JPH0323261A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH0323261A JPH0323261A JP1156502A JP15650289A JPH0323261A JP H0323261 A JPH0323261 A JP H0323261A JP 1156502 A JP1156502 A JP 1156502A JP 15650289 A JP15650289 A JP 15650289A JP H0323261 A JPH0323261 A JP H0323261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitance
- rare earth
- earth elements
- dielectric breakdown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁気組成物に関するものである。
度Ｑを大幅に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ
積層セラミックコンデンサへの利用においては、内部電
極の厚みを薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を
防ぎ、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできる誘
電体磁気組成物に関するものである。
従来の技術
従来から誘電率，絶縁抵抗が高く、良好度Ｑにすぐれ、
静電容量温度係数が小さい誘電体磁気組戒物として下記
のような系が知られている。
静電容量温度係数が小さい誘電体磁気組戒物として下記
のような系が知られている。
・ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２０３系
・ＢａＯ−Ｔ ｉ０２−Ｓｍ２０３系
発明が解決しようとする課題
しかし、これらの組成は、例えば０．０９ＢａＯ−０．
５６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯｚ／２の組成比から
なる誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４
μｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１．
２ｗＸ０，７ｍｍ、誘電体層数１９の積層構造をもつ積
層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量の平均
値： ７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値，８７００、静電
容量温度係数の平均値：Ｎ３５ｐｐｍ／’Ｃ、絶縁抵抗
の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値
：１１７ｋｖ／ＩＩＩＩＩ１であり、絶縁抵抗において
満足のできる値ではない。また、結晶粒径が１〜５μｍ
と大きいため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結
晶粒子１個当たりにかかる電界強度が大きくなり、絶縁
破壊強度も満足のできる値ではない。
５６Ｔ ｉ ０２−０．３５ＮｄＯｚ／２の組成比から
なる誘電体材料を使用し、パラジウムの内部電極厚み４
μｍ、誘電体厚み１２μｍ、内部電極の重なり寸法１．
２ｗＸ０，７ｍｍ、誘電体層数１９の積層構造をもつ積
層セラミックコンデンサを作製すると、静電容量の平均
値： ７４２ｐＦ、良好度Ｑの平均値，８７００、静電
容量温度係数の平均値：Ｎ３５ｐｐｍ／’Ｃ、絶縁抵抗
の平均値：６．ＯＸ１０１２Ω、絶縁破壊強度の平均値
：１１７ｋｖ／ＩＩＩＩＩ１であり、絶縁抵抗において
満足のできる値ではない。また、結晶粒径が１〜５μｍ
と大きいため、素体中の気孔率が大きくなるとともに結
晶粒子１個当たりにかかる電界強度が大きくなり、絶縁
破壊強度も満足のできる値ではない。
さらに、積層セラミックコンデンサのコストダウンを行
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なり寸法，
誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサ
の静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに
静電容量のバラツキが２５６〜７ １ ３ｐＦと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのバラッキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
うため、および素体内部の構造欠陥であるデラミネーシ
ョンの発生を防ぐため、パラジウムの内部電極厚みを４
μｍから２μｍに薄くすると、上記の組成比の誘電体材
料を使用し、上記の誘電体厚み，内部電極重なり寸法，
誘電体層数の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサ
の静電容量の平均値が６１０ｐＦと小さくなるとともに
静電容量のバラツキが２５６〜７ １ ３ｐＦと大きく
なる。さらに、良好度Ｑの平均値も４０００と低くなる
とともに良好度Ｑのバラッキが６００〜８８００と大き
くなるという課題があった。
課題を解決するための手段
これらの課題を解決するために本発明は、一般式ｘＢａ
Ｏ−ｙ［（ＴｉＯ２）ｔ＋−ｍ＞（ＺｒＯ２）ｓｌ
ｚ（ Ｒ ｅ （Ｉ−ｎ）Ｍ ｅｎ） ０３／２ と表
した時（ただし、＞（＋ｙ＋ｚ＝１．００．０．００１
≦ｍ≦０．２００．０．０１≦ｎ≦０．２０．ＲｅはＬ
ａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元
素、ＭｅはＬａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素か
ら選ばれる一種以上の希土類元素。） 、Ｘ， ｙ＋
ｚが以下に表す各点ａ．ｂ，ｃ，ｄ，ｅ．ｆで囲まれる
モル比の範囲からなる主成分１００重目部に対し、副成
分としてバナジウム酸化物をＶ，，ＯＳに換算して０．
００５〜１．０００重量部含有したことを特徴とする誘
電体磁器組成物を提案するものである。
Ｏ−ｙ［（ＴｉＯ２）ｔ＋−ｍ＞（ＺｒＯ２）ｓｌ
ｚ（ Ｒ ｅ （Ｉ−ｎ）Ｍ ｅｎ） ０３／２ と表
した時（ただし、＞（＋ｙ＋ｚ＝１．００．０．００１
≦ｍ≦０．２００．０．０１≦ｎ≦０．２０．ＲｅはＬ
ａ，Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍから選ばれる一種以上の希土類元
素、ＭｅはＬａ．Ｐｒ．Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素か
ら選ばれる一種以上の希土類元素。） 、Ｘ， ｙ＋
ｚが以下に表す各点ａ．ｂ，ｃ，ｄ，ｅ．ｆで囲まれる
モル比の範囲からなる主成分１００重目部に対し、副成
分としてバナジウム酸化物をＶ，，ＯＳに換算して０．
００５〜１．０００重量部含有したことを特徴とする誘
電体磁器組成物を提案するものである。
作用
第１図は本発明にかかる組成物の主成分の組戒範囲を示
す三元図であり、主成分の組威範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、ＢｆｉＪｉ域では良好度
Ｑが低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ．Ｄ領域では
静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用
的でなくなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数が
プラス方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなく
なる。また、ＲｅをＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ぶこ
とにより、Ｌ ａ ｒ Ｐ ｒ ，Ｎ ｄ ｒ Ｓ ｍ
の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度係
数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ，Ｐ
ｒ．Ｎｄ，Ｓｍのｌ種あるいは組合せにより静電容量温
度係数の調節が可能である。さらに、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ
，Ｓｍがら選ばれるーＷ１以上の希土類元素の一部を、
Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる
一種以上の希土類元素で置換することにより、良好度Ｑ
を大幅に改善する効果を有し、その置換量が０．０１未
満では置換効果はな＜．０．２０を越えると誘電率が低
下し実用的でなくなる。
す三元図であり、主成分の組威範囲を限定した理由を第
１図を参照しながら説明する。すなわち、Ａ領域では焼
結が著しく困難である。また、ＢｆｉＪｉ域では良好度
Ｑが低下し実用的でなくなる。さらに、Ｃ．Ｄ領域では
静電容量温度係数がマイナス側に大きくなりすぎて実用
的でなくなる。そして、Ｅ領域では静電容量温度係数が
プラス方向に移行するが、誘電率が小さく実用的でなく
なる。また、ＲｅをＬａ．Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選ぶこ
とにより、Ｌ ａ ｒ Ｐ ｒ ，Ｎ ｄ ｒ Ｓ ｍ
の順で誘電率を大きく下げることなく、静電容量温度係
数をプラス方向に移行することが可能であり、Ｌａ，Ｐ
ｒ．Ｎｄ，Ｓｍのｌ種あるいは組合せにより静電容量温
度係数の調節が可能である。さらに、Ｌａ，Ｐｒ．Ｎｄ
，Ｓｍがら選ばれるーＷ１以上の希土類元素の一部を、
Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる
一種以上の希土類元素で置換することにより、良好度Ｑ
を大幅に改善する効果を有し、その置換量が０．０１未
満では置換効果はな＜．０．２０を越えると誘電率が低
下し実用的でなくなる。
マタ、ＴｉＯ２をＺｒＯ２で置換することにより、誘電
率，良好度Ｑ，静電容量温度係数，絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍが０．００１未
