JPH03246977A - ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法 - Google Patents
ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法Info
- Publication number
- JPH03246977A JPH03246977A JP2042367A JP4236790A JPH03246977A JP H03246977 A JPH03246977 A JP H03246977A JP 2042367 A JP2042367 A JP 2042367A JP 4236790 A JP4236790 A JP 4236790A JP H03246977 A JPH03246977 A JP H03246977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- strontium
- bismuth
- calcium
- superconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｅ概要〕
ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化
物系超伝導体配線の製造方法、特に、配線幅の狭い配線
の電気的特性の劣化を少なくする製造方法に関し、 配線幅が狭くても臨界温度Ｔｃの低下が殆んど無く、液
体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗が残らないように
するビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の
酸化物系超伝導体配線の製造方法を提供することを目的
とし、 ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化
物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記のビスマ
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体製造用厚膜または薄膜を製造し、この厚膜または
薄膜をセラミックスまたは金属のカバーをもって覆って
焼成する工程をもって構成する。
物系超伝導体配線の製造方法、特に、配線幅の狭い配線
の電気的特性の劣化を少なくする製造方法に関し、 配線幅が狭くても臨界温度Ｔｃの低下が殆んど無く、液
体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗が残らないように
するビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の
酸化物系超伝導体配線の製造方法を提供することを目的
とし、 ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化
物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記のビスマ
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体製造用厚膜または薄膜を製造し、この厚膜または
薄膜をセラミックスまたは金属のカバーをもって覆って
焼成する工程をもって構成する。
本発明は、ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム
・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法、特に、配線幅
の狭い配線の電気的特性の劣化を少なくする製造方法に
関する。
・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法、特に、配線幅
の狭い配線の電気的特性の劣化を少なくする製造方法に
関する。
超伝導配線は、直流電流に対しては電気抵抗が零である
ため、損失なく電流を流すことができ、また、高周波電
流に対しても、極めて少ないエネルギー損失をもって電
流を流すことができるので高性能な配線材料として期待
されている。
ため、損失なく電流を流すことができ、また、高周波電
流に対しても、極めて少ないエネルギー損失をもって電
流を流すことができるので高性能な配線材料として期待
されている。
超伝導体厚膜配線は、基板上に超伝導体製造用ペースト
を印刷法を使用して印刷して所定の配線パターンを形成
し、これを焼成することによって形成される。また、超
伝導薄膜配線は、基板上に蒸着法、スパッタ法等を使用
して超伝導体製造用薄膜を形成し、これをパターニング
して配線パターンを形成した後焼成することによって形
成される。
を印刷法を使用して印刷して所定の配線パターンを形成
し、これを焼成することによって形成される。また、超
伝導薄膜配線は、基板上に蒸着法、スパッタ法等を使用
して超伝導体製造用薄膜を形成し、これをパターニング
して配線パターンを形成した後焼成することによって形
成される。
ところで、ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム
・銅の酸化物系超伝導体配線を形成する場合に、超伝導
体バルクを製造する場合と同一の焼成条件をもって焼成
しても、配線幅が狭くなると臨界温度Ｔｃが低くなった
り、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗が残ると云
う現象が発生することを本願発明の発明者等は発見した
。
・銅の酸化物系超伝導体配線を形成する場合に、超伝導
体バルクを製造する場合と同一の焼成条件をもって焼成
しても、配線幅が狭くなると臨界温度Ｔｃが低くなった
り、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗が残ると云
う現象が発生することを本願発明の発明者等は発見した
。
具体例を示すと、超伝導体配線の配線幅が５ｍの場合に
は、第６図の温度−抵抗率曲線に示すように、臨界温度
Ｔｃが１００Ｋを超えているのに対し、配線幅が１ｍと
狭くなった場合には、第７図に示すように、臨界温度Ｔ
ｃが低くなり、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗
が残ってしまう。
は、第６図の温度−抵抗率曲線に示すように、臨界温度
Ｔｃが１００Ｋを超えているのに対し、配線幅が１ｍと
狭くなった場合には、第７図に示すように、臨界温度Ｔ
ｃが低くなり、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵抗
が残ってしまう。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、配線
幅が狭くても臨界温度Ｔｃの低下が殆んど無く、液体窒
素の気化温度である７７Ｋにおいても残留抵抗が残らな
いようにするビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウ
ム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法を提供するこ
とにある。
幅が狭くても臨界温度Ｔｃの低下が殆んど無く、液体窒
素の気化温度である７７Ｋにおいても残留抵抗が残らな
いようにするビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウ
ム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法を提供するこ
とにある。
上記の目的は、ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシ
ウム・銅の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して
、前記のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・
銅の酸化物系超伝導体製造用厚膜（これを焼成してビス
マス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系
超伝導体を製造する中間材としての厚膜）または薄膜（
これを焼成してビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシ
ウム・銅の酸化物系超伝導体を製造する中間材としての
薄膜）（２）を製造し、この厚膜または薄膜（２）をセ
ラミックスのカバー（３）または金属のカバー（３１）
をもって覆って焼成をなす工程を有するビスマス・鉛・
ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配
線の製造方法によって達成される。なお、前記の厚膜ま
たは薄膜（２）とセラミックスのカバー（３）または金
属のカバー（３１）との間に僅かの間隙を介在させるこ
とが効果的である。
ウム・銅の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して
、前記のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・
銅の酸化物系超伝導体製造用厚膜（これを焼成してビス
マス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系
超伝導体を製造する中間材としての厚膜）または薄膜（
これを焼成してビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシ
ウム・銅の酸化物系超伝導体を製造する中間材としての
薄膜）（２）を製造し、この厚膜または薄膜（２）をセ
ラミックスのカバー（３）または金属のカバー（３１）
をもって覆って焼成をなす工程を有するビスマス・鉛・
ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配
線の製造方法によって達成される。なお、前記の厚膜ま
たは薄膜（２）とセラミックスのカバー（３）または金
属のカバー（３１）との間に僅かの間隙を介在させるこ
とが効果的である。
本発明の発明者等は、超伝導体配線の配線幅が狭くなる
と臨界温度Ｔｃが低下する理由は下記によるものと推考
した。すなわち、配線幅が狭い場合には、第３図の蒸発
概念図に示すように、焼成工程において超伝導体製造用
厚膜または薄膜から超伝導体成分が容易に蒸発してしま
うために１１０に相が十分生成されず、一方、配線幅が
広い場合には、第４図の蒸発概念図に示すように、超伝
導体製造用厚膜または薄膜表面近傍における超伝導体成
分の蒸発分子密度が高くなって超伝導体成分の蒸発が抑
制されるために１１０に相が十分生成され、臨界温度Ｔ
ｃの高い超伝導体配線が形成されるものと推考した。そ
こで、第５図に示すように、基板１上に形成された超伝
導体製造用厚膜または薄膜２をセラミックスのカバー３
または金属のカバー３１をもって覆って焼成すれば、超
伝導体成分の蒸発が抑制されて線幅が狭い場合にも臨界
温度Ｔｃの高い超伝導体配線を形成することができるで
あろうとの着想を得て研究を重ね、この着想を具体化し
たものである。
と臨界温度Ｔｃが低下する理由は下記によるものと推考
した。すなわち、配線幅が狭い場合には、第３図の蒸発
概念図に示すように、焼成工程において超伝導体製造用
厚膜または薄膜から超伝導体成分が容易に蒸発してしま
うために１１０に相が十分生成されず、一方、配線幅が
広い場合には、第４図の蒸発概念図に示すように、超伝
導体製造用厚膜または薄膜表面近傍における超伝導体成
分の蒸発分子密度が高くなって超伝導体成分の蒸発が抑
制されるために１１０に相が十分生成され、臨界温度Ｔ
ｃの高い超伝導体配線が形成されるものと推考した。そ
こで、第５図に示すように、基板１上に形成された超伝
導体製造用厚膜または薄膜２をセラミックスのカバー３
または金属のカバー３１をもって覆って焼成すれば、超
伝導体成分の蒸発が抑制されて線幅が狭い場合にも臨界
温度Ｔｃの高い超伝導体配線を形成することができるで
あろうとの着想を得て研究を重ね、この着想を具体化し
たものである。
なお、超伝導体製造用厚膜または薄ｌｌ！Ｉ２とセラミ
ックスのカバー３または金属のカバー３１との間に１０
０〜５００ｎ程度の極めて僅かの間隙（この間隙は線幅
に支配されるが線幅を０．１−０．５ Ｍと仮定した場
合１００〜５００．ａである。）を介在させることが、
良質の超伝導体配線を形成する上において有効であるこ
とを見出した。その理由は、焼成工程において蒸発する
鉛、（Ｐ ｂ ）または酸化鉛（ＰｂＯ）がこの間隙に
封じ込められることによって、その蒸発が抑制されてｌ
ｌ０Ｋ相の生成が促進され、しかも、最終的には、すべ
ての鉛（Ｐｂ）または酸化鉛（ＰｂＯ）がこの間隙内に
蒸発し除去されるため良質の超伝導体配線が形成される
ものと考えられる。
ックスのカバー３または金属のカバー３１との間に１０
０〜５００ｎ程度の極めて僅かの間隙（この間隙は線幅
に支配されるが線幅を０．１−０．５ Ｍと仮定した場
合１００〜５００．ａである。）を介在させることが、
良質の超伝導体配線を形成する上において有効であるこ
とを見出した。その理由は、焼成工程において蒸発する
鉛、（Ｐ ｂ ）または酸化鉛（ＰｂＯ）がこの間隙に
封じ込められることによって、その蒸発が抑制されてｌ
ｌ０Ｋ相の生成が促進され、しかも、最終的には、すべ
ての鉛（Ｐｂ）または酸化鉛（ＰｂＯ）がこの間隙内に
蒸発し除去されるため良質の超伝導体配線が形成される
ものと考えられる。
以下、図面を参照しつ＼、本発明の一実施例に係るビス
マス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系
超伝導体配線の製造方法について説明する。
マス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系
超伝導体配線の製造方法について説明する。
第１図（ａ）参照
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶基板１上に、ビスマ
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体製造用ペーストをスクリーン印刷法を使用して印
刷して、幅が０．５■であり長さが１５ｍである配線パ
ターンを有する超伝導体製造用厚膜または薄膜２を形成
し、乾燥する。
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体製造用ペーストをスクリーン印刷法を使用して印
刷して、幅が０．５■であり長さが１５ｍである配線パ
ターンを有する超伝導体製造用厚膜または薄膜２を形成
し、乾燥する。
第１図（ｂ）参照
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）よりなるカバー３または金
属よりなるカバー３１をもって上記の超伝導体製造用厚
膜または薄膜２を覆い、大気中において８４０〜８９０
℃の温度に加熱して焼成する。
属よりなるカバー３１をもって上記の超伝導体製造用厚
膜または薄膜２を覆い、大気中において８４０〜８９０
℃の温度に加熱して焼成する。
第２図参照
上記の工程をもって製造された輻０．５−の超伝導体配
線の温度と抵抗率との関係を第２図に示す。
線の温度と抵抗率との関係を第２図に示す。
臨界温度Ｔｃは１００Ｋを超え、第６図に示す通常の焼
成法をもって焼成された輻５ｍの超伝導体配線の特性と
比べて遜色のない特性が得られた。
成法をもって焼成された輻５ｍの超伝導体配線の特性と
比べて遜色のない特性が得られた。
なお、超伝導体製造用厚膜または薄膜２と酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ）のカバー３または金属のカバー３１との
間に１００〜１，０００ ｎ程度の僅かの間隙を設ける
ことが、良質の超伝導体配線を製造する上で効果的であ
る。
ウム（ＭｇＯ）のカバー３または金属のカバー３１との
間に１００〜１，０００ ｎ程度の僅かの間隙を設ける
ことが、良質の超伝導体配線を製造する上で効果的であ
る。
以上説明せるとおり、本発明に係るビスマス・鉛・スト
ロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の
製造方法においては、ビスマス・鉛・ストロンチウム・
カルシウム・銅の酸化物系超伝導体製造用厚膜または薄
膜をセラミックスまたは金属のカバーをもって覆って焼
成することによって超伝導体成分の蒸発が抑制されるの
で、線幅の狭い配線を形成する場合にも臨界温度Ｔｃの
低下が殆ど無く、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵
抗が残らないビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウ
ム・銅の酸化物系超伝導体配線を製造することが可能で
ある。
ロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の
製造方法においては、ビスマス・鉛・ストロンチウム・
カルシウム・銅の酸化物系超伝導体製造用厚膜または薄
膜をセラミックスまたは金属のカバーをもって覆って焼
成することによって超伝導体成分の蒸発が抑制されるの
で、線幅の狭い配線を形成する場合にも臨界温度Ｔｃの
低下が殆ど無く、液体窒素温度の７７Ｋにおいて残留抵
抗が残らないビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウ
ム・銅の酸化物系超伝導体配線を製造することが可能で
ある。
第１図（ａ）（ｂ）は、本発明の一実施例に係るビスマ
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体配線の製造方法を説明する工程図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るビスマス・鉛・スト
ロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の
製造方法を使用して製造された配線の抵抗率と温度との
関係を示すグラフである。 第３図・第４図は、超伝導体製造用厚膜または薄膜から
の蒸発を説明する蒸発概念図である。 第５図は本発明の原理図である。 第６図は、従来技術に係る製造方法を使用して製造され
た幅５閣の超伝導体配線の抵抗率と温度との関係を示す
グラフである。 第７図は従来技術に係る製造方法を使用して製造された
輻１■の超伝導体配線の抵抗率と温度との関係を示すグ
ラフである。 ・ＭｇＯ基板、 ・超伝導体製造用厚膜または薄膜、 ・セラミックスのカバー ・金属のカバー
ス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超
伝導体配線の製造方法を説明する工程図である。 第２図は、本発明の一実施例に係るビスマス・鉛・スト
ロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の
製造方法を使用して製造された配線の抵抗率と温度との
関係を示すグラフである。 第３図・第４図は、超伝導体製造用厚膜または薄膜から
の蒸発を説明する蒸発概念図である。 第５図は本発明の原理図である。 第６図は、従来技術に係る製造方法を使用して製造され
た幅５閣の超伝導体配線の抵抗率と温度との関係を示す
グラフである。 第７図は従来技術に係る製造方法を使用して製造された
輻１■の超伝導体配線の抵抗率と温度との関係を示すグ
ラフである。 ・ＭｇＯ基板、 ・超伝導体製造用厚膜または薄膜、 ・セラミックスのカバー ・金属のカバー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅
の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記ビ
スマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物
系超伝導体製造用厚膜（２）を製造し、 該厚膜（２）をセラミックスのカバー（３）をもって覆
って焼成をなす 工程を有することを特徴とするビスマス・鉛・ストロン
チウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造
方法。 ［２］前記厚膜（２）とセラミックスのカバー（３）と
の間に僅かの間隙を介在させることを特徴とする請求項
１記載のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・
銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法。 ［３］ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅
の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記ビ
スマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物
系超伝導体製造用厚膜（２）を製造し、 該厚膜（２）を金属のカバー（３１）をもって覆って焼
成をなす 工程を有することを特徴とするビスマス・鉛・ストロン
チウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造
方法。 ［４］前記厚膜（２）と金属のカバー（３１）との間に
僅かの間隙を介在させることを特徴とする請求項３記載
のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸
化物系超伝導体配線の製造方法。 ［５］ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅
の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記ビ
スマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物
系超伝導体製造用薄膜（２）を製造し、 該薄膜（２）をセラミックスのカバー（３）をもって覆
って焼成をなす 工程を有することを特徴とするビスマス・鉛・ストロン
チウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造
方法。 ［６］前記薄膜（２）とセラミックスのカバー（３）と
の間に僅かの間隙を介在させることを特徴とする請求項
１記載のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・
銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法。 ［７］ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅
の酸化物系超伝導体製造用ペーストを成形して、前記ビ
スマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物
系超伝導体製造用薄膜（２）を製造し、 該薄膜（２）を金属のカバー（３１）をもって覆って焼
成をなす 工程を有することを特徴とするビスマス・鉛・ストロン
チウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造
方法。 ［８］前記薄膜（２）と金属のカバー（３１）との間に
僅かの間隙を介在させることを特徴とする請求項３記載
のビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸
化物系超伝導体配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042367A JP3026224B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042367A JP3026224B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03246977A true JPH03246977A (ja) | 1991-11-05 |
| JP3026224B2 JP3026224B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=12634070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042367A Expired - Fee Related JP3026224B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3026224B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2042367A patent/JP3026224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3026224B2 (ja) | 2000-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2545403B2 (ja) | 超電導体 | |
| JPH0577347B2 (ja) | ||
| EP0342039B1 (en) | Josephson device and method of making same | |
| JPH05335638A (ja) | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 | |
| JPH03246977A (ja) | ビスマス・鉛・ストロンチウム・カルシウム・銅の酸化物系超伝導体配線の製造方法 | |
| JP3361016B2 (ja) | 超電導部材及びその製造方法 | |
| JPS63239740A (ja) | 超電導化合物薄膜の製造方法 | |
| JPS63258082A (ja) | 酸化物超電導材料 | |
| JPS63258083A (ja) | 超電導材料の作製方法 | |
| JP2540185B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0244784A (ja) | 超伝導パターンの形成方法 | |
| JP3105014B2 (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| JP2870993B2 (ja) | 超伝導配線の製造方法 | |
| JPH01144519A (ja) | 酸化物系超電導体被覆部材 | |
| JPH0580160B2 (ja) | ||
| JPH03131001A (ja) | 抵抗温度センサ | |
| JPS63258081A (ja) | 超電導材料の作製方法 | |
| JP3068916B2 (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0330379A (ja) | ジョセフソン素子の作製方法 | |
| JPH01169981A (ja) | 超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0561787B2 (ja) | ||
| JPH0388716A (ja) | 酸化物系超電導薄膜の製造方法 | |
| JPH0240992A (ja) | 超伝導体配線の構造 | |
| JPH0412004A (ja) | 酸化物超電導体線材の製造方法 | |
| JPH01282122A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100128 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |