JPH09235181A - 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶の引き上げを行う際、従来は伝熱シミ
ュレーションを行って単結晶引き上げ装置の下部に配設
される保温部材の形状（厚さ）等を計算することで、Ｃ
Ｚ法においては結晶中酸素濃度の制御、溶融層法におい
ては固体層の量（溶融層厚）を形成していた。しかし、
実際の装置を用いた場合と比べ、一致しない場合が多
く、場合によっては保温部材を再設計しなければなら
ず、経費と時間とがかかるため、大きな損失を被る場合
があるという課題があった。 【解決手段】 坩堝１１の下方に配置する断熱板１７０
の積層枚数を変化させることにより単結晶１６中に取り
込まれる酸素濃度を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は単結晶引き上げ方法
及び単結晶引き上げ装置に関し、より詳細には溶融層法
を用いてシリコン等の単結晶を引き上げる単結晶引き上
げ方法及び単結晶引き上げ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】単結晶を成長させるには種々の方法があ
るが、その一つにチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と
記す）がある。図７はＣＺ法に用いられる単結晶引き上
げ装置を模式的に示した断面図であり、図中１１は坩堝
を示している。

【０００３】この坩堝１１は、有底円筒形状の石英製の
内層保持容器１１ａと、この内層保持容器１１ａの外側
に嵌合された同じく有底円筒形状の黒鉛製の外層保持容
器１１ｂとから構成されており、坩堝１１は図中の矢印
方向に所定の速度で回転する支持軸１８に支持されてい
る。この坩堝１１の外側には抵抗加熱式のヒータ１２、
ヒータ１２の外側には保温筒２１が、同心円状に配置さ
れており、坩堝１１内にはこのヒータ１２により溶融さ
せた結晶用原料の溶融液２３が充填されるようになって
いる。また、坩堝１１の中心軸上には引き上げ棒あるい
はワイヤー等からなる引き上げ軸１４が吊設されてお
り、この引き上げ軸１４の先にシードチャック１４ａを
介して種結晶１５が取り付けられるようになっている。

【０００４】これら部材は圧力の制御が可能なチャンバ
２０内に納められており、単結晶２６を引き上げる際に
は、チャンバ２０内を減圧にした後、不活性ガスを導入
して減圧の不活性ガス雰囲気とする。次に、引き上げ軸
１４の先に取り付けられた種結晶１５を溶融液２３の表
面に接触させ、支持軸１８と同一軸心で同方向または逆
方向に所定の速度で回転させながら引き上げ軸１４を引
き上げることにより、溶融液２３を凝固させて単結晶２
６を成長させる。

【０００５】半導体の単結晶２６をこの引き上げ方法で
引き上げる場合、単結晶２６の電気抵抗率や電気伝導型
を調整するために、引き上げ前に溶融液２３中に不純物
を添加しておくことが多い。しかし通常のＣＺ法におい
ては、単結晶２６と溶融液２３との間に生じるいわゆる
偏析現象に起因して、単結晶２６の成長軸方向に関して
均一な電気抵抗率を有する単結晶が得られないという問
題があった。

【０００６】前記偏析現象とは、単結晶２６が成長する
際に、単結晶２６と溶融液２３との界面において単結晶
２６中に取り込まれる不純物濃度と溶融液２３中の不純
物濃度とが一致しないことをいうが、実効分配係数ｋｅ
（単結晶中２６の不純物濃度／溶融液２３中の不純物濃
度）は１より小さくなる場合が多い。この場合、単結晶
２６が成長するとともに前記偏析現象のために溶融液２
３中の不純物濃度が次第に高くなる。それに伴い、単結
晶２６中の不純物濃度も次第に高くなり、電気抵抗率が
小さくなってくる。従って、上記ＣＺ法で成長させた単
結晶２６中には、電気抵抗率に関し一部に基準を満たさ
ないものが製造されてしまい、歩留まりが低下するとい
う問題があった。

【０００７】そこで、上記した偏析現象に起因する歩留
まりの低下を防止し、電気抵抗率に関する歩留まりを上
げる単結晶引き上げ方法として、溶融層法が開発されて
いる。図８は、前記溶融層法に用いられる単結晶引き上
げ装置を模式的に示した断面図である。なお、図７に示
した単結晶引き上げ装置と同一機能を有する構成部品に
は同一の符号を付してある。

【０００８】溶融層法の特徴は、坩堝１１内に充填され
た結晶用原料をヒータ１２で溶融させ、その後溶融液の
一部を凝固させることにより、上側に溶融層１３を、下
側に固体層１９を形成し、単結晶３６の成長とともに、
固体層１９を次第に溶融させることによって溶融層１３
中の不純物濃度をほぼ一定に保つことにある。溶融層法
に用いられる装置の構成は上記ＣＺ法に用いられる装置
とほぼ同様であり、上記説明部分を除いて単結晶３６の
引き上げ方法もＣＺ法による引き上げ方法とほぼ同様で
ある。

【０００９】上記溶融層法によれば、単結晶３６を成長
させる間、固体層１９から常に不純物濃度の低い溶融液
が溶融層１３に供給されるので、溶融層１３中の不純物
の濃度が高くならず、そのため単結晶３６に取り込まれ
る不純物の濃度をほぼ一定値に維持することができる。

【００１０】ところで、単結晶２６、３６の特性を左右
する他の大きな因子として、単結晶２６、３６中の酸素
濃度が挙げられる。石英製の内層保持容器１１ａ中で結
晶用原料を溶融させると、溶融液２３（溶融層１３）中
にＳｉＯ₂ が溶出し、このＳｉＯ₂ が単結晶２６、３６
中に取り込まれることにより、単結晶２６、３６中に酸
素が含まれるようになる。単結晶２６、３６中の酸素濃
度は、溶融液２３（溶融層１３）中の酸素濃度により決
定され、石英製の内層保持容器１１ａから溶融液２３
（溶融層１３）に溶出する酸素の量が多くなるに従っ
て、単結晶２６、３６中に含まれる酸素の濃度が高くな
る。

【００１１】単結晶２６、３６中の酸素濃度はデバイス
特性、ウエハーの機械的強度、金属不純物のゲッタリン
グ能力等に影響を与える。そのため、要求される酸素濃
度は半導体メーカーの製造ラインの種類や製品特性によ
って様々であり、また要求される酸素濃度の範囲は狭
い。従って、単結晶２６、３６中の酸素濃度の制御は、
単結晶２６、３６の製造を行う上で極めて重要である。

【００１２】上記ＣＺ法においては、内層保持容器１１
ａの内表面の大部分が溶融液２３と接しており、前記内
表面から酸素が供給されるため、溶融液２３中の酸素濃
度は内層保持容器１１ａの温度に依存している。他方、
内層保持容器１１ａの底部にはヒータ１２が近くに配設
されていないためその温度が変化し易く、そのため溶融
液２３中の酸素濃度はこの底部の温度に依存して変化す
る。そこで従来のＣＺ法においては、装置内の保温状態
を変化させることにより逆に内層保持容器１１ａ底部の
温度を変化させ、溶融液２３中の酸素濃度を制御してい
た。

【００１３】一方、上記溶融層法においては、内層保持
容器１１ａの一部が固体層１９と接しており、その部分
からは酸素が溶出しないので、溶融層１３中の酸素濃度
は、溶融層１３と接する内層保持容器１１ａの面積（溶
融層１３の厚さ）に大きく依存することになる。従っ
て、通常上記溶融層法においては、単結晶２６、３６中
の酸素濃度を制御する方法として、結晶用原料を溶融さ
せた後に形成する固体層１９の厚さを制御することによ
り、内層保持容器１１ａと接する溶融層１３厚を制御し
ていた。

【００１４】すなわち具体的には、図７に示した単結晶
引き上げ装置においては設定しようとする内層保持容器
１１ａ底部の温度に基づき、図８に示した単結晶引き上
げ装置においては、形成しようとする固体層１９の厚さ
（溶融層１３厚）に基づき、それぞれ伝熱シミュレーシ
ョンを行って前記装置の下部に配設される保温部材２２
の形状（厚さ）等を計算していた。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記伝熱シミ
ュレーションは、モデル化された坩堝１１、ヒータ１
２、保温筒２１、保温部材２２等に基づいて行われる。
従って、実際に設計、作製された装置における伝熱状態
と、前記伝熱シミュレーションにより算出された伝熱状
態との間で差異を生ずるのは避けられず、実装置では内
層保持容器１１ａ底部の温度が設定値どおりにならず、
また設定値どおりの厚さの溶融層１３が形成されないと
いう課題があった。設定値との差異が所定の範囲内に納
まっていない場合には、ヒータ１２パワー等の制御によ
り内層保持容器１１ａ底部の温度や溶融層厚を調整する
ことはできず、もう一度、保温部材２２の設計、製作を
やり直すことになる。この場合、保温部材２２の製作コ
ストが高くなり、その製作期間も長くなるので、大きな
損失を被ることになる。

【００１６】溶融層法に関する上記課題を解決するた
め、特開平６−８５３６５号公報には、固体層１９の形
成を熱遮断板を移動させることにより行う装置として、
２段のヒータの間に熱遮断板が出入り可能に配設された
単結晶引き上げ装置が開示されている。この単結晶引き
上げ装置によれば、坩堝内の結晶用原料を全量溶融させ
た後、熱遮断板を上段のヒータと下段のヒータとの間に
挿入することにより、固体層の形成速度を速めるととも
に、固体層の形成量（溶融層厚）を制御することができ
る。

【００１７】しかし、前記公報に記載の単結晶引き上げ
装置においては、坩堝の側方方向から熱遮断板が挿入さ
れるため、前記熱遮断板を挿入するための機構が非常に
複雑になり、装置が高価になるという課題があった。

【００１８】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、坩堝底部の温度を制御することにより溶融液の酸素
濃度を制御し、最終的には引き上げられる単結晶中の酸
素濃度を制御することを目的としている。

【００１９】また、本発明は坩堝内の上部に形成される
溶融層厚を、固体層の形成量により制御し、最終的には
引き上げられる単結晶中の酸素濃度を制御することをも
目的としている。

【００２０】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る単結晶引き上げ方法（１）
は、坩堝の下方に配置する断熱板の積層枚数を変化させ
ることにより、結晶中に取り込まれる酸素濃度を制御す
ることを特徴としている。

【００２１】上記のように発明を構成した理由として
は、溶融液への酸素供給は石英坩堝により行われるが、
この石英坩堝の底部温度が酸素供給速度に大きく関わ
り、本発明において、石英坩堝の底部温度を制御できる
ので結晶中に取り込まれる酸素濃度を制御することがで
きるからである。

【００２２】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
（２）は、通常のＣＺ法だけでなく、坩堝内下部に固体
層を、坩堝内上部に溶融層を形成して単結晶を引き上げ
る単結晶の引き上げ方法において、坩堝の下方に配置す
る断熱板の積層枚数を変化させることにより坩堝内上部
に形成される溶融層厚を変化させ、該溶融層厚の変化に
より単結晶中に取り込まれる酸素濃度を制御することを
特徴としている。

【００２３】上記のように発明を構成した理由として
は、前記断熱板の積層枚数を変化させることにより、前
記坩堝の底部より放出される熱量を変化させることがで
き、この放出熱量の変化により前記結晶用原料の溶融時
に形成する固体層の厚さ、すなわち溶融層厚を制御する
ことができる。上記方法による溶融層厚の制御により、
坩堝より溶融層に溶出する酸素量の制御が可能となり、
その結果引き上げる単結晶に取り込まれる酸素濃度を制
御することができるからである。

【００２４】また、本発明に係る単結晶引き上げ装置
は、坩堝の下方に着脱可能な断熱用積層体が配設されて
いることを特徴としている。

【００２５】上記単結晶引き上げ装置によれば、前記断
熱用積層体を構成する断熱板の積層枚数を変化させるこ
とにより、前記坩堝の底部より放出される熱量を容易に
変化させることができ、その結果引き上げる単結晶中の
酸素濃度を制御することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引き上
げ方法及び単結晶引き上げ装置を図面に基づいて説明す
る。

【００２７】図１は実施の形態に係る単結晶引き上げ装
置を模式的に示した断面図である。該単結晶引き上げ装
置においては、坩堝１１の下方に断熱用積層体１７が配
置されている他は、図８に示した単結晶引き上げ装置と
同様に構成されている。従って、ここでは、実施の形態
に係る単結晶引き上げ装置の他の部分の構成についての
説明を省略することにし、断熱用積層体１７について説
明する。

