JPH03234384A - 薄膜パターン形成装置 - Google Patents
薄膜パターン形成装置Info
- Publication number
- JPH03234384A JPH03234384A JP2030462A JP3046290A JPH03234384A JP H03234384 A JPH03234384 A JP H03234384A JP 2030462 A JP2030462 A JP 2030462A JP 3046290 A JP3046290 A JP 3046290A JP H03234384 A JPH03234384 A JP H03234384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- pattern
- light source
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜パターン形成装置に関する。
(従来の技術)
従来より、金属等の薄膜を所望のパターンに形成する技
術として、エツチング処理を用いたものかある。
術として、エツチング処理を用いたものかある。
すなわち、薄膜上にエツチング液に耐性のある感光性の
エツチングレジストを均一に塗布し、乾燥させる。この
後、所望のパターンと一致するマスクを用いてレジスト
上を露光し、現象を行う。
エツチングレジストを均一に塗布し、乾燥させる。この
後、所望のパターンと一致するマスクを用いてレジスト
上を露光し、現象を行う。
そして、エツチング剤により薄膜をエツチングした後レ
ジストを剥離することによって、所望のパターンを形成
する。
ジストを剥離することによって、所望のパターンを形成
する。
ところか、このようなエツチング処理によりパターン形
成を行う場合、以下のような欠点がある。
成を行う場合、以下のような欠点がある。
■プロセスの工程が複雑であるため、工数が多くコスト
アップと原因となる。
アップと原因となる。
■工程が多いため歩留りが悪い。
■不要なエツチングレジストの塗布、乾燥、露光、現像
、剥離といった無駄なプロセスが多数ある。
、剥離といった無駄なプロセスが多数ある。
■エツチング等のウェットプロセスを使用する場合、付
帯設備が非常に大掛りとなり設備投資が大きくなる。
帯設備が非常に大掛りとなり設備投資が大きくなる。
■エツチング液等は、酸、アルカリの危険性の高い物質
が多くエツチング作業に危険を伴なう。
が多くエツチング作業に危険を伴なう。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来から行われているエツチング処理による
パターン形成では、種々の欠点を有していた。
パターン形成では、種々の欠点を有していた。
そこで、本発明はこれら種々の欠点を解決した薄膜パタ
ーン形成装置を提供することを目的とする。
ーン形成装置を提供することを目的とする。
[発明の構成コ
(課題を解決するための手段)
本発明は、上述した目的を達成するために、有機物から
なり、金属または金属化合物の薄膜が−主面または両面
に形成された長尺のフィルムと、このフィルムによる所
定の平面を形成しつつ、このフィルムの送り出し及び巻
き取りを行う装置と、前記フィルムによる平面上にレー
ザ光線を照射するレーザ光源と、前記フィルムによる平
面と前記レーザ光源との間に介在され、所定のマスクパ
ターンを有するマスクとを具備するものである。
なり、金属または金属化合物の薄膜が−主面または両面
に形成された長尺のフィルムと、このフィルムによる所
定の平面を形成しつつ、このフィルムの送り出し及び巻
き取りを行う装置と、前記フィルムによる平面上にレー
ザ光線を照射するレーザ光源と、前記フィルムによる平
面と前記レーザ光源との間に介在され、所定のマスクパ
ターンを有するマスクとを具備するものである。
(作 用)
本発明では、レーザ光源から出力されるレーザ光線がマ
スクを介しフィルムによる平面上に照射されると、フィ
ルム上に形成された金属または金属化合物の薄膜か前記
マスクのマスクパターンに応じて除去され、所望の薄膜
パターンが形成される。
スクを介しフィルムによる平面上に照射されると、フィ
ルム上に形成された金属または金属化合物の薄膜か前記
マスクのマスクパターンに応じて除去され、所望の薄膜
パターンが形成される。
(実施例)
以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づき説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る薄膜パターン形成装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
同図において、1は厚さ75μm1幅150mm5長さ
100mのPET (ポリエチレンテレフタレート)
からなるロール状のフィルムである。このフィルム1の
一生面全面には、金属化合物例えばTiNが連続スパッ
タにより1000大の厚さに形成されている。
100mのPET (ポリエチレンテレフタレート)
からなるロール状のフィルムである。このフィルム1の
一生面全面には、金属化合物例えばTiNが連続スパッ
タにより1000大の厚さに形成されている。
2はこのロール状のフィルム1を自動的に供給するフィ
ルム自動供給部、3はこのフィルム自動供給部2から供
給されたフィルム1を巻き取るフィルム自動巻取部であ
る。また、フィルム自動供給部2から供給されたフィル
ム1は、フィルム自動供給部2とフィルム自動巻取部3
との間で一定の張力の平面を形成するようテンションロ
ーラ4.4により巻架されている。
ルム自動供給部、3はこのフィルム自動供給部2から供
給されたフィルム1を巻き取るフィルム自動巻取部であ
る。また、フィルム自動供給部2から供給されたフィル
ム1は、フィルム自動供給部2とフィルム自動巻取部3
との間で一定の張力の平面を形成するようテンションロ
ーラ4.4により巻架されている。
5は例えばCO2レーザで出力が最大1.2kwのレー
ザ光源、6はフィルム1による平面とレーザ発生源5と
の間に介在され所定のパターン6aが金属膜例えばクロ
ムで形成されたガラスマスクである。レーザ光源5の光
源の位置は、発生したレーザ光線5aがフィルム1の平
面上の位置に結像するようにセットされている。また、
レーザ光源5の出力は、コントローラ8により所定の値
にセットされるようになっている。更に、レーザ光源5
の内部には、レーザ光線5aを遮断するシャッター(図
示せず)がセットされている。このシャッターは、コン
トローラ9により開閉の時間及びタイミングをフィルム
自動巻取部3による巻取りタイミングとともにコントロ
ールされるようになっている。また、レーザスポットは
