JPH0323260A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH0323260A JPH0323260A JP1156501A JP15650189A JPH0323260A JP H0323260 A JPH0323260 A JP H0323260A JP 1156501 A JP1156501 A JP 1156501A JP 15650189 A JP15650189 A JP 15650189A JP H0323260 A JPH0323260 A JP H0323260A
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- capacitance
- rare earth
- earth elements
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのパラツキを小さくできる誘
電体磁器組或物に関するものである。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのパラツキを小さくできる誘
電体磁器組或物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率、絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁器組成物として下記
のような系が知られている。
・ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＮｄｚＯ３系
・ＢａＯ−Ｔ ｉ０２−Ｓｍ２０ｚ系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば０． ０ ９ Ｂ ａ
Ｏ−０．５６Ｔｉ０２ ０．３５ＮｄＯ３ｙ２の組成
比からなる誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極
厚み４μｍ１誘電体厚み１２μｍ１内部電極の重なり寸
法１．２ｍＸＱ．７ｍＳ！Ｎ電体層数１９の積層構造を
もつ積層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量
の平均値：７４２ｐＦ，良好度Ｑの平均値：８７００１
静電容量温度系数の平均値二Ｎ３５ｐｐｍ／’Ｃ、絶縁
抵抗の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平
均値：１１７ｋｖ／ｍであり、絶縁抵抗において満足の
できる値ではない。また、結晶粒径が１〜５μｍと大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなり、絶縁破壊強
度も満足のできる値ではムい。
Ｏ−０．５６Ｔｉ０２ ０．３５ＮｄＯ３ｙ２の組成
比からなる誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極
厚み４μｍ１誘電体厚み１２μｍ１内部電極の重なり寸
法１．２ｍＸＱ．７ｍＳ！Ｎ電体層数１９の積層構造を
もつ積層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量
の平均値：７４２ｐＦ，良好度Ｑの平均値：８７００１
静電容量温度系数の平均値二Ｎ３５ｐｐｍ／’Ｃ、絶縁
抵抗の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平
均値：１１７ｋｖ／ｍであり、絶縁抵抗において満足の
できる値ではない。また、結晶粒径が１〜５μｍと大き
いため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結晶粒子
１個当たりにかかる電界強度が大きくなり、絶縁破壊強
度も満足のできる値ではムい。
さらに、積層セラミックコンデンサのコストダウンを行
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組威比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極重なり寸法、
誘電体層数の積層構造をもつｆＪＩ層セラミックコンデ
ンサの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとと
もに静電容量のパラッキが２５６〜７１３ｐＦと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのパラツキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組威比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み、内部電極重なり寸法、
誘電体層数の積層構造をもつｆＪＩ層セラミックコンデ
ンサの静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとと
もに静電容量のパラッキが２５６〜７１３ｐＦと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのパラツキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
課題を解決するための手段
これらのｖｓｍを解決するために本発明は、一般式ｘＢ
ａｏ−ｙ ［ （ＴｉＯｚ） ＋＋−ｍ＋ （
ＺｒＯｚ）−コ− Ｚ （Ｒ ｅ ＋１−ａ＋Ｍ ｅ
６）Ｍｅｎ）Ｏ２／３と表した時、（ただし、ｘ ＋
ｙ ＋ ｚ ＝ １． ０ ０， ０． ０ ０ １≦
ｍ≦０． ２ ０ ０、０、０１≦ｎ≦０，２０、Ｒｅ
はＬａ， Ｐｒ， Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の
希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍを除く希土
類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。） 、Ｘ＋
Ｙ＊ ２が以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部
に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ２Ｏ５に換算
して０．３〜５．ＯＪｌ量部含有したことを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである。
ａｏ−ｙ ［ （ＴｉＯｚ） ＋＋−ｍ＋ （
ＺｒＯｚ）−コ− Ｚ （Ｒ ｅ ＋１−ａ＋Ｍ ｅ
６）Ｍｅｎ）Ｏ２／３と表した時、（ただし、ｘ ＋
ｙ ＋ ｚ ＝ １． ０ ０， ０． ０ ０ １≦
ｍ≦０． ２ ０ ０、０、０１≦ｎ≦０，２０、Ｒｅ
はＬａ， Ｐｒ， Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の
希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍを除く希土
類元素から選ばれる一種以上の希土類元素。） 、Ｘ＋
Ｙ＊ ２が以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００重量部
に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ２Ｏ５に換算
して０．３〜５．ＯＪｌ量部含有したことを特徴とする
誘電体磁器組成物を提案するものである。
ｈ用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組成範囲を示
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
く収る。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組成範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、Ｂ領域では良好度Ｑが低
下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ，Ｄ領域では静電容
量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用的でな
く収る。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数がプラス
方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなくなる。
また、Ｒｅｔ−Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ぶことに
より、Ｌａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍの順で誘電率を大きく下
げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行す
ることが可能であり、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの１種あ
るいは組合せにより静電容量温度係数の調節が可能であ
る。さらに、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種
以上の希土類元素の一部を、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置
換することにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有
し、その置換量が０．０１未満では置換効果はなく、０
．２０を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
より、Ｌａ．Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍの順で誘電率を大きく下
げることなく、静電容量温度係数をプラス方向に移行す
ることが可能であり、Ｌａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍの１種あ
るいは組合せにより静電容量温度係数の調節が可能であ
る。さらに、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種
以上の希土類元素の一部を、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを
除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類元素で置
換することにより、良好度Ｑを大幅に改善する効果を有
し、その置換量が０．０１未満では置換効果はなく、０
．２０を越えると誘電率が低下し実用的でなくなる。
また、ＴｉＯ２をＺｒＯ２で置換することにより、誘電
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍがｏ．ｏｏｉ未
満では置換効果はなく、一方０、２００を越えると誘電
率、良好度Ｑ１絶縁抵抗が低下する。
率、良好度Ｑ、静電容量温度係数、絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍがｏ．ｏｏｉ未
満では置換効果はなく、一方０、２００を越えると誘電
率、良好度Ｑ１絶縁抵抗が低下する。
第２図ｆａｔ〜ｔｅｌは、本発明にかかる組成物の主成
分に対し、副成分Ｎｂ２０５の含有効果を積層セラミッ
クコンデンサの特性で示すグラフであり、Ｎ ｂ ２
０ ５の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しなが
ら説明する。
分に対し、副成分Ｎｂ２０５の含有効果を積層セラミッ
クコンデンサの特性で示すグラフであり、Ｎ ｂ ２
０ ５の含有範囲を限定した理由をグラフを参照しなが
ら説明する。
第２図に示すように、Ｎ ｂ ２ ０ ５を含有するこ
とにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、また静電
容量と良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキ
を小さくする効果を有する。そして、Ｎｂ２０ｐ，の含
有により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ｎｂ
ｚＯｓの含有量が主成分１００重量部に対し、０．３重
量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくなく、静電容
量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑのバラツ
キが大きいため、この発明の範囲から除外した。一方、
Ｎ ｂ ２ ０ ｓの含有量が主成分に対し、５．０重
量部を越えると良好度Ｑ１絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数がマイナス側に大きくなり、さらに静電容量の
温度変化の直線性が失われ実用的でなくなる。
とにより、絶縁抵抗、絶縁破壊強度が向上し、また静電
容量と良好度Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキ
を小さくする効果を有する。そして、Ｎｂ２０ｐ，の含
有により、絶縁抵抗、絶縁破壊強度は向上するが、Ｎｂ
ｚＯｓの含有量が主成分１００重量部に対し、０．３重
量部未満はそれほど絶縁破壊強度が大きくなく、静電容
量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度Ｑのバラツ
キが大きいため、この発明の範囲から除外した。一方、
Ｎ ｂ ２ ０ ｓの含有量が主成分に対し、５．０重
量部を越えると良好度Ｑ１絶縁抵抗が低下し、静電容量
温度係数がマイナス側に大きくなり、さらに静電容量の
温度変化の直線性が失われ実用的でなくなる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ：ｉ，Ｔ ｉ
０２， Ｚ ｒ ０２， Ｌ ａｚＯ＋＋， Ｐ ｒｅ
Ｏｚ、Ｎｄ２０ａ，Ｓ ｍ，，Ｏ、， Ｃ ｅ ０２．
Ｇ ｄ ２０３， Ｄ Ｖ ２０３およびＮ ｂ ２
０ ｓ粉末を下記の第１表に示す組成比になるように
秤量し、めのうポールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とεもに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この
乾燥粉末を高アルミナ質のルッポに入れ、空気中で１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ
、湿式粉砕後，脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バ
インダーを加え、均質とした後、３２メッシュのふるい
を通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１
ｔｏｎ／ａ／で直径１５間、厚み０．４閣に成形した。
０２， Ｚ ｒ ０２， Ｌ ａｚＯ＋＋， Ｐ ｒｅ
Ｏｚ、Ｎｄ２０ａ，Ｓ ｍ，，Ｏ、， Ｃ ｅ ０２．
Ｇ ｄ ２０３， Ｄ Ｖ ２０３およびＮ ｂ ２
０ ｓ粉末を下記の第１表に示す組成比になるように
秤量し、めのうポールを備えたゴム内張りのボールミル
に純水とεもに入れ、湿式混合後、脱水乾燥した。この
乾燥粉末を高アルミナ質のルッポに入れ、空気中で１１
００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末をめのうボー
ルを備えたゴム内張りのボールミルに純水とともに入れ
、湿式粉砕後，脱水乾燥した。この粉砕粉末に、有機バ
インダーを加え、均質とした後、３２メッシュのふるい
を通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて成形圧力１
ｔｏｎ／ａ／で直径１５間、厚み０．４閣に成形した。
次いで、戚形円板をジルコニア粉末を敷いたアルミナ質
のサヤに入れ、空気中にて下記の第工表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
のサヤに入れ、空気中にて下記の第工表に示す温度で２
時間焼成し、第１表に示す組成比の誘電体磁器を得た。
（以 下 余 白）
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を厠定し、誘電率，良好度Ｑ．静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に１ｍｍの幅で銀電極のない部分を設
け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，
静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータ
のモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電
圧１．ＯＶｒｍｓ，測定周波数ＩＭＨｚでの測定より求
めた。なお、静電容量の温度変化は、−５５℃，−２５
℃．２０℃，８５℃，１２５℃の静電容量を測定し、直
線性を確認するとともに、静電容量温度係数は、２０℃
と８５℃の静電容量を用いて次式により求めた。
を厠定し、誘電率，良好度Ｑ．静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側に１ｍｍの幅で銀電極のない部分を設
け、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，
静電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータ
のモデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃、測定電
圧１．ＯＶｒｍｓ，測定周波数ＩＭＨｚでの測定より求
めた。なお、静電容量の温度変化は、−５５℃，−２５
℃．２０℃，８５℃，１２５℃の静電容量を測定し、直
線性を確認するとともに、静電容量温度係数は、２０℃
と８５℃の静電容量を用いて次式により求めた。
Ｔ Ｃ ＝ （ Ｃ − Ｃ ｏ ） ／ Ｃ ｏ Ｘ
１ ／ ６ ５ Ｘ １ ０ ’ＴＣ：静電容量温度
係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（
ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、ｖｇ電率は次式より求めた。
１ ／ ６ ５ Ｘ １ ０ ’ＴＣ：静電容量温度
係数（ｐｐｍ／’Ｃ）Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（
ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、ｖｇ電率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏｘ ｔ／Ｄ２
Ｋ：誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐ Ｆ）Ｄ ：誘電体
磁器の直径（ｍ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍ） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５ ０ Ｖ． Ｄ．Ｃ．、
厠定時間１分間による測定より求めた。
磁器の直径（ｍ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（ｍ） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５ ０ Ｖ． Ｄ．Ｃ．、
厠定時間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は菊水電子工業（株）製高電圧電
源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル
中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破
壊電圧を誘電体厚みで除算し、ＩＷ当たりの絶縁破壊強
度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微
鏡観察より求めた。
源ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル
中に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃにより求めた絶縁破
壊電圧を誘電体厚みで除算し、ＩＷ当たりの絶縁破壊強
度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微
鏡観察より求めた。
試験結果を下記の第２表に示す。
（以 下 余 白）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢ ａ ＣＯ３， Ｔ
ｉ Ｏｚ．Ｚ ｒ ０２， Ｎ ｄ ２０：ｌ．
Ｃ ｅ ０２およびＮ ｂ ２ ０ ｓ粉末を使用し、
組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉｏｚＯ．３
５ ［ （ＮｄＯ ３ｚ２） ０．９５ （
Ｃ ｅ０ ２） ０．０５コの主成分１００重量部
に対し、Ｎｂ２Ｏ５をＯ、０．１、０．３、０、５、１
，０、５．０，７．０重量部含有した仮焼粉砕粉を実施
例１と同様の方法で作製する。ただし、Ｎｂ：＋Ｏｓ含
有量が０，０．１，７．０重量部は、この発明の範囲外
であり、０．３、０．５、１．０、５．０重量部は、こ
の発明の範囲内である。
ｉ Ｏｚ．Ｚ ｒ ０２， Ｎ ｄ ２０：ｌ．
Ｃ ｅ ０２およびＮ ｂ ２ ０ ｓ粉末を使用し、
組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉｏｚＯ．３
５ ［ （ＮｄＯ ３ｚ２） ０．９５ （
Ｃ ｅ０ ２） ０．０５コの主成分１００重量部
に対し、Ｎｂ２Ｏ５をＯ、０．１、０．３、０、５、１
，０、５．０，７．０重量部含有した仮焼粉砕粉を実施
例１と同様の方法で作製する。ただし、Ｎｂ：＋Ｏｓ含
有量が０，０．１，７．０重量部は、この発明の範囲外
であり、０．３、０．５、１．０、５．０重量部は、こ
の発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機パインダー，可塑剤，分散剤
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（株）製内部電極パラ
ジウムペーストＭＬ−３７２４を焼結後の内部電極厚み
が２μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥した。こ
の上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結後の内部電極
重なり寸法が１．２ｍｎＸ０．７ｍｎとなるように印刷
位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印刷し、
乾燥後、グリーンシ一ト１枚を積層した。これらの操作
を、誘電体層数が１９となるまで繰り返した。この上に
、グリーンシ一ト１０枚を積層した。この積層対を焼結
後、内部電極重なり寸法が１． ２哨Ｘ Ｏ． ７ｎａ
、誘電体層数が１９の積層構造をもつ積層セラミックコ
ンデンサとなるように切断した。この切断した試料は、
ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気
中にて、室温から３５０℃までを５℃／ｈｒで昇温し、
３５０℃より１００℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃
で２時間焼成後、１００℃／ ｈ ｒで室温まで降温し
た。次いで、焼成後の試料は、試料面を研磨し、外部電
極と接合する内部電極部分を充分露出させ、内部電極露
出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通させ
、積層セラミックコンデンサを作製した。
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（株）製内部電極パラ
ジウムペーストＭＬ−３７２４を焼結後の内部電極厚み
が２μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥した。こ
の上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結後の内部電極
重なり寸法が１．２ｍｎＸ０．７ｍｎとなるように印刷
位置をずらして内部電極パラジウムペーストを印刷し、
乾燥後、グリーンシ一ト１枚を積層した。これらの操作
を、誘電体層数が１９となるまで繰り返した。この上に
、グリーンシ一ト１０枚を積層した。この積層対を焼結
後、内部電極重なり寸法が１． ２哨Ｘ Ｏ． ７ｎａ
、誘電体層数が１９の積層構造をもつ積層セラミックコ
ンデンサとなるように切断した。この切断した試料は、
ジルコニア粉末を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気
中にて、室温から３５０℃までを５℃／ｈｒで昇温し、
３５０℃より１００℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃
で２時間焼成後、１００℃／ ｈ ｒで室温まで降温し
た。次いで、焼成後の試料は、試料面を研磨し、外部電
極と接合する内部電極部分を充分露出させ、内部電極露
出部分に銀の外部電極を焼き付け、内部電極と導通させ
、積層セラミックコンデンサを作製した。
これらの試料の静電容量，良好度Ｑ，静電容量温度係数
．絶縁抵抗，絶縁破壊強度は、実施例ｌと同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１７２
の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００Ｓ誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
．絶縁抵抗，絶縁破壊強度は、実施例ｌと同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンサの長さ方向および幅方向の約１７２
の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１００Ｓ誘電
体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕微鏡観察
より求めた。
この測定結果を第２図（ａｌ〜（ｅ１に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂａ
ＣＯ３．Ｔｉ０２，ＺｒＯ２，ＬａｚＯ３．Ｐ ｒ６０
＋＋，Ｎｄ２０ｚ．Ｓｍ２０：＋，Ｃ ｅ０２＋Ｇｄｚ
Ｏ：＋，Ｄ）’２０３およびＮ ｂ ２ ０ ｓを使用
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０ ３などの化合物、あ
るいは炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により、Ｂ
ａ Ｏ ＋ Ｔ ｉＯ ２ １ Ｚ ｒ Ｏ ２
１ Ｌ ａ ２ ０ ３Ｐ ｒａｏ目，Ｎｄ２０３
．Ｓｍ２０３，Ｃ ｅ ０２Ｇ（＋２０３，ＤＶ２０ａ
およびＮｂｚＯｓとなる化合物を使用しても実施例と同
程度の特性を得ることができる。
ＣＯ３．Ｔｉ０２，ＺｒＯ２，ＬａｚＯ３．Ｐ ｒ６０
＋＋，Ｎｄ２０ｚ．Ｓｍ２０：＋，Ｃ ｅ０２＋Ｇｄｚ
Ｏ：＋，Ｄ）’２０３およびＮ ｂ ２ ０ ｓを使用
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０ ３などの化合物、あ
るいは炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により、Ｂ
ａ Ｏ ＋ Ｔ ｉＯ ２ １ Ｚ ｒ Ｏ ２
１ Ｌ ａ ２ ０ ３Ｐ ｒａｏ目，Ｎｄ２０３
．Ｓｍ２０３，Ｃ ｅ ０２Ｇ（＋２０３，ＤＶ２０ａ
およびＮｂｚＯｓとなる化合物を使用しても実施例と同
程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添加しても
実施例と同程度の特性を得ることができる。
実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、誘電体磁器用として一般に使用される工業用原料
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫＡ−１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮ ｂ ２ ０ ｓが含
まれるが、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘
電体磁器を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ Ｏ ｓの含有量は最大で０．２３重量部であり、
この発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン
中のＮｂ２Ｏ５量を考慮し、不足分のＮｂ：Ｏｓを含有
