JPH03230394A - ランダムアクセスメモリ - Google Patents

ランダムアクセスメモリ

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Publication number
JPH03230394A
JPH03230394A JP2025227A JP2522790A JPH03230394A JP H03230394 A JPH03230394 A JP H03230394A JP 2025227 A JP2025227 A JP 2025227A JP 2522790 A JP2522790 A JP 2522790A JP H03230394 A JPH03230394 A JP H03230394A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ram
data
rams
bit
comparator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2025227A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Yuhara
雅信 湯原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2025227A priority Critical patent/JPH03230394A/ja
Publication of JPH03230394A publication Critical patent/JPH03230394A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 :概 要: RA Mに格納されているデータを比較するために好適
な構成を有するR A Mに関し、短し)配線とデータ
バスとによって2つのRAMがそれぞれ格納しているデ
ータの比較を行い得るようにしたR A Mを構成する
ことを目的とし、第1のRAMを構成するビットセルと
第2のRAMを構成するとットセルとを組合わせた繰返
し単位を形成し、この繰返し単位を基板上に複数個配置
して1つのRAMを構成するとともに、この繰返し単位
の1つに属する2種のビット線のそれぞれから第1およ
び第2のR,AMの各ビットのデータを得るように構成
した。
〔産業上の利用分野〕
ランダムアクセスメモリ (以下、RAM、という)に
格納されているデータを比較するために好適な構成を有
する、2つのRAMを一体に構成したRAMに関する。
〔従来の技術〕
2つのRAMに格納されているデータを比較するための
従来の基本的構成の一例を第2図(a)に示してあり、
#lRAM11+ からデータを読出すための#1アド
レスをデコーダ12、でデコードしてこの#lRAM1
1□にアクセスし、この#1アドレスに格納されている
データをリード/ライト回路13、を介してビットごと
に読出して比較器10の一方の入力端子に供給する。
同様に#2アドレスをデコーダ122てデコードしてこ
の92RAM112 にアクセスし、この#2アドレス
に格納されているデータをリード/ライト回路132を
介してビットごとに読出して比較器10の他方の入力端
子に供給してビットごとの比較を行う。
しかしながら、このような従来の方法におし)ては、#
 I RA M 11 l および#2RAM11□か
らそれぞれのビットに対応する導線を比較器10の各入
力端子まで配線する必要があり、配線に手間を要するば
かりでなく、この配線によって生ずる容量などによって
好ましくなし)影響を生じることがあった。
このような欠点を除去するために、第2図(b)に示す
ように、2つのRAM21..21゜を対称に配置し、
上記RAM21+ からは#1アドレスをデコーダ22
1によってデコードしてアクセスして読出された各ビッ
ト線の出力をこれら2つのRAM21 +、’212間
に配置されている比較器20の一方の入力端子に転送し
、また、上記RAM21□からは#2アドレスによって
同様に読出された各ビット線の出力を上記比較器20の
他方の入力端子に転送してこの比較器20によってR,
4M2 I+ 、212 に格納されているデータの比
較を行うようにするものがある。
しかしながろ、このような構成においてはRAM21.
.21□へのデータの書込/読出しを行うためにはそれ
ぞれのRA Mに設けたリード/ライト回路23..2
3□を介して行う必要があり、このためデータの転送を
行うためのデータバス24が長くなるという問題があっ
た。
σ発明が解決しようとする課題二 本発明は短>)配線とデータバスとによって2つのR、
A、 Mがそれぞれ格納しているデータの比較を行い得
るようにしたR A Mを構成することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
第1図の原理的実施例の(C)図に示すように、第1の
RAMを構成するビットセルと第2のRAMを構成する
ビットセルとを組合わせた繰返し単位を形成し、この繰
返し単位を基板上に複数個配置して1つのRA Mを構
成するとともに、この繰返し単位の1つに属する2種の
ビット線のそれぞれから第1および第2のRAMの各ビ
ットのデータを得るように構成した。
二作 用コ 第1のRAMと第2のRAMとを同一の基板上に形成す
るとともにそのビット線を引出しておくことによって、
比較器をこのRAMに隣接して設けることができるので
、ビット線かろ比較器までの導線を短くすることができ
ると同時にデータバスの長さも短くすることができる。
J実施例〕 先に引用した第1図は1ワードのビット数および格納可
能なワード数がいずれも等しい2つのRAMを1体とし
て構成した本発吃IJの原理的な実施例を示すもので、
同図(b)は同図(a)の1部分を拡大したもので2行
3列の合計6つの繰返し単位が示してあり、また、同図
(C)は上記(b)図の1部分をさらに拡大して1つの
繰返し単位を例示したものである。
この(C)図に左下がりの線によって示したビットセル
CIは第1のRA Mに属するセルであり、また、右下
がりの線によって示したビットセルC2は第2のRA 
M !::属するセルである。
同図(a)に示す第1のRAMにアクセスするための#
1アドレスをデコーダ2.によってデコードした結果ワ
ード線WIに例えば読圧し電圧が印加されると、このワ
ードに属するm番目のピントについて例示したように、
各ビットの“O”あるいはl″のデータは例示したピン
ト線Bffilにおけると同様に各ビット線に出力され
て隣接した位置に設けられている比較器4にそれぞれ送
られる。
一方、第2のRAMにアクセスするための#2アドレス
をデコーダ22によってデコードした結果ワード線W2
に例えば読出し電圧が印加されると、このワードに属す
るm番目のビットについて例示したように、各ビットの
“0”あるし)は“1”のデータは例示したビット線B
つ。におけると同様に各ビット線に出力されて隣接した
位置に設けろれている比較器4にそれぞれ送ろれる。
この実施例では1ワードのビット数が第1のR4八へと
第2のRAMとで等しいものとしであるので、上記ビッ
ト線BffilおよびB、、2の出力を比較器4におい
て比較することによってm番目のビットのデータの一致
あるし)は不一致を識別することができる。
また、第1のRA Mと第2のRA〜1との格納可能な
ワード数および/またはビット数カq目違する場合には
、この2つのRAMのワード数の比の公倍数および二の
2つのRAMのビット数の比の公倍数を1つの繰返し単
位のビットセルの縦・嘆の数として上側同様に構成する
ことができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば短い配線によって2つのRAMがそれぞ
れ格納しているデータの比較を行い得るばかりでなく、
これらRAMに書込/読出しを行うためのデータバスも
短くすることができるという格別の効果が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理的実施例を示す図、第2図は従来
の比較方法を示す図であるっ(a) 従 来 第 例 図 リード/ライトチ゛−9 (b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1のRAMを構成するビットセルと第2のRAMを構
    成するビットセルとを組合わせた繰返し単位を形成し、
    この繰返し単位を基板上に複数個配置して1つのRAM
    を構成するとともに、この繰返し単位の1つに属する2
    種のビット線のそれぞれから第1および第2のRAMの
    各ビットのデータを得るように構成したことを特徴とす
    るランダムアクセスメモリ。
JP2025227A 1990-02-06 1990-02-06 ランダムアクセスメモリ Pending JPH03230394A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025227A JPH03230394A (ja) 1990-02-06 1990-02-06 ランダムアクセスメモリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025227A JPH03230394A (ja) 1990-02-06 1990-02-06 ランダムアクセスメモリ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03230394A true JPH03230394A (ja) 1991-10-14

Family

ID=12160085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025227A Pending JPH03230394A (ja) 1990-02-06 1990-02-06 ランダムアクセスメモリ

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JP (1) JPH03230394A (ja)

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