、フィルム1の平面上で、12cII1口を照射可能と
なるようにセットされている。
ザ光源、6はフィルム1による平面とレーザ発生源5と
の間に介在され所定のパターン6aが金属膜例えばクロ
ムで形成されたガラスマスクである。レーザ光源5の光
源の位置は、発生したレーザ光線5aがフィルム1の平
面上の位置に結像するようにセットされている。また、
レーザ光源5の出力は、コントローラ8により所定の値
にセットされるようになっている。更に、レーザ光源5
の内部には、レーザ光線5aを遮断するシャッター(図
示せず)がセットされている。このシャッターは、コン
トローラ9により開閉の時間及びタイミングをフィルム
自動巻取部3による巻取りタイミングとともにコントロ
ールされるようになっている。また、レーザスポットは
、フィルム1の平面上で、12cII1口を照射可能と
なるようにセットされている。
そして、例えばフィルム1の平面上のTiNをレーザ光
線5aの有効投射面積の40%に相当する分除去してパ
ターン形成を行う場合、コントローラ8のコントロール
によりレーザ光源5の出力を550Wに設定し、コント
ローラ9のコントロールにより 1.2秒間照射するよ
うに設定する。
線5aの有効投射面積の40%に相当する分除去してパ
ターン形成を行う場合、コントローラ8のコントロール
によりレーザ光源5の出力を550Wに設定し、コント
ローラ9のコントロールにより 1.2秒間照射するよ
うに設定する。
すると、レーザ光源5よりレーザ光線5aがガラスマス
ク6を介しフィルム1の平面上に照射される。これによ
り、フィルム1の平面上のTiNがガラスマスク6に形
成された所定のパターン6aと同一のパターンに形成さ
れる。
ク6を介しフィルム1の平面上に照射される。これによ
り、フィルム1の平面上のTiNがガラスマスク6に形
成された所定のパターン6aと同一のパターンに形成さ
れる。
このように本実施例においては、薄膜パターンの形成を
レーザ光線により行っているので、従来から行われてい
るエツチング処理によるパターン形成のもつ種々の欠点
を回避することができる。
レーザ光線により行っているので、従来から行われてい
るエツチング処理によるパターン形成のもつ種々の欠点
を回避することができる。
尚、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく
、その技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。
、その技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。
例えばレーザ光源5及びフィルム1の少なくとも一方に
スキャン機能をもたせることにより、大面積の薄膜パタ
ーンを形成することか可能である。
スキャン機能をもたせることにより、大面積の薄膜パタ
ーンを形成することか可能である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、薄膜パタンの形成
をレーザ光線を用いて行っているので、■工数か少なく
コストダウンか図れる。
をレーザ光線を用いて行っているので、■工数か少なく
コストダウンか図れる。
■歩留りか良い。
■無駄なプロセスか少ない。
■設備か簡単である。
■作業を安全に行える。
第1図は本発明の一実施例に係る薄膜パターン形成装置
の構成を示す図である。 1・・・フィルム、2・・・フィルム自動供給部、3・
・・フィルム自動巻取部、4・・・テンションローラ、
5・・・レーザ光源、6・・・ガラスマスク。
の構成を示す図である。 1・・・フィルム、2・・・フィルム自動供給部、3・
・・フィルム自動巻取部、4・・・テンションローラ、
5・・・レーザ光源、6・・・ガラスマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 有機物からなり、金属または金属化合物の薄膜が一主面
または両面に形成された長尺のフィルムと、 このフィルムによる所定の平面を形成しつつ、このフィ
ルムの送り出し及び巻き取りを行う装置と、 前記フィルムによる平面上にレーザ光線を照射するレー
ザ光源と、 前記フィルムによる平面と前記レーザ光源との間に介在
され、所定のマスクパターンを有するマスクと を具備することを特徴とする薄膜パターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030462A JPH03234384A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 薄膜パターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2030462A JPH03234384A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 薄膜パターン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234384A true JPH03234384A (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=12304555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2030462A Pending JPH03234384A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 薄膜パターン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03234384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890271A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レーザ加工装置 |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2030462A patent/JPH03234384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0890271A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-09 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レーザ加工装置 |
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