させることにより、実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
の二酸化チタン、例えばチタン工業（株）製二酸化チタ
ンＫＡ−１０、古河鉱業（株）製二酸化チタンＦＡ−５
５Ｗには最大０．４５重量％のＮ ｂ ２ ０ ｓが含
まれるが、これらの二酸化チタンを使用して主成分の誘
電体磁器を作製しても、主成分１００重量部に対してＮ
ｂ Ｏ ｓの含有量は最大で０．２３重量部であり、
この発明の範囲外であるが、工業用原料の二酸化チタン
中のＮｂ２Ｏ５量を考慮し、不足分のＮｂ：Ｏｓを含有
させることにより、実施例と同程度の特性を得ることが
できる。
また、実施例ではＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類
元素ＭｅとしてＣｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明したが、
その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
元素ＭｅとしてＣｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明したが、
その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度の特性
を得ることができる。
また、上述の基本組織のほかに、Ｓｉｎ２Ｍ ｎ ０２
． Ｆ ｅ ２０３． Ｚ ｎ Ｏなど一般にフラソ
クスと考えられている塩類．酸化物などを、特性を損な
わない範囲で加えることもできる。
． Ｆ ｅ ２０３． Ｚ ｎ Ｏなど一般にフラソ
クスと考えられている塩類．酸化物などを、特性を損な
わない範囲で加えることもできる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、結晶粒径が小さく、誘電
率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのバラッキを小さくできるため、内部電極
の厚みヲＷｉ ＜ Ｌて、積層セラミックコンデンサの
コストダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラ
ミネーションの発生を防ぐことができる。 また、絶縁
破壊電圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小
型化，大容量化が可能である。
率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅に
改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミッ
クコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを薄
くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電容
量と良好度Ｑのバラッキを小さくできるため、内部電極
の厚みヲＷｉ ＜ Ｌて、積層セラミックコンデンサの
コストダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラ
ミネーションの発生を防ぐことができる。 また、絶縁
破壊電圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小
型化，大容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主或分の組威範囲を説
明する三元図、第２図（ａｌ〜ｔｅｌは本発明にかかる
組戊比 ０．０９８ａＯ−０．５６Ｔ ｉｏ２−０．３５［ （
Ｎ ｄ ０３／２） ０．９５ （Ｃ ｅ ０２） ｏ
．ｏｓｌの主成分１００重量部に対する副成分Ｎ ｂ
２ ０ ｓの含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ１内部
電極重なり寸法１．２關Ｘ０，７ｎｎ，誘電体層数＝１
９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサの電気特
性で示すグラフである。
明する三元図、第２図（ａｌ〜ｔｅｌは本発明にかかる
組戊比 ０．０９８ａＯ−０．５６Ｔ ｉｏ２−０．３５［ （
Ｎ ｄ ０３／２） ０．９５ （Ｃ ｅ ０２） ｏ
．ｏｓｌの主成分１００重量部に対する副成分Ｎ ｂ
２ ０ ｓの含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ１内部
電極重なり寸法１．２關Ｘ０，７ｎｎ，誘電体層数＝１
９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサの電気特
性で示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＺｒＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ＿）Ｍ
ｅ＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時、（ただし、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１．００，０．００１≦ｍ≦０．２００、０．０
１≦ｎ≦０．２０、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから
選ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土
類元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１０
０重量部に対し、副成分としてニオブ酸化物をＮｂ＿２
Ｏ＿５に換算して０．３〜５．０重量部含有したことを
特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156501A JP2847766B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156501A JP2847766B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323260A true JPH0323260A (ja) | 1991-01-31 |
| JP2847766B2 JP2847766B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=15629144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156501A Expired - Fee Related JP2847766B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847766B2 (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156501A patent/JP2847766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2847766B2 (ja) | 1999-01-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |