JPH03232265A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業−１−の利用全町］ 本発明は、半導体素子のプラスデックパンケージに用い
て好適なリードフレームに関１〜、特に多数の接続用ビ
ンを備えた半導体素子の組立用す。

ドラ１ノームに関するものである。

［従来の技術］ 現在、半導体素子のパッケージはプラスチックパッケー
ジが主流どなってきている。−れは半導体素子のバッジ
ベージ３ン技術が発達したことと、封止用樹脂の改良が
進んだこととにより、プラスチックパッケージ化が普及
Ｉ７、低価格化をもたらしたことによる７　第１２図に
示すようにこのプラスチックパッケージは、半導体素子
１０１をダイパッド】−０２に搭載し、かつ半導体素子
１０１からインナー　リードｉ−０３へワイヤボンディ
ング１０４さオ＼　プラスチック１０５により封止ｌま
たものである。

このようなプラスチックパッケージ−において、半導体
装置の絹立用部杓と１．て用いられるリードフ１ノ・−
ム１０６とり、て１九　第１，３図に示−づ−ような平
面形状を有ｌ〜でおり、゛？導体素子〜を取り付けるた
めのダ、イバッド】０２と、その周辺に配設され上記半
導体素子との結線を行−〉！ニーめのインナーリド１０
３と、このインナーリー　ド１０３に連続するアウター
　リー　ド】０７とを備えている。そ１〜下、　このよ
うなリー　ドツト−ムは゛、通常、　４２合金、＠系合
金等の導電性にすぐ江　Ｉ、２かｌり強度が高い徽属板
をフォトエツチング法やスタンピング法などによ頃　上
記グイパッド１０２、インナーリード１．０３及びアウ
ターリードｉ−０７を一体に有する形状に加１−する、
二とにより製造される。Ｌ。

かじながら、このタイプは放熱性が悪く、消費電力は最
大で０．６Ｗクラスである。

このように、グラスチックパッケージにおいては、高速
性、放熱性などに問題があろばかりでなく、その改善が
難しく、このため高速・多ビンデバイス向ｉ−５のパッ
ケージは、主に第１４図に示すよ・〉なセラミックＰＧ
Ａ（ｐｉｎ　　ｇｒｉｄ　　ａｒｒｅｙ）がこれまで使
われている。このセラミックパッケージは半導体素子〕
０１をダイパッド〕、０２上に搭載すると共に、半導体
素子１０１−からインナーリード（不図示）ヘワイヤボ
ンダイング１０４さ江　セラミック１０５により封止１
．たものである。

ｌ−かしながら、このセラミックパッケージは高速性、
放熱性には優れているが、反面、ブラスツチクパッケー
ジに比べて非常に高価であり、このため用途が限定され
て１−まう。

一方、近年半導体素ｆ−の高機能・高集積化により、入
出力（１１０）端子の数が増加するとともに、半導体素
子のサイズが増大しているが、他方では、電７′−機器
の小型化及び軽量化・・の要求が強く、そのために半導
体用パッケージのより一層の小型化ならびに同一サイズ
内での多ビン化が進行している、このために、　リード
フレームに対しても加工サイズの微細化が求められてい
る。

１７か１２ながら、フォトエツチング法及びスタンピン
グ法による加工には限界が存在し、微小ピッチの加工が
無制限にできるというわけではない。

現在のフォトエツチング法の技術では板厚の８０％程度
の幅が、またスタンピング法で＃Ｊ、当該板厚程度の幅
がそれぞれスリット加工の限界となっている。

また、半導体装置の組立においては、ワイヤボンディン
グ法による電気的接続が主に行われているが、インナー
リー・ド１０３へのボンディングに＆）たっては、その
ワイヤ１０４の長さが制限されてしまう。つまり、ワイ
ヤボンディングされたリードフレームをＩ／レジンより
モールドする際、　ワイヤ１０４が長すぎると１７ジン
によりワイヤ】０４が流されでしまい、このワイヤ】０
４の流れにより、隣合゛〉ワイヤ１０４ど）しが接触１
．て１極どうしがショートシて１．７まうことかある。

このため、ワイヤ１．０４の琵さをショートシないよう
な長さに厳格に制限する必要がある。

更に１．インナー　リード】０３のピン数を増大させる
ためには、上記のようにスリット加工に限界があること
から、ビン数が増加するのに応じてインナーリード１０
３をダイパッド１０２から所定距離だけ離してインナー
リード形成可能領域を中心部から外側へ拡大しなければ
ならない。しかしながら、インナーリード形成可能な領
域を拡大すると、必然的にボンディングワイヤの長さを
長くしなければならなく、ここにおいても上述したショ
ートの問題が不可避的に生じることとなる。

このように、インナーリード形成可能領域の大きさは、
搭載する半導体素子及びダイパッドのサイズによって制
限さね　従って各々の加工法による加工限界ピッチから
、インナーリードに形成され得る最大加工ビン数も自ず
と制限される。したがって、従来のリードフレームにお
いては、多ビン化は一定限度に制限されている。

更に半導体素子をダイパッド上にダイボンディングする
場合、共晶接合法、はんだ接合法、あるいは樹脂接着法
など採用されているが、量産性やコストの面から、近年
では樹脂接着法が多く用いられている。

Ｃ発明が解決しようとする課題］ 以上のよう＋ｌｓ　　これまで高速で放熱−性に優れた
パッケージを必要とした場合、第１４図のセラミックＰ
ＧＡに頼るしかなかったが、このため前述の如く部品コ
スト・組立コストが高価であることが余儀なくされてい
旭 また、ＬＳＩの高集積化が進んでくると、　１個の半導
体素子１０１に配置されるポンディングパッドの数は増
えてくる。従来のプラスチックパッケージにおいては　
第１２図に示すように半導体素子１０１上の１つのポン
ディングパッドから１本のインナーリード１０３にワイ
ヤボンディング１０４されるため、電源及び接地用配線
においては、半導体素子１０１のポンディングパッドの
数とその位置に対応したインナーリード１０３を配設し
なければならなく、電源及び接地用ビン数の増加を余儀
なくされている。しかしながら、電源及び接地用ビン数
が増加すると、前述のような半導体素子の高機能・高集
積化の要求に十分に応えることかできないという問題が
生じる。

更に、　リードフレーム１０６のフォトエツチング法及
びスタンピング法による加工には限界があるため、多ビ
ン化に対応していくにはリードフレーム１０６の板厚を
薄（する必要がある。しかし、リードフレーム１０６の
板厚を薄くすると、インナーリード１０３の強度が弱く
なり、インナーリード１０３の変形によるショートの発
生、ワイヤボンディングにおけるボンダビリティ−の低
下などの問題がある。

更に、樹脂接着法により半導体素子１０１をダイパッド
１０２上に接合した場合、半導体素子１０１の外側まで
接着剤がはみ出してしまい、ワイヤ１０４流れが生じて
同様にショートが発生してしまう問題がある。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は半導体素子に配設されるポンディングパ
ッドの数が増えてもその増加に確実に対応して形成する
ことにより、半導体装置の高機能・高集積化の要求に十
分に応えることのできるリードフレームを提供すること
である。

本発明の他の目的は、インナーリードの強度を大きくし
てワイヤボンディングにおけるボンダビリティ−を向上
させることができる安価なリードフレームを提供するこ
とである。

本発明の更に他の目的は、半導体素子を接合するための
樹脂接着剤が流れ出すのを確実に防止することのできる
リードフレームを提供することである。

［課題を解決するための手段］ 前述の問題を解決するために　本発明のリードフレーム
は、インナーリードの先端によって囲まれる空間内に半
導体素子が配役さね　前記空間の大きさが、前記インナ
ーリードの内側先端と前記半導体素子との間に所定の間
隔が形成されるように前記半導体素子の大きさよりも大
きく設定されており、前記間隔内に枠状導電板が配設さ
ね　この枠状導電板に所定数の独立電極がこの枠状導電
板と一体となすように設けられていることを特徴として
いる。

また本発明は、前記枠状導電板を金属板から形成してい
ることを特徴としている。

更に本発明＃戴　前記独立電極を前記枠状導電板に耐熱
性かつ絶縁性接着層を介して設けていることを特徴とし
ている。

更に本発明は、矩形枠状の突起を有する金属板を前記空
間に配設しているとともに、この金属板上の前記矩形枠
状の突起内に前記半導体素子を接合しており、また前記
金属板上に前記枠状導電板を耐熱性かつ絶縁性接着層を
介して設け、更に前記枠状導電板を電源プレーンとして
形成していることを特徴としている。

更に本発明は、前記独立電極を枠状に形成しているとと
もに、前記矩形枠状の突起を有する金属板を接地用プレ
ーンとして形成しており、前記枠状独立電電　前記枠状
導電板および前記接地用プレーンのそれぞれの外形寸法
を、これらの順に小さく設定していることを特徴として
いる。

更に本発明は、前記接地用プレーンの外形寸法を前記イ
ンナーリード先端に重なる大きさに設定しており、その
接地用プレーンに耐熱性かつ絶縁性接着層により前記イ
ンナーリードを画定していることを特徴としている。

更に本発明は、前記耐熱性かつ絶縁性接着層をポリイミ
ド系樹脂で形成していることを特徴としている。

［作用］ このような構成をした本発明によれば、インナーリード
の先端によって囲まれる空間内に枠状導電板を配設し、
この枠状導電板に所定数の独立電極を設けているので、
枠状導電板は共通の電極として機能することができるよ
うになる。これにより、半導体素子上の任意のポンディ
ングパッドから枠状導電板の共通電極としての任意の場
所にワイヤボンディングが可能となる。

また枠状導電板が共通電極となることにより、電源・接
地ビンの必要な数のねりには少ｒｌいピン数のリードフ
レームで、ポンディングパッドの数の増加した半導体素
子に対応できるようになる。

更に、所定数の独立電極や枠状導電板によりワイヤボン
ディングの中継点が形成されることになるので、半導体
素子の大きさが枠状導電板の枠内に配設される大きさで
あり、かつ半導体素子の電極バッドの数が独立電極の数
以下であれば、どのようなサイズの半導体素子に対して
も本発明のリードフレームが対応できるようになる。

更に、矩形枠状の突起内に半導体素子を配設しているの
で、半導体素子のダイボンディングにおける接着剤の流
れがこの突起により防止されるようになる。しかも、金
属板に半導体素子を接合するので、リードフレームは半
導体素子から発生する熱を効果的に放散するようになる
。

更に、電源用プレーンが枠状導電板により形成されると
ともに、接地用プレーンが金属板により形成されるので
、電源用プレーンから接地用プレーンへ通り抜けるパッ
ケージ内の電源系のインダクタンスが小さくなる。しか
も、電源用プレーンと接地用プレーンとの間にポリイミ
ド系の絶縁層を設けているので、小容量ではあるがデカ
ップリングコンデンサが形成されるようになる。

更に、接地用プレーンにインナーリードが固定されるの
で、インナーリードの強度が大きくなる。

更に、電源用プレーンはリードフレームのフレームとは
別に形成されるので、フォトエツチング法およびスタン
ピング法の限界に関係なく板厚を決めることができるよ
うになる。

［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明のリードフレームの一実施例を示す平
面図、第２図は第１図における■−■線に沿う断面図で
ある。図中、　１はリードフレーム、２は金属フレーム
、３は接地用プレーン、４は電源用プレーン、５は独立
電極用絶縁体フィルム、６はインナーリード、　７はア
ウターリードである。

第１図及び第２図に示すように、　リードフレーム１は
、金属フレーム２と、この金属フレーム２に固定された
接地用プレーン３と、この接地用プレーン３の上に固定
されるとともに金属フレーム２に連結された電源用プレ
ーン４と、この電源用プレーン４の上に固定された独立
電極用絶縁体フィルム５とから構成されている。

第３図に示すように、金属フレーム２は従来と同様にほ
ぼ矩形状に配設された多数のインナーリード６．６．・
・・とこれらのインナーリード６．６゜・・・に接続さ
れた多数のアウターリード７．７．・・・とを有してい
る。更に金属フレーム２は、インナーリード６．６．・
・・の４角にそれぞれ電源用プレーン４が連結される連
結部８，８．・・・が形成されている。そして、インナ
ーリード６の各先端によって囲まれる空間Ａがリードフ
レームの中央に形成されている。このような金属フレー
ム２は、従来と同様に例えば４２合金、銅合金などの導
電性の高い一連の金属からフォトエツチング法およびス
タンピング法等によって加工製造される。

第４図に示すように、電源用プレーン４は矩形の本体部
９とこの本体部９の４角から延出する連結部１０，１０
．　　・・とからなっている。また本体部９の中央部に
は、搭載される半導体素子２０（第９図に図示）よりも
太き（、かつその半導体素子２０を囲むように短形状の
孔１１が形成されている；　このような電源プレーン４
も、金属フレーム２と同様に４２合金、銅合金などの１
電性の高い一連の金属からフォトエツチング’ｂ−Ｌ＜
はスタンピングなどの方法によって製造される。

第５図に示すように、独立電極用絶縁体フィルム５は矩
形状の絶縁フィルム１２から形成されており、その大き
さは電源用プレーン４上に載置したときその電源用プレ
ーン４上の外周縁部にワイヤボンディングの可能な領域
　すなわち枠状の電極４ａが形成されるような大きさに
設定されている。絶縁フィルム１２の上面には、その周
縁部から中心部へ向けて、インナーリードのビン数と同
数の独立した電極１３，１３．　　・・・からなる電極
パターン１４が形成されている。更に絶縁フィルム１２
の中央部分には矩形の孔１５が形成されており、この孔
１５の大きさは電源用プレーン４の孔１１よりも大きく
設定されている。したがって、電源用プレーン４の上に
独立電源用絶縁体フィルム５を載置したとき、第２図に
示すように電源用プレーン４の内周縁が独立電源用絶縁
体フィルム５の内周縁より飛び出した形となり、その飛
び出した内周縁部にワイヤボンディングの可能な領域す
なわち枠状の電極４ｂが形成されている。そして、各電
極１３は絶縁フィルム１２の外周縁から内周縁にわたっ
て設けられている。

このような独立電極用絶縁体フィルム５は、絶縁フィル
ム１２上に銅箔をラミネートし、その後製版・フォトエ
ツチングで電極パターン１４を形成することにより、製
造される。

第６図に示すように、接地用プレーン３は接地用電極を
形成するとともに半導体素子を搭載するためのものであ
り、その形状は矩形状に形成されているとともに、その
大きさは金属フレーム２と重ねた場合、インナーリード
６の先端部に重なる大きさに設定されている。また、接
地用プレーン３の中央には、矩形枠状の突起３ａが形成
されている。この矩形枠状の突起３ａの大きさは、その
内周縁側が半導体素子が収納できる大きさに設定され、
　その外周縁側が電源用プレーン４の孔１１よりも・ｊ
＼さい大きさに設定されている。

この接地用プレーン３は銅合金などの導電性の高いベタ
状の金属板から形成されており、半導体素子から発生す
る熱を効果的に放熱する。

そして、リードフレーム１を形成するに１ｉ　　まず第
７図に示すように独立電極用絶縁体フィルム５を電源用
プレーン４の上に接着フィルム１６（第２図に図示）で
貼付して一体にする。この接着フィルム１６は第８図に
示すようにほぼ矩形の平板状に形成されており、その中
央部には矩形の孔１７が穿設されている。孔１７は独立
電極用絶縁体フィルム５に形成された孔１５と同じ大き
さとなっている。すなわち、この接着フィルム１６の形
状は独立電極用絶縁体フィルム５の形状と同じ形状とな
っている。

また、独立電極絶縁体フィルム５と一体になった電源用
プレーン４を接着フィルム１８により接地用プレーン３
の上に貼付するとともに、その電源用プレーン４の連結
部１０を金属フレーム２の連結部８に溶接、熱圧着など
の方法で接合する。

この接着フィルム１８は第９図に示すように４角が面取
りされたほぼ矩形の平板状に形成されてお、す、その外
形形状は接地用プレーン３の外形と同じ形状にされてい
る。そして、同様に接着フィルム１８の中央部には矩形
の孔１９が穿設されていて、この孔１９は接地用プレー
ン３に形成された枠状突起３ａの外周縁とほぼ同じ大き
さに設定されている。更に、接地用プレーン３を同じ接
着フィルム１８によりインナーリード６の先端下面に貼
付する。

接着フィルム１６．１８はポリイミド系樹脂から形成さ
れており、耐熱性および絶縁性を有している。

このようにして第１図に示すような本実施例のリードフ
レーム１が形成される。

次に、このようなリードフレーム１を用いて半導体素子
をパッケージングして半導体装置を組み立てる方法につ
いて説明する。

第１０図および第１１図に示すように、まず半導体素子
２０を接地用プレーン３の枠状突起３ａ内に位置させて
接地用プレーン３の上面に接着剤等に−より固定する。

次に半導体素子２ｏ上の信号用の電極パッド２０ａと独
立電極用絶磁体フィルムｓ上における電極パターン１４
の電極１３の内側先端部との間でワイヤボンディング２
１を行うとともに、電極１３の他端部とインナーリード
６との間でワイヤボンディング２１を行うことにより、
インナーリード６と半導体素子２０との信号系の電気的
接続を行う。

次いで、半導体素子２ｏの電源用の電極パッド２０ｂと
電源用プレーン４め内周縁側の電極４ｂとの間でワイヤ
ボンディング２２を行うとともに、電源用プレーン４の
外周縁側の電極４ａと少なくとも１本のインナーリード
６との間でワイヤボンディング２２を行うことにより、
インナーリード６と半導体素子２０との電源系の電気的
接続を行う。

次に半導体素子２０の接地用の電極パッド２０Ｃと接地
用プレーン３の枠状突起３ａとの間でワイヤボンディン
グ２３を行うとともに、枠状突起３ａと少なくとも１本
のインナーリード６との間でワイヤボンディング２３を
行うことにより接地系の電気的接続を行う。

独立電極用絶縁体フィルム５上の電極パターン１４、電
源用プレーン４および接地用プレーン３の枠状突起３ａ
により、ワイヤボンディングの中継点が形成される。

このように必要な電気的接続を行った後、封止樹脂によ
るモールドＭでパッケージングを行うことにより、半導
体装置が形成される。

このように構成されたこの実施例においては、接地用プ
レーン３１　枠状導電板である電源プレーン４と独立電
極用絶縁体フィルム５とを一体的に貼付したとき、電源
プレーン４には枠状の電源用電極４ａ、　４ｂが形成さ
ね　また接地用プレーン３の枠状突起３ａに枠状の接地
用電極が形成されている。したがって、電源の接続は半
導体素子２０上の任意の電極からそれぞれ電源プレーン
４上の枠状電源用電極４ｂの任意の場所へワイヤボンデ
ィングができ、更に電源プレーン４上の枠状電源用電極
４ａの任意の場所から任意の一つ以上のインナーリード
６にワイヤボンディングができるようになる。また、同
様に接地の接続は半導体素子２ｏ上の任意の電極から接
地用プレーン３上の枠状突起３ａの任意の場所へワイヤ
ボンディングができ、更に枠状突起３ａの任意の場所か
ら任意の一つ以上のインナーリード６にワイヤボンディ
ングができるようになる。したがって、　リードを電源
・接地にとられれた配置にする必要はなく、電源・接地
用のリードをそれぞれ最低１本任意の場所に配設すれば
よいようになる。

また、これらの電源用および接地用の電極４ａ。

４ｂ、３ａが枠状に形成されることにより、高集積化が
進へ　半導体素子２０上における電源・接地用のポンデ
ィングパッドの数が増えても、それに合わせてリードの
数を増やす必要はなくなる。

このため、必要な電源ビンの数が多いわりには少ないビ
ン数のリードフレームを使用することができるようにな
り、半導体素子の超多ピン化に確実に対応することがで
きる。

更に、電源用プレーン４の枠状電極４ａ、４ｂにより、
パンケージ内の半導体素子２ｏの周辺にわたって電源パ
スを回した構造が形成されるので、電流を均等配分する
ことができるようになる。

更に、接地用プレーン３が大きいベタの金属板であるた
め、　リードフレーム１は放熱性に優れており、半導体
素子から発する熱を効果的に放散するようになる。

更に、接地用プレーン３はベタ状の金属板であり、かつ
電源用プレーン４のラインが太いため、電源から接地へ
通り抜けるパッケージ内の電源系のインダクタンスは小
さくなる。しかも、電源プレーン４により形成される電
源層と接地用プレーン３により形成される接地層との間
は、ポリイミド系の絶縁層１８が介在しているので、こ
の絶縁層１８を介して小容量ながらデカップリングコン
デンサが形成される。したがって、このデカップリング
コンデンサにより、電源雑音を吸収することができるの
で、電源バウンスによる半導体素子２０の誤動作を防止
することができる。

更に本実施例のリードフレーム１にはボンディング滲中
継点が形成されるので、半導体素子２０の大きさが接地
用プレーン３の枠状突−起３ａより小さく、かつ半導体
素子２０の電極パッドの数が電極パターン１３の電極パ
ッド１３ａ数以下であれば、どのようなサイズの半導体
素子２０に対しても同一のリードフレーム１を使用する
ことが可能である。

更に、接地用プレーン３を金属フレーム２へ貼り合わせ
るための接着フィルム１８の外形は金属フレーム２のイ
ンナーリード６の先端部に重なる大きさに設定されてい
るため、接着フィルム１８をインナーリード６の裏面に
貼り合わすことにより、インナーリード６の強度を高め
てインナーリード６の変形を防止することができる。し
たがって、インナーリードどうしが接触してショートす
ることを防止できる。

更に、電源用プレーン４が金属フレーム２とは別体に形
成されるため、フォトエツチング法及びスタンピング法
における加工限界に関係なく金属フレーム２の板厚を決
めることができ、インナーリード６の強度を更に一層高
めることができる。

したがって、インナーリード６の変形によるボンダビリ
ティの低下を防止することができるようになる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、枠状
導電板は共通の電極として用いることができるので、例
えばこの枠状導電板を電源用プレーンあるいは接地用プ
レーンとして使用することにより、電源用あるいは接地
用リードを半導体素子の電源パッドあるいは接地パッド
の位置に関係なく、電源・接地用のリードをそれぞれ最
低１本任意の場所に配設すればよい。

また枠状導電板を共通電極とした中継点が設けられるの
で、半導体素子のパッド数より少ないピン数のリードフ
レームで、半導体素子の超多ピン化に確実に対応するこ
とができるようになる。

更に、矩形枠状の突起内に半導体素子を配設するので、
半導体素子のダイボンディングにおける接着剤の流れを
確実に防止することができる。しかも、金属板に半導体
素子を接合するので、　リードフレームは半導体素子か
ら発生する熱に対して放熱作用が優れたものとなる。

更に、電源用プレーンが枠状導電板により形成されると
ともに接地用プレーンがベタ状の金属板であるので、電
源用プレーンから接地用プレーンへ通り抜けるパッケー
ジ内の電源系のインダクタンスが小さくなる。しかも、
電源用プレーンと接地用プレーンとの間にポリイミド系
の絶縁層を設けているので、デカップリングコンデンサ
が形成さね　このデカップリングコンデンサにより電源
雑音を吸収することができる。

更に、接地用プレーンにインナーリードが固定されるの
で、インナーリードの強度が大きくなる。

したがって、インナーリードの変形が防止さ托インナー
リードどうじの接触によるショートを防止できる。

更に、電源用プレーンはリードフレームのフレームとは
別に形成されるので、フォトエツチング法およびスタン
ピング法の限界に関係なく板厚を決めることができる。

したがって、ワイヤのボンダビリティを向上させること
ができるようになり、プラスチックパッケージを簡単に
形成することができる。この結果、パッケージの製造コ
ストが低減する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体素子用リードフレームの一実施
例の平面図、第２図は第１図における■−ＩＩ線に沿う
断面図、第３図は半導体素子用リードフレームで使用す
る金属フィルムの平面図、第４図は電源用プレーンの平
面図、第５図は独立電極用絶縁体フィルムの平面図、第
６図は接地用プレーンの平面図、第７図は電源用プレー
ンに独立電極用絶縁体フィルムを組み込まれた平面図、
第８図および第９図は電源プレーンに独立電極絶縁体フ
ィルムを貼り合わせるための接着フィルムおよび電源プ
レーンの組み込まれた金属フレームに接地用プレーンを
貼り合わせるための接着フィルムの平面図、第１０図は
この実施例のリードフレームを用いて半導体装置を組み
立てた状態を示す平面−図、第１１図は第１０図のＸＩ
−ＸＩ線に沿う断面図、第１２図は従来のプラスチ−ツ
クＱＦＰの平面図、第１３図は従来のリードフレームの
平面図、第１４図は従来のセラミックＰＧＡの斜視図で
ある。 １・・・リードフレーム、　２・・・金属フレーム、　
３・・・接地用プレーン、３ａ・・・矩形枠状突起、４
・・・電源用プレーン（枠状導電板）、５・・・独立電
極用絶縁体フィルム、　６・・・インナーリード、　７
・・・アウターリード、　１４・・・電極パターン、　
１６．１８・・・接着フィルム、２０・−・半導体素子

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）インナーリードの先端によって囲まれる空間内に
   、搭載される半導体素子が配設されるようになっている
   リードフレームにおいて、 前記空間の大きさが、前記インナーリードの内側先端と
   前記半導体素子との間に所定の間隔が形成されるように
   前記半導体素子の大きさよりも大きく設定されており、
   前記間隔内に枠状導電板が配設され、この枠状導電板に
   所定数の独立電極がこの枠状導電板と一体となすように
   設けられていることを特徴とするリードフレーム。
2. （２）前記枠状導電板は金属板から形成されていること
   を特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
3. （３）前記独立電極は前記枠状導電板に耐熱性かつ絶縁
   性接着層を介して設けられていることを特徴とする請求
   項１または２記載のリードフレーム。
4. （４）矩形枠状の突起を有する金属板が前記空間に配設
   されているとともに、この金属板上の前記矩形枠状の突
   起内に前記半導体素子が接合されるようになっており、
   また前記金属板上に前記枠状導電板が耐熱性かつ絶縁性
   接着層を介して設けられ、更に前記枠状導電板が電源プ
   レーンとして形成されていることを特徴とする請求項１
   ないし３のいずれか１記載のリードフレーム。
5. （５）前記独立電極は枠状に形成されているとともに、
   前記矩形枠状の突起を有する金属板が接地用プレーンと
   して形成されており、前記枠状独立電極、前記枠状導電
   板および前記接地用プレーンのそれぞれの外形寸法が、
   これらの順に小さく設定されていることを特徴とする請
   求項１ないし４のいずれか１記載のリードフレーム。
6. （６）前記接地用プレーンの外形寸法は前記インナーリ
   ード先端に重なる大きさに設定されており、その接地用
   プレーンに耐熱性かつ絶縁性接着層により前記インナー
   リードが固定されていることを特徴とする請求項５記載
   のリードフレーム。
7. （７）前記耐熱性かつ絶縁性接着層はポリイミド系樹脂
   で形成されていることを特徴とする請求項６記載のリー
   ドフレーム。