JPH03246965A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03246965A JPH03246965A JP2043953A JP4395390A JPH03246965A JP H03246965 A JPH03246965 A JP H03246965A JP 2043953 A JP2043953 A JP 2043953A JP 4395390 A JP4395390 A JP 4395390A JP H03246965 A JPH03246965 A JP H03246965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base
- diode
- base region
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特にコレクターベース間にタイオ
ードを有するダーリントントランジスタに関するもので
ある。
ードを有するダーリントントランジスタに関するもので
ある。
従来の技術
近年、ダーリントントランジスタのコ】・フタ−ベース
間にタイオードを形成し、Ｌ負荷時の電圧吸収用に用い
られる傾向にある。
間にタイオードを形成し、Ｌ負荷時の電圧吸収用に用い
られる傾向にある。
以下従来のダーリントント・ランジスタについて説明す
る。
る。
第５図は従来のコレクターベース間にタイオードを有す
るダーリントントランジスタの平面区、第６図は出力段
のトランジスタのｍ遣を示す第５図のｖ−ｖ′面の断面
図、第７図は入力段のトランジスタの構造を示す第５図
のｗ−ｗ’面の断面図である。また、第４図はコレクタ
ーベース間にダイオードを有するダーリントントランジ
スタの等価回路である。
るダーリントントランジスタの平面区、第６図は出力段
のトランジスタのｍ遣を示す第５図のｖ−ｖ′面の断面
図、第７図は入力段のトランジスタの構造を示す第５図
のｗ−ｗ’面の断面図である。また、第４図はコレクタ
ーベース間にダイオードを有するダーリントントランジ
スタの等価回路である。
半導体基板内にＮ型の濃度が高いコレクタ領域８を形成
し、このコレクタ領域８上にＮ型のコレクタ領域７を形
成し、このコレクタ領域７内に第７図に示すように、Ｐ
型の第１のベース領域４′を形成し、この第１のベース
領域４′内にＮ型のエミッタ領域５′を形成して入力段
トランジスタＴ ｒｌを形成し、また第６図に示すよう
に、コレクタ領域７内に第１のベース領域４′とは別に
Ｐ型の第２のベース領域４を形成し、この第２のベース
領域４内にＮ型の第２のエミッタ領域５を形成して出力
段トランジスタＴ、２形成し、この入力段トランジスタ
Ｔ ｒｌと出力段トランジスタＴ １２が第４図に示す
ダーリントン接続となるよう、コレクタ電極９、ベース
電極３、エミッタ電極２、および入力段トランジスタＴ
、１のエミッタ領域５′と出力段トランジスタＴ ｒ２
のベース領域４を接続スる電極１０を形成している。ま
た、コレクタ領域７内に、第１のベース領域４′および
第２のベース領域４から距ＭＣＭなしてＮ型の濃度の高
い高濃度領域６を形成して入力段トランジスタＴ、１と
出力段トランジスタＴ１□の各コレクターベース間に第
４図に示すように逆向きのタイオードＤ１とダイオード
Ｄ２を設けている。第６図、第７図において１は絶縁製
である。
し、このコレクタ領域８上にＮ型のコレクタ領域７を形
成し、このコレクタ領域７内に第７図に示すように、Ｐ
型の第１のベース領域４′を形成し、この第１のベース
領域４′内にＮ型のエミッタ領域５′を形成して入力段
トランジスタＴ ｒｌを形成し、また第６図に示すよう
に、コレクタ領域７内に第１のベース領域４′とは別に
Ｐ型の第２のベース領域４を形成し、この第２のベース
領域４内にＮ型の第２のエミッタ領域５を形成して出力
段トランジスタＴ、２形成し、この入力段トランジスタ
Ｔ ｒｌと出力段トランジスタＴ １２が第４図に示す
ダーリントン接続となるよう、コレクタ電極９、ベース
電極３、エミッタ電極２、および入力段トランジスタＴ
、１のエミッタ領域５′と出力段トランジスタＴ ｒ２
のベース領域４を接続スる電極１０を形成している。ま
た、コレクタ領域７内に、第１のベース領域４′および
第２のベース領域４から距ＭＣＭなしてＮ型の濃度の高
い高濃度領域６を形成して入力段トランジスタＴ、１と
出力段トランジスタＴ１□の各コレクターベース間に第
４図に示すように逆向きのタイオードＤ１とダイオード
Ｄ２を設けている。第６図、第７図において１は絶縁製
である。
前記距離Ｃは入力段トランジスタＴ ｒｌのベース領域
４′と出力段トランジスタＴ、□のベース領域４と裏面
の濃度の高いコレクタ領域８との距離Ｃ゛より狭く、こ
のＷＭＣによりダーリントントランジスタのコレクター
ベース間のダイオードの逆方向耐圧を規制する構造とな
っている。また、ダーリントントランジスタのコレクタ
ーベース間の逆方向の許容電流、すなわち、ダイオード
耐量は、コレクタ領域７より濃度の高いコレクタ領域と
同一４電型の高濃度領域６と入力段トランジスタＴ ｒ
ｌのベース領域４′および出力段トランジスタＴ ｒ
２のベース領域４の周辺長で決定される。
４′と出力段トランジスタＴ、□のベース領域４と裏面
の濃度の高いコレクタ領域８との距離Ｃ゛より狭く、こ
のＷＭＣによりダーリントントランジスタのコレクター
ベース間のダイオードの逆方向耐圧を規制する構造とな
っている。また、ダーリントントランジスタのコレクタ
ーベース間の逆方向の許容電流、すなわち、ダイオード
耐量は、コレクタ領域７より濃度の高いコレクタ領域と
同一４電型の高濃度領域６と入力段トランジスタＴ ｒ
ｌのベース領域４′および出力段トランジスタＴ ｒ
２のベース領域４の周辺長で決定される。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の構成では、第６図および第７図に示すよ
うに入力段トランジスタＴ ｒｌに形成されたタイオー
ドＤ１と出力段トランジスタＴ１□に形成されたタイオ
ードＤ２の逆方向耐圧には入力段トランジスタＴ、、１
のエミッターベース間の順方向耐圧（約０．７Ｖ）Ｌか
差がないために、逆方向に電流を流したときに入力段ト
ランジスタＴ ｒ ｌのダイオードＤ１が先に動作し、
発振し、逆方向電圧が規制できないという問題があった
。
うに入力段トランジスタＴ ｒｌに形成されたタイオー
ドＤ１と出力段トランジスタＴ１□に形成されたタイオ
ードＤ２の逆方向耐圧には入力段トランジスタＴ、、１
のエミッターベース間の順方向耐圧（約０．７Ｖ）Ｌか
差がないために、逆方向に電流を流したときに入力段ト
ランジスタＴ ｒ ｌのダイオードＤ１が先に動作し、
発振し、逆方向電圧が規制できないという問題があった
。
本発明は上記問題を解決するものであり、ダーリントン
トランジスタのコレクターベース間のダイオードの発振
を防止し、ダイオードの電圧を規制することが可能な半
導体装１を提供することを目的とするものである。
トランジスタのコレクターベース間のダイオードの発振
を防止し、ダイオードの電圧を規制することが可能な半
導体装１を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明の半導体装１は、半導体
基板上に形成された一導電型のコレクタ領域内に逆導電
型の第１のベース領域を形成し、この第１のベース領域
内に一導電型の第１のエミッタａｍを形成してなる入力
段トランジスタと、前記第１のベース領域とは別に前記
コレクタ領域内に逆導電型の第２のベース領域を形成し
、この第２のベース領域内に一導電型の第２のエミッタ
領域を形成してなる出力段トランジスタとをダーリント
ン接続し、前記コレクタ領域内に、前記第１のベース領
域および第２のベース領域から所定距Ｍ離なして、−再
電型の濃度の高い高濃度領域を形成してコレクターベー
ス間にダイオードを形成した半導体装置であって、前記
入力段トランジスタの第１のベース領域から前記高濃度
領域までの距離より、前記出力段トランジスタの第２の
ベース領域から前記高濃度領域までの距離を短く形成し
たことを特徴とするものである。
基板上に形成された一導電型のコレクタ領域内に逆導電
型の第１のベース領域を形成し、この第１のベース領域
内に一導電型の第１のエミッタａｍを形成してなる入力
段トランジスタと、前記第１のベース領域とは別に前記
コレクタ領域内に逆導電型の第２のベース領域を形成し
、この第２のベース領域内に一導電型の第２のエミッタ
領域を形成してなる出力段トランジスタとをダーリント
ン接続し、前記コレクタ領域内に、前記第１のベース領
域および第２のベース領域から所定距Ｍ離なして、−再
電型の濃度の高い高濃度領域を形成してコレクターベー
ス間にダイオードを形成した半導体装置であって、前記
入力段トランジスタの第１のベース領域から前記高濃度
領域までの距離より、前記出力段トランジスタの第２の
ベース領域から前記高濃度領域までの距離を短く形成し
たことを特徴とするものである。
作用
上記構成により、出力段トランジスタのダイオードの逆
方向耐圧は、入力段トランジスタの第１のベース領域か
ら高濃度領域までの距離より、出力段トランジスタの第
２のベース領域から高濃度領域までの距離を短くしたこ
とによって、入力段トランジスタのダイオードの逆方向
耐圧より低い値となる。したがって、ダーリントントラ
ンジス夕のコレクターベース間のタイオードに逆方向の
バイアスが印加されて、電圧降伏が生じ、電流が流れは
じめるとき、電流はダイオードの逆方向耐圧か低い出力
段トランジスタのダイオードから必ず流れはじめ、これ
により逆方向にバイアスをかけて電流を流したとき発振
せずに、タイオードの電圧を規制することができる。ま
た、電流値が増加すると入力段トランジスタのダイオー
ドが動作し、ダイオード耐量を減少させることもない。
方向耐圧は、入力段トランジスタの第１のベース領域か
ら高濃度領域までの距離より、出力段トランジスタの第
２のベース領域から高濃度領域までの距離を短くしたこ
とによって、入力段トランジスタのダイオードの逆方向
耐圧より低い値となる。したがって、ダーリントントラ
ンジス夕のコレクターベース間のタイオードに逆方向の
バイアスが印加されて、電圧降伏が生じ、電流が流れは
じめるとき、電流はダイオードの逆方向耐圧か低い出力
段トランジスタのダイオードから必ず流れはじめ、これ
