JPH03248569A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPH03248569A JPH03248569A JP4449490A JP4449490A JPH03248569A JP H03248569 A JPH03248569 A JP H03248569A JP 4449490 A JP4449490 A JP 4449490A JP 4449490 A JP4449490 A JP 4449490A JP H03248569 A JPH03248569 A JP H03248569A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スイッチング素子に用いられる薄膜トランジ
スタの改良に関する。
スタの改良に関する。
（従来の技術）
近年、非晶質シリコン（ａ −Ｓ ｉ）膜を用いた薄膜
トランジスタをスイッチング素子として構成されたアク
ティブマトリックス型液晶表示装置が注目されている。
トランジスタをスイッチング素子として構成されたアク
ティブマトリックス型液晶表示装置が注目されている。
これは、安価なガラス基板を用いることで大画面、高精
細、高画質なパネルデイスプレィを低コストで実現する
可能性があるからである。
細、高画質なパネルデイスプレィを低コストで実現する
可能性があるからである。
第８図は、活性層にａ−Ｓｉ膜を用いた従来の表示駆動
装置用ＴＰＴの断面図である。先ず、ガラス板のような
透光性絶縁基板２１上に設けられたＭｏやＣｒのような
金属がバターニングされゲート電極２２が形成される。
装置用ＴＰＴの断面図である。先ず、ガラス板のような
透光性絶縁基板２１上に設けられたＭｏやＣｒのような
金属がバターニングされゲート電極２２が形成される。
このゲート電極２２上にはゲート絶縁膜２３である５ｉ
ｎ２膜２３ａ。
ｎ２膜２３ａ。
ＳｉＮｘ膜２３ｂが順次積層されている。このゲ−ト絶
縁膜２３上のゲート電極２２上に位置するところに、活
性層としてａ−８ｉ膜２４の半導体膜が所定のパターン
に形成されている。このａＳｉＳｉ膜上４上ＳｉＮｘ膜
２５ａとＳｉＯｘ膜２５ｂとの１に層膜である保３膜２
５が形成されている。活性層にはオーミックコンタクト
層としてｎ″’ ａ−８Ｌ膜２６を介してソース電極２
７．ドレイン電極２８が形成されている。。ソース電極
２７、ドレイン電極２８と半導体膜２４との間には、オ
ーミックコンタクト層としてｎ”ａ−３ｉ膜２６が形成
されている。
縁膜２３上のゲート電極２２上に位置するところに、活
性層としてａ−８ｉ膜２４の半導体膜が所定のパターン
に形成されている。このａＳｉＳｉ膜上４上ＳｉＮｘ膜
２５ａとＳｉＯｘ膜２５ｂとの１に層膜である保３膜２
５が形成されている。活性層にはオーミックコンタクト
層としてｎ″’ ａ−８Ｌ膜２６を介してソース電極２
７．ドレイン電極２８が形成されている。。ソース電極
２７、ドレイン電極２８と半導体膜２４との間には、オ
ーミックコンタクト層としてｎ”ａ−３ｉ膜２６が形成
されている。
一般に、ａ−５ｉ膜の内部応力は圧縮応力。
ＳｉＮｘ膜の内部応力は引張り応力そしてＳｉＯｘ膜の
内部応力は圧縮応力であるので、このような従来構造の
ＴＰＴでは、活性層の内部応力とこれに接するゲート絶
縁膜中のＳｉＮｘ膜の内部応力は逆になっている。さら
にゲート絶縁膜中で接するＳｉＮｘ膜とＳｉＯｘ膜の内
部応力もお互いに異なっている。したがって、このよう
な接合面では当然膜の剥離発生頻度が他の箇所に比べて
高くなる。その結果、ゲート絶縁層のリーク電流の増大
、スイッチング機能の消失などのようにＴＰＴ特性が不
良になり歩留まりが悪くなるという問題があった。
内部応力は圧縮応力であるので、このような従来構造の
ＴＰＴでは、活性層の内部応力とこれに接するゲート絶
縁膜中のＳｉＮｘ膜の内部応力は逆になっている。さら
にゲート絶縁膜中で接するＳｉＮｘ膜とＳｉＯｘ膜の内
部応力もお互いに異なっている。したがって、このよう
な接合面では当然膜の剥離発生頻度が他の箇所に比べて
高くなる。その結果、ゲート絶縁層のリーク電流の増大
、スイッチング機能の消失などのようにＴＰＴ特性が不
良になり歩留まりが悪くなるという問題があった。
（発明が解決しようとする課８）
以上のように従来構造の薄膜トランジスタは、ゲート絶
縁膜とそれに接合する活性層の如く、内部応力が異なる
膜間での接合が存在するのでこれらの膜の剥離に起因す
るＴＰＴ特性の不良が見られた。
縁膜とそれに接合する活性層の如く、内部応力が異なる
膜間での接合が存在するのでこれらの膜の剥離に起因す
るＴＰＴ特性の不良が見られた。
本発明はこのような膜の剥離を回避して信頼性向上を図
った薄膜トランジスタを提供することを目的としている
。
った薄膜トランジスタを提供することを目的としている
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明は、基板と、この
基板上に所定パターンをもって形成されたａ−５ｉ膜と
、このａ−８ｔ膜にコンタクトするソースおよびドレイ
ン電極と、前記ａ−Ｓｉ膜の上部または下部にゲート絶
縁膜を介して配設されたゲート電極とを有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜は少くとも前記ａ
Ｓｔ膜側に近い部分が窒化シリコン膜により形成され、
かつその窒化シリコン膜は前記ａ−５ｉ膜側では水素濃
度が低くなる膜厚方向の水素濃度分布を有することを特
徴とする。
基板上に所定パターンをもって形成されたａ−５ｉ膜と
、このａ−８ｔ膜にコンタクトするソースおよびドレイ
ン電極と、前記ａ−Ｓｉ膜の上部または下部にゲート絶
縁膜を介して配設されたゲート電極とを有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜は少くとも前記ａ
Ｓｔ膜側に近い部分が窒化シリコン膜により形成され、
かつその窒化シリコン膜は前記ａ−５ｉ膜側では水素濃
度が低くなる膜厚方向の水素濃度分布を有することを特
徴とする。
（作用）
不発者らか研究を重ねた結果、窒化シリコン膜の内部応
力は膜中の水素濃度に依存し、水素濃度が高くなるにし
たがい引張り応力が強くなることを確認した。
力は膜中の水素濃度に依存し、水素濃度が高くなるにし
たがい引張り応力が強くなることを確認した。
したがって本発明によれば、活性層であるａＳｉ膜と接
する窒化シリコン膜中の膜厚方向の水素濃度を変えるこ
とで、これら膜界面に働く応力を抑えることができ、剥
離が起こり難くなる。
する窒化シリコン膜中の膜厚方向の水素濃度を変えるこ
とで、これら膜界面に働く応力を抑えることができ、剥
離が起こり難くなる。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例に係る薄膜トランジス
タの断面図である。これを製造工程に従い説明すると、
最初にガラス基板からなる透光性絶縁基板１上に厚さ約
２０００人のＴａあるいはＭ ｏ Ｔ ａ合金等の金属
膜をスパッタリング法を用いて堆積する。この金属膜を
ＣＦ、と０２を反応ガスとしたプラズマエツチングによ
りバターニングしてゲート電極２を形成する。次に光Ｃ
ＶＤ法のより第１．第２．第３のゲート絶縁膜３ａ、３
ｂ、３ｃであるＳｉＮｘをそれぞれ約１０００人、５０
０人、５００人の厚さで順次堆積して厚さ２０００人の
ゲート絶縁膜３を形成する。引き続き光ＣＶＤ法により
活性層となるａ−９ｉ膜４を３０００人形成し、その上
にＳｉＮｘ膜５ａ、ＳｉＯｘ膜５ｂを厚さ１０００人で
順次堆積して厚さ２０００人の積層膜を形成する。次に
この積層膜にエツチングを施して保護膜５を形成する。
タの断面図である。これを製造工程に従い説明すると、
最初にガラス基板からなる透光性絶縁基板１上に厚さ約
２０００人のＴａあるいはＭ ｏ Ｔ ａ合金等の金属
膜をスパッタリング法を用いて堆積する。この金属膜を
ＣＦ、と０２を反応ガスとしたプラズマエツチングによ
りバターニングしてゲート電極２を形成する。次に光Ｃ
ＶＤ法のより第１．第２．第３のゲート絶縁膜３ａ、３
ｂ、３ｃであるＳｉＮｘをそれぞれ約１０００人、５０
０人、５００人の厚さで順次堆積して厚さ２０００人の
ゲート絶縁膜３を形成する。引き続き光ＣＶＤ法により
活性層となるａ−９ｉ膜４を３０００人形成し、その上
にＳｉＮｘ膜５ａ、ＳｉＯｘ膜５ｂを厚さ１０００人で
順次堆積して厚さ２０００人の積層膜を形成する。次に
この積層膜にエツチングを施して保護膜５を形成する。
この後、保護膜５をマスクとしてａＳｉＳｉ膜面表面上
−ミックコンタクト層として厚さ５００人のｎ”ａ−５
ｉ膜６を形成する。最後に金属膜を形成し、これをバタ
ーニングすることによりソース電極７．ドレイン電極８
を形成して薄膜トランジスタが完成する。
−ミックコンタクト層として厚さ５００人のｎ”ａ−５
ｉ膜６を形成する。最後に金属膜を形成し、これをバタ
ーニングすることによりソース電極７．ドレイン電極８
を形成して薄膜トランジスタが完成する。
なお、上記第１の絶縁膜３ａの原料ガスとして、２ＳＣ
ＣＭのシランと９８ＳＣＣＭのアンモニアとの混合ガス
を、第２の絶縁膜３ｂの原料ガスとして流ｊ１２ｓｃｃ
Ｍのシランと流量９８ＳＣＣＭのアンモニアとの原料ガ
スに流量５０５ＣＣＭの水素を混合したガスを、第３の
絶縁膜３ｃの原料ガスとして流ｆｉ２ Ｓ ＣＣＭのシ
ランと流ｆｆｉ９８３ＣＣＭのアンモニアとの原料ガス
に流量１１００３ＣＣの水素を混合したガスを採用した
。これによりゲート絶縁膜中の水素は膜厚方向に濃度分
布を持つことになる。第２図はこの絶縁膜中の原子水素
濃度を評価した結果であり、図中、横軸はＳｉＮｘ膜の
厚さ、縦軸はＳｉＮｘ膜中の原子水素濃度である。この
ように３つの絶縁膜からなるゲート絶縁膜３中の水素濃
度分布は、それぞれの絶縁膜中では一定濃度で、第３の
ゲート絶縁膜３ｃから第１のゲート絶縁膜３ａの順に膜
厚方向に濃度が低くなる分布を呈している。
ＣＭのシランと９８ＳＣＣＭのアンモニアとの混合ガス
を、第２の絶縁膜３ｂの原料ガスとして流ｊ１２ｓｃｃ
Ｍのシランと流量９８ＳＣＣＭのアンモニアとの原料ガ
スに流量５０５ＣＣＭの水素を混合したガスを、第３の
絶縁膜３ｃの原料ガスとして流ｆｉ２ Ｓ ＣＣＭのシ
ランと流ｆｆｉ９８３ＣＣＭのアンモニアとの原料ガス
に流量１１００３ＣＣの水素を混合したガスを採用した
。これによりゲート絶縁膜中の水素は膜厚方向に濃度分
布を持つことになる。第２図はこの絶縁膜中の原子水素
濃度を評価した結果であり、図中、横軸はＳｉＮｘ膜の
厚さ、縦軸はＳｉＮｘ膜中の原子水素濃度である。この
ように３つの絶縁膜からなるゲート絶縁膜３中の水素濃
度分布は、それぞれの絶縁膜中では一定濃度で、第３の
ゲート絶縁膜３ｃから第１のゲート絶縁膜３ａの順に膜
厚方向に濃度が低くなる分布を呈している。
第３図は本発明者らがＳｉＮｘ膜中に於ける水素の影響
にについて研究した結果である。図中、横軸はＳｉＮｘ
膜中の原子水素濃度、左縦軸はＳｉＮｘ膜の内部応力、
右縦軸はＳｉＮｘ膜中の欠陥密度、実線は内部応力と水
素濃度の関係を示し、破線は欠陥密度と水素濃度の関係
を示す。この図から分かるようにＳｉＮｘ膜の内部応力
は水素濃度が高いほど引張り応力が大きくなり、逆に欠
陥密度は水素濃度が高いほど小さくなっている。
にについて研究した結果である。図中、横軸はＳｉＮｘ
膜中の原子水素濃度、左縦軸はＳｉＮｘ膜の内部応力、
右縦軸はＳｉＮｘ膜中の欠陥密度、実線は内部応力と水
素濃度の関係を示し、破線は欠陥密度と水素濃度の関係
を示す。この図から分かるようにＳｉＮｘ膜の内部応力
は水素濃度が高いほど引張り応力が大きくなり、逆に欠
陥密度は水素濃度が高いほど小さくなっている。
したがって、上記実施例のような構成の薄膜トランジス
タは、活性層とゲート絶縁膜３とが内部応力の差が小さ
いａ−３ｉ膜４と第３のゲート絶縁膜３ａとで接合して
いるので従来の薄膜トランジスタのようにこの界面で大
きな応力歪みを受けない。その結果、膜剥離の発生頻度
が非常に小さくなる。さらに高濃度の水素を含む第１．
第２のゲート絶縁膜３ａ、３ｂの存在により、第１のゲ
ート絶縁膜３ａ中の欠陥密度が高いことで絶縁膜として
の機能が低下しても、ゲート絶縁膜３全体として緻密な
絶縁膜として働く。
タは、活性層とゲート絶縁膜３とが内部応力の差が小さ
いａ−３ｉ膜４と第３のゲート絶縁膜３ａとで接合して
いるので従来の薄膜トランジスタのようにこの界面で大
きな応力歪みを受けない。その結果、膜剥離の発生頻度
が非常に小さくなる。さらに高濃度の水素を含む第１．
第２のゲート絶縁膜３ａ、３ｂの存在により、第１のゲ
ート絶縁膜３ａ中の欠陥密度が高いことで絶縁膜として
の機能が低下しても、ゲート絶縁膜３全体として緻密な
絶縁膜として働く。
第４図は、本発明に係る第２の実施例を示す薄膜トラン
ジスタの断面図である。なお第１図と同一機能部分には
同一符号を付し、詳しい説明は省略する。
ジスタの断面図である。なお第１図と同一機能部分には
同一符号を付し、詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した第１の実施例と異なる点は、
透光性絶縁基板１上にゲート電極２を設けた後、光ＣＶ
Ｄ法を用いて第１．第２のゲート絶縁膜１３ａ、１３ｂ
であるＳｉＯｘ膜をそれぞれ５００人の厚さで順次堆積
し、さらにこのゲート絶縁膜１３ｂ上に第３．第４のゲ
ート絶縁膜１３ｃ、１３ｄとしてＳｉＮｘ膜を各々５０
０人の厚さで順次堆積して絶縁膜１３をＳｉＯｘ膜とＳ
ｉＮｘ膜との積層膜としたことである。
透光性絶縁基板１上にゲート電極２を設けた後、光ＣＶ
Ｄ法を用いて第１．第２のゲート絶縁膜１３ａ、１３ｂ
であるＳｉＯｘ膜をそれぞれ５００人の厚さで順次堆積
し、さらにこのゲート絶縁膜１３ｂ上に第３．第４のゲ
ート絶縁膜１３ｃ、１３ｄとしてＳｉＮｘ膜を各々５０
