JPH03236346A - 光学活性物質及びそれを含有する液晶組成物 - Google Patents
光学活性物質及びそれを含有する液晶組成物Info
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- JPH03236346A JPH03236346A JP2032170A JP3217090A JPH03236346A JP H03236346 A JPH03236346 A JP H03236346A JP 2032170 A JP2032170 A JP 2032170A JP 3217090 A JP3217090 A JP 3217090A JP H03236346 A JPH03236346 A JP H03236346A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規な光学活性物質およびそれを含有する液
晶組成物に関するものである。
晶組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、光学活性を有することを特徴とする種々の光学素
子としては、以下に例示するように多くのものが知られ
ている。
子としては、以下に例示するように多くのものが知られ
ている。
1)液晶状態においてコレステリック・ネマチック相転
移効果を利用するもの[ジェイ ジェイウィソキ、エイ
アダムス、ダブリュ ハアース「フィジックス レヴ
ユー レターズJ (J、 J。
移効果を利用するもの[ジェイ ジェイウィソキ、エイ
アダムス、ダブリュ ハアース「フィジックス レヴ
ユー レターズJ (J、 J。
Wysoki、 A、 Adams and W、 H
aas; Phys、 Rev。
aas; Phys、 Rev。
Lett、)、 20.1024 (1968) ]、
2)液晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの[デー エル ホワイト、ジー
エム テエイラー「ジャーナルオブ アプライド フ
ィジッスクJ (D、 L、 Whiteand G、
N、Taylor; J、 Appl、 P
hys、l、 45. 4718(1974)]
、 3)液晶状態においてカイラル・スメクチックC相、H
相、F相、I相、C相、K相、J相の強誘電性効果を利
用するもの[エフ エイ クラーク、ニス チー ラ
ガウェル「アプライドフィジックス レターズJ (N
、 A、 C1ark and S。
2)液晶状態においてホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト効果を利用するもの[デー エル ホワイト、ジー
エム テエイラー「ジャーナルオブ アプライド フ
ィジッスクJ (D、 L、 Whiteand G、
N、Taylor; J、 Appl、 P
hys、l、 45. 4718(1974)]
、 3)液晶状態においてカイラル・スメクチックC相、H
相、F相、I相、C相、K相、J相の強誘電性効果を利
用するもの[エフ エイ クラーク、ニス チー ラ
ガウェル「アプライドフィジックス レターズJ (N
、 A、 C1ark and S。
T、 Lagerwall; Appl、 Phys、
Lett、)、 36.899(1980)]、 4)液晶状態においてコレステリック相を持つものをマ
トリックス中へ固定することにより、その選択散乱特性
を利用し、ノツチフィルターやバンドパスフィルターと
して利用するもの[エフ ジエイ カーノ「アプライド
フィジックス レターズJ (F、J、Kahn
; Appl、 Phys、 Lett、l、 1
8゜231 (1971) ] 、円偏光特性を利用し
た円偏光ビームスプリッタ−として利用するもの[ニス
デイ ヤコブ「ニス ビー アイ イーJ (S、 D
。
Lett、)、 36.899(1980)]、 4)液晶状態においてコレステリック相を持つものをマ
トリックス中へ固定することにより、その選択散乱特性
を利用し、ノツチフィルターやバンドパスフィルターと
して利用するもの[エフ ジエイ カーノ「アプライド
フィジックス レターズJ (F、J、Kahn
; Appl、 Phys、 Lett、l、 1
8゜231 (1971) ] 、円偏光特性を利用し
た円偏光ビームスプリッタ−として利用するもの[ニス
デイ ヤコブ「ニス ビー アイ イーJ (S、 D
。
Jacobs、 5PIE)、 37.9111 (1
981) ] ;等。
981) ] ;等。
個々の方式についての詳細な説明は省略するが、いずれ
も表示素子や変調素子として重要である。
も表示素子や変調素子として重要である。
これら光学素子を構成する機能性材料の主要成分として
、あるいは比較的少量成分ではあるが、重要な機能成分
として光学活性物質が使用される。例えば、エイチ ア
ーノルド「ツァイトシュリフト フユア フイジカリッ
シェ シエミー」(H,Arnold、 Z、 Phy
s、 Chem、)、 226.146 <1964)
には、上記したような光学素子材料、特に液晶材料に、
他の光学活性物質ないしは液晶性化合物を添加すること
により、液晶状態において発現する戚晶相の種類や温度
範囲を制御することが開示されている。また、電界応答
により駆動される液晶材料に、大きな双極子を持つ化合
物を導入して、より電界応答性の良好な液晶材料を得る
ことも期待される。
、あるいは比較的少量成分ではあるが、重要な機能成分
として光学活性物質が使用される。例えば、エイチ ア
ーノルド「ツァイトシュリフト フユア フイジカリッ
シェ シエミー」(H,Arnold、 Z、 Phy
s、 Chem、)、 226.146 <1964)
には、上記したような光学素子材料、特に液晶材料に、
他の光学活性物質ないしは液晶性化合物を添加すること
により、液晶状態において発現する戚晶相の種類や温度
範囲を制御することが開示されている。また、電界応答
により駆動される液晶材料に、大きな双極子を持つ化合
物を導入して、より電界応答性の良好な液晶材料を得る
ことも期待される。
このような機能性材料の多(は、それ自体が光学活性で
ある中間体から合成される。
ある中間体から合成される。
また、光学活性を有することを特徴とする光学素子のう
ち、液晶状態の電界応答光学効果を用いる方法において
は、応答性を高めるために極性基を導入することが行な
われてきた。特に、強誘電性液晶においては、応答速度
は自発分極に比例することが知られており、高速化のた
めには自発分極を増加させることが望まれている。この
ような点から、ビー ケラ−(P、 Keller)ら
は、不斉炭素に塩素基を導入することで自発分極を増加
させ応答速度の高速化が可能であることを示した〔ジア
ール アカデミ−サイエンス (C,R,Acad、
Sc、 Paris)、 282 G、 639 (1
976))。
ち、液晶状態の電界応答光学効果を用いる方法において
は、応答性を高めるために極性基を導入することが行な
われてきた。特に、強誘電性液晶においては、応答速度
は自発分極に比例することが知られており、高速化のた
めには自発分極を増加させることが望まれている。この
ような点から、ビー ケラ−(P、 Keller)ら
は、不斉炭素に塩素基を導入することで自発分極を増加
させ応答速度の高速化が可能であることを示した〔ジア
ール アカデミ−サイエンス (C,R,Acad、
Sc、 Paris)、 282 G、 639 (1
976))。
しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的に
不安定であるという欠点を有しているために、その改善
が望まれている。
不安定であるという欠点を有しているために、その改善
が望まれている。
この様に従来の極性基を導入した光学活性中間体は、は
とんどが極性基を有効に利用することができないもので
あった。
とんどが極性基を有効に利用することができないもので
あった。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、そ
の主要な目的は、適当な光学活性中間体として有用であ
るだけでなく、液晶性化合物に誘導したときに高い安定
性と大きな自発分極をもたらす光学活性物質を提供する
ことにある。
の主要な目的は、適当な光学活性中間体として有用であ
るだけでなく、液晶性化合物に誘導したときに高い安定
性と大きな自発分極をもたらす光学活性物質を提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、前記光学活性物質を含有す