により逆方向にバイアスをかけて電流を流したとき発振
せずに、タイオードの電圧を規制することができる。ま
た、電流値が増加すると入力段トランジスタのダイオー
ドが動作し、ダイオード耐量を減少させることもない。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。な
お、従来例の第５図〜第７図の構造と同一の構造には同
一の符号を付して説明を省略する。
お、従来例の第５図〜第７図の構造と同一の構造には同
一の符号を付して説明を省略する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の平面図、
第２図は出力段トランジスタの構造を示す第１図ｘ−ｘ
’面の断面図、第３図は入力段トランジスタの構造を示
す第１図Ｙ−Ｙ′面の断面図である。
第２図は出力段トランジスタの構造を示す第１図ｘ−ｘ
’面の断面図、第３図は入力段トランジスタの構造を示
す第１図Ｙ−Ｙ′面の断面図である。
本発明の半導体装置は、入力段トランジスタの第１のベ
ース領域４′からＮ型の濃度の高い高濃度領域６′まで
の距離Ｂより、出力段トランジスタの第２のベース領域
４から高濃度領域６′までの距ｉ１Ａを短くしている。
ース領域４′からＮ型の濃度の高い高濃度領域６′まで
の距離Ｂより、出力段トランジスタの第２のベース領域
４から高濃度領域６′までの距ｉ１Ａを短くしている。
したがって出力段トランジスタＴｒ２のダイオードＤ２
の逆方向耐汗は入力後トランジスタＴｒｌのダイオード
Ｄ１の逆方向耐圧より低い値となっている。
の逆方向耐汗は入力後トランジスタＴｒｌのダイオード
Ｄ１の逆方向耐圧より低い値となっている。
上記構成により、ダーリントントランジスタのコレクタ
ーベース間のダイオードに逆方向にバイアスを印加し、
電流を流したとき、まず逆方向耐圧の低いダイオードＤ
２から必ず電流が流れるために、ダーリントントランジ
スタのコレクターベース間のダイオードの発振を防止す
ることができ、ダイオードの電圧を規制することができ
る。また電流値が増加すると入力段トランジスタＴ ｒ
ｌのダイオードＤ１が動作し、ダイオード耐量を減少
させることもない。
ーベース間のダイオードに逆方向にバイアスを印加し、
電流を流したとき、まず逆方向耐圧の低いダイオードＤ
２から必ず電流が流れるために、ダーリントントランジ
スタのコレクターベース間のダイオードの発振を防止す
ることができ、ダイオードの電圧を規制することができ
る。また電流値が増加すると入力段トランジスタＴ ｒ
ｌのダイオードＤ１が動作し、ダイオード耐量を減少
させることもない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、出力段トランジスタのダ
イオードの逆方向耐圧を入力段トランジスタのダイオー
ドの逆方向耐圧より低い鎖とすることによってダーリン
トントランジスタのコレクターベース間のダイオードの
発振を防止することができ、ダイオードの電圧と規制す
ることが可能となり、Ｌ負荷時のトランジスタの保護ダ
イオードとして、最適となり、その効果は絶大である。
イオードの逆方向耐圧を入力段トランジスタのダイオー
ドの逆方向耐圧より低い鎖とすることによってダーリン
トントランジスタのコレクターベース間のダイオードの
発振を防止することができ、ダイオードの電圧と規制す
ることが可能となり、Ｌ負荷時のトランジスタの保護ダ
イオードとして、最適となり、その効果は絶大である。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の平面図、
第２図は第１図のｘ−ｘ′面の断面図、第３図は第１図
のＹ−Ｙ′面の断面図、第４図はダーリントントランジ
スタの等価回路図、第５図は従来の半導体装Ｗの平面図
、第６図は第５図のｖ−Ｙ′面の断面図、第７図は第５
図のｗ−ｗ′面の断面図である。 １・・・絶縁膜、２・・・エミッタ領域、３・・・ベー
ス電極、４．４′・・・ベース領域、５．５′・エミッ
タ領域、６．６′・・・高濃度領域（コレクタ領域と同
一導電型で濃度の高い領域）、７・・・コレクタ領域、
８・・・濃度の高いコレクタ領域、９・・・コレクタ電
極、１０・・・を極。
第２図は第１図のｘ−ｘ′面の断面図、第３図は第１図
のＹ−Ｙ′面の断面図、第４図はダーリントントランジ
スタの等価回路図、第５図は従来の半導体装Ｗの平面図
、第６図は第５図のｖ−Ｙ′面の断面図、第７図は第５
図のｗ−ｗ′面の断面図である。 １・・・絶縁膜、２・・・エミッタ領域、３・・・ベー
ス電極、４．４′・・・ベース領域、５．５′・エミッ
タ領域、６．６′・・・高濃度領域（コレクタ領域と同
一導電型で濃度の高い領域）、７・・・コレクタ領域、
８・・・濃度の高いコレクタ領域、９・・・コレクタ電
極、１０・・・を極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成された一導電型のコレクタ領域
内に逆導電型の第１のベース領域を形成し、この第１の
ベース領域内に一導電型の第１のエミッタ領域を形成し
てなる入力段トランジスタと、前記第１のベース領域と
は別に前記コレクタ領域内に逆導電型の第２のベース領
域を形成し、この第２のベース領域内に一導電型の第２
のエミッタ領域を形成してなる出力段トランジスタとを
ダーリントン接続し、前記コレクタ領域内に、前記第１
のベース領域および第２のベース領域から所定距離離な
して、一導電型の濃度の高い高濃度領域を形成してコレ
クターベース間にダイオードを形成した半導体装置であ
って、 前記入力段トランジスタの第１のベース領域から前記高
濃度領域までの距離より、前記出力段トランジスタの第
２のベース領域から前記高濃度領域までの距離を短く形
成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043953A JPH03246965A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043953A JPH03246965A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246965A true JPH03246965A (ja) | 1991-11-05 |
Family
ID=12678068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043953A Pending JPH03246965A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03246965A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106663A (ja) * | 1985-11-02 | 1987-05-18 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS6315067B2 (ja) * | 1979-12-10 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043953A patent/JPH03246965A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315067B2 (ja) * | 1979-12-10 | 1988-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS62106663A (ja) * | 1985-11-02 | 1987-05-18 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62115765A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5967670A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0560263B2 (ja) | ||
| JPH0550852B2 (ja) | ||
| JPH03246965A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01214055A (ja) | 静電破壊保護装置 | |
| JPS589369A (ja) | トランジスタ | |
| JPH0475371A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0456465B2 (ja) | ||
| JPH05235379A (ja) | 保護用ダイオード素子 | |
| JPS58222569A (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPH0525234Y2 (ja) | ||
| JP3131694B2 (ja) | パワートランジスタデバイス | |
| JPS5833707Y2 (ja) | トランジスタ回路装置 | |
| JPS6197959A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6083361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6290963A (ja) | Ｍｏｓ半導体回路 | |
| JPS60250663A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS6124264A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61110456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6248073A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03108726A (ja) | 過電流制限型半導体装置 | |
| JPS638810A (ja) | 電源回路 | |
| JPS59127865A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6116569A (ja) | 半導体集積回路装置 |