JPH0323927U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0323927U JPH0323927U JP8548289U JP8548289U JPH0323927U JP H0323927 U JPH0323927 U JP H0323927U JP 8548289 U JP8548289 U JP 8548289U JP 8548289 U JP8548289 U JP 8548289U JP H0323927 U JPH0323927 U JP H0323927U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- treatment mechanism
- type
- vapor deposition
- chemical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
１……ガス下降型連続型常圧化学気相成長領域
、２……ウエハー搬送ベルト、３……窒素ガスボ
ンベ、４……シランガスボンベ、５……酸素ガス
ボンベ、６……排気管、７，８……ウエハースト
ツカー、１１……ハロゲンランプ加熱装置、１２
……パンタグラフ型ウエハー搬送装置、１３……
窒素ガスボンベ、１４……排気管。
、２……ウエハー搬送ベルト、３……窒素ガスボ
ンベ、４……シランガスボンベ、５……酸素ガス
ボンベ、６……排気管、７，８……ウエハースト
ツカー、１１……ハロゲンランプ加熱装置、１２
……パンタグラフ型ウエハー搬送装置、１３……
窒素ガスボンベ、１４……排気管。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 連続成長型の常圧化学気相成長装置におい
て、枚葉式の熱処理機構を含むことを特徴とする
半導体製造装置。 (2) 前記熱処理機構がランプ加熱方式である事
を特徴とする請求項１に記載される半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8548289U JPH0323927U (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8548289U JPH0323927U (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323927U true JPH0323927U (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=31634643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8548289U Pending JPH0323927U (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323927U (ja) |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP8548289U patent/JPH0323927U/ja active Pending