ることにより、大きな自発分極を有し、高速応答性を示
し、かつ良好な表示特性が得られる液晶組成物を提供す
ることにある。
ることにより、大きな自発分極を有し、高速応答性を示
し、かつ良好な表示特性が得られる液晶組成物を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明の第一発明は、下記一般式(I)(式中、
Rは炭素原子数が4〜8の直鎖状アルキル基、Coは不
斉炭素原子を示す) で示される光学活性物質である。
Rは炭素原子数が4〜8の直鎖状アルキル基、Coは不
斉炭素原子を示す) で示される光学活性物質である。
また、本発明の第二発明は、前記一般式(I)で示され
る光学活性物質の少なくとも1種を含有することを特徴
とする液晶組成物である。
る光学活性物質の少なくとも1種を含有することを特徴
とする液晶組成物である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学活性物質は、前記一般式(I)で示される
構造を有するが、式中のRは炭素原子数4〜8、好まし
くは炭素原子数4〜6の直鎖状アルキル基を示す。また
、アルキル基は置換または未置換のものでもよい。
構造を有するが、式中のRは炭素原子数4〜8、好まし
くは炭素原子数4〜6の直鎖状アルキル基を示す。また
、アルキル基は置換または未置換のものでもよい。
前記一般式(I)で示される光学活性物質の製造方法は
、例えば、好ましい方法としては下記−般式(II)で
示されるl、 1.1−1−リフルオロアルカン−2−
オールから誘導される。
、例えば、好ましい方法としては下記−般式(II)で
示されるl、 1.1−1−リフルオロアルカン−2−
オールから誘導される。
Fs
R−CH−OH
(II)
主な製造法を以下に示す。
(I)
(式中、Rは炭素原子数が4〜8の直鎖状アルキル基、
Coは不斉炭素原子を示す) このようにして得られた前記一般式(I)で示される光
学活性物質は、光学素子を形成する機能性材料を製造す
るための中間体として有用であるほか、各種光学活性物
質を合成する中間体としても用いられる。
Coは不斉炭素原子を示す) このようにして得られた前記一般式(I)で示される光
学活性物質は、光学素子を形成する機能性材料を製造す
るための中間体として有用であるほか、各種光学活性物
質を合成する中間体としても用いられる。
次に、本発明の液晶組成物は、前記一般式(I)で示さ
れる光学活性物質を、液晶性化合物に配合することによ
り得ることができる。該光学活性物質を液晶性化合物か
らなる液晶性組成物に添加することにより、組成物の高
速応答性などの緒特性の改良がなされ、良好な表示特性
が得られる。
れる光学活性物質を、液晶性化合物に配合することによ
り得ることができる。該光学活性物質を液晶性化合物か
らなる液晶性組成物に添加することにより、組成物の高
速応答性などの緒特性の改良がなされ、良好な表示特性
が得られる。
例えば、前記一般式(I)で示される光学活性物質は、
ネマチック液晶に添加することにより、TN型セルにお
けるリバースドメインの発生を防止することに有効であ
る。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜50重
量%、好ましくは0.1〜30重量%の割合となるよう
に一般式(I)の光学活性物質を添加することが望まし
い。
ネマチック液晶に添加することにより、TN型セルにお
けるリバースドメインの発生を防止することに有効であ
る。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜50重
量%、好ましくは0.1〜30重量%の割合となるよう
に一般式(I)の光学活性物質を添加することが望まし
い。
また、ネマチック液晶らしくはカイラルネマチック成品
に添加することにより、カイラルネマチック成品として
、相転移型液晶素子やホワイトティラー形ゲスト・ホス
ト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜80
重量%、好ましくは1〜50重量%の割合となるように
一般式(I)の光学活性物質を添加することが望ましい
。
に添加することにより、カイラルネマチック成品として
、相転移型液晶素子やホワイトティラー形ゲスト・ホス
