JPH0323258A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0323258A JPH0323258A JP1156499A JP15649989A JPH0323258A JP H0323258 A JPH0323258 A JP H0323258A JP 1156499 A JP1156499 A JP 1156499A JP 15649989 A JP15649989 A JP 15649989A JP H0323258 A JPH0323258 A JP H0323258A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- capacitance
- quality
- rare earth
- earth elements
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高（，良好
度ｑを大輻に改善し，静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用にｐいては，内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバヲツキを小さくできる誘
電体磁器組成物に関するものである。
度ｑを大輻に改善し，静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用にｐいては，内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバヲツキを小さくできる誘
電体磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く，良好度ＱＫすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
・ＢａＯ − Ｔｉｅ２− Ｎｄ２０，系− ＢａＯ−
Ｔｉｅ２−Ｓｍ２０，系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えばＯ．Ｑ ９ ＢａＯ
−０．５ ６ ＴｉＯ − ０．３ ５ ８４０，２
ノ組成比からナル２ 誘電体材料を使用し，パラジウムの内部電極厚み４μ一
、誘電体厚み１２μ箇．内部電極の重なり寸法１．２
ｍ Ｘ ０． ７ １１１；ｇ，誘電体層数１９の積層
構造をもつ積層セワミックコンデンサを作製すると、静
電容量の平均値：７４２ｐＦ．良好度Ｑの平均値二８７
００，静電容量温度係数の平均値：Ｎ３６ｐｐｍ／”Ｃ
、絶縁抵抗の平均値： ６．０ Ｘ １０”Ω、絶縁破
壊強度の平均値：１１７ｋ▼／Ｗであり、絶縁抵抗に釦
いて満足のできる値ではない。
Ｔｉｅ２−Ｓｍ２０，系 発明が解決しようとする課題 しかし、これらの組成は、例えばＯ．Ｑ ９ ＢａＯ
−０．５ ６ ＴｉＯ − ０．３ ５ ８４０，２
ノ組成比からナル２ 誘電体材料を使用し，パラジウムの内部電極厚み４μ一
、誘電体厚み１２μ箇．内部電極の重なり寸法１．２
ｍ Ｘ ０． ７ １１１；ｇ，誘電体層数１９の積層
構造をもつ積層セワミックコンデンサを作製すると、静
電容量の平均値：７４２ｐＦ．良好度Ｑの平均値二８７
００，静電容量温度係数の平均値：Ｎ３６ｐｐｍ／”Ｃ
、絶縁抵抗の平均値： ６．０ Ｘ １０”Ω、絶縁破
壊強度の平均値：１１７ｋ▼／Ｗであり、絶縁抵抗に釦
いて満足のできる値ではない。
１た．結晶粒径が１〜δμｌと大きいため、素体中の気
孔率が大きくなるとともに結晶粒子１個当たりにかかる
電界強度が犬き〈なり、絶縁破壊強度も満足のできる値
ではない。
孔率が大きくなるとともに結晶粒子１個当たりにかかる
電界強度が犬き〈なり、絶縁破壊強度も満足のできる値
ではない。
さらに，８ｆ層セヲミソクコンデンサのコストダウンを
行うため、釦よび素体内部の構造欠陥であるデヲミネー
シッンの発生を防ぐため、バヲジウｔの内部電極厚みを
４μｌから２μｍに薄くすると，上記の組成比の誘電体
材料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なシ寸法
、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデン
サの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるととも
に静電容量のバワツキが２６６〜７１３９Ｆと大きくな
る。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなると
ともに良好度Ｑのバヲツキが６００〜８８００と大きく
なるという課題があった。
行うため、釦よび素体内部の構造欠陥であるデヲミネー
シッンの発生を防ぐため、バヲジウｔの内部電極厚みを
４μｌから２μｍに薄くすると，上記の組成比の誘電体
材料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なシ寸法
、誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデン
サの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるととも
に静電容量のバワツキが２６６〜７１３９Ｆと大きくな
る。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなると
ともに良好度Ｑのバヲツキが６００〜８８００と大きく
なるという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式
ｘ ＢａＯ ｙ ［ （ＴｉＯ ｚ ） （ ＋ −
ｍ ＞ （ＺｒＯ ２ ）ｍ ］ 一Ｓ （Ｒ●
− Ｍｅ）Ｏ と表した時（ただし、（＋ｎ）
ｎ Ｓ／２ ！＋７＋Ｚ＝１．００，０．００１≦ｍ≦０．２００，
０．０１≦ｎ≦０．２０，ＲｅはＬａ ， Ｐｒ ，
Ｈａ ， ａｍから選ばれる一種以上の希土類元素、Ｍ
ｅはＬｍ，Ｐｒ ， Ｎａ ， ３１６を除く希土類元
素から選ばれる一種以上の希土類元素。），ｘ，ｙ，ｚ
が以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ”で囲１れる
モル比の範囲からなる主成分１００重量部に対し，副成
分としてＮｂ２０５， ’ｒａ２０，， Ｙ２０５
から選ばれる二種以」＝を合計で０．００１〜０．０
１ ０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成
物を提案するものである。
ｍ ＞ （ＺｒＯ ２ ）ｍ ］ 一Ｓ （Ｒ●
− Ｍｅ）Ｏ と表した時（ただし、（＋ｎ）
ｎ Ｓ／２ ！＋７＋Ｚ＝１．００，０．００１≦ｍ≦０．２００，
０．０１≦ｎ≦０．２０，ＲｅはＬａ ， Ｐｒ ，
Ｈａ ， ａｍから選ばれる一種以上の希土類元素、Ｍ
ｅはＬｍ，Ｐｒ ， Ｎａ ， ３１６を除く希土類元
素から選ばれる一種以上の希土類元素。），ｘ，ｙ，ｚ
が以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ”で囲１れる
モル比の範囲からなる主成分１００重量部に対し，副成
分としてＮｂ２０５， ’ｒａ２０，， Ｙ２０５
から選ばれる二種以」＝を合計で０．００１〜０．０
１ ０モル部含有したことを特徴とする誘電体磁器組成
物を提案するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。さた、Ｂ領域では良好度Ｑが低
１し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
ｍｍ度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、▲領域では焼
結が著しく困難である。さた、Ｂ領域では良好度Ｑが低
１し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
ｍｍ度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
くなる。
そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がブヲス方向に移
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。１た、Ｒ
ｅをＬａ ， Ｐｒ ， Ｎ（１ ， Ｓｍから選ぶコ
トニヨり，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を犬き
〈下げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移
行することが可能であシ、Ｌ＋ａ ， Ｐｒ ， Ｎｄ
， Ｓｍの一種あるいは組合せによシ静電容量温度係
数の調節が可能である。さらに、Ｌａ ， Ｐｒ ，
Ｎｄ ， Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素の一
部を、Ｌａ，Ｐｒ ， Ｎｄ ， Ｓｍを除く希土類元
素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換することに
より、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し，その置換
量が０．０１未満では置換効果はな（，０．２０を越え
ると誘電率が低下し実用的でなくなる。
行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。１た、Ｒ
ｅをＬａ ， Ｐｒ ， Ｎ（１ ， Ｓｍから選ぶコ
トニヨり，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍの順で誘電率を犬き
〈下げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移
行することが可能であシ、Ｌ＋ａ ， Ｐｒ ， Ｎｄ
， Ｓｍの一種あるいは組合せによシ静電容量温度係
数の調節が可能である。さらに、Ｌａ ， Ｐｒ ，
Ｎｄ ， Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元素の一
部を、Ｌａ，Ｐｒ ， Ｎｄ ， Ｓｍを除く希土類元
素から選ばれる一種以上の希土類元素で置換することに
より、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有し，その置換
量が０．０１未満では置換効果はな（，０．２０を越え
ると誘電率が低下し実用的でなくなる。
筐た， Ｔｉｅ２をＺｒＯ２で置換することにより、誘
電率，良好度Ｑ、静電容量温度係数，絶縁抵抗の値を大
きく変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強
度を大きくする効果を有し，その置換率ｍが０．００１
未満では置換効果はなく、方０．２００を越えると誘電
率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
電率，良好度Ｑ、静電容量温度係数，絶縁抵抗の値を大
きく変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強
度を大きくする効果を有し，その置換率ｍが０．００１
未満では置換効果はなく、方０．２００を越えると誘電
率、良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下する。
第２図＆−６は本発明にかかる組成物の主成分に対し、
副成分Ｎｂ２０５， Ｔａ２０５， Ｖ２０５ の含
有効果を積層セラミックコンデンサの特性で示すグワ７
であシ、Ｎｂ２０５， ’ｒａ２０，， Ｖ２０５ｙ）
含有範ａを限定した理由をグラフを参照しながら説明す
る。
副成分Ｎｂ２０５， Ｔａ２０５， Ｖ２０５ の含
有効果を積層セラミックコンデンサの特性で示すグワ７
であシ、Ｎｂ２０５， ’ｒａ２０，， Ｖ２０５ｙ）
含有範ａを限定した理由をグラフを参照しながら説明す
る。
第２図Ｋ示ｆｊウ１ｃＮｂ２０５，Ｔａ２０５，Ｖ２０
５ ｖ含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
が向上し、筐た静電容量と良好度Ｑを高め、静電容量と
良好度Ｑのバラツキを小さくする効果を有する。
５ ｖ含有することにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度
が向上し、筐た静電容量と良好度Ｑを高め、静電容量と
良好度Ｑのバラツキを小さくする効果を有する。
ソシテ、Ｎｂ ２０ ｓ ｒ Ｔａ ２０ ５ １ Ｖ
２０ ５ ノ含有ニヨシ，絶縁抵抗，絶縁破壊強度は
向上するが、Ｎｔ）２０５，？ａ２０５， Ｖ２０，の
含有量の合計が主成分１００重量部に対し、０．００１
モル部未満は静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量
と良好度Ｑのバヲツキが大きいため，この発明の範囲か
ら除外した。
２０ ５ ノ含有ニヨシ，絶縁抵抗，絶縁破壊強度は
向上するが、Ｎｔ）２０５，？ａ２０５， Ｖ２０，の
含有量の合計が主成分１００重量部に対し、０．００１
モル部未満は静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量
と良好度Ｑのバヲツキが大きいため，この発明の範囲か
ら除外した。
一方、Ｎｂ２０５，τａ２ｏ，，ｖ２ｏ５（７）含ｖｔ
ｏ合計が主成分に対し， ０．０ １ ０モル部を越え
ると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数が
マイナス側に大きくなシ、実用的でなくなる。１た、Ｎ
ｂ２０５， Ｔａ２０５， Ｖ２０５ から選ばれる
二種以上を含有することにより、Ｎｂ２０５， Ｔａ２
０５， ｖ２０，， カら選ばれる一種を含有するも
のに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数を小さくすることが
できる。
ｏ合計が主成分に対し， ０．０ １ ０モル部を越え
ると良好度Ｑ、絶縁抵抗が低下し、静電容量温度係数が
マイナス側に大きくなシ、実用的でなくなる。１た、Ｎ
ｂ２０５， Ｔａ２０５， Ｖ２０５ から選ばれる
二種以上を含有することにより、Ｎｂ２０５， Ｔａ２
０５， ｖ２０，， カら選ばれる一種を含有するも
のに比べ、誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良
好度Ｑにすぐれ、静電容量温度係数を小さくすることが
できる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３， ＴｉＯ■
，ＺｒＯ■， Ｌａ２０， ， Ｐｒ６０， ， ，
Ｎｄ２０， ， Ｓｍ２０３， Ｃｏｏ。，Ｇ（１２０
， ＊ ”３２０ｓ ， Ｗｂ２０，， ＴＩＬ２０５
’ｈ＝ Ｊ：ヒＶ２０５粉末を下記の第１表に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
シのボールミルに純水とともに入れ，湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉
末を、めのうボールを備えたゴム内張シのボールミルに
純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉
砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２
メッシュのふるいを通して整粒し，金型と油圧プレスを
用いて成形圧力１ｔｏｎ／ａＩ１で直径１５ｍ、厚み０
．４ｖａｘに成形した。
，ＺｒＯ■， Ｌａ２０， ， Ｐｒ６０， ， ，
Ｎｄ２０， ， Ｓｍ２０３， Ｃｏｏ。，Ｇ（１２０
， ＊ ”３２０ｓ ， Ｗｂ２０，， ＴＩＬ２０５
’ｈ＝ Ｊ：ヒＶ２０５粉末を下記の第１表に示す組成
比になるように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
シのボールミルに純水とともに入れ，湿式混合後、脱水
乾燥した。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ
、空気中で１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉
末を、めのうボールを備えたゴム内張シのボールミルに
純水とともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉
砕粉末に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２
メッシュのふるいを通して整粒し，金型と油圧プレスを
用いて成形圧力１ｔｏｎ／ａＩ１で直径１５ｍ、厚み０
．４ｖａｘに成形した。
次いで、成形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質
のサヤに入れ，空気中にて下記の第１表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
のサヤに入れ，空気中にて下記の第１表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
（以 下 余 白）
？のようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し，誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は，誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
，絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周よシ内側に１簡の幅で銀電極の無い部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、静
電容敏温度係数は，ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータの
モデル４２７６▲を使用し、測定温度２０℃、測定電圧
１，■ Ｖｒｒｎｓ ，測定周波数１ＭＨｚでの測定よ
う求めた。なか、静電容量温度係数は、２０℃と８６℃
の静電容量を測定し，次式により求めた。
を測定し，誘電率、良好度Ｑ、静電容量温度係数測定用
試料は，誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
，絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周よシ内側に１簡の幅で銀電極の無い部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率、良好度Ｑ、静
電容敏温度係数は，ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータの
モデル４２７６▲を使用し、測定温度２０℃、測定電圧
１，■ Ｖｒｒｎｓ ，測定周波数１ＭＨｚでの測定よ
う求めた。なか、静電容量温度係数は、２０℃と８６℃
の静電容量を測定し，次式により求めた。
ＴＯ ＝ （Ｇ − Ｇｏ） ／Ｃｏ Ｘ１ ／ｅ ５
Ｘ１ ０６ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ，／’ｃ
）Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８６℃での静電容量（ｐＦ） ｌた、誘電率は次式よシ求めた。
Ｘ１ ０６ＴＣ：静電容量温度係数（ｐｐｍ，／’ｃ
）Ｃｏ：２０℃での静電容量（ｐＦ） Ｃ ：８６℃での静電容量（ｐＦ） ｌた、誘電率は次式よシ求めた。
Ｋ＝１ ４３．８ＸｃｏＸｔ／Ｄ２
Ｋ ：誘電率
ＣＯ：２０℃での静電容量（ｐＦ）
Ｄ ：誘電体磁器の直径（簡）
ｔ ：誘電体磁器の厚み（簡）
さらに、絶縁抵抗は，ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデ＃
４３ ２ ９▲を使用し、測定電圧５ ０ Ｖ．Ｄ，Ｃ
，、測定時間１分間による測定よう求めた。
４３ ２ ９▲を使用し、測定電圧５ ０ Ｖ．Ｄ，Ｃ
，、測定時間１分間による測定よう求めた。
そして，絶縁破壊強度は、菊水電子工業（株）製高電圧
電源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ｆｌ当たりの絶縁破
壊強度とした。筐た，結晶粒径は、倍率４００での光学
顕微鏡観察より求めた。
電源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイ
ル中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅａにより求めた絶縁
破壊電圧を誘電体厚みで除算し、１ｆｌ当たりの絶縁破
壊強度とした。筐た，結晶粒径は、倍率４００での光学
顕微鏡観察より求めた。
試験結果を下記の第２表に示す。
（以下余 白）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３， Ｔｉｅ２
，ｚｒＯ２ｌＮｄ２０３ｌＣ６０２ｌＮｂ２０５ｌＴａ
２０５ｉ？よびｖ２０５粉末ヲ使用シ、組成比０．ｏ
ｓ ＢａＯ０．６ ６ ＴｉＯ −０．３ ５ ［
（ＮｄＯ３，２）（１，５（Ｃｏｏ２）。ｏ５］２ の主成分１００重量部に対し， （Ｎｂ２０５）。．
４（’ｒａ２０５）。，（Ｖ２０５）。．， ｆ ｏ，
ｏ．ｏ ｏ ｏ １，０．００ １ ０， ０．０
１ ００， ０．０ ２ ００モル部含有した仮焼粉砕
粉を実施例１と同様の方法で作製する。ただし、（Ｎｂ
２０５）ａ４（τ’２０５ ）［Ｌ３（Ｙ２０５ ）０
．３含有量が０％０．０００１，０．０２００重量部は
、この発明の範囲外であり、０．０ ０ １ ０、０．
０ １ ００モル部は、この発明の範囲内である。
，ｚｒＯ２ｌＮｄ２０３ｌＣ６０２ｌＮｂ２０５ｌＴａ
２０５ｉ？よびｖ２０５粉末ヲ使用シ、組成比０．ｏ
ｓ ＢａＯ０．６ ６ ＴｉＯ −０．３ ５ ［
（ＮｄＯ３，２）（１，５（Ｃｏｏ２）。ｏ５］２ の主成分１００重量部に対し， （Ｎｂ２０５）。．
４（’ｒａ２０５）。，（Ｖ２０５）。．， ｆ ｏ，
ｏ．ｏ ｏ ｏ １，０．００ １ ０， ０．０
１ ００， ０．０ ２ ００モル部含有した仮焼粉砕
粉を実施例１と同様の方法で作製する。ただし、（Ｎｂ
２０５）ａ４（τ’２０５ ）［Ｌ３（Ｙ２０５ ）０
．３含有量が０％０．０００１，０．０２００重量部は
、この発明の範囲外であり、０．０ ０ １ ０、０．
０ １ ００モル部は、この発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機パインダー，可塑剤，分散剤
、有機溶剤を加え，アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し，昭栄化学（株）製内部電極バヲ
ジウムベース｝ＭＬ−３７２４を焼結後の内部電極厚み
が２μｍとなるようにスクリーン印刷し，乾燥した。
、有機溶剤を加え，アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシートに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し，昭栄化学（株）製内部電極バヲ
ジウムベース｝ＭＬ−３７２４を焼結後の内部電極厚み
が２μｍとなるようにスクリーン印刷し，乾燥した。