【００２８】図２は図１に示した単結晶引き上げ装置に
おける断熱用積層体１７の一部分を拡大して示した部分
拡大断面図であり、この断熱用積層体１７は保温部材２
２（耐熱性被覆材２２ａと断熱材２２ｂとから構成）の
上に配置されており、着脱可能な断熱板１７０が複数枚
積層されて構成されている。また断熱板１７０は、断熱
材１７０ｂとその上に被覆形成された耐熱性被覆材１７
０ａとの２層構造となっており、その形状は円環形状で
あり、さらに幾つかの扇形状の分割片に分割することが
できるようになっている。従って断熱板１７０を着脱す
る際には、断熱板１７０を分割片に分けて着脱すればよ
い。耐熱性被覆材１７０ａは、断熱材１７０ｂを保護す
るとともに断熱材１７０ｂより不純物が装置内に拡散す
るのを防止するために形成されており、その材料として
は、Ｍｏ等の耐熱性金属は加工が困難であることや前記
金属による単結晶１６の汚染の可能性があることから黒
鉛等のカーボン材が好ましい。また、断熱材１７０ｂの
材料は、熱伝導率が低く、ヒータ１２等からの熱を効率
的に遮断できるものであればよく、その具体例として
は、カーボンファイバ、ロックウール等が挙げられる。
前記カーボンファイバは、熱伝導率が１０００℃におい
て０．２７ｋｃａｌ／ｍ・ｈｒ・℃程度、１８００℃に
おいて０．４０ｋｃａｌ／ｍ・ｈｒ・℃程度と断熱性に
優れるため特に好ましい。

【００２９】断熱板１７０は図２に示したように、坩堝
１１に対向する面のみに耐熱性被覆材１７０ａの層が形
成されているものでもよいが、別の実施の形態において
は、図３に示したように断熱用積層体２７を構成する断
熱材２７０ｂの全面に耐熱性被覆材２７０ａの層が形成
されているものでもよい。また、さらに別の実施の形態
においては、図４に示したように断熱用積層体３７を構
成する各断熱板１７０の間に炭素材料等、耐熱性のスペ
ーサ１７１が挿入され、これにより断熱板１７０と断熱
板１７０との間に空間が形成されているものであっても
よい。

【００３０】断熱板１７０、２７０の厚さは特に限定さ
れるものではないが、取扱い易さや形成する溶融層１３
厚を細かく制御すること等を勘案すると、その厚さは８
〜５０ｍｍ程度が好ましい。この場合、耐熱性被覆材１
７０ａ、２７０ａの厚さは、軽量化の観点から薄い方が
良いが、強度、加工性等の点から２〜１５ｍｍが好まし
く、断熱材１７０ｂ、２７０ｂの厚さは、断熱性等の点
から５〜３５ｍｍが好ましい。また、スペーサ１７１の
厚さは、断熱性等の点から１〜１０ｍｍが好ましい。断
熱板１７０、２７０の積層枚数も特に限定されるもので
はないが、通常、３〜６枚程度積層することにより、溶
融層１３厚、酸素濃度を制御する。なお、断熱用積層体
１７、２７を構成する各断熱板１７０、２７０の厚さ、
種類、構造等は必ずしも同一である必要はない。

【００３１】次に、実施の形態に係る単結晶引き上げ方
法を説明する。まず、結晶用原料を坩堝１１内に充填
し、ヒータ１２に通電して坩堝１１内の結晶用原料を加
熱し、一旦全ての結晶用原料を溶融させて溶融液とし、
その後溶融液下部の温度を低下させることにより固体層
１９（初期固体層ともいう）を形成する。この場合、溶
融液表面に凝固膜が生じないように溶融液の温度を調整
しながら、固体層１９を形成する必要があるので、ヒー
タ１２パワーの制御のみにより、固体層１９の量、すな
わち溶融層１３厚を正確に制御するのは難しい。従っ
て、本実施の形態においては、坩堝１１の下方に配置し
た断熱用積層体１７を構成する断熱板１７０の積層枚数
を変化させることにより溶融層１３厚を制御する。この
場合、ヒータ１２パワーの制御を同じパターンになるよ
うに設定し、断熱板１７０の積層枚数を変化させて溶融
層１３厚を測定する実験を行い、断熱板１７０の積層枚
数と溶融層１３厚との関係を前もって求めておく。前記
実験の結果を基にして、結晶用原料を溶融させる前に、
目標の溶融層１３厚になるように保温部材２２の上に所
定枚数の断熱板１７０を積層しておく。

【００３２】次に、所定パターンでヒータ１２パワーを
制御すると、坩堝１１内に所定厚さの溶融層１３及び固
体層１９を形成することができる。次に、引き上げ軸１
４の先端に取り付けられた種結晶１５を溶融層１３の表
面に接触させ、引き上げ軸１４を所定の速度で回転させ
ながら引き上げることにより、溶融層１３を凝固させて
単結晶１６を成長させる。単結晶１６を成長させる際、
固体層１９を徐々に溶融させて溶融層１３厚を制御する
が、このためにヒータ１２パワーを制御すると同時に、
支持軸１８を介して坩堝１１を所定の速度パターンで上
昇させ、ヒータ１２の位置を相対的に坩堝１１の下側に
少しづつ移動させる。上記操作により、溶融層１３を所
望の厚さに保ちながら単結晶１６を成長させることがで
き、所定の酸素濃度を有する単結晶１６を引き上げるこ
とができる。

【００３３】なお、別の実施の形態においては、ＣＺ法
により単結晶を引き上げる場合にも単結晶引き上げ装置
に断熱用積層体１７を配設することができる。

【００３４】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係る単結晶引き上
げ方法及び単結晶引き上げ装置の実施例を図面に基づい
て説明する。実施例の場合の条件を以下に記す。

【００３５】［実施例１〜６］ （１）引き上げる単結晶の特性、及び単結晶引き上げ装
置（図１に示した装置）の条件 単結晶１６：８インチＮ型シリコン ヒータ１２ 加熱方式：抵抗加熱式 寸法 内径：６５０ｍｍ、外径：７００ｍｍ、高さ：１
５０ｍｍ 内層保持容器１１ａ（石英製）の寸法 内径：５６０ｍｍ、深さ：３５０ｍｍ、厚さ：７．０ｍ
ｍ 保温筒２１の寸法 内径：７７０ｍｍ、外径：９７０ｍｍ 保温部材２２の寸法（図８に示す同形状の保温部材２２
に記号を記す） ｄ₁ ＝７５０ｍｍ（φ）、ｄ₂ ＝９７０ｍｍ（φ）、ｄ
₃ ＝５０ｍｍ、ｄ₄ ＝１５０ｍｍ 断熱板１７０ 耐熱性被覆材１７０ａ 材質：黒鉛（密度：１．８５ｇ／ｃｍ³ ）、厚さ：３ｍ
ｍ 断熱材１７０ｂ カーボンファイバ（密度０．１５ｇ／ｃｍ³ ）、厚さ：
７ｍｍ 断熱板１７０の厚さ：１０ｍｍ （２） 単結晶１６の引き上げ条件 結晶用原料の仕込み量：１１０ｋｇ 不純物（Ｐ）の仕込み量：２．１８０ｇ チャンバ２０内の雰囲気：Ａｒ雰囲気 Ａｒの流量：３０リットル／分 圧力：１．３３×１０³ Ｐａ ヒータ１２の出力：ヒータ１２の出力と結晶用原料の溶
融を開始した後の経過時間との関係を図５に示す。 引き上げ軸１４の回転数：２０ｒｐｍ 坩堝１１の回転数：８ｒｐｍ 単結晶１６引き上げ速度：０．５ｍｍ／分 引き上げる単結晶の結晶長：３００ｍｍ 断熱板１７０の積層枚数：１〜６ Ｐ（リン）の実効分配係数（Ｋｅ）＝０．３５ （３） 初期固体層１９の厚さの測定及び単結晶１６中
の酸素濃度の測定 溶融層１３厚の測定 シードチャックに石英パイプを取り付け（種結晶未装
着）、前記石英パイプを固体層１９にあたるまで下に降
ろして、そのストロークから固体層１９の厚さ及び溶融
層１３厚を算出 平均酸素濃度 引き上げた単結晶１６の中心軸に沿って、結晶長５０〜
３００ｍｍまで５０ｍｍピッチで単結晶１６を割断し、
ＦＴＩＲ法（ＡＳＴＭＦ−１２１（１９７９））により
割断した部分の酸素濃度を測定し、これらの相加平均値
により平均酸素濃度を算出した。

【００３６】［実施例７〜９］単結晶引き上げ装置の炉
構造及び結晶用原料仕込量、引き上げ条件、あるいは結
晶酸素濃度評価法は、溶融層法の実施例の場合と同じで
あるが、ヒータ１２の寸法を下記にように設定し、固体
層１９を形成しなかった。ヒータ１２の出力と結晶用原
料の溶融を開始した後の経過時間との関係を図６に示
す。 ヒータ１２の寸法 内径：６５０ｍｍ、外径：７００ｍｍ、高さ：３００ｍ
ｍ ［比較例１〜３］伝熱シミュレーションにより目標固体
層厚（目標溶融層厚）に対する保温部材２２の形状（厚
さ）を設定した（図８）。伝熱シミュレーションはワー
クステーションを用い、多重輻射を考慮できる二次元円
筒座標系モデルにより行った。単結晶引き上げの条件、
測定方法等は実施例の場合と同様である。

【００３７】［比較例４］単結晶引き上げ装置の炉構造
及び結晶用原料仕込量、引き上げ条件、あるいは結晶酸
素濃度評価法は、溶融層法の比較例の場合と同じである
が、ヒータ１２の寸法を下記にように設定し、固体層１
９を形成しなかった。ヒータ１２の出力と結晶用原料の
溶融を開始した後の経過時間との関係を図６に示す。

【００３８】ヒータ１２の寸法 内径：６５０ｍｍ、外径：７００ｍｍ、高さ：３００ｍ
ｍ 上記実施例１〜６及び比較例１〜３の場合の初期固体層
１９の厚さ（溶融層１３厚）、引き上げられた単結晶１
６、３６（図８）の平均酸素濃度（atom/cm³)を下記の
表１に示す。

【００３９】また、上記実施例７〜９及び比較例４の場
合の引き上げられた単結晶１６、３６の平均酸素濃度
（atom/cm³) を同じく下記の表１に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】上記表１の結果より明らかなように、チャ
ンバ２０底部に配置する断熱板１７０の積層枚数を変化
させることにより、溶融層１３厚や坩堝１１底部の温度
を変化させることができ、その結果単結晶１６（シリコ
ン単結晶）中の酸素濃度も制御することができる。

【００４２】一方、比較例１〜３の場合には、所定の厚
さの溶融層１３を形成するために、伝熱シミュレーショ
ンにより坩堝１１の下方にある保温部材２２の厚さをど
の程度にすればよいかを計算しても、必ずしも目標の溶
融層１３厚とならず、従って単結晶１６中の酸素濃度も
目標値とならない。特に、比較例１の場合のように比較
的厚い溶融層１３を形成しようとすると、固体層１９が
全く形成されない事態も生じ、単結晶１６中の酸素濃度
が大きく目標値から外れることになり、保温部材２２を
再設計する必要が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る単結晶引き上げ装置
を模式的に示した断面図である。

【図２】図１に示した単結晶引き上げ装置における断熱
用積層体の一部分を拡大して示した部分拡大断面図であ
る。

【図３】別の実施の形態における断熱用積層体を模式的
に示した断面図である。

【図４】さらに別の実施の形態における断熱用積層体を
模式的に示した断面図である。

【図５】実施例１〜６及び比較例１〜３の場合のヒータ
の出力と結晶用原料の溶融を開始した後の経過時間との
関係を示したグラフである。

【図６】実施例７〜９及び比較例４の場合のヒータの出
力と結晶用原料の溶融を開始した後の経過時間との関係
を示したグラフである。

【図７】従来のＣＺ法に用いられる単結晶引き上げ装置
を模式的に示した断面図である。

【図８】従来の溶融層法に用いられる単結晶引き上げ装
置を模式的に示した断面図である。

【符号の説明】

１１ 坩堝 １３ 溶融層 １６ 単結晶 １７、２７、３７ 断熱用積層体 １７０、２７０ 断熱板 １７０ａ、２７０ａ 耐熱性被覆材 １７０ｂ、２７０ｂ 断熱材 １７１ スペーサ １９ 固体層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 坩堝の下方に配置する断熱板の積層枚数
   を変化させることにより単結晶中に取り込まれる酸素濃
   度を制御することを特徴とする単結晶引き上げ方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の単結晶引き上げ方法にお
   いて、坩堝内下部に固体層、坩堝内上部に溶融層を形成
   し、該溶融層厚を変化させる引き上げ法を用いることを
   特徴とする単結晶引き上げ方法。
3. 【請求項３】 坩堝の下方に着脱可能な断熱用積層体が
   配設されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。