ト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能で
ある。この場合、得られる液晶組成物の0.01〜80
重量%、好ましくは1〜50重量%の割合となるように
一般式(I)の光学活性物質を添加することが望ましい
。
また、前記一般式(I)の光学活性物質は、それ自体で
強誘電性のカイラルスメクチック液晶状態を呈する液晶
性組成物に、例えば得られる液晶組成物の0,01〜8
0重量%、好ましくは1〜50重量%の割合となるよう
に一般式(I)の光学活性物質を添加することにより、
耐久性等の特性を改善することができる。
強誘電性のカイラルスメクチック液晶状態を呈する液晶
性組成物に、例えば得られる液晶組成物の0,01〜8
0重量%、好ましくは1〜50重量%の割合となるよう
に一般式(I)の光学活性物質を添加することにより、
耐久性等の特性を改善することができる。
更には、それ自体ではカイラル成分を有していないスメ
クチック液晶に一般式(I)の光学活性物質を添加して
、強誘電性カイラルスメクチック相を呈するl夜晶組成
物を与えることもできる。この場合、得られる液晶組成
物のo、ci〜80重量%、好ましくは1〜50重量%
の割合となるように一般式(I)の光学活性物質を添加
することが望ましい。このようにカイラルスメクチック
液晶組成物を与えるために、前記一般式(I)の光学活
性物質を添加して利用する場合には、大きな自発分極を
得ることが可能となり、応答時間を短くし、しきい値電
圧を低くすることができる。
クチック液晶に一般式(I)の光学活性物質を添加して
、強誘電性カイラルスメクチック相を呈するl夜晶組成
物を与えることもできる。この場合、得られる液晶組成
物のo、ci〜80重量%、好ましくは1〜50重量%
の割合となるように一般式(I)の光学活性物質を添加
することが望ましい。このようにカイラルスメクチック
液晶組成物を与えるために、前記一般式(I)の光学活
性物質を添加して利用する場合には、大きな自発分極を
得ることが可能となり、応答時間を短くし、しきい値電
圧を低くすることができる。
次に、一般式(I)で示される光学活性物質と混合して
液晶組成物を得るために用いられる他の液晶性化合物と
しては、以下に示すものが挙げられる。
液晶組成物を得るために用いられる他の液晶性化合物と
しては、以下に示すものが挙げられる。
8群:それ自体ではカイラル成分を有していないネマチ
ック液晶またはスメクチック液晶aで表される液晶性化
合物の例を構造式で以下に示す。
ック液晶またはスメクチック液晶aで表される液晶性化
合物の例を構造式で以下に示す。
(a −1)
(a −5)
(a −2)
(a −6)
(a −3)
(a
7)
(a −8)
(a −4)
(a −9)
(a −10)
(a −14)
(a −11)
(a −12)
(a
l)
(a−12)式において、
R2はそれ
ぞれ炭素原子数がl〜18の直鎖状または分岐状のアル
キル基、 l qはそれぞれ独立にOまたは1 である。
キル基、 l qはそれぞれ独立にOまたは1 である。
(a −13)
(a −18)
(a
19)
(a −20)
(a
21)
(a −26)
(a −27)
(a −28)
(a −29)
(a −22)
(a
23)
υ
(a
24)
(a
25)
(a −30)
−(E)−0CH2バ巨8ΦトY+−Rs(a −31
) (a −32) (a −33) (a −34) (a 36) (a −37) (a −13)〜 (a〜34)式において、 R1゜ pはそれ ぞれ前記定義の通りである。
) (a −32) (a −33) (a −34) (a 36) (a −37) (a −13)〜 (a〜34)式において、 R1゜ pはそれ ぞれ前記定義の通りである。
R3はR2または
CHl
+ CH2+−CH−+−CF(2+−0−C、H、t
。
。
(a
38)
(ただし、
r=o 〜5、
S=Oまたは1、
t =
1〜10)
R,−Y、イトCH,CH,□F Y2−R4(a −
39) 2は水素原子またはフッ素原子を表す。
39) 2は水素原子またはフッ素原子を表す。
(a −35)
3
ylW Yz−R4
(a −40)
(a
41)
(a −45)
(a −42)
(a −46)
υ
(a −43)
(a −47)
ア
(a −44)
が1〜18の直鎖状または分岐状のアルキル基、ま
たは
(i、I(・
+CH2÷h−(H十CH2→7刊−C,R2,□(た
だし、r−O〜5、S=Oまたは1、t=1〜10) (b −2) R、−y 、4)(トy 2− RS (b −3) b群:それ自体でカイラル成分を有するカイラルネマチ
ック液晶組成物、カイラルスメクチック成品組成物の成
分となる液晶性化合物であり、好ましくはa群の化合物
の少なくとも1種類と組み合せて用いる。
だし、r−O〜5、S=Oまたは1、t=1〜10) (b −2) R、−y 、4)(トy 2− RS (b −3) b群:それ自体でカイラル成分を有するカイラルネマチ
ック液晶組成物、カイラルスメクチック成品組成物の成
分となる液晶性化合物であり、好ましくはa群の化合物
の少なくとも1種類と組み合せて用いる。
b群で示される液晶性化合物の例を構造式で以下に示す
。
。
(b −1)
(b −4)
υ
(b −5)
υ
(b −61
〜(b−6)式において、RI+ Yll Y2は記定
義の通りであるa R5は下記の1)から選ばれる。
義の通りであるa R5は下記の1)から選ばれる。
1 )
+CH2→下イHC,H2J、。
ii)
Hs
−CHC,H2□
Hs
iii )
+ CH2→TべH+CH2→T刊−C()If (4
まただし、i=oまたはl、j=1〜lo、に=1〜1
6、s、tは前記定義の通りである。
まただし、i=oまたはl、j=1〜lo、に=1〜1
6、s、tは前記定義の通りである。
a群またはb群の化合物と一般式(I)で示される光学
活性物質を適宜組み合わせて本発明の液晶組成物を得る
ことができる。
活性物質を適宜組み合わせて本発明の液晶組成物を得る
ことができる。
[作用]
本発明の光学活性物質は、一般式(I)で示される構造
からなり、不斉炭素原子に大きな双極子モーメントを有
する基が導入されているので、優れた電界応答を示すこ
とができる。また、一般式(I)で示される光学活性物
質は、その活性を失うことなく種々の誘導体を合成する
ことができるので、非常に広範囲に利用することができ
る。
からなり、不斉炭素原子に大きな双極子モーメントを有
する基が導入されているので、優れた電界応答を示すこ
とができる。また、一般式(I)で示される光学活性物
質は、その活性を失うことなく種々の誘導体を合成する
ことができるので、非常に広範囲に利用することができ
る。
また、本発明の液晶組成物は、前記一般式(■)で示さ
れる光学活性物質を含有しているために、大きな自発分
極を有し、高速応答性を示すことができる。
れる光学活性物質を含有しているために、大きな自発分
極を有し、高速応答性を示すことができる。
[実施例]
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1
4−(1−トリフルオロメチルへブチルオキシメチル)
安息香酸の製造 F3 U 4−ブロモメチル安息香酸1.172g (5,5mM
)を3m1)の乾燥ジメチルスルホキシドに溶解させ、
1.1.1トリフルオロ−2−オクタツール ([a] ” +22.6° o、p、 87%)
920mg (5mM)を乾燥テトラヒドロフラン3
m1)に溶解させた溶液を加えた。
安息香酸の製造 F3 U 4−ブロモメチル安息香酸1.172g (5,5mM
)を3m1)の乾燥ジメチルスルホキシドに溶解させ、
1.1.1トリフルオロ−2−オクタツール ([a] ” +22.6° o、p、 87%)
920mg (5mM)を乾燥テトラヒドロフラン3
m1)に溶解させた溶液を加えた。
次に、反応混合物を氷冷し、60%水素化ナトリウム6
60mg(16,5mM)をヘキサンで洗浄した後、ジ
メチルスルホキシド5mj)に懸渇させて加えた。室温
で数時間撹拌後、テトラヒドロフランをさらに20m2
加え、−晩撹拌した。反応終了後、水10mA+、3M
塩酸3mi+、食塩を加え、ジエチルエーテル8m2を
用いて抽出した。得られた有機層は、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製した(移動相:ヘキサン/酢酸エチ
ル= 4/3 )。目的の4(1−トリフルオロメチル
へブチルオキシメチル)安息香酸は1.128g (3
,57mM)得られた。(収率71%) [α] 二’ +39.5° (c 1.02.
CHCl!3)[α] ::、 +82.3°(c
1.02. CHCム)スペクトルデータ IRデータ (cm−’) 2930、2860゜ 1420、1280゜ NMRデータ(ppm 9.87(s、 IH)。
60mg(16,5mM)をヘキサンで洗浄した後、ジ
メチルスルホキシド5mj)に懸渇させて加えた。室温
で数時間撹拌後、テトラヒドロフランをさらに20m2
加え、−晩撹拌した。反応終了後、水10mA+、3M
塩酸3mi+、食塩を加え、ジエチルエーテル8m2を
用いて抽出した。得られた有機層は、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製した(移動相:ヘキサン/酢酸エチ
ル= 4/3 )。目的の4(1−トリフルオロメチル
へブチルオキシメチル)安息香酸は1.128g (3
,57mM)得られた。(収率71%) [α] 二’ +39.5° (c 1.02.
CHCl!3)[α] ::、 +82.3°(c
1.02. CHCム)スペクトルデータ IRデータ (cm−’) 2930、2860゜ 1420、1280゜ NMRデータ(ppm 9.87(s、 IH)。
7.37(d、 2H)。
4.90.4.57(d each、 J=lOHz
total 2H)。
total 2H)。
3.67(m、 LH)、 1.9〜0.7(m、 1
3H)1690、 1620. 1580゜ 1160、 1130゜ ) 8.03(d、 2H)。
3H)1690、 1620. 1580゜ 1160、 1130゜ ) 8.03(d、 2H)。
実施例2
透明電極としてITO(Indium Tin 0xi
de)膜を形成したガラス基板上に、ポリイミド樹脂前
駆体(東し■製、5P−510)を用いてスピンナー塗
布番こより成膜した後、300℃で60分間焼成してボ
IJイミド膜を形成した。次に、この被膜をラビング番
こより配向処理を行ない、ラビング処理軸力S直交する
ようにしてセルを作成した(セル間隔5un)。
de)膜を形成したガラス基板上に、ポリイミド樹脂前
駆体(東し■製、5P−510)を用いてスピンナー塗
布番こより成膜した後、300℃で60分間焼成してボ
IJイミド膜を形成した。次に、この被膜をラビング番
こより配向処理を行ない、ラビング処理軸力S直交する
ようにしてセルを作成した(セル間隔5un)。
作成したセルにネマチック液晶組成物(リクソンGR−
63:チツソ■製、ビフェニル液晶混合物)を庄太し、
TN (ツィステッドネマチック)型セルとし、これを
偏光顕微鏡で観察したところ、リック−ストメイン(し
ま模様)が生じていること力S認められた。
63:チツソ■製、ビフェニル液晶混合物)を庄太し、
TN (ツィステッドネマチック)型セルとし、これを
偏光顕微鏡で観察したところ、リック−ストメイン(し
ま模様)が生じていること力S認められた。
前記リクソンGR−63(99重量部)に対して、本発
明の実施例1の光学活性物質(1重量部)を加えた液晶
混合物を用いて、上記と同様にしてTNセルを作成し、
これを偏光顕微鏡で観察したところ、リバースドメイン
は認められず均一性のよI/)ネマチック相となってい
た。このことから、本発明の光学活性物質はリバース・
ドメインの防止番こ有効であることが認められた。
明の実施例1の光学活性物質(1重量部)を加えた液晶
混合物を用いて、上記と同様にしてTNセルを作成し、
これを偏光顕微鏡で観察したところ、リバースドメイン
は認められず均一性のよI/)ネマチック相となってい
た。このことから、本発明の光学活性物質はリバース・
ドメインの防止番こ有効であることが認められた。
実施例3
下記化合物を下記の重量部で混合し、
物Sを作成した。
構造式
更に、この液晶組成物Sに対して、以下に示す化合物(
2)を各々以下に示す重量部で脛合し、液晶組成物Tを
作成した。
2)を各々以下に示す重量部で脛合し、液晶組成物Tを
作成した。
構造式
%式%(2)
5
次に、2枚の0.7mm厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にSiO□を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤〔信越化学■製、
にBM−602] 0.2%イソプロピルアルコール溶
液を回転数200Or、 p、 m、のスピンナーで1
5秒間塗布し、表面処理を施した。この後、120℃に
て20分間加熱乾燥処理を施した。
れのガラス板上にITO膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にSiO□を蒸着させ絶縁層とした
。ガラス板上にシランカップリング剤〔信越化学■製、
にBM−602] 0.2%イソプロピルアルコール溶
液を回転数200Or、 p、 m、のスピンナーで1
5秒間塗布し、表面処理を施した。この後、120℃に
て20分間加熱乾燥処理を施した。
さらに、表面処理を行なったITO膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体[東し■製、5P−510]
1.5%ジメチルアセトアミド溶液を回転数2000r
、 p、m、のスピンナーで15秒間塗布した。成膜後
、60分間、300℃で加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は、約250入であった。
にポリイミド樹脂前駆体[東し■製、5P−510]
1.5%ジメチルアセトアミド溶液を回転数2000r
、 p、m、のスピンナーで15秒間塗布した。成膜後