この上にグリーンシ一ト１枚を積層し２焼結後の内部電
極重なり寸法が１ ． ２ ｍ Ｘ０．７＋１１１１と
なるように印刷位置をずらして内部電極バヲジウムペー
ストを印刷し、乾燥後、グリーンンート１枚を積層した
。これらの操作を、誘電体層数が１９となる１で繰り返
した。この上に，グリーンシ一ト１０枚を積層した。こ
の積層体を焼結後，内部電極重なシ寸法が１．２ｍＸ０
．７肩、誘電体層数が１９の積層構造をもつ積層セヲミ
ックコンデンサとなるように切断した。この切断した試
料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ
、空気中にて、室温から３５０′Ｃ″！でを５℃／ｈｒ
で昇温し、３６０℃よシ１００℃／ ｈ ｒで昇温し、
１２７０℃で２時間焼成後，１００℃／ｈｒで室温１で
降温した。次いで、焼成後の試料は、試料面を研磨し，
外部電極と接合する内部電極部分を充分露出させ，内部
電極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導
通させ，積層セラミックコンテ？サを作製した〇 これらの試料の静電容量、良好度Ｑ、静電容量温度係数
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定によシ求めた。また，積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向釦よび幅方向の約１／２
の研磨断面を、内部電極重なシ寸法は倍率１００．誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
極重なり寸法が１ ． ２ ｍ Ｘ０．７＋１１１１と
なるように印刷位置をずらして内部電極バヲジウムペー
ストを印刷し、乾燥後、グリーンンート１枚を積層した
。これらの操作を、誘電体層数が１９となる１で繰り返
した。この上に，グリーンシ一ト１０枚を積層した。こ
の積層体を焼結後，内部電極重なシ寸法が１．２ｍＸ０
．７肩、誘電体層数が１９の積層構造をもつ積層セヲミ
ックコンデンサとなるように切断した。この切断した試
料は、ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ
、空気中にて、室温から３５０′Ｃ″！でを５℃／ｈｒ
で昇温し、３６０℃よシ１００℃／ ｈ ｒで昇温し、
１２７０℃で２時間焼成後，１００℃／ｈｒで室温１で
降温した。次いで、焼成後の試料は、試料面を研磨し，
外部電極と接合する内部電極部分を充分露出させ，内部
電極露出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導
通させ，積層セラミックコンテ？サを作製した〇 これらの試料の静電容量、良好度Ｑ、静電容量温度係数
、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定によシ求めた。また，積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向釦よび幅方向の約１／２
の研磨断面を、内部電極重なシ寸法は倍率１００．誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
この測定結果を第２図ａ − ｅに示す。
なか、実施例にかける誘電体磁器の作製方法では％Ｂａ
ＣＯ， ， Ｔｉｅ■， Ｚｒ０２， Ｌ＆２０３，
Ｐｒ６０，， ，”２０ｓ ， Ｓｍ２０， ， Ｃｏ
ｏ２， Ｇ（１２０， ， Ｄｙ２０， ， Ｗｂ２０
５，Ｔａ２０，＆よびｖ２０５を使用したが、この方法
に限定されるものではなく、所望の組成比になるように
、ＢａＴｉＯ，などの化合物，あるいは炭酸塩．水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ ， Ｔｉｅ２，
ＺｒＯ２， Ｌｍ２０３， Ｐｒ６０， ， ， ）１
６２０３， Ｓ！Ｄ２０３， Ｃｏｏ２，Ｇｄ２０５，
Ｄｙ２０， ， Ｗｂ２０５， Ｔａ，０５ｐよびｖ
２０，となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
ＣＯ， ， Ｔｉｅ■， Ｚｒ０２， Ｌ＆２０３，
Ｐｒ６０，， ，”２０ｓ ， Ｓｍ２０， ， Ｃｏ
ｏ２， Ｇ（１２０， ， Ｄｙ２０， ， Ｗｂ２０
５，Ｔａ２０，＆よびｖ２０５を使用したが、この方法
に限定されるものではなく、所望の組成比になるように
、ＢａＴｉＯ，などの化合物，あるいは炭酸塩．水酸化
物など空気中での加熱により、ＢａＯ ， Ｔｉｅ２，
ＺｒＯ２， Ｌｍ２０３， Ｐｒ６０， ， ， ）１
６２０３， Ｓ！Ｄ２０３， Ｃｏｏ２，Ｇｄ２０５，
Ｄｙ２０， ， Ｗｂ２０５， Ｔａ，０５ｐよびｖ
２０，となる化合物を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
１た、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、実施例では， Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ． Ｓｍを除く
希土類元素ＭｅとしてＧｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明し
たが、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
希土類元素ＭｅとしてＧｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明し
たが、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度
の特性を得ることができる。
壕た、上述の基本組成のほかに、Ｓ１０２、ＭｎＯ２、
Ｆｅ２０，、ＺｎＯ など一般にフワックスと考えら
