JPH0324784A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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Publication number
JPH0324784A
JPH0324784A JP16054489A JP16054489A JPH0324784A JP H0324784 A JPH0324784 A JP H0324784A JP 16054489 A JP16054489 A JP 16054489A JP 16054489 A JP16054489 A JP 16054489A JP H0324784 A JPH0324784 A JP H0324784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
semiconductor laser
lens
section
emitted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16054489A
Other languages
English (en)
Inventor
Hayami Hosokawa
速美 細川
Maki Yamashita
山下 牧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP16054489A priority Critical patent/JPH0324784A/ja
Publication of JPH0324784A publication Critical patent/JPH0324784A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は、半導体レーザから出射する断面楕円形の発散
光を断面ほぼ真円形の平行光として出射する半導体レー
ザ装置に関する。
〈従来の技術〉 従来から、光ディスクなどの情報記録媒体の情報読取に
使用される光ヘッドや種々な検出装置などでは、微小径
のビームを必要とする。このような装置の光源としては
、通常、半導体レーザを用いるが、半導体レーザは、周
知のように、断面がほぼ楕円形の発敗光を出射するもの
であるため、コリメータレンズとビーム整形プリズムな
ど多数の光学素子を用いて、半導体レーザから出射する
断面楕円形の発散光を断面をほぼ真円形の平行光に変換
することを行っている。
この光源は、パッケージ化された半導体レーザと、それ
とは別々に支持部材に支持された光学系との組み合わせ
で構威されている。
く発明が解決しようとする課題〉 ところで、従来では、光学系とする各光学素子の外形が
大きいために、光学系と半導体レーザとの配置スペース
の大型化を余儀無くされるとともに、多くの光軸調整が
必要となるなどコスト低減に限界があった。
く発明の目的〉 本発明はこのような事情に鑑みて創案されたもので、断
面ほぼ真円形の平行光を得る光源として、小型.軽量化
およびコスト低減を図った半導体レーザ装置を提供する
ことを目的としている。
く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達戊するために、次のよう
な構成をとる。
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザの光出射側
に、当該レーザから出射する断面楕円形の発散光を、断
面ほぼ真円形の平行光に変換するオフアクシス型フレネ
ルレンズが設けられた構戒に特徴を有する. 〈作用〉 上記構成において、半導体レーザから断面楕円形の発散
光が出射されると、オフアクシス型フレネルレンズは、
前記光を断面ほぼ真円形の平行光に変換して、半導体レ
ーザの光軸に対して所定角度傾いた方向へ出射する。
このようにオフアクシス型フレネルレンズは、従来のコ
リメータレンズおよびビーム整形プリズムの両機能を合
わせ持つものであって、部品点数が削減されるとともに
、光軸調整作業が軽減されるようになる。しかも、当該
レンズが小型,軽量ゆえ、配置スペースの縮小化が可能
となる.〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第1図および第2図に本発明の一実施例を示している.
第l図にはハーメチックシール型の半導体レーザ装置を
示している。図中、10は円盤状のステムlに形威され
た凸部2の側面に実装された半導体レーザ、20は凸部
2の上端に取り付けられたオフアクシス型フレネルレン
ズ、30はステム1において半導体レーザ10の後端面
側に位置するよう実装されたモニタ用受光素子、40.
 41は半導体レーザ10の一方電極およびモニタ用受
光素子30の一方電極がボンディングワイヤ3.4を介
して接続される信号用リード、42は両素子10. 3
0の他方電極がステムlを介して接続されるコモンリー
ドであり、これら各部品はキャソブ5とステム1とで密
封されている.キャップ5の開口窓には透明蓋6が取り
付けられている。
オフアクシス型フレネルレンズ20は、透明な合成樹脂
よりなる矩形状基板の一面に楕円形の凸フレネルレンズ
パターンの半分が形成されてなるものである.このオフ
アクシス形フレネルレンズ20は、その凸フレネルレン
ズパターンが形威されている面が半導体レーザ10の光
出射面に面するように配置されているとともに、当富亥
レンズ20において基板中心が半導体レーザ10の光軸
に一致するように配置されており、該レンズ20の中心
と半導体レーザ10の光軸とを不一致にしている.なお
、オフアクシス型フレネルレンズ20は、真円形のフレ
ネルレンズパターンを持つ構成としてもよく、また、凹
フレネルレンズパターンとして実施することも可能であ
る。
次に、動作を説明する。
半導体レーザlOから断面楕円形の発敗光が出射される
と、第2図に示すように、この光がオフアクシス型フレ
不ルレンズ20の凸フレネルパターンでもって半導体レ
ーザlOの光軸に対して所定角度傾いた平行光に変換さ
れる.続いて、レンズ背面とキャソプ内部の気体との界
面で所定角度さらに屈折されることにより断面が真円形
の光に変換されて、キャソブ5の開口窓から外部へ放出
されることになる。このように、オフアクシス型フレネ
ルレンズ20は、従来例のコリメータレンズおよびビー
ム整形プリズムの両機能とほぼ同等の機能を合わせ持っ
ている。
なお、本発明の半導体レーザ装置は、第1図に示す構造
において、キャップ5の開口窓に、オフアクシス型フレ
ネルレンズ20を取り付けた構造とすることも可能であ
る。また、半導体レーザ10およびオフアクシス型フレ
ネルレンズ20を所定の斜め姿勢に配置することによっ
て、キャノプ外方への放出光をステム1に垂直な方向へ
引き出すようにすることも可能である. く発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザか
ら出射される断面楕円形の発敗光を、単一の光学素子(
オフアクシス型フレネルレンズ)を利用して断面真円形
の平行光に変換させているから、従来に比べて部品点数
の削減および光軸調整作業の軽減を実現できて低コスト
化を図ることができる上、占有スペースの縮小化による
機器の小型化を図ることができる。また、オフアクシス
型フレネルレンズが小型,軽量ゆえ、当該レンズを半導
体レーザとともに一体バソケージ化することが可能とな
って従来よりも格段に小型,軽量の光源として利用でき
るようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例にかかり、第1
図は半導体レーザ装置の概略構成を示した一部破断の斜
視図、第2図は動作説明に用いる模式図である. 10・・・半導体レーザ、 20・・・オフアクシス型フレネルレンズ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体レーザの光出射側に、当該レーザから出射
    する断面楕円形の発散光を、断面ほぼ真円形の平行光に
    変換するオフアクシス型フレネルレンズが設けられてな
    る、半導体レーザ装置。
JP16054489A 1989-06-22 1989-06-22 半導体レーザ装置 Pending JPH0324784A (ja)

Priority Applications (1)

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JP16054489A JPH0324784A (ja) 1989-06-22 1989-06-22 半導体レーザ装置

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JP16054489A JPH0324784A (ja) 1989-06-22 1989-06-22 半導体レーザ装置

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Publication Number Publication Date
JPH0324784A true JPH0324784A (ja) 1991-02-01

Family

ID=15717281

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JP16054489A Pending JPH0324784A (ja) 1989-06-22 1989-06-22 半導体レーザ装置

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JP (1) JPH0324784A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI842080B (zh) * 2016-09-29 2024-05-11 日商富士軟片股份有限公司 壓力測定用材料及壓力測定用材料組

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TWI842080B (zh) * 2016-09-29 2024-05-11 日商富士軟片股份有限公司 壓力測定用材料及壓力測定用材料組

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