満では置換効果はなく、一・方０．２００を越えると誘
電率，良好度Ｑ．絶縁抵抗が低下する。
率，良好度Ｑ，静電容量温度係数，絶縁抵抗の値を大き
く変えることなく、結晶粒径を小さくし、絶縁破壊強度
を大きくする効果を有し、その置換率ｍが０．００１未
満では置換効果はなく、一・方０．２００を越えると誘
電率，良好度Ｑ．絶縁抵抗が低下する。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明にかかる組成物の主成分
に対し、副戒分Ｖ２Ｏ５の含有効果を積層セラミックコ
ンデンサの特性で示すグラフであり、■２０５の含有範
囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第
２図に示すようにｖ２０５を含有することによＩノ、絶
縁抵抗，絶縁破壊強度か向上し、また静電容量と良好度
Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくする
効果を有する。そして、Ｖ２０，，の含有により、絶縁
抵抗，絶縁破壊強度は向」ニするが、ｖ，ＯＳの含有量
が主成分１００重量部に対し、０．００５ｊＷｊｉ部未
満は静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度
Ｑのバラツキが大きいため、この発明の範囲から除外し
た。一方、Ｖ２０５の含有量が主戒分に対し、１．００
０重量部を越えると良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなく
なる。
に対し、副戒分Ｖ２Ｏ５の含有効果を積層セラミックコ
ンデンサの特性で示すグラフであり、■２０５の含有範
囲を限定した理由をグラフを参照しながら説明する。第
２図に示すようにｖ２０５を含有することによＩノ、絶
縁抵抗，絶縁破壊強度か向上し、また静電容量と良好度
Ｑを高め、静電容量と良好度Ｑのバラツキを小さくする
効果を有する。そして、Ｖ２０，，の含有により、絶縁
抵抗，絶縁破壊強度は向」ニするが、ｖ，ＯＳの含有量
が主成分１００重量部に対し、０．００５ｊＷｊｉ部未
満は静電容量と良好度Ｑが低く、また静電容量と良好度
Ｑのバラツキが大きいため、この発明の範囲から除外し
た。一方、Ｖ２０５の含有量が主戒分に対し、１．００
０重量部を越えると良好度Ｑ，絶縁抵抗が低下し、静電
容量温度係数がマイナス側に大きくなり、実用的でなく
なる。
実施例
以下に、本発明を具体的実施例により説明する。
（実施例１〉
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３Ｔ ｉ ０２
．Ｚｒ ０２．Ｌ ａ２ｏｚ，Ｐ ｚ＋ｏ＋＋，Ｎ ｄ
２０３，Ｓｍ２０３．Ｃｅ０２．Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０
３およびｖ２０５粉末を下記の第１表に示す組成比にな
るように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中で１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、
めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水と
ともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末
に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて
成形圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５ｎ＋ｎ，厚み０．
４ｍｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末
を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第
１表に示す塩度で２時間焼威し、第１表に示す組成比の
誘電体磁器を得た。
．Ｚｒ ０２．Ｌ ａ２ｏｚ，Ｐ ｚ＋ｏ＋＋，Ｎ ｄ
２０３，Ｓｍ２０３．Ｃｅ０２．Ｇｄ２０３，Ｄｙ２０
３およびｖ２０５粉末を下記の第１表に示す組成比にな
るように秤量し、めのうボールを備えたゴム内張りのボ
ールミルに純水とともに入れ、湿式混合後、脱水乾燥し
た。この乾燥粉末を高アルミナ質のルツボに入れ、空気
中で１１００℃にて２時間仮焼した。この仮焼粉末を、
めのうボールを備えたゴム内張りのボールミルに純水と
ともに入れ、湿式粉砕後、脱水乾燥した。この粉砕粉末
に、有機バインダーを加え、均質とした後、３２メッシ
ュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレスを用いて
成形圧力１ｔｏｎ／ｃｊで直径１５ｎ＋ｎ，厚み０．
４ｍｍに成形した。次いで、成形円板をジルコニア粉末
を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて下記の第
１表に示す塩度で２時間焼威し、第１表に示す組成比の
誘電体磁器を得た。
（ 以 下 余 白 〉
このようにして得られた誘電体磁器円板は、厚みと直径