れている塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
Ｆｅ２０，、ＺｎＯ など一般にフワックスと考えら
れている塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で
加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、結晶粒径が小さく、誘電
率，絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのバヲツキを小さくできるため，内部電極
の厚み？薄くシて、積層セラミックコンデンサのコスト
ダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラミネー
ションの発生を防ぐことができる。１た、絶縁破壊電圧
が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小型化、大
容量化が可能である。
率，絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのバヲツキを小さくできるため，内部電極
の厚み？薄くシて、積層セラミックコンデンサのコスト
ダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラミネー
ションの発生を防ぐことができる。１た、絶縁破壊電圧
が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小型化、大
容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を説
明する三元図、第２図ａ − ｅは本発明にかかる組成
比０．０ ９ ＢａＯ − ０．５ ６ ＴｉＯ ■−
０．３５［（ＮｄＯ３／２）０．９５（Ｃ”２）０．
０５］ の主成分１００重量部に対する副成分（Ｎｂ
２０５）。．４（Ｔａ２０５）。３（ｖ２０５），３の
含有効果を、誘電体厚み：１２μ璽、内部電極重なり寸
法： １．２ ｗａｘ Ｘ Ｏ．γ皿、誘電体層数：１
９の積層構造をもつ積層セヲミックコンデンサの電気特
性で示すグラフである。
明する三元図、第２図ａ − ｅは本発明にかかる組成
比０．０ ９ ＢａＯ − ０．５ ６ ＴｉＯ ■−
０．３５［（ＮｄＯ３／２）０．９５（Ｃ”２）０．
０５］ の主成分１００重量部に対する副成分（Ｎｂ
２０５）。．４（Ｔａ２０５）。３（ｖ２０５），３の
含有効果を、誘電体厚み：１２μ璽、内部電極重なり寸
法： １．２ ｗａｘ Ｘ Ｏ．γ皿、誘電体層数：１
９の積層構造をもつ積層セヲミックコンデンサの電気特
性で示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＺｒＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ＿）Ｍ
ｅ＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００，０．０００１≦ｍ≦０．２００，０．０
１≦ｎ≦０．２０，ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから
選ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土
類元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１０
０重量部に対し、副成分としてＮｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿
２Ｏ＿５，Ｖ＿２Ｏ＿５から選ばれる二種以上を合計で
０．００１〜０．０１０モル部含有したことを特徴とす
る誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156499A JPH0323258A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156499A JPH0323258A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323258A true JPH0323258A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15629098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156499A Pending JPH0323258A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323258A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021141938A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | The Braun Corporation | Foot rest assembly for a seat of a motorized vehicle |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156499A patent/JPH0323258A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021141938A1 (en) | 2020-01-07 | 2021-07-15 | The Braun Corporation | Foot rest assembly for a seat of a motorized vehicle |
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