、60分間、300℃で加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は、約250入であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径2μmのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着シール剤〔チッソ■製、リクソ
ンボンド〕を用いてガラス板をはり合わせ、60分間、
100℃にて加熱乾燥しセルを作成した。
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径2μmのアルミナビーズを一方のガラス
板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに
平行となる様にし、接着シール剤〔チッソ■製、リクソ
ンボンド〕を用いてガラス板をはり合わせ、60分間、
100℃にて加熱乾燥しセルを作成した。
このセルに液晶組成物Tを等方性酸体状態で注入し、等
吉相から20°C/hで25℃まで徐冷することにより
、強誘電性液晶素子を作成した。このセルのセル厚をベ
レック位相板によって測定したところ、約2μmであっ
た。
吉相から20°C/hで25℃まで徐冷することにより
、強誘電性液晶素子を作成した。このセルのセル厚をベ
レック位相板によって測定したところ、約2μmであっ
た。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。
ン状態が得られた。
また、この強誘電性液晶素子を使用して自発分極および
光学応答速度を測定したところ、良好な結果が得られた
。
光学応答速度を測定したところ、良好な結果が得られた
。
実施例4
実施例3で使用した化合物(2)の代わりに、以下に示
す化合物(3)を以下に示す重量部で液晶組成物Sと混
合し、液晶組成物Uを作成した。
す化合物(3)を以下に示す重量部で液晶組成物Sと混
合し、液晶組成物Uを作成した。
構造式
%式%(3)
浦晶組成物Uをセル内に注入する以外は全〈実施例3と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成した。
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成した。
この成品素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。
ン状態が得られた。
また、この強誘電性液晶素子を使用して自発分極および
光学応答速度を測定したところ、良好な結果が得られた
。
光学応答速度を測定したところ、良好な結果が得られた
。
[発明の効果]
以上説明した様に、本発明によれば、光学活性中間体と
して有用であるだけでなく、液晶性化合物に誘導したと
きに高い安定性と大きな自発分極をもたらす光学活性物
質を提供することができる。
して有用であるだけでなく、液晶性化合物に誘導したと
きに高い安定性と大きな自発分極をもたらす光学活性物
質を提供することができる。
また、本発明の光学活性物質を含有する液晶組成物を液
晶素子に用いることにより、大きな自発分極を有し、高
速応答性を示し、かつ良好な表示特性を得ることができ
る。
晶素子に用いることにより、大きな自発分極を有し、高
速応答性を示し、かつ良好な表示特性を得ることができ
る。
Claims (2)
- (1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは炭素原子数が4〜8の直鎖状アルキル基、
C^*は不斉炭素原子を示す) で示される光学活性物質。 - (2)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは炭素原子数が4〜8の直鎖状アルキル基、
C^*は不斉炭素原子を示す) で示される光学活性物質の少なくとも1種を含有するこ
とを特徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032170A JPH03236346A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 光学活性物質及びそれを含有する液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2032170A JPH03236346A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 光学活性物質及びそれを含有する液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236346A true JPH03236346A (ja) | 1991-10-22 |
Family
ID=12351464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2032170A Pending JPH03236346A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | 光学活性物質及びそれを含有する液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03236346A (ja) |
-
1990
- 1990-02-13 JP JP2032170A patent/JPH03236346A/ja active Pending
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