JPH03231471A - 絶縁ゲート電界効果トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は絶縁ゲート電界効果トランジスタに関し、特に
素子の小型化に伴う短チヤネル効果を抑制するための構
造的な改良に関する。

［従来の技術］ 通常、ＩＧＦＥＴと略称される絶縁ゲート電界効果トラ
ンジスタにおいては、昨今、素子自体の縮小化や高速化
の要請に応えるためのチャネル長の短縮化に伴い、長チ
ャネル時代では考えられなかった種々の望ましくない現
象が観測されるようになってきた。

これらは−括的に短チヤネル効果と呼ばれているが、そ
うした現象の一つに、チャネル長を短縮して行くとしき
い値電圧が設計期待値から大幅にずれ、急激な低下を起
こすということがある。

その原因は、ドレイン領域の電位によって生ずる電界が
チャネル領域内をソース領域近傍にまで到達し、当該ソ
ース領域近傍の電位分布に影響を与える結果、ソース領
域からチャネル領域へのキャリア注入を制御している電
位障壁を大きく低下させることにあると考えられている
。

また、このドレイン電界のチャネル領域内への侵入の程
度は、ドレイン領域からチャネル領域に延びる空乏層の
拡がりの程度でほぼ推定でき、一般にドレイン電圧が大
きい程、チャネル領域内への空乏層の拡がりも大きいか
ら、それに連れてしきい値電圧の低下の程度も大きなも
のとなるし、極端な場合、空乏層がソース領域にまで達
すると、ドレイン電流が急激に増加する現象、いわゆる
パンチ・スルー現象をも起こすことがある。

そこで従来からも、こうした短チヤネル効果を抑制する
試みは種々なされてきたが、上記のようにしきい値電圧
の不測の変化を抑えるため、ドレイン電界の制御、ない
しはドレイン領域とチャネル領域との接合部からチャネ
ル領域内に拡がって行く空乏層の制御を目的とした構造
としては、例えば特公昭６２−１２７０号公報等に見ら
れるような第５図示の構造の絶縁ゲート電界効果トラン
ジスタ３０が知られている。

説明すると、半導体基板３１の上にこの種の絶縁ゲート
電界効果トランジスタとしての基本構造、すなわちソー
ス領域３３、ドレイン領域３４、それらソース、ドレイ
ン両領域３３　、３４により挟まれたチャネル領域３２
、そしてその上にゲート絶縁＠３５を介して設けられた
ゲート電極３６が構築されているのはもちろんであるが
、これらに加え、チャネル領域３２、ソース領域３３、
ドレイン領域３４の各底面と半導体基板３１の間には絶
縁物層３７が一連に設けられ、さらにこの絶縁物層３７
の下でチャネル領域３２に対向する位置には低抵抗なシ
ールド領域３８が埋め込まれている。

上記公報中によれば、こうした構造とすると、ゲート電
極３６と新たに設けた低抵抗シールド領域３８とでチャ
ネル、領域３２を上下から挟むことにより、当該チャネ
ル領域３２に関するシールド効果が期待できるので、ド
レイン電界がチャネル領域３２内に深く侵入し、ソース
領域３３の近傍にまで及んで短チヤネル効果を生ずるの
を軽減し得るとされている。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記の従来構造では、低抵抗シールド領域３８
とチャネル領域３２との間に介在する絶縁物層３７が、
図示のように当該チャネル領域３２の底面の全体を下か
ら覆うのみならず、さらにはドレイン領域、ソース領域
の底面の全領域をも覆うように設けられているので、ソ
ース領域３３やドレイン領域３４の導電型に対し、特に
チャネル領域３２の導電型が逆導電型の場合には、この
チャネル領域３２は基板電位に関し、電気的には浮遊状
態、すなわち基板３１の電位によってその電位を直接に
は制御できない状態になってしまう。

こうした状態は、あたかも絶縁基板上に形成された半導
体薄膜を持つ構造、すなわちＳＯＩ構造におけると実質
的に同様な状態であるので、特に短チヤネル化した場合
には、パンチ・スルー現象とは異なるものの、今度はい
わゆるキンク現象を招くことがある。キンク現象とは、
すでに知られている通り、ドレイン電流対ドレイン電圧
特性上でドレイン電圧を上昇させて行くとき、あるドレ
イン電圧以降からはドレイン電流が飽和せねばならない
所、なおステップ状に増加する現象を言い、これはもち
ろん、素子特性の不安定性を招くため、決して望ましい
現象ではない。

さらに、第５図示の従来構造による絶縁ゲート電界効果
トランジスタ３０では、絶縁物層３７とチャネル領域３
２の底面との界面領域に新たな導電チャネルが形成され
ることもあり、その下の低抵抗シールド領域３８の電位
を適切に制御しておかないと、これもやはり、素子の不
安定性を招く一因となるし、また、製作上も、低抵抗領
域３８の局所的な埋め込み形成等を必須とするので、必
ずしも簡単な構造とは言えない。

本発明はこのような従来の実情に鑑み、短チヤネル効果
、特にドレイン電界の深い侵入、ないしはドレイン接合
からの空乏層の大幅な広がりに基づく望ましくない現象
を軽減し、かつ素子の不安定要因を除去するため、新た
なる構造を付与した絶縁ゲート電界効果トランジスタを
提供せんとするものである。

［ｉ１題を解決するための手段］ 本発明は上記目的を達成するため、絶縁ゲート電界効果
トランジスタとしての通常の基本構造部分、すなわち、
半導体基板そのものであっても良いし半導体基板や絶縁
物基板上に形成された適当な半導体層であフても良い半
導体領域と、この半導体領域に形成されたソース、ドレ
イン領域と、これらソース、ドレイン領域に挟まれたチ
ャネル領域と、チャネル領域に対しゲート絶縁膜を挟ん
で対向するゲート電極とから成る構造部分に加えて、さ
らに下記■、■、■の少なくともどれか一つの限定に従
う絶縁物層を有する絶縁ゲート電界効果トランジスタを
提供する。

■　半導体領域とドレイン領域との間の少なくとも一部
（したがって全部でも良い二以下同様）に設けられた当
該絶縁物層は、ドレイン領域とチャネル領域との接合部
を越えてチャネル領域と半導体領域の間をソース領域に
向かって延び、ただしソース領域とチャネル領域との接
合部までには至らない位置で終わっていること。

■　半導体領域とドレイン領域との間の夕なくとも一部
に設けられた当該絶縁物層は、ドレイン領域とチャネル
領域との接合部を越えてチャネル領域と半導体領域の間
を延び、さらにチャネル領域とソース領域との接合部も
越えてソース領域と半導体領域との間にも延びているが
、チャネル領域と半導体領域との間に位置する部分にお
いて、少なくとも一つ以上の透孔を有するか、またはチ
ャネルの幅方向に切り通された少なくとも一つ以上のス
リットを有し、この透孔またはスリット内には、半導体
領域とチャネル領域との電気的導通を取る物貿が存在し
ていること。

■　半導体領域とドレイン領域との間の少なくとも一部
に設けられた当該絶縁物層は、ドレイン領域とチャネル
領域との接合部を趙えてチャネル領域と半導体領域の間
を延び、さらにチャネル領域とソース領域との接合部も
越えてソース領域と半導体領域との間にも延びているが
、ソース領域とチャネル領域との接合部から、チャネル
領域内でチャネル電流を主として担うキャリアとは反対
極性の少数キャリアのソース領域内における到達距離以
内の位置で終わっていること。

［作　用］ 上記したどの限定■〜■に従う絶縁物層を用いたにして
も、それらは機能的に捕えるとほぼ同一の作用を呈する
。

まず第一に、本発明による絶縁ゲート電界効果トランジ
スタでは、どの限定■〜■に従うにしても、当該絶縁物
層がドレイン領域と半導体領域との間からドレイン領域
とチャネル領域との接合を越え、少なくともチャネル領
域と半導体領域との間にも延びているので、ドレイン領
域からの空乏層が直接に、半導体領域中に拡がるのを防
ぐ作用を有すると共に、チャネル領域の底面の少なくと
も一部にも当該絶縁物層が延在するので、ゲート電極と
半導体領域とにより、チャネル領域に対するシールド効
果を確保できる。

のみならず、従来のように、シールド効果は得られでも
チャネル領域の電位を半導体領域の電位では直接に制御
できない場合があるのとは異なり、本発明の構成によれ
ば、絶縁物層がどの限定■〜■に従って構成されていて
も、チャネル領域の電位を半導体領域の電位にて制御す
ることができ、従来生じ兼ねなかった素子の不安定性を
回避するか、少なくとも低減することができる。

すなわち、上記■の限定に従う絶縁物層を設けたときに
は、明らかなように、当該絶縁物層はドレイン領域とチ
ャネル傾城との接合を越えてソース領域に向かって延び
ているとは言え、ソース領域にまでは至っていないので
あるから、チャネル領域は半導体領域と電気的に接触す
ることができ、したがフて電位的には接続関係を保つこ
とができるので、当然、電気的に浮遊状態になることは
ない。

全く同様に、上記■の限定に従う絶縁物層を用いた場合
にも、この絶縁物層は結果としてドレイン領域、チャネ
ル領域、ソース領域の全てと半導体領域の間の主要部に
存在することになるが、チャネル領域と半導体領域との
間に位置する部分においては少なくとも一つ以上の透孔
を有するか、またはチャネルの幅方向に切り通された少
なくとも一つ以上のスリットを有しており、かつ、これ
ら透孔またはスリット内には半導体領域とチャネル領域
との電気的導通を取る物質が存在しているので、当該チ
ャネル領域は半導体領域と電位的に接続関係を保つこと
ができ、電気的に浮遊状態になることはない。

なお、透孔またはスリット内に存在する物質とは、一般
には半導体領域と同一材質またはチャネル領域と同一材
質で良いが、限定的なことではなく、導電性を有する他
の物質であっても良い。

さらに、上記■の限定に従った絶縁物層を用いた場合に
も、チャネル領域の電位は半導体領域の電位にて制御で
き、浮遊状態に放置することがない つまり、この限定■に従った場合には、確かに物的ない
しは構造的にだけ見るならば、絶縁物層はドレイン領域
やチャネル領域と半導体領域との間に存在するのみなら
ず、ソース領域と半導体領域との間にも存在するため、
あたかも第５図に即して説明した従来例と同様、チャネ
ル領域は構造的にも周囲を完全に囲まれ、半導体領域と
は接触する部分がないように思われる。

しかし、この限定事項■に従う場合には、当該絶縁物層
は、チャネル領域とソース領域との接合部も越えてソー
ス領域と半導体領域との間に延びるにしても、当該ソー
ス領域とチャネル領域との接合部から、チャネル領域内
でチャネル電流を主として担うキャリアとは反対極性の
キャリアのソース領域内における到達距離以内の位置で
終わっていることが必要な条件として加えられている。

したがって、このような場合には、やはり電気的に見る
限り、半導体領域の電位によってチャネル領域内でチャ
ネル電流を主として担うキャリアとは反対極性のキャリ
アを制御できるので、このような場合には決して、チャ
ネル領域が電気的に浮遊状態にあるとは言わない。現に
、半導体装置の電位によってこうしたキャリアの振る舞
いを制御することができる。

結局、本発明の構成は、ドレイン領域からの空乏層の延
びを絶縁物層により制限し得るのみならず、チャネル領
域の電位に対する制御性、ないしはチャネル領域内でチ
ャネル電流を主として担うキャリアとは反対極性のキャ
リアに対する制御性を損わないという作用を呈すること
になり、パンチ・スルー現象もキンク現象も、効率良く
抑制することができる。

［実　施　例］ 第１図には本発明に従って構成された絶縁ゲート電界効
果トランジスタ１０の第一の実施例が示されている。

基板１１’が半導体である場合には当該半導体基板１１
’　そのものであっても良いし、そうでなく、基板１１
°が絶縁物である場合や、半導体であってもあえてその
上の全部または一部に別途に形成された適当な半導体層
であっても良い半導体領域１１には、この種の絶縁ゲー
ト電界効果トランジスタとして普通の構成要素群が当然
に備えられている。

すなわち、半導体領域１１の表面には互いに離間してソ
ース領域１３とドレイン領域１４が設けられ、それらソ
ース、ドレインの両領域１３．１４の間にチャネル領域
１２が規定されている。

チャネル領域１２の表面上には、一般にソース領域１３
やドレイン領域１４の表面上とも一連にゲート絶縁膜１
５が設けられ、さらにその上にはチャネル領域１２に対
して影響力のある電界を印加し得るゲート電極１６が備
えられている。

ここで便宜のため、ここまでの構造を通常の絶縁ゲート
電界効果トランジスタと同様であって良い構造という意
味で、絶縁ゲート電界効果トランジスタの“基本構造部
分”と呼び、以下の実施例でも単に基本構造部分と言っ
た場合には、この部分（１１〜１６）を指すものとする
。

してみるに、このような基本構造部分に加え、この第１
図示の絶縁ゲート電界効果トランジスタ１０では、ドレ
イン領域１４と半導体領域１１との間に絶縁物層１７が
設けられ、かつ、この絶縁物層１７は当該ドレイン領域
１４とチャネル領域１２との接合部からソース領域１３
の側に向けて延び出し、ソース領域１３とチャネル領域
１２との接合部には至らない位置で終わっている。

このような構造であると、ドレイン領域１４と半導体領
域１１との間に絶縁物層がある結果、ドレイン領域１４
から発生し得る空乏層は半導体領域への延び出しを制限
され、かつまたチャネル領域１２に対し、ゲート領域１
６と半導体領域１１とで絶縁物層１７を介して挟み込ん
だ構造部分の存在の故に、必要なシールド効果をも与え
ることができる。

したがって、冒頭に述べた￥Ｓ５図示の従来例における
と同様、パンチ・スルーを効果的に抑制し得るだけでは
なく、逆に当該従来例では生じ得ることのあったキンク
効果等も抑制することができ、素子特性の安定化を計る
ことができる。

何故ならば、従来素子においてはチャネル領域が完全に
半導体領域に対して電位的に遮断された関係にあり、浮
遊状態になっていたが、本発明のこの実施例によれば、
少なくとも絶縁物層１７がソース領域１３とチャネル領
＠１２との接合部にまで至っていないことにより当該チ
ャネル領域１２と半導体領域１１とが電気的に接触する
部分Ｓを残し得るため、チャネル領域１２の電位を半導
体領域１１の電位により制御可能だからである。

ただｌ／　％チャネル領域１２と半導体領域１１とが電
位的に接続状態になるためには上記のような接触部分Ｓ
があれば良く、当該部分Ｓによる電気的なコンタクト面
積の大きさの如何は原理的には関係がないので、この第
１図示の構造に従う場合にも、絶縁物層１７のソース側
端は当該ソース領域１３とチャネル領域１２との接合部
に十分近付けて良く、換言すれば半導体領域１１とチャ
ネル領域１２との電気的接触部分Ｓは十分に幅狭であっ
て良い。−数的に言えば、この接触部分Ｓの幅が狭い程
、絶縁物層１７のチャネル領域下の面積を稼げるので、
当該チャネル領域１２を半導体領域１１とゲート電極１
６とで挾み込んでのシールド効果は高まることになる。

さらに、この考えを推し進めれば、チャネル領域１２は
、その底面のほぼ大域的な領域が半導体領域１１に対し
絶縁物層１７により絶縁されていても、少なくともその
一部で当該半導体領域１１に対して電気的なコンタクト
を採り得る状態となっていれば良いので、例えば第２図
に示されているような構造でも、上記とほぼ同様の作用
を期待することができる。

すなわち、この第二の実施例においては、絶縁物層１７
は結果としてドレイン領域１４、チャネル領域１２、ソ
ース領域１３の全てと半導体領域１１どの間に設けられ
ているが、チャネル領域１２の下の任意の個所でチャネ
ル幅方向に切通されたスリッ）１Ｂを有し、この中には
半導体領域】１の形成材料か、またはその上に形成する
チャネル領域１２の形成材料が充填的に収まっているの
で、当該スリット１８が上記した第一実施例における半
導体基板とチャネル領域との電気的な接触部分Ｓを構成
することになり、空乏層の制御を計りながらチャネル領
域１２の電位を半導体領域１１のそれによって制御する
ことができる。

なお、この第二の実施例でも、絶縁ゲート電界効果トラ
ンジスタ１０としての基本構造部分１１〜１６は既述の
通り、第１図示実施例と同様で良いので、繰返しての説
明は省略し、以下の第３，４図示の他の実施例において
もそのようにする。

また、この第２図示の実施例におけるように、チャネル
幅方向に亙るスリット１８（ないし直接接触部分Ｓ）を
設ける場合にもその幅は任意であり、十分狭くて良いし
、この中に設けられる物買も、上記したように半導体領
域１１またはチャネル領域１２の形成用材料と同じにす
ることが最も一般的であって製作も容易であるものの、
限定的なことではなく、当該半導体領域１１とチャネル
領域１２との電位的な接続関係を保ち得る材料であれば
良い。

さらに、スリット１Ｂに代え、第３図に示されるように
絶縁物層１７の一部に少なくとも一つ、透孔！９を穿ち
、この中に、半導体領域１１とチャネル領＠Ｉ２との間
の電位的接続関係を満たし得る材料を充填状に形成して
も全（同様の作用が得られる。もちろんこうした場合、
この透孔１９がこれまでの実施例において半導体領域１
１とチャネル領域１２とを電気的に接触させる部分Ｓに
相当する。

なお、この第３図では、チャネル領域１２の下にあって
絶縁物層１７に形成されているこの透孔１９を良く示す
ため、チャネル領域１２やその上の構造部分は取り払っ
ているが、当該透孔１９の平面バタン形状は任意であり
、図示の楕円形状に限ることはない。

また、これら第２，３図示の構成に従う場合、スリット
や１８や透孔１９を設ける位置をドレイン領域１４から
もソース領域１３からもほぼ等距離な位置（端的に言え
ばチャネル領域の長さ方向のほぼ中間点位置）とすると
、特にドレイン領域とソース領域との交換使用を可能に
する絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する場合に
は、構造的にも特性的にも対称性を保つことができる。

第４図に示す本発明のさらに他の実施例としての絶縁ゲ
ート電界効果トランジスタ１０は、ドレイン領域１４と
チャネル領域１２との接合部を越え、さらにチャネル領
域１２とソース領域１３との接合部も越えて延びる絶縁
物層１７を有しているが、ただしこの絶縁物層１７は、
ソース領゛７域１３とチャネル領域１２との接合部から
、チャネル領域内でチャネル電流を主として担うキャリ
アとは反対極性のキャリアのソース領域内における到達
距離以内の位置で終わフている。

すなわち、絶縁物層１７においてチャネル領域１２とソ
ース領域】３との接合部から当該ソース領域１３の側に
侵入する距ＭＬｌが、上記したようにチャネル領域内で
チャネル電流を主として担うキャリアとは反対極性のキ
ャリアの到達距離以内と限定されているので、このよう
な場合には、構造的にはチャネル領域１２と半導体領域
１１とが直接に接触する部分が存在しなくても、こうし
たキャリアは半導体領域１１の電位により制御性良く制
御でき、チャネル領域１２を問題となる浮遊状態に放置
しないで済む。

以上、本発明の幾つかの実施例について説明したが、ど
の実施例にも共通して言える改変事項等につき、少しま
とめて置く。

まず、ドレイン領域１４の底面下に設ける絶縁物層１７
において、チャネル領域側の端部とは対向する端部は、
便宜上、第１図示の実施例にのみ代表して同図中に仮想
線１７Ｅで示すように、ドレイン接合部からの離間距ｍ
ｔ２がチャネル長に比して十分長い位置で終わっていれ
ばそれで良く、したがって、ドレイン領域１４と半導体
領域１１とは絶縁物層１７で完全に絶縁されていなくて
も良い。そうであっても、既述した本発明の作用、効果
は何等大きく損われない。

同様に、今度は第４図示の実施例を借りて代表的に示す
ように、ドレイン領域１４の底面下に設ける絶縁物層１
７においてチャネル領域側の端部とは対向する端部１７
Ｅ”　（仮想線）は、半導体領域１１が特に半導体基板
１１’の一部に形成されているような場合、ドレイン領
域１４と当該半導体基板１１゜との全ての間には設けら
れず、それらドレイン領域１４と当該半導体基板１１’
間を電気的に接続する位置で終わっていても良い。

また、同じべどの実施例についても言えるが、便宜上、
再度第１図示の実施例を借り、符号１７゜で示すように
、絶縁物層１７の厚さをドレイン領域１４の下では（実
施例によりソース領域１３の下にもある場合にはそこで
も）十分に厚くして浮遊容量の低下を計り、一方でチャ
ネル領域１２と半導体領域１１との間の部分では十分に
薄くしてチャネル領域１２に対するシールド効果を高め
るようにしても良い。

製作上も、本発明の構造に従う絶縁ゲート電界効果トラ
ンジスタは比較的容易に製造可能である。例えば冒頭に
述べた従来例のように、特に局所的に低抵抗領域を設け
るような必要もなく、チャネル領域１２の下の半導体領
域の不純物濃度は任意で良いし、全体的な構造も、例え
ば最近の報告（ＪＪＡＰ、Ｖｏｌ、２７．Ｎｏ、１０．
ｐｐ、Ｌｉ２Ｏ２−Ｌｉ９Ｏ５，１９８８等）に見られ
る横方向固相エピタキシイエ程と従来のＭＯ３製造工程
とを用いることで精度良く実現することができる。

また、本発明で言う絶縁物層１７とは、半導体領域に対
してその部分でチャネル領域１２やその近傍のドレイン
領域部分ないしはソース領域部分との間で電気的に絶縁
状態を保ち得るものであれば良く、この種の半導体デバ
イス製作に適当である限り、特定の材質に限定されるも
のではない。

［効　果］ 以上のように、本発明によると、半導体領域とゲート電
極とによりチャネル領域に対するシールド効果を確保し
、ドレイン領域からの空乏層の延びを制御することによ
って短チヤネル効果を効果的に抑制できるのみならず、
当該シールド構造に＋　１ １伴°て新ｔ″１生するキ″″現象や導電チ゛１″の生
成現象環、素子の不安定性要因の発生も効果的に抑え込
むことができ、いわゆる短チヤネル化された絶縁ゲート
電界効果トランジスタの特性や信頼性を大きく向上させ
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明絶縁ゲート電界効果トランジスタの第一
実施例の概略構成図。 第２図は本発明第二実施例の概略構成図。 第３図は第２図示の実施例に改変を施した第三実施例に
関し、その要部をのみ取出して図示した概略構成図。 第４図は本発明のさらに他の実施例の概略構成図 第５図は従来において短チヤネル効果抑制のために提案
された構造を含む絶縁ゲート電界効果トランジスタの概
略構成図。 である。 図中、１０は本発明に従って構成された全体としての絶
縁ゲート電界効果トランジスタ、１１は半導体領域、１
２はチャネル領域、１３はソース領域、１４はドレイン
領域、１５はゲート絶縁膜、１６はゲート電極、１７は
絶縁物層、１８はスリット、１９は透孔、Ｓは半導体領
域とチャネル領域との電気的な接触部分、である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体領域に形成されたソース、ドレイン領域と
   、該ソース、ドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、
   該チャネル領域に対しゲート絶縁膜を挟んで対向するゲ
   ート電極とを有して成る絶縁ゲート電界効果トランジス
   タであって； 上記半導体領域と上記ドレイン領域との間の少なくとも
   一部に設けられた絶縁物層を有し；該絶縁物層は、上記
   ドレイン領域と上記チャネル領域との接合部を越えて該
   チャネル領域と上記半導体領域の間を上記ソース領域に
   向かって延び、ただし上記ソース領域と該チャネル領域
   との接合部までには至らない位置で終わっていること； を特徴とする絶縁ゲート電界効果トランジスタ。
2. （２）半導体領域に形成されたソース、ドレイン領域と
   、該ソース、ドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、
   該チャネル領域に対しゲート絶縁膜を挟んで対向するゲ
   ート電極とを有して成る絶縁ゲート電界効果トランジス
   タであつて；上記半導体領域と上記ドレイン領域との間
   の少なくとも一部に設けられた絶縁物層を有し；該絶縁
   物層は、上記ドレイン領域と上記チャネル領域との接合
   部を越えて該チャネル領域と上記半導体領域の間を延び
   、さらに該チャネル領域と上記ソース領域との接合部も
   越えて該ソース領域と上記半導体領域との間にも延びて
   いるが、上記チャネル領域と上記半導体領域との間に位
   置する部分において、少なくとも一つ以上の透孔か、上
   記チャネルの幅方向に切り通された少なくとも一つ以上
   のスリットを有し；上記透孔または上記スリット内には
   、上記半導体領域と上記チャネル領域との電気的導通を
   取る物質が存在していること； を特徴とする絶縁ゲート電界効果トランジスタ。
3. （３）半導体領域に形成されたソース、ドレイン領域と
   、該ソース、ドレイン領域に挟まれたチャネル領域と、
   該チャネル領域に対しゲート絶縁膜を挟んで対向するゲ
   ート電極とを有して成る絶縁ゲート電界効果トランジス
   タであって；上記半導体領域と上記ドレイン領域との間
   の少なくとも一部に設けられた絶縁物層を有し；該絶縁
   物層は、上記ドレイン領域と上記チャネル領域との接合
   部を越えて該チャネル領域と上記半導体領域の間を延び
   、さらに該チャネル領域と上記ソース領域との接合部も
   越えて該ソース領域と上記半導体領域との間にも延びて
   いるが、該ソース領域と該チャネル領域との接合部から
   、該チャネル領域内でチャネル電流を主として担うキャ
   リアとは反対極性のキャリアの該ソース領域内における
   到達距離以内の位置で終わっていること； を特徴とする絶縁ゲート電界効果トランジスタ。