JPH03231970A - 芳香族ジメチリディン化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は芳香族ジメチリディン化合物及びその製造方法
に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス（Ｅｌ、）
素ｒの発光材料などに有用な♀Ｊｉ現な％香族ジメチリ
ディン化合物及びその効率のよい製造り法に関する。

〔従来の技術及び発明か解決しようとする課題〕有機化
合物の高い蛍光効率に着［４Ｌ、有機化合物のＥＬ性能
を利用した素子・の研究は古くから行われている。例え
ば、Ｗ、　Ｈｅ１ｆｒｉｓｈ、　ＤｒｃｓｍｅｒｌＶｉ
ｌｌｉａｍｓらはアントラセン結晶を用い、青色発光を
？！１ている（Ｊ、Ｃｈｅｍ、　Ｐｔｖｙｓ、、４４．
２９０２　（１９６６））。

また、ＶｉｎｅｅｔｔやＢａｒｌｏｗらは、縮合多環芳
香族化合物を真空蒸着法により発光素子・の製作を行っ
ている（Ｔｈｉｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ、　９９．
１７１（１９８２））。

しかしいずれも発光輝度２発光効率は低いものしか得ら
れていない。

最近、テ１〜ラフェニルブタジエンを発光材料に用いて
１００ｃｄ／ｎｆの青色発光を得たことが報告されてい
る（特開昭５９−１９４３９３号公報）。

さらに、正孔伝導性のジアミン化合物と発光材料として
の蛍光性アルミニラムギレート錯体を積層することによ
り、輝度１０００ｃｄ／ｎイ以トの緑色発光有機薄膜Ｅ
Ｌ素子を開発したことが報告されている（Ａｐｐｌ、円
〕ｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、　５１．９１３（１９８７））
。

また、レーザー色素として有名なジスチリルベンゼン系
化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有し、これを
発光材料として単層て８０ｃｄ／ｒｒｆ程度のＥ　Ｌ発
光を得られたことか報告されている（欧州特許０３１９
８８］）。

しかしながら、輝度１０００Ｃｄ／ｒｒｆ以上の高輝度
で高効率な発光材料は、緑色以外（特に青色系統）では
まだ得られていないのか現状である。

また、ジスチリル化合物を含有することを特徴とする感
光体について、特開昭６３−２６９１５８号公報に示さ
れているか、ここに示される化合物は、中心部位が無置
換のフェニル基であり、これを発光材料としてＥＬ素子
を作成すると、結晶化が進行し、薄膜性か劣ることが明
らかである。

そこて本発明者らは、青紫〜緑にわたる領域（特に青色
）で輝度１０００ｃｄ／ｎ（以上の高輝度のＥＬ発光か
得られる化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。

〔課題を解決するだめの手段〕

その結果、特定の置換基を有する新規な芳香族ジメチリ
ディン化合物が、ト記目的にかなうものであることを見
出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したもので
ある。

すなわち本発明は、 −・船人 〔式中、Ｒ１−Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基。

炭素数７〜８のアラルキル基、置換あるいは無置換の炭
素数６〜１８のアリール基、置換あるいは無置換の芳香
族複素環基、置換あるいは無置換のシクロヘキシル基、
置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ
基、炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換
基は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコ
キシ基、炭素数６〜Ｉ８のアリールオキシ基、フェニル
基、二１・ロ基、水酸基あるいはハロゲンを示す。これ
らの置換基は川−でも複数でもよい。またＲ　Ｉ、　Ｒ
１は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ１と
Ｒ２，Ｒ２とＲ４は置換している基と結合して、置換あ
るいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽
和六員環を形成してもよい。

Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２゜のアリール
基を表わし、単一置換されていても、複数置換されてい
てもよく、また結合部位は、オルトパラ、メタいずれで
もよい。なお置換基は前記と同じである。また、アリー
ル基の置換基同士か結合して、置換あるいは無置換の飽
和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成し
てもよい。但し、Ａｒか無置換フェニレンの場合、Ｒ’
−Ｒ’は、それぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素
数７〜８のアラルキル基、置換あるいは無置換のナフチ
ル基、置換あるいは無置換のピフェニル基、置換あるい
は無置換のシクロヘキシル基、置換あるいは無置換のピ
リジル基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基より
選ばれたものである。〕で表わされる芳香族ジメチリデ
イン化合物を提供するものである。また、本発明は、 一般式 〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あるいはフェニ
ル基を示し、Ａｒは前記と同じである。〕で表わされる
アリーレン基含有リン化合物を、一般式 ％式％（） 〔式中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ前記Ｒ１〜Ｒ４と同
じである。但し、アルキル基、アラルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基である場合は除く。〕 で表わされるケトンと縮合させることを特徴とする尺０ Ｋ” 〔式中、Ａｒは前記と同しである。Ｒ５，Ｒｇは、それ
ぞれ前記Ｒ１〜Ｒ４と同じである。但し、アルキル基、
アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基である
場合は除く。〕 で表わされる芳香族ジメチリディン化合物の製造方法（
以下、方法へという）を提供し、さらに一般式 〔式中、Ｒ７及びＲｓは、それぞれ前記Ｒ１〜Ｒ４と同
じである。〕 で表わされるリン化合物を、 一般式 〔式中、Ａｒは前記と同じである。〕 で表わされるジアルデヒドと縮合させることを特） 徴とする 一般式 〔式中、Ａｒは前記と同じである。Ｒ７，Ｒｍは、それ
ぞれ前記Ｒ１〜Ｒ４と同じである。〕で表わされる芳香
族ジメチリデイン化合物の製造方法（以下、方法Ｂとい
う）を提供するものである。更に、本発明は、 一般式 〔式中、Ｒ１及びＲ２，Ａｒ、Ｒは前記と同じである。

〕 で表わされるアリーレン基含有リン化合物を一般式 〔式中、Ｒ３及びＲ４は前記と同じである。〕で表わさ
れるケトンと縮合させることにより、上記一般式（Ｉ）
で表わされる芳香族ジメチリディン化合物を製造する方
法（以下、方法Ｃという）を提供するものである。

ここで、一般式（Ｉ）中のＲ’〜Ｒ４は、前述の如く同
一でも異なってもよく、それぞれ炭素数１〜６のアルキ
ル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、ｉブチル基、　５ｅＣ−ブチル
基、　ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ｔ−ペン
チル基、ネオペンチル基。

イソヘキシル基）、炭素数７〜８のアラルキル基（ベン
ジル基、フェネチル基等）、フェニル基。

アルコキシ基、シクロヘキシル基２　ビフェニル基。

ナフチル基又は複素環式基（ピリジル基、カルバゾリル
基、キノリル基等）を示す。また、Ｒ１−Ｒ４は、これ
らに置換基の結合したものでもよい。

即ち、さらにＲ１−Ｒ４は、それぞれ置換基含有フェニ
ル基、置換基含有アラルキル基、置換基含有シクロヘキ
シル基、置換基含有ビフェニル基、置換基含有ナフチル
基あるいは置換基含有複素環式基を示す。ここで、置換
基はアルキル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基、
フェニル基及びニトロ基、水酸基、ハロゲンであり、複
数置換されていてもよい。したがって、置換基含有アラ
ルキル基は、アルギル基置換アラルキル基（メチルベン
ジル基、メチルフェネチル基等）、アルコキシ基置換ア
ラルキル基（メトキシベンジル基、エトキシフェネチル
基等）、アリールオキシ基置換アラルキル基（フェノキ
シベンジル基、ナフチルオキシフェネチル基等）、フェ
ニル基置換アラルキル基（フェニルフェネチル基等）上
記置換基含有フェニル基は、アルキル基置換フェニル基
（トリル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基な
ど）、アルコキシ基置換フェニル基（メトキシフェニル
基、エトキシフェニル基など）アリールオキシ基置換フ
ェニル基（フェノキシフェニル基。

ナフチルオキシフェニル基等）あるいはフェニル基置換
フェニル基（つまり、ビフェニリル基）である。また、
置換基含有シクロヘキシル基は、アルキル基置換シクロ
ヘキシル基（メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロ
ヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等）、アルコキシ
基置換シクロヘキシル基（メトキシシクロヘキシル基、
エトキシシクロヘキシル基等）あるいはアリールオキシ
基置換シクロヘキシル基（フェノキシシクロヘキシル基
、ナフチルオキシシクロヘキシル基）、フェニル基置換
シクロヘキシル基（フェニルシクロヘキシル基）である
。置換基含有ナフチル基は、アルキル基置換ナフチル基
（メチルナフチル基、ジメチルナフチル基等）、アルコ
キシ基置換ナフチル基（メトキシナフチル基、エトキシ
ナフチル基等）あるいはアリールオキシ基置換ナフチル
基（フェノキシナフチル基、ナフチルオキシナフチル基
）、フェニル基置換ナフチル基である。さらに、置換基
含有複素環式基の例として例えば、置換基含有ピリジル
基は、アルキル基置換ピリジル基（メチルピリジル基、
ジメチルピリジル基、エチルピリジル基等）、アルコキ
シ基置換ピリジル基（メトキシピリジル基、工ｌ・キシ
ピリジル基等）あるいはアリールオキシ基置換ピリジル
基（フェノキシピリジル基、ナフチルオキシピリジル基
）。

フェニル基置換ピリジル基である。

Ｒ１−Ｒ４としては、上述したもののうち、それぞれ炭
素数１〜６のアルキル基、アリールオキシ基、フェニル
基、ナフチル基、ビフェニル基、ピリジル基、シクロヘ
キシル基が好ましい。これらは置換・無置換のいずれで
もよい。

一方、−船人（Ｉ）中のＡｒは置換あるいは無置換のフ
ェニレン基、ビフェニレン基、ｐ−チルフェニレン、ナ
フチレン基、アントラセンジイル基等のアリーレン基で
あり、単一置換されていても複数置換されていてもよい
。又、メチリディン＼ Ｃ＝ＣＨ− ／ の結合位置はオルト、メタ、バラ等どこでもよい。

但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ１−Ｒ４は炭
素数１〜６のアルコキシ基、炭素数７〜８のアラルキル
基、置換あるいは無置換のナフチル基。

ビフェニル基、シクロヘキシル基、ピリジル基。

アリールオキシ基より選ばれたものである。置換基はア
ルキル基（メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、１−ブチル基、　５ｅｅ−
ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチ
ル基、ネオペンチル基、イソヘキシル基等）、アルコキ
シ基（メトキシ基。

エトキシ基、プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基。

ブチルオキシ基、ｉ−ブチルオキシ基、　５ｅｅ−ブチ
ルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、イソペンチルオキシ
基、ｔ−ペンチルオキシ基）、アリールオキシ基（フェ
ノキシ基、ナフチルオキシ基等）フェニル基、水酸基、
ニトロ基、ハロゲンであり、単一置換ても複数置換され
ていてもよい。

前記式（Ｉ）で表わされるジメチリディン芳香族化合物
は、１分子中に２つのメチリディン＼ （Ｃ＝ＣＨ−）単位を有し、このメヂリデ／ イン単位の幾何異性によって、４通りの組合わぜすなわ
ち、シス−シス、トランス−シス、シス−トランス及び
トランス−トランスの組合わせがあるか、本発明のジメ
チリデイン芳香族化合物は、それらのいずれのものであ
ってもよいし、幾何異性体の混合したものでもよい。特
に好ましくは、全てトランス体のものである。

上述した本発明の新規な芳香族ジメチリデイン化合物は
、各種の方法で製造することかできるが、本発明の方法
Ａ、ＢあるいはＣによれば、効率よく製造することかで
きる。

まず、本発明の方法へでは、前述の一般式（Ｉ［）で表
わされるアリーレン基含有リン化合物と一般式（Ｉ）で
表わされるケトンとを、縮合反応させることによって、
目的とする一般式（Ｉ′）の芳香族ジメチリディン化合
物を製造する。ここで−船人（ＩＩ）中のＡｒは、製造
すべき芳香族ジメチリディン化合物のＡｒに対応する。

また、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基）及びフェニル基
である。このアリーレン基含有リン化合物は、公知の方
法、例えばＡ　ｒｂｓｏｖ反応：つまり一般式　　ＸＨ
２Ｃ−Ａｒ−ＣＨ２Ｘ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒは前記と同しで
ある。〕 て表わされる芳香族ビスハロメチル化合物と、−船人　
　　（ＲＯ）３Ｐ 〔式中Ｒは前記と同じである。〕 て表わされる亜すン酸トリアルキルを反応させることに
より得ることができる。

また、−船人（ＩＴＩ）のケトンにおいて、Ｒ４，Ｒ６
は、製造すべき芳香族ジメチリデイン化合物のＲ５Ｒ６
に対応して選定される。なお、ここてＲ５，Ｒ６は前記
Ｒ１〜Ｒ４と同様である（但し、アルキル基。

アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基を除く
）。

この−船人（ｎ）のアリーレン基含有リン化合物と一般
式（ＩＩＩ）のケトンとの縮合反応は、様々な条件で進
行させることができる。ここで用いる反応溶媒としては
、炭化水素、アルコール類、エーテル類が良好である。

具体的には、メタノール：エタノール：イソプロバノー
ル；ブタノール；２メトキシエタノール：１，２−ジメ
トキシエタン：ビス（２−メトキシエチル）エーテル：
ジオギサン：テトラヒドロフラン、ｌ・ルエン、キシレ
ン　ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド：Ｎ−メチルピロリドン、１．３−ジメチル−２−
イミダゾリジノンなどが挙げられる。

中でもテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシドか好
適である。

また、縮合剤としては苛性ソーダ、苛性カリナトリウム
アミド、水素化すトリウム、ｎ−ブチルリチウム、すｌ
・リウムメチラート及びカリウムｔ−ブトキシド等のア
ルコラードか、必要に応じて用いられる。中でもｎ−ブ
チルリチウム、カリウｊ、−ｔ−ブトキシドか好適であ
る。

反応温度は、用いる反応原料の種類や他の条件により異
なり、一義的に定めることはできないが、通常は約０°
Ｃ〜約１００’Ｃまで広範囲に選択することかできる。

特に好ましくは１０°Ｃ〜７０°Ｃの範囲である。

本発明の芳香族ジメチリディン化合物は、上記方法Ａで
効率よく製造することができるが、またこの芳香族ジメ
チリディン化合物のうち、特定のものは、方法Ｂによっ
ても効率よく製造する。二とができる。

この方法Ｂでは、−船人（ＩＶ）で表わされるリン化合
物と一般式（Ｖ）で表わされるジアルデヒドとを、縮合
反応させることによって、目的とする一般式（Ｉ　”　
）の芳香族ジメチリデイン化合物を製造する。ここで−
船人（ＩＶ）中のＲは炭素数１〜４のアルギル基（例え
ば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基）及び
フ５−ニル基てあり、Ｒ７，Ｒ８は製造すべき芳香族ジ
メチリデイン化合物のＲ７，ＲＲに対応する。また、−
船人（Ｖ）中のＡｒは、製造すべき芳香族ジメチリディ
ン化合物のＡｒに対応する。

この−船人（ＩＶ）のリン化合物と一般式（Ｖ）のジア
ルデヒドとの縮合反応は、様々な条件で進行させること
ができる。ここて好適に用ら第１る反応溶媒や縮合剤は
、前記方法へで用いるものと同様である。また、反応温
度は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、
一義的に定めるこどはてきないか、通常は約０°Ｃ〜約
１００’Ｃまで広範囲に選択することかできる。特に好
ましくは０°Ｃ〜７０°Ｃである。

本発明の芳香族ジメヂリディン化合物は、上述の方法Ａ
及び■うにより効率よく製造することかできる。また、
さらに方法Ｃによっても製造できる。

、二のｈ法Ｃては、−船人（ＶＩ）で表わされろリン化
合物と−・船人（■）で表わされるケトンとを縮合反応
させることによって、目的とする一般式（Ｉ）の芳香族
ジメチリディン化合物を製造する。