を測定し、誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側にＩＭの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，静
電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータの
モデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃，測定電圧
１．ＯＶｒｍｓ．測定周波数ＩＭＨｚでの測定より求め
た。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電
容量を測定し、次式により求めた。
を測定し、誘電率，良好度Ｑ，静電容量温度係数測定用
試料は、誘電体磁器円板の両面全体に銀電極を焼き付け
、絶縁抵抗，絶縁破壊強度測定用試料は、誘電体磁器円
板の外周より内側にＩＭの幅で銀電極のない部分を設け
、銀電極を焼き付けた。そして、誘電率，良好度Ｑ，静
電容量温度係数は、ＹＨＰ社製デジタルＬＣＲメータの
モデル４２７５Ａを使用し、測定温度２０℃，測定電圧
１．ＯＶｒｍｓ．測定周波数ＩＭＨｚでの測定より求め
た。なお、静電容量温度係数は、２０℃と８５℃の静電
容量を測定し、次式により求めた。
ＴＣ＝ （Ｃ−Ｃｏ）／ＣｏＸ１／６５Ｘ１０６ＴＣ：
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での
静電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、ｙ１ｔ率は次式より求めた。
静電容量温度係数（ｐｐｍ／℃）Ｃｏ ： ２０℃での
静電容量（ｐＦ）Ｃ ：８５℃での静電容量（ｐＦ） また、ｙ１ｔ率は次式より求めた。
Ｋ＝１４３．８ＸＣｏｘｔ／Ｄ ２
Ｋ ：誘電率
Ｃｏ ： ２０℃での静電容量（ｐＦ）Ｄ ：誘電体磁
器の直径（ｍｍ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（閣） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時
間１分間による測定より求めた。
器の直径（ｍｍ） ｔ ：誘電体磁器の厚み（閣） さらに、絶縁抵抗は、ＹＨＰ社製ＨＲメータのモデル４
３２９Ａを使用し、測定電圧５０Ｖ．Ｄ．Ｃ．、測定時
間１分間による測定より求めた。
そして、絶縁破壊強度は、菊水電子工業■製高電圧電源
ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当たりの絶縁破壊強
度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微
鏡観察より求めた。
ＰＨ８３５Ｋ−３形を使用し、試料をシリコンオイル中
に入れ、昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｅにより求めた絶縁破壊
電圧を誘電体厚みで除算し、１ｍｍ当たりの絶縁破壊強
度とした。また、結晶粒径は、倍率４００での光学顕微
鏡観察より求めた。
試験結果を下記の第２表に示す。
（ 以 下 余 白 ）
（実施例２）
出発原料には化学的に高純度のＢａＣＯ３Ｔｉ０２，Ｚ
ｒ０２＋Ｎｄｔ０３，Ｃｅ０２およびＶ２ ０５粉末を
使用し、組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔｉ０２
０．３５［（ＮｄＯ３／２）ｏ９ｓ（ＣｅＯ２）ｏ．ｏ
ｓｌの主戒分１００重量部に対し、Ｖ２０５を０，０．
００１，０．００５，０．０１０，０．１００，１．０
００．２．０００重量部含有した仮焼粉砕粉を実施例１
と同様の方法で作製する。ただし、ｖ２０ｓ含有量が０
．０．００１．２．０００重量部は、この発明の範囲外
であり、０．Ｏ０５．０．０１０，０．１００．１．０
００重量部は、この発明の範囲内である。
ｒ０２＋Ｎｄｔ０３，Ｃｅ０２およびＶ２ ０５粉末を
使用し、組成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔｉ０２
０．３５［（ＮｄＯ３／２）ｏ９ｓ（ＣｅＯ２）ｏ．ｏ
ｓｌの主戒分１００重量部に対し、Ｖ２０５を０，０．
００１，０．００５，０．０１０，０．１００，１．０
００．２．０００重量部含有した仮焼粉砕粉を実施例１
と同様の方法で作製する。ただし、ｖ２０ｓ含有量が０
．０．００１．２．０００重量部は、この発明の範囲外
であり、０．Ｏ０５．０．０１０，０．１００．１．０
００重量部は、この発明の範囲内である。
この仮焼粉砕粉末に、有機バインダー，可塑剤，分散剤
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（掬製内部電極パラジ
ウムペーストＭ Ｌ−３ ７ ２ ４を焼結後の内部電
極厚みが２μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥し
た。この上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結後の内
部電極重なり寸法が１ ． ２ ｗ Ｘ ０ ， ７
ｒｔｔｐｓとなるように印刷位置をずらして内部電極パ
ラジウムペーストを印刷し、乾燥後、グリーンシ一ト１
枚を積層した。これらの操作を、誘電体層数が１９とな
るまで繰り返した。この上に、グリーンシ一ト１０枚を
積層した。この積層体を焼結後、内部電極重なり寸法が
１ ． ２ ｍ Ｘ ０ ． ７ ｗｍ、誘電体層数が
１９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサとなる
ように切断した。この切断した試料は、ジルコニア粉末
を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から
３５０℃までを５℃／ｈｒで昇温し、３５０℃より１０
０℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、
１００℃／ｈｒで室温まで降温した。次いで、焼威後の
試料は、試ｆ１面を研磨し、外部電極と接合する内部電
極部分を充分露出させ、内部電極露出部分に銀の外部電
極を焼き付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコ
ンデンサを作製した。
，有機溶剤を加え、アルミナボールを備えたポットで混
合し、スラリーを作製した。混合後、ろ過したスラリー
は、焼結後の誘電体厚みが１２μｍとなるようなグリー
ンシ一トに加工した。このようなグリーンシ一ト１０枚
を支持台の上に積層し、昭栄化学（掬製内部電極パラジ
ウムペーストＭ Ｌ−３ ７ ２ ４を焼結後の内部電
極厚みが２μｍとなるようにスクリーン印刷し、乾燥し
た。この上にグリーンシ一ト１枚を積層し、焼結後の内
部電極重なり寸法が１ ． ２ ｗ Ｘ ０ ， ７
ｒｔｔｐｓとなるように印刷位置をずらして内部電極パ
ラジウムペーストを印刷し、乾燥後、グリーンシ一ト１
枚を積層した。これらの操作を、誘電体層数が１９とな
るまで繰り返した。この上に、グリーンシ一ト１０枚を
積層した。この積層体を焼結後、内部電極重なり寸法が
１ ． ２ ｍ Ｘ ０ ． ７ ｗｍ、誘電体層数が
１９の積層構造をもつ積層セラミックコンデンサとなる
ように切断した。この切断した試料は、ジルコニア粉末
を敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて室温から
３５０℃までを５℃／ｈｒで昇温し、３５０℃より１０
０℃／ ｈ ｒで昇温し、１２７０℃で２時間焼成後、
１００℃／ｈｒで室温まで降温した。次いで、焼威後の
試料は、試ｆ１面を研磨し、外部電極と接合する内部電
極部分を充分露出させ、内部電極露出部分に銀の外部電
極を焼き付け、内部電極と導通させ、積層セラミックコ
ンデンサを作製した。
これらの試料の静電容量，良好度Ｑ，静電容量温度係数
，絶縁抵抗，絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンザの長さ方向および幅方向の約１７′
２の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１ ００．
誘電体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕Ｗｌ
鏡観察より求めた。
，絶縁抵抗，絶縁破壊強度は、実施例１と同様の条件で
の測定により求めた。また、積層構造の確認は、積層セ
ラミックコンデンザの長さ方向および幅方向の約１７′
２の研磨断面を、内部電極重なり寸法は倍率１ ００．
誘電体厚みと内部電極厚みは倍率４００での光学顕Ｗｌ
鏡観察より求めた。
この測定結果を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す。
なお、実施例における誘電体磁器の作製方法では、Ｂ
ａ ＣＯ３， Ｔ ｉ ０２， Ｚ ｒ ０２． Ｌ
ａ２０３Ｐ ｒｓｏ１１．Ｎｄ２０３，Ｓｍ２０３，Ｃ
ｅ０２Ｇｄ２０ａ，Ｄｙ２０：＋およびｖ２ｏ５を使用
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるい
は炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ
，Ｔｉ０２ ，Ｚｒ０２ ，Ｌａ２０３Ｐｒｅｆｅｒ．
Ｎｄ２０３．Ｓｍ２０３．Ｃｅ０２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２
０３およびＶ２０５となる化合物を使用しても実施例と
同程度の特性を得ることができる。
ａ ＣＯ３， Ｔ ｉ ０２， Ｚ ｒ ０２． Ｌ
ａ２０３Ｐ ｒｓｏ１１．Ｎｄ２０３，Ｓｍ２０３，Ｃ
ｅ０２Ｇｄ２０ａ，Ｄｙ２０：＋およびｖ２ｏ５を使用
したが、この方法に限定されるものではなく、所望の組
成比になるように、ＢａＴｉ０３などの化合物、あるい
は炭酸塩，水酸化物など空気中での加熱により、Ｂａｄ
，Ｔｉ０２ ，Ｚｒ０２ ，Ｌａ２０３Ｐｒｅｆｅｒ．
Ｎｄ２０３．Ｓｍ２０３．Ｃｅ０２Ｇｄ２０３，Ｄｙ２
０３およびＶ２０５となる化合物を使用しても実施例と
同程度の特性を得ることができる。
また、主成分をあらかじめ仮焼し、副成分を添ＩＩＤし
ても実施例と同程度の特性を得ることができる。
ても実施例と同程度の特性を得ることができる。
また、実施例ではＩ．，ａ，Ｐｒ，Ｎｄ．Ｓｍを除く希
土類元素Ｍ ｅとしてＣｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明し
たが、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度
の特性を｛ｑることかできる。
土類元素Ｍ ｅとしてＣｅ，Ｄｙ，Ｇｄについて説明し
たが、その他の希土類元素を使用しても実施例と同程度
の特性を｛ｑることかできる。
また、上述の基本組成のほかに、Ｓｉ０２Ｍｎ０２．Ｆ
ｅ２０３ ，ＺｎＯなど一般にブラックスと考えられて
いる塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
ｅ２０３ ，ＺｎＯなど一般にブラックスと考えられて
いる塩類，酸化物などを、特性を損なわない範囲で加え
ることもできる。
発明の効果
以」二のように本発明によれば、結晶粒径が小さく、誘
電率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅
に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミ
ックコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを
薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電
容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできるため、内部電
極の厚みを薄くして、積層セラミックコンデンサのコス
トダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラミネ
ーションの発生を防ぐことができる。また、絶縁破壊電
圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小型化，
大容量化が可能である。
電率，絶縁抵抗，絶縁破壊電圧が高く、良好度Ｑを大幅
に改善し、静電容量温度係数が小さく、かつ積層セラミ
ックコンデンサへの利用においては、内部電極の厚みを
薄くしたときの静電容量と良好度Ｑの低下を防ぎ、静電
容量と良好度Ｑのバラツキを小さくできるため、内部電
極の厚みを薄くして、積層セラミックコンデンサのコス
トダウンが行えるとともに内部構造欠陥であるデラミネ
ーションの発生を防ぐことができる。また、絶縁破壊電
圧が高いため誘電体層の厚みを薄くし、素体の小型化，
大容量化が可能である。
第１図は本発明にかかる組成物の主或分の組成範囲を説
明する三元図、第２図（ａ＞〜（ｅ）は本発明にかかる
紐成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉ ０２０．３
５ ［ （ＮｄＯ ３／ｚ）ｏ．ｓｓ （Ｃ
ｅ ０２）Ｏ．０５１の主成分１００重量部に対ず
る副成分Ｖ２Ｏ５の含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ
、内部電極重なり寸法： １ ． ２ ｍｍ Ｘ Ｏ
． ７ ｍ＋ｕ ．誘電体層数：１９の積層構造をもつ
積層セラミックコンデンザの電気特性で示すグラフであ
る。
明する三元図、第２図（ａ＞〜（ｅ）は本発明にかかる
紐成比０．０９ＢａＯ−０．５６Ｔ ｉ ０２０．３
５ ［ （ＮｄＯ ３／ｚ）ｏ．ｓｓ （Ｃ
ｅ ０２）Ｏ．０５１の主成分１００重量部に対ず
る副成分Ｖ２Ｏ５の含有効果を、誘電体厚み：１２μｍ
、内部電極重なり寸法： １ ． ２ ｍｍ Ｘ Ｏ
． ７ ｍ＋ｕ ．誘電体層数：１９の積層構造をもつ
積層セラミックコンデンザの電気特性で示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ−ｙ［（ＴｉＯ＿２）＿（＿１＿−＿ｍ＿）（
ＺｒＯ＿２）＿ｍ］−ｚ（Ｒｅ＿（＿１＿−＿ｎ＿）Ｍ
ｅ＿ｎ）Ｏ＿３＿／＿２と表した時（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．００，０．００１≦ｍ≦０．２００，０．０１
≦ｎ≦０．２０、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選
ばれる一種以上の希土類元素、ＭｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ
，Ｓｍを除く希土類元素から選ばれる一種以上の希土類
元素。）、ｘ，ｙ，ｚが以下に表す各点ａ，ｂ，ｃ，ｄ
，ｅ，ｆで囲まれるモル比の範囲からなる主成分１００
重量部に対し、副成分としてバナジウム酸化物をＶ＿２
Ｏ＿５に換算して０．００５〜１．０００重量部含有し
たことを特徴とする誘電体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156502A JP2847767B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156502A JP2847767B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323261A true JPH0323261A (ja) | 1991-01-31 |
| JP2847767B2 JP2847767B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=15629165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156502A Expired - Fee Related JP2847767B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847767B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05282917A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05282918A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| CN118344138A (zh) * | 2024-04-09 | 2024-07-16 | 清华大学 | 一种耐高温高吸收陶瓷超原子及其制备方法 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156502A patent/JP2847767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05282917A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH05282918A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| CN118344138A (zh) * | 2024-04-09 | 2024-07-16 | 清华大学 | 一种耐高温高吸收陶瓷超原子及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2847767B2 (ja) | 1999-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3503568B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2001351828A (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3482654B2 (ja) | 誘電体磁器組成物粉末およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物粉末の製造方法 | |
| JP3634930B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0323261A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3143922B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| KR900002518B1 (ko) | 유전체 자기조성물 | |
| JP2958826B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02242522A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02267166A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3438334B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH02242517A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0323258A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0323257A (ja) | 誘電体磁気組成物 | |
| JPH0323259A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH02242516A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3106371B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0323260A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3603842B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH05334915A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064519B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08119728A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2508373B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH05266711A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |