ａとこの内層保持容器１１ａの外側に嵌合さ
れた同じく有底円筒形状の黒鉛製の外層保持容器１１ｂ
とから構成されており、坩堝１１の外側には抵抗加熱式
のヒータ１２が同心円筒状に配設されている。坩堝１１
内にはこのヒータ１２により溶融させた原料の溶融液１
３が充填されており、坩堝１１の中心軸上には、図中矢
印方向に所定速度で回転する引き上げ棒あるいはワイヤ
ー等からなる引き上げ軸１４が配設されている。また、
坩堝１１は引き上げ軸１４と同一軸心で逆方向に所定速
度で回転する坩堝支持軸１９にて支持されている。そし
て、引き上げ軸１４の先に取り付けられた種結晶１５を
溶融液１３の表面に接触させ、引き上げ軸１４を結晶成
長に合わせて回転させつつ上方へ引き上げていくことに
より、溶融液１３が凝固して形成される単結晶１６を成
長させている。

ところで、半導体単結晶をこの回転引き上げ方法で成長
させる場合、単結晶１６の電気抵抗率、電気伝導型を調
整すべく、引き上げ前に溶融液１３中に不純物元素を添
加することが多い。このため、添加した不純物が単結晶
１６の結晶成長方向に沿って偏析するという現象が生し
、その結果、結晶成長方向に均一な電気的特性を有する
単結晶１６が得られないという問題があった。

この偏析は、単結晶１６のある点での凝固開始時の不純
物濃度と凝固終了時の不純物濃度との比、つまり凝固の
際に溶融液、単結晶界面において生じる単結晶１６中の
不純物濃度Ｃｓと溶融液１３中の不純物濃度ＣＬとの比
ＣＩｌ／ＣＬ、すなわち実効偏析係数Ｋｅが１でないこ
とに起因して生じる。例えばＫｅ＜１の場合では、単結
晶１６が成長するに伴って溶融液１３中の不純物濃度が
おのずと高くなっていき、単結晶１６に偏析が生しるの
である。なお、上記実効偏析係数Ｋｅは公知である。

上記不純物の偏析を抑制しながら回転引き上げ法により
単結晶１６を成長させる方法として、溶融層法がある。

第８図は溶融層法に用いられる従来の結晶成長装置の模
式的縦断面図であり、第７図に示したものと同様に構成
された坩堝１１内の単結晶用材料の上層部をヒータ１２
にて溶融させることにより、上層に溶融液層１７を、ま
た下層に固体層１８を形成している。そして、引き上げ
軸１４の引き上げに伴って、固体層１８をヒータ１２に
て溶融することにより、坩堝１１内の溶融液１７量を一
定に維持させる（溶融層厚一定法）。この方法は、特公
昭３４−８２４２号及び特公昭６２−８８０号公報に開
示されており、実効偏析係数Ｋｅの値に拘らず、単結晶
１６の成長に伴って新たに不純物濃度の低い固体層１８
を溶解することにより、溶融液層１７中の不純物濃度Ｏ
Ｌを低減させている。

また、単結晶１６の成長に伴って坩堝１１又はヒータ１
２を昇降させ、坩堝１１の溶融液層１７の溶融液量を変
化させることにより、偏析を抑制する方法（溶融層厚変
化法）が特開昭６１−２０５６９１号公報に開示されて
いる。

ところで、上記した溶融層法における偏析軽減の原理は
、最初に坩堝ｌｌ内に充填される結晶形成用材料、つま
り原料の重量（初期充填量）を１とし、原料上面から計
った重量比Ｘの位置における不純物濃度をＣＰ（ｘ）と
表わすことにより、第３図〜第６図に示すような一次元
モデルにて説明できる。

この際、初期充填量１に対する結晶引き上げ率をｆ６、
溶融液の重量比をｆＬ、下部固体率をｆｐ、ｆｏ　＝ｆ
、＋ｌとおくと次式（１）のごとく定義される。

ｆｏ　＋ｆｐ＝ｆ、＋ｆ＋、＋ｆｐ＝１・＝１１１なお
、Ｃ７法等の回転引き上げ方法では原料として高純度多
結晶が用いられることが多いが、まず、より一般的に原
料中の不純物濃度Ｃ１≠Ｏの場合を説明する。また図に
おいて左方を坩堝１１上面側とする。

第３図は原料を坩堝１１内に充填した直後の状態を示し
、ｆｐ＝１である。第４図は第３図の原料が原料上面か
らｆＬだけ溶融され、それに不純物を添加した初期溶解
終了時の状態を示している。ここてＣ８は初期溶融液中
の不純物濃度であり、ｆ　ｏ　＝ｆ　Ｌである。第５図
は結晶引き上げ中の変化を示している。原料上面からｆ
、たけ結晶を引き上げると、原料は溶融しｆＬになる。

ここでＣＬは溶融液中の不純物濃度であり、ＣＰは下部
固体層の不純物濃度である。そして、ｆ、からさらに△
ｆ６だけ結晶を引き上げる間に、Ｃａ・△ｆ６だけ不純
物を添加した場合、ｆＬはｆＬ十ΔｆＬに、ＯＬはＯＬ
十△ＣＬに、ｆｐはｆｐ＋△ｆｐに変化する。Ｃ５は結
晶中の不純物濃度である。この際、変化前のＯＬ、ＣＰ
及び変化後のＣＩｌ、ＣＬ十ΔＣＬ、すなわち図中Ａで
示す領域の不純物量は一定である。これにより次式（２
）が成立する。

ＣＬ−ｆＬ＋Ｃ１１・Δｆ、、＋ＣＰ・△ｆ。

＝Ｃ８−Δｆ、、＋（ＯＬ十八へＬ　Ｌ　（ｔＬ＋Δｆ
Ｌ）・・・（２） ここて、 Ｃ５＝Ｋｅ　−ＣＬ　　　　　　　　・＝（３）但し、
Ｋｅ：実効偏析係数 であるので、これを　（２）式に適用し、（２）式中の
２次の微小項を省略すると、次の　（４）式が得られる
。

（４）式より、例えば理想的な場合としてＣＰ＝０とし
、結晶中の不純物濃度Ｃｓを以下のごとく算出すると、
その偏析が求めるられる。すなわち、通常のＣ７法の場
合はｆ、＝Ｃ、△ｆＬ十Δｆ、、＝０、Ｃ，＝Ｃより ・・・（５） これを（３）式に代入すると、 Ｃｓ　＝ＫｅＣｏ・（１ｆ−）”−’　　・”（６）と
なる。

同様にして溶融層法の場合はｄＣＬ／ｄｆ。

、ＣＰ＝Ｏとすると、（４）式により、＝Ｃ となり、これが無偏析引き上げを実現するための条件で
ある。これを溶融層厚一定法に適用した場合はｄｆＬ／
ｄｆ８＝０であることから、Ｃａ　＝　Ｋｅ−ＣＬ＝　
Ｋｅ・Ｃｏ　　　　　−ｆ８）が得られ、この不純物量
Ｃａを連続的に添加することにより、無偏析条件が実現
される。また、溶融層圧変化法に適用した場合は、不純
物の連続添加を行なわないのでＣ３＝０であり、（７）
式よりが満足されるように結晶引き上げに伴って溶融層
厚を変化させることにより、無偏析条件が実現される。

第６図は引き上げ終了時の分布を示すものである。溶融
層厚一定法では、溶融液層１７下の固体層１８が全部溶
融してｆｐ＝０となった後は、無偏析条件が成立せず、
（６）式に従って偏析が生じる。一方、溶融層厚変化法
では初期溶融率をｆＬｏとすると、（９）式より ｆＬ　＝ｆＬＯ−Ｋｅ−１　　　　　　　　・１１０）
となる。Ｋｅ＜１なのでｆＬｏ＝Ｋｅとすることにより
引き上げ終了時まで無偏析条件を保つことができ、偏析
が軽減される。

これら溶融層法においては、溶融液層の厚みの制御はヒ
ータ１２の発熱長、坩堝１１の深さ及びヒータ１２の外
側に周設され、坩堝１１下部の熱移動を促進する保温筒
の形状及び材質を予め適切に選択することにより行なわ
れる。

明が解決しようとする課題 −１１９に、溶融液層中の不純物濃度が高くなると引き
上げた単結晶の電気抵抗率は低くなり、単結晶成長方向
の電気抵抗率を一定にするためには、溶融液層中の不純
物濃度を一定に保つ必要がある。

このため溶融層法においては、上記した理論に従い溶融
液層の厚みを制御することによって、溶融液層中の不純
物濃度の一定化を図っている。しかし実際のところ、こ
のときの溶融液量、すなわち固体層１８の形成量は、ヒ
ータ１２の発熱長、保温筒及び坩堝１１の形状、単結晶
引き上げ中の温度あるいは坩堝１１の回転速度及び引き
上げ軸１４の引き上げ速度等により大きく左右されるた
め、固体層１８の形成量及びその変化を確実に把握でき
難いという課題を有していた。従って従来では、固体層
１８の形成量は伝熱シュミレーション、引き上げ後に坩
堝１１内に残存して凝固した原料の断面観察、あるいは
成長結晶の抵抗率分析結果により推定せざるを得なかっ
た。

本発明は上記した課題に鑑みてなされたものであり、引
き上げ前後及び引き上げ中の固体層量を把握でき、その
結果に基づいて固体層量を制御することにより、結晶の
電気抵抗率を均一にできる結晶成長方法及び該方法に使
用する装置を提供することを目的としている。

言　　を角２失する１１１、の　「１ 上記した目的を達成するために本発明に係る結晶成長方
法は、坩堝内に充填した結晶形成用材料を上部から溶融
させていき、溶融液層及び固体層を形成し、前記溶融液
層部分の溶融液を上方に弓き上げていくことにより結晶
を成長させる結晶成長方法において、前記坩堝内の前記
結晶形成用材料の固体層厚さを測定し、該測定により溶
融液量■ を調節して引き上げ結晶の電気抵抗率分布を制御するこ
とを特徴としく１）、 また坩堝内の固体層表面に当接可能な検知部材を吊設し
、該検知部材を前記固体層に向けて降下させていき、前
記検知部材の振動により前記固体層表面位置を検出して
前記固体層厚さを測定することを特徴としている（２）
。

さらに、本発明に係る結晶成長装置は固体層及び溶融液
層が形成される坩堝を備え、該坩堝内の固体層を溶融さ
せるヒータが前記坩堝の周囲に配設されると共に、該坩
堝の上方には引き上げ軸が配設された結晶成長装置にお
いて、前記坩堝内の固体層表面に当接して振動する検知
部材が吊設されていることを特徴としている（３）。

ｍｍ 上記した（１）記載の方法によれば、引き上げ前後及び
引き上げ中の固体層厚さの測定により、溶融液量が調節
されると、溶融液層中の不純物濃度が一定に保たれ、成
長結晶中の不純物濃度がその成長過程において常に一定
となり、結晶の成長方向における電気抵抗率が均一とな
る。

また上記（２）記載の方法によれば、検知部材の振動に
より結晶引き上げ前後、あるいは引き上げ中の固体層表
面位置が把握され、引き上げ中の固体層の厚み及びその
変化が求められる。従って、溶融液層の厚み及びその変
化が求められ、この結果から溶融層の厚みが制御され、
溶融液中の不純物濃度が一定となる。

さらに（３）記載の装置によれば、簡単な構成で製作容
易でありながら、結晶の引き上げ前後あるいは引き上げ
中の固体層の位置が前記検知部材により正確に実測され
、固体層の厚み及びその変化が正確に求められる。そし
て、その結果により所要の固体層が溶融され、溶融液層
中の不純物濃度の一定化が確実に実施されることとなる
。

衷施廻 以下、本発明に係る結晶成長方法及び装置をその実施例
を示す図面に基づいて説明する。なお、従来例と同一機
能を有するものについては同一の符合を付すこととする
。

３ 第１図は本発明に係る結晶成長装置を示す模式的縦断面
図であり、図中２１はチャンバを示している。チャンバ
２１は軸長方向を垂直とした略円筒形状の真空容器であ
り、チャンバ２１の略中央位置には、坩堝１１が配設さ
れている。坩堝１１は、有底円筒形状の石英製の内層保
持容器１１ａと、この内層保持容器１１ａの外側に嵌合
された同じく有底円筒形状の黒鉛製の外層保持容器１１
ｂとから構成されており、本実施例では直径が１６イン
チ、高さが１４インチの坩堝１１を用いている。この坩
堝１１の外層保持容器１１ｂの底部には、坩堝１１を回
転、並びに昇降させる坩堝支持軸１９が設けられており
、坩堝１１の外周には、抵抗加熱式ヒータ等で構成され
、かつ短い発熱長、例えば９０ｍｍ程度の発熱長を有す
るヒータ１２が昇降可能に配設されている。そして、こ
のヒータ１２と坩堝１１との相対的な上下方向への位置
調節によって、坩堝１１内の溶融液層１７、固体層１８
のそれぞれの厚さを調節し得るようになっている。また
ヒータ１２の外側には、　４ 保温筒２２が周設されている。

一方、坩堝１１の上方には、チャンバ２１の上部に連設
形成された小形の略円筒形状のプルチャンバ２３を通し
て、目盛りが表示された引き上げ軸１４が回転、並びに
昇降可能に吊設されており、引き上げ軸１４の下端には
、引き上げ開始前においては後述する図示しないＭｏｉ
！及び石英管が、また引き上げ開始時においては種結晶
１５がそれぞれ装着されるようになっている。また、こ
の引き上げ軸１４から所定寸法離れ、かつチャンバ２１
の内壁から１５ｍｒｒ１程度離れた位置には、坩堝１１
中の固体層１８の上面位置を検出するための検知部材２
４が、やはりプルチャンバ２３を通して坩堝１１内の固
体層１８上面に当接可能に吊設されている。検知部材２
４の吊設位置をチャンバ２１の内壁から１５ｍｍ程度離
れた位置としたのは、内壁に近すぎると検知部材２４が
壁面に接触する虞れがあるためであり、遠すぎると溶融
液の温度が低くなり検知部材２４に結晶が析出付着する
虞れがあるためである。この検知部材２４は目盛りが表
示されたワイヤ２４ａと、ワイヤ２４ａの下端に取り付
けられた黒鉛等からなる石英管チャック２４ｂと、石英
管チャック２４ｂの下端に取り付けられた石英管２４ｃ
とから構成されている。そして石英管２４ｃは、石英管
チャック２４ｂの下部及び石英管２４ｃの上部にそれぞ
れ穿設された例えば直径３ｍｍ程度の孔に、直径１．５
ｍｍ程度の短いＭｏ線２４ｄを、１〜２本緩挿すること
により、石英管チャック２４ｂに余裕のある状態で取り
付けられており、石英管２４ｃが固体層１８表面に当接
した際には、Ｍｏ線２４ｄが容易に振動するようになっ
ている。なおここで用いる石英管２４ｃとしては長さ４
０ｍｍ、直径５ｗｕｎ以下の大きさのものが望ましい。

すなわち、直径が５ｍｍを超えると、石英管２４ｃを溶
融液層１７の溶融液に浸漬させる際に石英管２４ｃが溶
融液温度になしみ難く、石英管２４ｃに結晶が析出した
り、溶融液面を振動させて引き上げ結晶の単結晶化を阻
害するためである。また、石英管２４内に重りとして長
さ３５ｍｍ、直径１．５ｍｍ程■ 度のＭｏ線を５本程度挿着したものを用いても良い。

そして、後述する操作により引き上げ軸１４のシードチ
ャックに装着された種結晶１５の下端を溶融液層２７中
に浸漬した後、これを回転させつつ上昇させることによ
り、種結晶１５の下端に単結晶１６を成長せしめていく
ようになっている。

上記したように構成された装置を操作する場合は、まず
坩堝ｌｌ内に固体原料として塊状、又は顆粒状の多結晶
シリコンを、引き上げる単結晶１６の体積から逆算して
求められた必要量だけ充填する。例えば塊状のものを４
Ｑｋｇ、顆粒状のものを２０ｋｇ、合計６０ｋｇ充填す
る。次いで、チャンバ２１内にＡｒを４０Ｉ２／ｍｉｎ
の流量で吹き込み、チャンバ２１内を１０ＴｏｒｒのＡ
ｒ雰囲気とし、固体原料の上側部分からヒータ１２で１
３０ｋｗの電力で溶融させる。坩堝１１を上昇させて溶
融液層１７の厚みが所定の値になるまで溶融させた後、
不純物としてリンを投入し、リンを拡散させる。溶融後
、ヒータ１２の電力をｉｏｏｋｗに落して溶融液層１７
の温度を所要の温度、例えば１４１５℃〜１４２０℃に
設定し、また坩堝１１の回転数をＯ〜２Ｏｒｐｍとして
、引き上げ軸１４に取り付けられた石英管（図示せず）
及び検知部材２４の石英管２４ｃの下端をそれぞれ溶融
液層１７表面上５ｍｍの位置に設置し、そのままで５分
間保持して加熱する。これは、それぞれの石英管２４ｃ
を溶融液層１７の温度になじませるために行なうもので
ある。次いで、ＭＯ線２４ｄを観察しながら、それぞれ
の石英管２４ｃを１０ｍｍ／ｍｉｎ以下の降下速度で溶
融液層１７に浸漬させていき、Ｍｏ線２４ｄが振動した
位置を固液界面と判断して、そのときの引き上げ軸１４
及びワイヤ２４ａの目盛り位置を読む。このことにより
、弓き上げ軸１４に装着した石英管により坩堝１１の回
転軸上の固体層の１８の厚さが、また検知部材２４の石
英管２４ｃにより坩堝１１の回転軸より所定寸法離れた
位置の固体層１８の厚さが測定され、固液界面の形状が
検出される。そして、測定された値と坩堝１１の位置及
び坩堝１１の形状から固体層量、さらには溶融液層１７
の厚みを計算する。測定後、それぞれの石英管２４ｃを
５０ｍｍ／ｍｉｎ以上の上昇速度で引き上げ、引き上げ
軸１４に装着した石英管による結晶成長開始前における
固体層１８位置の測定を終了する。ここで、石英管２４
ｃの降下速度を１０　ｍｍ／　ｍｉｎ以下としたのは、
速度が速すぎると固液界面の判定が難しく、石英管２４
ｃを破壊する虞れがあるためである。また、上昇速度を
５０　ｍｍ／　ｍｉｎ以上としたのは、すみやかに石英
管２４ｃを引き上げないと固液界面に石英管２４ｃが固
着したり、高温により石英管２４ｃが変形したりする虞
れがあるからであり、更には溶融液面の振動を抑えるた
めである。

次ぎに、引き上げ軸１４の下端に石英管に替えて種結晶
１５を装着し、種結晶１５の下端を溶融液層１７に浸漬
して結晶を形成する。そして、弓き上げ軸１４を回転さ
せつつ単結晶１６を引き上げる。このとき、例えば引き
上げた単結晶１６の結晶化率が００５ずつ増加する毎に
、上記と同様の方法で検知部材２４により固体層１８の
上面位置を測定し、固体層量から溶融液層１７の量を求
める。この結果に基づいて、ヒータ１２の出力あるいは
、ヒータ１２と坩堝１１との相対的な位置を制御するこ
とにより、溶融液層１７の厚さが上記した（１０）式、 ｆ、　＝ｆＬｏ−Ｋｅ−ｆ、　　　・（１０）但し、 ｆｒ、　　初期充填量１に対する結晶引き上げ率ｆＬ　
、初期充填量１に対する溶融液の重量比Ｋｅ　・実効偏
析係数 ｆＬｏ：初期溶融率 を満足するように固体層１８を溶融させ、引き上げ中の
溶融液の不純物濃度を一定に保つ。このことにより、種
結晶１５の下端から不純物濃度が一定、延では電気抵抗
率が一定な単結晶１６を成長させことができる。

またさらに、単結晶１６の引き上げ終了後においても、
上記と同様な方法で検知部材２４により固体層１８の上
面位置を測定することにより、弓　０ き上げ中の固体層１８の厚みの変化を確認することがで
きる。

第２図は上記した方法及び装置を用いて成長させたシリ
コン単結晶における電気抵抗率分布と結晶化率との関係
を示すグラフであり、図中破線は、従来のチョクラルス
キー法により形成されたシリコン単結晶の抵抗率分布を
示している。

第２図から明らかなごとく、従来のチョクラルスキー法
により形成されたシリコン単結晶に比べて、上記実施例
により形成されたシリコン単結晶は、単結晶の成長に伴
う抵抗率の分布のバラツキが小さく、引き上げ中の溶融
液層の不純物濃度の一定化が図られていることがわかる
。

なお、上記実施例においては石英管を用いた検知部材に
ついて述べたが、これに限定されるものではなく、石英
管に替えて結晶形成用材料の溶融液、及び引き上げ結晶
の品質に影響を与えない材質のものなら差し支えない。

また、上記実施例においてはシリコン単結晶を成長させ
る場合について述べたが、シリコン以外の半導体単結晶
の引き上げにも適用可能である。

１哩辺四里 以上、上記した（１）記載の結晶成長方法にあっては、
坩堝内に充填した結晶形成用材料を上部から溶融させて
いき、溶融液層及び固体層を形成し、前記溶融液層部分
の溶融液を上方に引き上げていくことにより結晶を成長
させる結晶成長方法において、前記坩堝内の前記結晶形
成用材料の固体層厚さを測定し、該測定により溶融液量
を調節して引き上げ結晶の電気抵抗率分布を制御するの
で、溶融液層中の不純物濃度が一定に保たれ、成長結晶
中の不純物濃度がその成長過程において常に一定となり
、結晶の成長方向における電気抵抗率が均一な単結晶を
得ることができる。

また上記した（２）記載の結晶方法にあっては、坩堝内
の固体層表面に当接可能な検知部材を吊設し、該検知部
材を前記固体層に向けて降下させていき、前記検知部材
の振動により前記固体層表面位置を検出して前記固体層
厚さを測定するので、検知部材の振動により結晶引き上
げ前後、あるいは引き上げ中の固体層表面位置が把握で
き、その結果から溶融液の量及びその変化を求めること
ができる。このことにより、溶融液中の不純物濃度が一
定となるように溶融液の量を制御することができ、結晶
成長方向における電気抵抗率が均な単結晶を歩留まり良
く製造できる。

さらに、上記した（３）記載の結晶成長装置にあっては
、固体層及び溶融液層が形成される坩堝を備え、該坩堝
内の固体層を溶融させるヒータが前記坩堝の周囲に配設
されると共に、該坩堝の上方には引き上げ軸が配設され
た結晶成長装置において、前記坩堝内の固体層表面に当
接して振動する検知部材が吊設されているので、簡単な
構成で、製作容易でありながら結晶の引き上げ前後ある
いは引き上げ中の固体層の表面位置を前記検知部材によ
り実測でき、固体層の厚み及びその変化を確実に把握で
きる。従って、溶融液層中の不純物濃度が常に一定に保
たれるよう溶融液量の制御を実施でき、成長方向におけ
る電気抵抗率の均ケ単結晶を歩留まり良く製造できる。

３

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る結晶成長装置の実施例を示す模式
的縦断面図、第２図は本発明及び従来法によるシリコン
単結晶の抵抗率分布を測定した結果を示すグラフ、第３
図〜第６図は本発明に係る方法を実施する際の原理を示
す説明図、第７図及び第８図は従来の結晶成長方法に用
いられる装置の模式的縦断面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）坩堝内に充填した結晶形成用材料を上部から溶融
   させていき、溶融液層及び固体層を形成し、前記溶融液
   層部分の溶融液を上方に引き上げていくことにより結晶
   を成長させる結晶成長方法において、前記坩堝内の前記
   結晶形成用材料の固体層厚さを測定し、該測定により溶
   融液量を調節して引き上げ結晶の電気抵抗率分布を制御
   することを特徴とする結晶成長方法。
2. （２）坩堝内の固体層表面に当接可能な検知部材を吊設
   し、該検知部材を前記固体層に向けて降下させていき、
   前記検知部材の振動により前記固体層表面位置を検出し
   て前記固体層厚さを測定する請求項１記載の結晶成長方
   法。
3. （３）固体層及び溶融液層が形成される坩堝を備え、該
   坩堝内の固体層を溶融させるヒータが前記坩堝の周囲に
   配設されると共に、該坩堝の上方には引き上げ軸が配設
   された結晶成長装置において、前記坩堝内の固体層表面
   に当接して振動する検知部材が吊設されていることを特
   徴とする結晶成長装置。