ここで−船人（■）中のＲは炭素数１〜４のアルギル基
（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
）及びフェニル基てあり、Ｒ１，Ｒ２は製造ずべき芳香
族ジメチリディン化合物のＲ１゜Ｒ２に対応して選定さ
れる。ここで、−船人（ＶＩ）の製造法としては、−船
人 （Ｒ’、Ｒ２，Ｒは、前記と同である。〕て表わされる
リン化合物を 一般式 ％式％ 〔式中、Ａｒは前記と同である。〕 で表わされるアルデヒドを縮合させることにより一般式 ％式％ 〔式中、Ｒ’、Ｒ２，Ａｒは前記と同゛Ｃある。〕で去
わされる芳香族メチリディン化合物か得られる。これを
公知の方法、例えばＮ−ハロアミド、特にＮ−クロロ及
びＮ−ブロモ−コハク酸アミドによるハロゲン化反応に
より一般式 ％式％ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒ、Ｒ’、Ｒ２は
前記と同しである。〕 て表わされる芳香族ハロメチル化合物が得られる。

このハロメチル化合物と、 一般式　　（ＲＯ）　ａ　Ｐ 〔式中、Ｒは前記と同である。〕 て表わされる亜リン酸ｌ・リアルギルを反応させること
により得ることができる。

以上が一般式（ＶＩ）の製造法であるが、また、−船人
（■）のケトンるおいて、Ｒ’、Ｒ’は、製造すべき芳
香族ジメチリディン化合物（Ｉ）のＲ３Ｒ４に対応し、
選定される。

この−船人（ＶＩ）のリン化合物と一般式（■）のケト
ンとの縮合反応は、様々な条件で進行させることかでき
る。ここて、好適に用いられる反応溶媒や縮合剤は、前
記方法へで用いるものと同様である。また、反応温度は
、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一義
的に定めることはてきないが、通常は約０°Ｃ〜約１０
０°Ｃまて広範囲に選定することかできる。特に好まし
くは、０°Ｃ〜７０℃の範囲である。

一般式（Ｉ）で表わされる化合物の具体例としては、次
に示すものを挙げる、二とかできる。

＝　２７　− ２ １ ■ ３２ ｒ ６ ９ このようにして得られる本発明の芳香族ジメチリディン
化合物は、低電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子とし
て有効に利用できるものである。

この本発明の芳香族ジメチリディン化合物は、ＥＬ素−
ｒの発光層どして不可欠な電子注入機能、電子輸送機能
及び発光機能を兼備し、しかも耐熱性薄膜性にすぐれて
いる。さらに、この芳香族ジメヂリディン化合物は、蒸
着温度まで加熱しても、分解や変質することなく、均一
な微結晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホー
ルが生成しないという長所がある。

すでに述べたように、本発明の前記一般式（Ｉ）で表わ
される化合物は、ＥＬ素子における発光層として有効で
ある。この発光層は、例えは蒸着法。

スピンコード法、キャスト法などの公知の方法によって
、一般式（Ｉ）の化合物を薄膜化してことにより形成す
ることがてきるか、特に分子堆積膜とすることが好まし
い。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈
着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相
状態から固体化され形成された膜のことであり、例えば
蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法によ
り形成された薄膜（分子累積膜）とは区別することがで
きる。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号
公報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と
該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたのち、これを
スピンコード法などにより薄膜化し、形成することがで
きる。

このようにして形成された発光層の薄膜については特に
制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通
常５ｒｉｍないし５μｍの範囲で選定される。

このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時に、
陽極又は正孔注入層により正孔を注入することかてき、
かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することができ
る注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界
の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合
の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光
機能などを有している。

なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されやすさ
に違いかあってもよいし、正孔と電子の移動度で表わさ
れる輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電
荷を移動することが好ましい。

この発光層に用いる前記−船人（Ｉ）で表わされる化合
物は、一般にイオン化エネルギーが６．ＯｅＶ程度より
小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、
比較的正孔を注入しやすい。

また電子親和力は２．８ｅＶ程度より大きいのて、適当
な陰極金属又は陰極化合物を選べば、比較的電子を注入
しやすい上、電子、正孔の輸送能力も優れている。さら
に固体状態の蛍光性か強いため、該化合物やその会合体
又は結晶などの電子と正孔の再結晶時に形成された励起
状態を光に変換する能力が大きい。

本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成は、各種の態様
があるが、基本的には、一対の電極（陽極と陰極）間に
、前記発光層を挟持した構成とし、これに必要に応じて
、正孔注入層や電子注入層を介在させればよい。具体的
には（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入
層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光層／
電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。該
正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではないが、
これらの層があると発光性能か一段と向上する。

また、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持
されていることが好ましく、該基板については特に制限
はなく、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガ
ラス、透明プラスチック。

石英なとから成るものを用いることができる。

このＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい
（４ｅＶ以上）金属１合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる
。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属
、ＣｕＬ　　ｒ”ｒｏ。

５ｎ０２．ＺｎＯなどの誘電性透明材料か挙げられる。

該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングな
どの方法により、薄膜を形成させることに３ より作製することができる。この電極より発光を取り出
す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ま
しく、また、電極としてのシー１−抵抗は数百Ω１０］
ｍ以下が好ましい。

さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍないし１μ
ｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）
金属１合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものが用いられる。このような電極物質の
具体例としては、ナトリウム。

ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、
マグネシウム／銅混合物、　Ａｆｆ／Ａ、ｊ？Ｏ７゜イ
ンジウムなどが挙げられる。該陰極は、これらの電極物
質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形
成させることにより、作製することができる。また、電
極としてのシート抵抗は数百Ω／　ｍｍ以下が好ましく
、膜厚は通常１０ｎｍないし１μｍ、好ましくは５０〜
２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、このＥＬ素子にお
いては、該　４− 陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であるこ
とが、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好
都合である。

本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成は、前記したよ
うに、各種の態様があり、前記（２）又は（３）の構成
のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注入輸送層）は、
正孔伝達化合物からなる層であって、陽極より注入され
た正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層
を陽極と発光層との間に介在させることにより、より低
い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、発光
層に陰極又は電子注入層より注入された電子は、発光層
と正孔注入層の界面に存在する電子の障壁により、この
発光層内の界面付近に蓄積され発光効率が向上するなど
、発光性能の優れた素子となる。

前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を
与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注
入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合
物であって、例えば１０４〜１０’Ｖ／ｃｍの電界印加
時に、少なくとも１０ｃｒｄ　／　Ｖ・秒の正孔移動度
をもつものが好適である。

このような正孔伝達化合物については、前記の好ましい
性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導
電材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されてい
るものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。

該電荷輸送材としては、例えばトリアゾール誘導体（米
国特許第３．１１２．１９７号明細書などに記載のもの
）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第３．１８９．
４４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール誘導
体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のもの）
、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３．６１５
，４０２号明細書。

同３，８２０．９８９号明細書、同３，５４２，５４４
号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１１０９８
３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１
７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−５
０６３号公報同５Ｆ＋−１５６９５３号公報、同５６−
３６６５６号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導
体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３．１８０，７２
９号明細書、同４，２７８．７４６号明細書、特開昭５
５−８８０６４号公報、同５５８８０６５号公報、同４
９−１０５５３７号公報。

同５５−５２０６３公報、同５６−８００５１号公報、
同５６−８８１４１号公報、同５７４５５４５号公報、
同５１−１１２６３７号公報。

同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第３．６１５，４０４号
明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７
１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４ ５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報。

同５１−１１９９２５号公報などに記載のもの）、アリ
ールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明
細書、同３．１８０，７０３号明細書。

同３，２４０．５９７号明細書、同３，６５８，５２０
号明細書、同４，２３２．１０３号明細書。

７ 同４，１７５．９６１号明細書、同４，０１２，３７６
号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２
７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同
５６−１１９１３２号公報、同５６２２４３７号公報、
西独特許第１．１１０．５１８号明細書などに記載のも
の）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３．５２
６．５０１号明細書などに記載のもの）、オキサゾール
誘導体（米国特許第３．２５７．２０３号明細書などに
記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５
６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに記載
のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，
４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５
５−５２０６３号公報。

同５５−５２０６３号公報、同５５−４６７６０号公報
、同５５−７５４６号公報、同５７−１１３５０号公報
、同５７−１４８７４９号公報などに記載されているも
の）、スチルベル誘導体（特開昭６１−２１０３６３号
公報、同６１−４８− ２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報同６１
−７２２５５号公報、同６１−４７６４６号公報、同６
２−３６６７４号公報、同６２１０６５２号公報、同６
２−３０２５５号公報。

同６０−９３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報
、同６０−１７４７４９号公報、同６〇−１７５０５２
号公報などに記載のもの）などを挙げることができる。

これらの化合物を正孔伝達化合物として使用することが
できるが、次に示すポリフィリン化合物（特開昭６３−
２９５６９５号公報などに記載のもの）及び芳香族第三
級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第
４．１２７．４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３
号公報、同５４５８４４５号公報、同５４−１４９６３
４号公報。

同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報
、同５５−１４４２５０号公報、同５６１１９１３２号
公報、同６３−２９５６５号公報、同６１−９８３５３
号公報、同６３−２９５６９５号公報などに記載のもの
）、特に該芳香族第三級アミン化合物を用いることか好
ましい。

該ポリフィリン化合物の代表例としては、ポルフィリン
；ｉ、１０，１５．２０−テ１へラフユニルー２１Ｈ，
２３Ｈ−ポルフイリン銅（ＩＦ）；１゜１０、　１．５
．　２０−テトラフェニル−２１Ｎ（２３Ｉ〜■−ポル
フィリン亜鉛（ＩＦ）　　；　５．　１０゜１５．２０
−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２
３Ｉ（−ポルフィリン：シリコンフタロシアニンオキシ
ド：アルミニウムフタロシアニンクロリド：フタロシア
ニン（無金属）ニジリチウムフタロシアニン；銅テトラ
メチルフタロシアニン：銅フタロシアニンニクロムフタ
ロシアニン；亜鉛フタロシアニン：鉛フタロシアニンチ
タニウムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロ
シアニン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げら
れる。また該芳香族第三級化合物及びスチリルアミン化
合物の代表例としては、Ｎ。

Ｎ、　Ｎ’、　Ｎ’−テトラフェニル−４，４′−ジア
ミノビフェニル；Ｎ、Ｎ“−ジフェニル−Ｎ、　Ｎ’ジ
（３−メチルフェニル）−４，４−ジアミノビフェニル
、２，２−ビス（４−ジーｐ−トリルアミノフェニル）
プロパン；１．！−ビス（４−ジｐ　−１−リルアミノ
フェニル）シクロヘキサン。

Ｎ、　Ｎ、　Ｎ’、　Ｎ’−テトラ−ｐ−１−リルー４
，４ジアミノビフェニル、ｌ、１−ビス（４−ジル−１
〜リルアミノフエニル）−４−フェニルシクロヘキザン
：ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フ
ェニルメタン：ビス（４−ジーｐトリルアミノフェニル
）フェニルメタン、Ｎ。

Ｎｏ−ジフェニル−Ｎ、　Ｎ’−ジ（４−メトキシフェ
ニル）−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ、Ｎ。

Ｎ’、　Ｎ’−テトラフェニル−４，４゛−ジアミノジ
フェニルエーテル、４．４’−ビス（ジフェニルアミノ
）りオートリフェニル、Ｎ、Ｎ、Ｎ−１−リ（ｐ−トリ
ル）アミン：４−（ジーｐ−トリルアミン）−４’−（
４（ジーｐ−トリルアミン）スチリル〕スチルベン、４
−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ（２−ジフェニルビニル）
ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ、Ｎ−ジフェニルア
ミノスチルベン：１− Ｎ−フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

上記Ｅ　Ｌ素子における該正孔注入層は、これらの正孔
伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で構成されて
もよいし、あるいは、前記層とは別種の化合物からなる
正孔注入層を積層したものであってもよい。

一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、などのチオピラ
ンジオキシド誘導体。

などのジフェニルキノン誘導体〔［ポリマー・プレプリ
ント（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ）、　　シ
ャツクン」第３７巻、第３号、第６８１ページ（１９８
８年）などに記載のもの〕、あるいは なとの化合物〔［ジャーナル・才ブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊ、Ａｐｐｌｙ、Ｐｈｙｓ、）　Ｊ第２７巻
、第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、ア
ンｌ〜ラキノジメタン誘導体（特開昭５７１４９２５９
号公報、同５８−５５４５０号公報同６１−２２５１５
１号公報、同６１ ２３３７５０号公報、同６：３−１０４０６１号公報な
どに記載のもの）、フレオレニリデンメタン誘導体（特
開昭６０−６９６５７号公報、同６１１４３７６４号公
報、同６１−１４８１５９号公報などに記載のもの）、
アントロン誘導体（特開昭６１−２２５１５１号公報、
同６１２３３７５０号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。

次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を作製する好適
な方法の例を、各構成の素子それぞれ（ごついて説明す
る。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥ　Ｌ素子の作
製法について説明すると、まず適当な基板−トに、所望
の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ
η以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚にな
るように、蒸着やスパッタリングなとの方法により形成
させ、陽極を作製したのち、この−トに発光材料である
一般式（１）て表わさ第１る化合物の薄膜を形成させ、
発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、
例えばスピンコード法、ギヤスト法、蒸着法などがある
か、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなとの点から、蒸着法が好ましい。

該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、そ
の蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種
類９分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などに
より異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４００°Ｃ
４真空度１Ｏ−Ｓ−１０−３Ｐａ、蒸着速度０．０１〜
５０　ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜＋３００°Ｃ１
膜厚５ｎｒｎないし５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ま
しい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質か
らなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎ
ｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリ
ン　５　− グなとの方法により形成させ、陰極を設けることにより
、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作
製においては、作製順序を逆にして、陰極４発光層、陽
極の順に作製することも可能である。

次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極からなるＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥ
Ｉ７素子の場合と同様にして形成したのち、その−トに
、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などにより形成
し、正孔注入層を設ける。

この際の蒸着条件は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条
件に準じればよい。次に、この正孔注入層の上に、順次
発光層及び陰極を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様に
して設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる。

なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆に
して、陰極１発光層、正孔注入層、陽極の順に作製する
ことも可能である。

さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
からなるＥＬ素子の作製法について説明　Ｇ　− すると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にし
て、陽極、正孔注入層２発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記Ｅ　Ｌ素子の作製の場合と同様にして設ける
ことにより、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥ
　Ｌ素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極
、電子注入層１発光層、正孔注入層、陽極の順に作製し
てもよい。

このようにして得られたＥ　Ｌ素子に、直流電圧を印加
する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧５
〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又は半透明の電
極側より観測できる。また、逆の極性で電圧を印加して
も電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電
圧を印加する場合には、陽極が土、陰極が−の状態にな
ったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任
意でよい。

次に、該ＥＬ素子の発光メカニズムについて、陽極／正
孔注入輸送層／発光層／陰極の構成の場合を例に挙げて
説明する。前記陽極を＋、陰極をの極性として電圧を印
加すると、該陽極より正孔注入層内に電界により注入さ
れる。この注入された正孔は、該正孔注入輸送層内を発
光層との界面に向けて輸送され、この界面から発光機能
が発現される領域（例えば発光層）に注入又は輸送され
る。

一方、電子は、陰極から発光層内に電界により注入され
、さらに輸送され、正孔のいる領域、すなわち、発光機
能が発現される領域で正孔と再結合する（この意味で、
前記領域は再結合領域といってもよい）。この再結合が
行われると、分子、その会合体又は結晶などの励起状態
が形成され、これが光に変換される。なお、再結合領域
は、正孔注入輸送層と発光層との界面でもよいし、発光
層と陰極との界面でもよく、あるいは両界面より離れた
発光層中央部であってもよい。これは使用する化合物の
種類、その会合や結晶構造により変わる。

〔実施例〕

次に本発明を実施例及び応用例に基いてさらに詳しく説
明する。

実施例１ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造２．５−ヒス
（クロロメチル）キシレン２５ｇと亜リン酸トリエチル
４５ｇを、アルゴン気流下すイルバスで、温度１５０°
Ｃで７時間加熱攪拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生じた塩化エ
チルを減圧留去した。−晩放置後、白色結晶５０ｇ（定
量的）を得た。このものの融点は５９．０〜６０．５°
Ｃてあった。また、’Ｈ−ＮＭＲ分析は以下の通りであ
る。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ（１３） δ＝６．９ｐｐｍ　（ｓ　＋　２Ｈ，中心キシレン環−
Ｈ）δ＝３．９ｐｐｍ　（ｑ　；　８Ｈ，エトキシ基メ
チレン−ＣＨ２） δ＝３．１ｐｐｍ（ｄ　；　４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（”Ｐ
−６〇　− Ｈカップリング）Ｐ−ＣＨ，） δ＝２．２ｐｐｍ　（ｓ　；　６Ｈ，キシレン環−ＣＨ
，、）δ＝１．１　ｐｐｍ　（ｔ　；　１２Ｈ，エトキ
シ基メチル−ＣＨ５） 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表わされる
アリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）であるこ
とが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造上記（１）で
得られたホスホネート５．３ｇと２−ベンゾイルビフェ
ニル５．２ｇを、テトラヒドロフラン１００ｍ１に溶解
し、これにｎ−ブチルリチウムを含有（濃度１５％）す
るヘキサン溶液１２．３ｇを加え、アルゴン気流下室温
で６時間攪拌した後、−晩装置した。

得られた混合物にメタノール３００ｍ１を加え、析出し
た結晶を濾過した。次いで、濾過生成物を水１００ｍ１
で３回、続いてメタノール１００ｍ１で３回充分に洗浄
し、淡黄色粉末５．５ｇを得た（収率４４％）。このも
のの融点は１８７〜１８８°Ｃであった。またこの粉末
の’Ｈ−ＮＭＲ分析は以下の通りである。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＡ３） δ＝７．７〜７．０　ｐｐｍ　　（ｍ　；　３０　Ｈ，
芳香環）δ＝６．７　ｐｐｍ　（ｓ　；　２　Ｈ，メチ
リディン２ＣＨ＝Ｃ−）δ＝２．０　ｐｐｍ　（ｓ　；
　６　Ｈ，キシレン環−ＣＨ，）さらに元素分析結果は
、組成式Ｃ４＊　Ｈ２＊として以下の通りである。なお
括弧内は理論値である。

Ｃ：９３．７９％（９３，８２％） Ｈ：　６．０６％（６，１８％） Ｎ　：　０．　Ｏ０％（０％） また、赤外線（ＪＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。

シｃ−ｃ　　　　１５２０，１６２０ｃｍ−以Ｅのこと
より、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式 て表わされる２、５−キジレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。

実施例２〜７ 実施例１（２）において、２−ベンゾイルビフェニルの
代わりに、表１に示すケトンを用いた他は、実施例１（
２）と同様に操作し、表１に示す２．５キジレンジメチ
リディン誘導体を得た。

（以下余白） 表 １ （続き） 実施例８（方法Ｂ） （１）リン化合物の製造 （１−ブロモエチル）ベンゼン２５．１ｇと亜リン酸ト
リエチル２４．７ｇを、アルゴン気流下すイルバスで、
温度１５０°Ｃで７時間加熱攪拌を行った。その後、過
剰の亜リン酸トリエチル及び副生じたブロモエチルを減
圧留去して、透明溶液２２．３ｇを得た。このものの’
Ｈ−ＮＭＲ分析結果は、以下の通りである。

δ＝７．２ｐｐｍ　　（ｓ　；　５Ｈ，ベンゼン環−Ｈ
）δ＝３．９ｐｐｍ　　（ｑ　；　４　Ｈ，エトキシ基
−０ＣＲ２−）δ＝２．９〜３．５ｐｐｍ　　（ｍ　；
　ＩＨ，＝ＣＨ−）δ＝］、　Ｏ〜２．０ｐｐｍ　　（
ｍ　；　９Ｈ，エトキシのメチル及び−Ｃ８４） 以上のことより、上記生成物は、下記式で表わされる含
有リン化合物（ホスホネート）であることが確認された
。

−６６＝ （２）芳香族ジメチリディン化合物の製造上記（１）で
得られたホスホネート９．７ｇと２゜５−キシレンジカ
ルボキシアルデヒド３゜Ｏｇを、テトラヒドロフラン１
００ｍ１に溶解し、これにｎ−ブチルリチウム（濃度１
５％）を含むヘキサン溶液３．０ｇを加え、アルゴン気
流下、室温で５時間攪拌した後、−晩装置した。

得られた混合物にメタノール１００−を加え、析出した
結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ｍ１で３回、続
いてメタノール１００ｍ１で３回充分に洗浄し、白色鱗
片状晶１．３ｇを得た（収率２０％）。

このものの融点は１３７．０〜１３７．８°Ｃてあった
。また、この結晶の’Ｈ−ＮＭＲ分析は以下の通りであ
る。

Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣβ３） δ＝７．２〜７．５ｐｐｍ　　（ｍ　；　１２Ｈ，ベン
ゼン環−Ｈ１中心キシレン環−Ｈ） δ＝６．８　ｐｐｍ　（ｓ　＋　２８．メチリディンＣ
ＣＨ＝Ｃ−）δ＝２．３ｐｐｍ　　（ｓ　＋　６Ｈ，メ
チル基）７ δ＝２．　ｌｐｐｍ　　（ｓ　；　６Ｈ，中心キシレン
環−Ｃ８４）さらに元素分析結果は、組成式Ｃ２６Ｈ２
ｇとして以下の通りである。なお括弧内は理論値である
。

Ｃ・９２．２６％（９２，３１％） Ｈ：　７．５０％（７，６９％） Ｎ：０．００％（０％） また、マススペクトルより、目的物の分子イオンピーク
ｍ／Ｚ＝３１８か検出された。

以上のことより、上記生成物である白色鱗片状晶は、下
記式 で表わされる２、５−キジレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。

実施例９ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造４．４−ビス
（ブロモメチル）ビフェニル９．０ｇと亜リン酸トリエ
チルｌ１ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１４
０°Ｃで６時間加熱攪拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸ｌ・リエチル及び副生じた臭化
エチルを減圧留去した。−晩放置後、白色結晶９．５ｇ
（収率８０％）を得た。このものの融点は９７．０〜１
００．０°Ｃであった。また、’Ｈ−ＮＭＲ分析結果は
以下の通りである。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣＩ！３） δ＝７．０〜７．６　ｐｐｍ　（ｍ　；　８　Ｈ，ビフ
ェニレン環−Ｈ）δ＝４．０　ｐｐｍ　（ｑ　：　　８
８．エトキシ基メチレン＝ＣＨ，）δ＝３．　ｌｐｐｍ
　（ｄ　：　４８．　　Ｊ＝　２０　Ｈｚ（”Ｐ−’Ｈ
カップリング）Ｐ−ＣＨ２） δ＝１．３ｐｐｍ　（ｔ　：　　１２Ｈ，エトキシ基メ
チル−ＣＨ５）以上の結果から、上述の生成物は、下記
式で表わされるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネ
ート）であることが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造上記（１）で
得られたホスホネー）４．０ｇとシクロへキシルフェニ
ルケトン５．０ｇを、ジメチルスルホキシド６０ｍ１に
溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド２．０ｇを加え、ア
ルゴン気流下、還流攪拌した後、−晩装置した。

得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール２００
ｍｊを加え、析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生
成物を水１００ｍ１で３回、続いてメタノール１００Ｔ
Ａ１で３回充分に洗浄し、ベンゼンにて再結晶したとこ
ろ、淡黄色粉末１．０ｇが得られた（収率２２％）。こ
のものの融点は１５３〜１５５℃てあった。またこの粉
末の’Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。

Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ（１，） δ＝６．３〜７゜５ｐｐｍ　（ｂ　　；　１８　Ｈ，芳
香環及びメチリディン）ＣＨ＝Ｃ−） δ＝１．０〜２．０　ｐｐｍ　（ｂ　；　２２　Ｈ，シ
クロヘキサン環） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ４ｏＨ４２として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。

Ｃ：９１．７４％　　（９１，９０％）Ｈ・　　８，２
５％　　（８，１０％）Ｎ・　　０．００％　　（０％
） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ｋＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。

ｖｃ−ｃ　　　　１５２０＋　　　１６１０ｃｍまた、
マススペクトルより、目的物の分子イオンピークｒｎ／
Ｚ＝５２２が検出された。

以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記
式 で表わされる４、４′−ビフェニレンジメチリディン誘
導体であることが確認された。

実施例１Ｏ 実施例９（２）において、シクロへキシルフェニルケト
ンの代わりに４．４゛−ジメチルベンゾフェノンを、ジ
メチルスルホキシドの代わりにテトラヒドロフランをそ
れぞれ用いた他は、実施例９（２）と同様に操作して、
以下に示す４，４′−ビフェニレンジメチリディン誘導
体を得た。

ト このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点＝　２２８〜２３０°Ｃ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｊ？２） δ＝６．７〜７．３　ｐｐｍ　（ｍ　＋　２６８．芳香
環−Ｈ及びメチリディン；ＣＨ＝Ｃ−） δ＝２．４ｐｐｍ　（ｓ　；　　１２Ｈ，ｐ−トリルメ
チル基ＣＨ３） 性状：　淡黄色粉末 マススペクトルの分子イオンピーク：ｍ／Ｚ＝５６６元
素分析値６組成弐Ｃ４４Ｈ３８として以下の通りである
。なお括弧内は理論値である。

Ｃ：９３．１０％　（９３，２４％） Ｈニア、０４％　（６，７６％） Ｎ：０．００％　（０％） 実施例１１ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造２．６−ビス
（ブロモメチル）ナフタレン２４．３ｇと亜リン酸Ｉ・
リエチル５０ｇを、アルゴン気流下すイルバスで、温度
１２０°Ｃて７時間加熱攪拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸ｌ・リエチル及び副生じた臭化
エチルを減圧留去した。−晩放置後、淡黄色結晶３２．
５ｇ（収率定量的）を得た。このものの融点は１４４．
５〜１４６．０°Ｃてあった。また、Ｈ−ＮＭＲ分析結
果は以下の通りである。

Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｆｆｉ３） δ＝７．２〜７．８　ｐｐｍ　（ｒｎ　＋　６８．　ナ
フチレン環−Ｈ）δ”４−　Ｏｐｐｍ　（ｑ　；　ｓ　
Ｈ，エトキシ基メチレンＣＨ２） δ＝３．３ｐｐｍ　（ｄ：　４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（”Ｐ
−’Ｈカップリング）Ｐ−Ｃ）（２） δ＝１．２ｐｐｍ　（ｔ：　　１２Ｈ，エトキシ基メチ
ルＣＨ３） 以−１−の結果から、上述の生成物は、下記式て表わさ
れるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネ−１・）で
あることが確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造上記（１）て
得られたホスホネ−１−５，０ｇとシクロへキシルフェ
ニルケトン５．Ｏｇを、テトラヒドロフラン１００ｍ１
に溶解し、カリウム−１−フ１〜キシド２．５ｇを加え
、アルゴン気流下、還流攪拌した後、−晩装置した。

得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール１００
ｉｌを加え、析出した結晶を濾過した。次いで濾過生成
物を水１００ｍｊで２回、続いてメタノール】ＯＯＪで
２回充分に洗浄し、ベンゼンにて再結晶したところ、淡
黄色粉末１．０　ｇが得られた（収率２０％）。このも
のの融点は２１５〜２１６°Ｃであった。またこの粉末
の’　Ｈ−Ｎ　Ｍ　Ｒ分析結果は以下の通りである。

’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δ＝６．２〜７．２　ｐｐｍ　（ｍ　；　Ｉ　８　Ｈ，
芳香環及びナフタレン環−Ｈ及びメチリ ７５〜 デイン＞ｃＩ（＝ｃ−＞ δ＝１．０〜２．０　ｐｐｍ　ｃｂ　：　　２２　Ｈ，
シクロヘキザン環） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ，，Ｈ４ｏとして以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。

Ｃ：９１．６３％　（９１，８８％） Ｈ：８．２０％　（８，１２％） Ｎ：０．００％　（０９イ） 以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記
式 で表す）さ才ｌる２、６−ナフヂレンジメチリデイン誘
導体であることか確認された。

実施例１２ 実施例１１（２）において、シクロへギシルフェニルケ
トンの代わりに４．４′−ジメチルベンゾフェノンを、
カリウム−ｔ−ブトキシドの代わりにｎ−プチルリチウ
ｌ、をそれぞれ用いた他は、実施例１１．　（２）と同
様に操作して、以下に示す２，６ナフチレンジメチリデ
イン誘導体を得た。

このものの分析結果は以下の通りである。

融点・　２６９〜２７１°Ｃ ＨＮＭＲ（ＣＤ　ＣＩ！　３） δ＝６．７〜７．２ｐｐｍ　（ｍ　；２４８．芳香環−
Ｈ及びメチリディン’ＣＣＨ＝Ｃ δ＝２．４ｐｐｍ　（ｓ　；　　１２Ｈ，ｐ　−トリル
メチル基ＣＨ３） 性状：　黄色粉末 元素分析値二組威武Ｃ４２Ｈ３ｇとして以下の通りであ
る。なお括弧内は理論値である。

Ｃ：９３．０３％　（９３，２９％） Ｈ：６．８１％　（６，７１％） Ｎ：０．００％　（０％） 実施例１３ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造９．１０−ヒ
ス（クロロメチル）アントラセン１０ｇど亜すン酸トリ
エチル３５ｇを、アルゴン気流下オイルバスて、温度１
３０°Ｃて６時間加熱攪拌を行った。

その後、過剰の亜リン酸ｌ・リエチル及び副生じた塩化
エチルを減圧留去した。−晩放置後、得られた淡緑色結
晶を、ベンゼン−ヘキサンより再結晶し、、淡黄色鱗片
状品１６ｇ（収率９２％）を得た。

このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点：　１６０〜１６１．５℃ ’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ＝７．３〜８．４　ｐｐｍ　（ｍ　；　８　Ｈ，アセ
トラセン環−Ｈ） δ＝４．　ｌｐｐｍ　（ｄ：　４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（”
Ｐ−’Ｈカップリング）Ｐ−ＣＨ２） δ＝３．７　ｐｐｍ　（ｑ　＋　８　Ｈ、エトキシ基メ
チレンＣ）（２） δ＝１．　Ｏｐｐｍ　（ｔ　；　１２Ｈ，エトキシ基メ
チルＣＨ３） 以上の結果から、上述の生成物は、下記式て表わされる
アリーレン基含有リン化合物（ホスポネー）・）である
ことか確認された。

（２）芳香族ジメチリディン化合物の製造−上記（１）
で得られたホスホネ−１−３，０ｇと４．４′ジメチル
ベン′シフエノン２．５ｇを、テトうｌニトロフラン１
００ｍ１に溶解し、これにｎ−ブチルリチウム（濃度１
５％）を含むヘキサン溶液５ｇを加え、アルゴン気流下
、室温で４時間攪拌した後、−晩装置した。

得られた混合物にメタノール１００ｍｔ！を加え、析出
した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ｍ１で３回
、続いてメタノール１００ｍ１で３開先分に洗浄し、ト
ルエンより再結晶し、黄橙色粉末０．７ｇを得た（収率
１９％）。

このものの分析結果等は、以下の通りである。

融点：　２９７〜２９８°Ｃ ’Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ（１，） δ＝６．５−７．５　ｐｐｍ　（ｍ　；　２６８．芳香
環−［■アセトラセンー１１及びメチ リデイ：ｚ＞ＣＨ＝Ｃ−） δ”’２−２１１１１ｍ　（ｄ：　　１２Ｈ，ｐ　−）
リルメチル基ＣＨ３） 元素分析値：組成式〇　ａ　６８３１１とし、て以下の
通りである。なお括弧内は理論値である。

Ｃ：９３．４２％　（９３，５２％） Ｈ：６．５３％　（６，４８％） Ｎ：０．００％　（０％） また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ
／Ｚ＝５９０が検出された。

以りのことより、上記生成物である黄橙色粉末は、下記
式 で表才）される９゜ ■ アセトラセンジイルジメ チリデイン誘導体であることが確認された。

実施例１４〜２６ 以下、対応するケＩ・ン及びホスホン酸エステルを用い
、表２に示す化合物を合成した。

（以下余白） −８５− −８７− −８９＝ 応用例１ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１　ｍｍのガラス基板上に
ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さて製膜したもの（
ＨＯＹ　Ａ製）を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術相製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例１で得られた２、５−ギシレンジメチリ
ディン誘導体である２、５−ヒス（２−フェニル−２−
ビフェニルビニル）キシレン（ＢＰＶＸ）を２００■入
れて真空槽をＩ　Ｘ　１０’−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡ入りの前記ボートを、２１５〜２２０°
Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／秒で透明支持基板」二に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正
孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であっ
た。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の」−に、もう一つのボートよりＢＰＶＸを発光層と
して８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が
１８４°Ｃで蒸着速度は０．２〜０．４ｎｍ／秒、基板
温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の北にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボー１へにマグネシウムリ
ボン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボー
トにインジウムを５００■装着した。

その後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で
、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７〜
２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温
度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそれぞ
れ８００’Ｃ，５００’Ｃ程度であった。上記条件でマ
グネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に
１５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した
。

ｒＴＯｔ極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧２０Ｖ
を印加すると電流か！　７０ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座
標でＢｌｕｉｓｈ　Ｇｒｅｅｎ発光を得た。

ピーク波長は分光測定より４９９ｎｍであり、発光輝度
は１０００　ｃｄ／ｒｒ？以上であった。

応用例２ ２５　ｍｍＸ　７５　ｍｍＸ１．　Ｉ　ｍのガラス基板
上にＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したも
の（ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。

この透明支持基板をＵＶオゾン処理装置（日本電池社製
）にて２分間ＵＶオゾン洗浄を行った。

次いで、市販の蒸着装置（日本真空技術練製）の基板ホ
ルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボートにＴＰ
ＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製ボートに実
施例２で得られた２、５キジレンジメチリディン誘導体
である２、５−ビス（２，２−ジーｐ−）リルビニル）
キシレン（ＤＴＶＸ）を２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ
　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを２１５〜２２０°
Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜＝９２ 厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温
度は室温であった。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＤＴＶＸを発光層とし
て８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が２
１５°Ｃで、蒸着速度は０．２〜０．４ｎｍ／秒、基板
温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧してがら
、インジウムを０．０３〜０．０８　ｎｒｎ／秒の蒸着
速度で、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１
．７〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボー
トの温度はインジウム入り、マグネシウム入りのボート
それぞれ８００’Ｃ，５００°Ｃ程度であった。上記条
件でマグネシウムとインク３ ラムの混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着
して対向電極とし、素子を形成した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧５Ｖを
印加すると電流が６．３ｍＡ／ａｄ程度流れ、発光輝度
３００ｃｄ／ｒｒ？、色度座標でＧｒｅｅｎｉｓｈ　Ｂ
ｌｕｅ発光を得た。ピーク波長は分光測定より４８６ｎ
ｍであった。この時の発光効率は２．９１！ｍ／Ｗであ
った。なお直流７ｖ印加の時、発光輝度は１０００ｃｄ
／ｒｒ？以上であることを確認した。

応用例３ ２５■×７５髄×１．１閣のガラス基板上にＩＴＯを蒸
着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ　Ａ
製）を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術即製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブデン製
ボートに実施例３て得られた２、５−キジレンジメチリ
ディン誘導体である２、５−ビス〔２−フェニル−２−
（２−ナフチル）ビニル〕キシレン（ＮＰＶＸ）を２０
０■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した
。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを２１５〜２２０°
Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった
。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＮＰＶＸを発光層とし
て８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が１
４７°Ｃで、蒸着速度は０．２〜０．４ｎｒｎ／秒、基
板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で
、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７〜
２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温
度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそれぞ
れ８００℃、５００°Ｃ程度であった。上記条件でマグ
ネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に１
５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧］　７
．５　Ｖを印加すると電流が２２０ｍＡ／ａ［ｒ程度流
れ、色度座標てＢｌｕｉｓｈ　Ｇｒｅｅｎ発光を得た。

ピーク波長は分光測定より５０２ｎｍであり、発光輝度
は１０００ｃｄ／ｒｄであった。

応用例４ ２５ｍｍ＋Ｘ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板」二
にＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの
（ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術即製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例５で得られた２、５−キジレンジメチリ
ディン誘導体である２、５−ビス〔２−フェニル−２−
（２−ピリジル）ビニル〕キシレン（ＰＰＶＸ）を２０
０■入れて真空槽をＩ　Ｘ　１０”’Ｐａまで減圧した
。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを２１５〜２２０℃
まで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０，１〜０．３ｎｍ／
’秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった
。

これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に
、もう一つのボートよりＰＰＶＸを発光層として８０ｎ
ｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が１９８°Ｃ
で、蒸着速度は０．２〜０，４ｎｍ／秒、基板温度は室
温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネジ６ ラムリボン１ｇを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加
熱ボートにインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で
、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７〜
２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めブこ。

ボートの温度はインジウム入り、マグネシウム入りのボ
ートそれぞれ８００°Ｃ，５００°Ｃ程度であった。上
記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発
光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子
を形成した。

ＴＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１２．
５Ｖを印加すると電流が５０ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座
標でＧｒｅｅｎ発光を得た。ピーク波長は分光測定より
５３１ｎｍであり、発光輝度は１００ｃｄ／＋１（であ
った。

応用例５ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩ
Ｔｏを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの（Ｈ
ＯＹＡ製）を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術即製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例８で得られた２、５−キジレンジメチリ
ディン誘導体である２、５−ビス（２−フェニル−２−
メチルビニル）キシレン（ＭｅＰＶＸ）を２００■入れ
て真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを、２１５〜２２０
°Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎ
ｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正
孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であっ
た。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＭｅＰＶＸを発光層と
して８０ｎｍ積層蒸着した。

蒸着条件はボート温度が１５２°Ｃで蒸着速度は０．２
〜０．４ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の）１にステン
レススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボー　１−にマグネシウム
リボン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボ
ートにインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧してから
、インジウムを０．０３〜０．Ｏ８ｎｍ７秒の蒸着速度
で、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７
〜２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボー）・
の温度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそ
れぞれ８００°Ｃ，５００°Ｃ程度であ−）だ。上記条
件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層
の上に１５０ｎｒｒ＋積層蒸着して対向電極とし、素子
を形成した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１０Ｖ
を印加すると電流か１４０ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座標
でＰｕｒｐｌｉｓｈ　Ｂｌｕｅ発光を得た。ピーク波長
は分光測定より４３８ｎｍであり、発光輝度は２０ｅｄ
／ｒｄ程度であった。

応用例６ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板」−に
ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さて製膜したもの（
ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持基板
をＵＶオゾン処理装置にて２分間ＵＶオゾン洗浄を行っ
た。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術■製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例９て得られた４、４゛−ビフェニレンジ
メチリディン誘導体である４、４゛−ビス（２−シクロ
へキシル−２＝フエニルビニル）ビフェニル（ＣＰＶＢ
ｉ）を２００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ””Ｐａ
まで減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを、２１５〜２２０
°Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎ
ｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正
孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であっ
た。

次いて、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＣＰｖＢｉを発光層と
して８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２
１０°Ｃで蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／秒、基板温
度は室温であった。

これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレ
ススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固
定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２ＸＩＯ−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．Ｏ８ｎｍ７秒の蒸着速度で、
同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７〜２
．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボー１−の温
度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそれぞ
れ８００°Ｃ，５００°Ｃ程度であった。上記条件でマ
グネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に
１．５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成し
た。

ＴＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧７．５
ｖを印加すると電流が１４ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座標
でＰｕｒｐｌｉｓｈ　Ｂｌｕｅ発光を得た。ピーク波長
は分光測定より４４１ｎｍであり、発光輝度は２００ｃ
ｄ／ｒｄ程度であった。

応用例７ ２５工×７５鴫×１．１正のガラス基板−ＦにＩＴＯを
蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの（ＨＯＹＡ
製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をＵＶオ
ゾン処理装置にて２分間ＵＶオゾン洗浄を行った。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術■製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例１０で得られた４、４゛−ピフェニレン
ジメチリディン誘導体である４、４゛−ビス（２，２−
ジーｐ−トリルビニル）ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）を２
００■入れて真空槽をＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｐａまで減圧
した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ボートを、２１５〜２２０
°Ｃまて加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎ
ｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正
孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であっ
た。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層のトに、もう一つのボートよりＤＴＶＢｉを発光層ど
して８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２
５３〜２７１°Ｃで蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／秒
、基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出し
、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設
置し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムをＯ４０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で
、同時にもう一方のボートよりマグネシラムを１．７〜
２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボー１〜の
温度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそれ
ぞれ８００°Ｃ，５００°Ｃ程度であった。上記条件で
マグネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上
に１５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成し
た。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１５Ｖ
を印加すると電流か３２ｍＡ／ａｄ程度流れ、色度座標
でＢｌｕｅ発光を得た。ピーク波長は分光測定より４７
３ｎｍであり、最高発光輝度は１０００Ｃｄ／ｒ１１１
以上であった。

応用例８ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１ｍｍのガラス基板上にＩ
ＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの（Ｈ
ＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を
ＵＶオゾン処理装置にて２分間ＵＶオゾン洗浄を行った
。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術相欠
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例１２で得られた２、６−ナフチレンシメ
チリデイン誘導体である２、６−ビス（２，２−ジ−ｐ
−トリルビニル）ナフタレン（ＤＴＶＮ）を２００■入
れて真空槽をＩ　Ｘ　１０−’Ｐａまで減圧した。

その後、ＴＰＤＡの入った前記ボートを、２１５〜２２
０°Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３
ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの
正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であ
った。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＤＴＶＮを発光層とし
て８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度か２７
６〜２７８℃で、蒸着速度はＯ，１〜０．３ｎｍ／秒、
基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出し、
上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置
し、再び基板ホルダーに固定した。

次にモ１１ブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリ
ボン１ｇを入れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボー
トにインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．０８　ｎｍ／秒の蒸着速度で
、同時にもう一方のボートよりマグネシウムを１．７〜
２．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温
度はインジウム入り、マグネシウム入りのボートそれぞ
れ８００℃、５００°Ｃ程度であった。上記条件でマグ
ネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に１
５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧＋２Ｖ
を印加すると電流が３５０ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座標
でＧｒｅｅｎｉｓｈ　Ｂｌｕｅ発光を得た。ピーク波長
は分光測定より４８６ｎｍであり、発光輝度は２０ｃｄ
／ｒｄ程度であった。

応用例９ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ１．１　ｍｍのガラス基板上に
ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したちの（
ＨＯＹＡ製）を透明支持基板とした。この透明支持基板
をＵＶオゾン処理装置にて２分間ＵＶオゾン洗浄を行っ
た。

この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術■製
）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにＴＰＤＡを２００■入れ、また別のモリブテン製
ボートに実施例１３で得られた９、１０−アンドラセン
ジイルジメチリディン誘導体である９、１０−ビス（２
，２−ジ−リトリルビニル）アントラセン（ＤＴＶＡ）
を２００■入れて真空槽を１　ｘ　ｌ　Ｏ−’Ｐａまで
減圧した。

その後ＴＰＤＡの入った前記ポートを、２１５〜２２０
℃まで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ
／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔
注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった
。

次いで、これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入
層の上に、もう一つのポートよりＤＴＶＡを発光層とし
て８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２７
０’Ｃで、蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／秒、基板温
度は室温であった。これを真空槽より取り出し、上記発
光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再
び基板ホルダーに固定した。

次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボ
ン１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボート
にインジウム５００■を装着した。

その後真空槽を２ｘｌＯ−’Ｐａまで減圧してから、イ
ンジウムを０．０３〜０．Ｏ８ｎｍ／秒の蒸着速度で、
同時にもう一方のポートよりマグネシウムを１．７〜２
．８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始めた。ポートの温度
はインジウム入り、マグネシウム入りのポートそれぞれ
８００°Ｃ，５００°Ｃ程度であった。上記条件でマグ
ネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に１
５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子を形成した。

ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウムの混合金
属電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１０Ｖ
を印加すると電流か３５０ｍＡ／ｄ程度流れ、色度座標
でＧｒｅｅｎ発光を得た。ピー＋０８ り波長は分光測定より５２６ｎｍであり、発光輝度は４
００　ｃｄ／耐以上であった。

応用例１０〜１９ 応用例９において、発光材料は変えた他は応用例９と同
様に操作して、ＥＬ素子を形成した。これらのＥＬ発光
特性を表３に示す。

（以下余白） −１０９ 〔発明の効果〕 本発明の芳香族ジメチリディン化合物は、新規な化合物
であり、青紫〜緑にわたる領域で輝度１０００Ｃｄ／ｒ
ｒｌ’以上の高輝度のＥＬ発光が得られると同時に、実
用レベルの輝度（５０〜２００ｃｄ／イ）において効率
的なＥＬ発光が得られる。

したがって、本発明の芳香族ジメチリディン化合物は、
ＥＬ素子の発光材料を始め、各種発光材料どして、有効
な利用か期待される。

しニー

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 　▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４は炭素数１〜６のアルキル基，
   炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭
   素数６〜１８のアリール基，置換あるいは無置換の芳香
   族複素環基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，
   置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ
   基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換
   基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコ
   キシ基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル
   基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これら
   の置換基は単一でも複数でもよい。またＲ＾１〜Ｒ＾４
   は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ＾１と
   Ｒ＾２，Ｒ＾３とＲ＾４は置換している基と結合して、
   置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置
   換の飽和六員環を形成してもよい。 　Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリー
   ル基を表わし、単一置換されていても、複数置換されて
   いてもよく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいず
   れでもよい。なお置換基は前記と同じである。また、ア
   リール基の置換基同士が結合して、置換あるいは無置換
   の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形
   成してもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、
   Ｒ＾１〜Ｒ＾４は、それぞれ炭素数１〜６のアルコキシ
   基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換
   のナフチル基，置換あるいは無置換のビフェニル基，置
   換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無
   置換のピリジル基，置換あるいは無置換のアリールオキ
   シ基より選ばれたものである。〕 で表わされる芳香族ジメチリディン化合物。
2. （２）Ｒ＾１〜Ｒ＾４がそれぞれ炭素数１〜６のアルキ
   ル基，置換あるいは無置換のフェニル基，置換あるいは
   無置換のナフチル基，置換あるいは無置換のビフェニル
   基，置換あるいは無置換のアリールオキシ基，置換ある
   いは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換の
   ピリジル基を示し、Ａｒが置換フェニレン基，置換ある
   いは無置換のナフチレン基，置換あるいは無置換のビフ
   ェニレン基，置換あるいは無置換のｐ−テルフェニレン
   基，置換あるいは無置換のアントラセンジイル基を示す
   （ただし、置換基は、アルキル基，アルコキシ基，アリ
   ールオキシ基，フェニル基，ニトロ基，ハロゲンを示し
   、単一でも複数でもよい。）である請求項１の芳香族ジ
   メチリディン化合物。
3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基あるいはフェニ
   ル基を示し、Ａｒは前記と同じである。〕で表わされる
   アリーレン基含有リン化合物を、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾５及びＲ＾６は、それぞれ前記Ｒ＾１〜Ｒ
   ＾４と同じである。但し、アルキル基，アラルキル基，
   アルコキシ基，アリールオキシ基である場合は除く。〕 で表わされるケトンと縮合させることを特徴とする一般
   式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは前記と同じである。Ｒ＾５，Ｒ＾６は、
   それぞれ前記Ｒ＾１〜Ｒ＾４と同じである。但し、アル
   キル基，アラルキル基，アルコキシ基，アリールオキシ
   基である場合は除く。〕 で表わされる芳香族ジメチリディン化合物の製造方法。
4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾７及びＲ＾８は、それぞれ前記Ｒ＾１〜Ｒ
   ＾４と同じである。〕 で表わされるリン化合物を、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは前記と同じである。〕 で表わされるジアルデヒドと縮合させることを特徴とす
   る 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒは前記と同じである。Ｒ＾７，Ｒ＾８は、
   それぞれ前記Ｒ＾１〜Ｒ＾４と同じである。〕で表わさ
   れる芳香族ジメチリディン化合物の製造方法。
5. （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１及びＲ＾２，Ａｒ，Ｒは前記と同じであ
   る。〕 で表わされるアリーレン基含有リン化合物を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾３及びＲ＾４は前記と同じである。〕で表
   わされるケトンと縮合させることを特徴とする請求項１
   又は請求項２記載の芳香族ジメチリディン化合物の製造
   方法。