０人の厚さで順次堆積して絶縁膜１３をＳｉＯｘ膜とＳ
ｉＮｘ膜との積層膜としたことである。
このゲート絶縁！ＩＩＢ中の原子水素濃度を測定したと
ころ第５図に示すような結果が得られた。すなわち、４
つの絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３中の膜厚方向の水
素濃度分布は、それぞれの絶縁膜中では一定濃度で、活
性層に近い絶縁膜程濃度が低くなる分布を呈している。
ころ第５図に示すような結果が得られた。すなわち、４
つの絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３中の膜厚方向の水
素濃度分布は、それぞれの絶縁膜中では一定濃度で、活
性層に近い絶縁膜程濃度が低くなる分布を呈している。
参考までに、ＳｉＯｘ膜中の水素濃度と内部応力の関係
は第６図に示すようになる。
は第６図に示すようになる。
この実施例のような構成の薄膜トランジスタでも、第１
の実施例と同様にａ−Ｓｔ膜４は、４つのゲート絶縁膜
中で最も内部応力の差が小さい第１のゲート絶縁膜１３
ｄと接する。その結果、活性層とゲート絶縁膜３との接
合面での膜剥離は起こり難くなり、さらに第２．第３．
第４のゲート絶縁膜１３ｂ、１３ｃ、１３ｄにより絶縁
膜として強化されている。
の実施例と同様にａ−Ｓｔ膜４は、４つのゲート絶縁膜
中で最も内部応力の差が小さい第１のゲート絶縁膜１３
ｄと接する。その結果、活性層とゲート絶縁膜３との接
合面での膜剥離は起こり難くなり、さらに第２．第３．
第４のゲート絶縁膜１３ｂ、１３ｃ、１３ｄにより絶縁
膜として強化されている。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、上記実施例のように水素濃度分布を段階的
に変化させるのではなく連続的に変化させても良い。す
なわち、第７図に示すように活性層から膜厚方向に対し
て遠ざかるにしたがい濃度が高くなるようにゲート絶縁
膜中の水素濃度分布を設定をしても良い。
い。例えば、上記実施例のように水素濃度分布を段階的
に変化させるのではなく連続的に変化させても良い。す
なわち、第７図に示すように活性層から膜厚方向に対し
て遠ざかるにしたがい濃度が高くなるようにゲート絶縁
膜中の水素濃度分布を設定をしても良い。
また、ゲート絶縁膜中の水素濃度を制御するために用い
られる方法は上記実施例で用いた原料ガスの希釈法に限
らず、例えば、反応時の紫外線。
られる方法は上記実施例で用いた原料ガスの希釈法に限
らず、例えば、反応時の紫外線。
赤外線などの光照射量の増減、膜形成後のＨ２プラズマ
処理等で行なっても良い。
処理等で行なっても良い。
さらにまた、ゲート絶縁膜の形成方法は光ＣＶＤ法に限
らず、例えばプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、もしくは
スパッタリング法を用いてもかまわない。
らず、例えばプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、もしくは
スパッタリング法を用いてもかまわない。
なお、本発明はゲート絶縁膜のみならず、例えば保護膜
に適用しても良い。要するに本発明は、Ｓ ｉＮｘ膜ま
たはＳｉＯｘ膜とそれらの膜の内部応力と異なる膜との
接合箇所であれば種々変形して実施することができる。
に適用しても良い。要するに本発明は、Ｓ ｉＮｘ膜ま
たはＳｉＯｘ膜とそれらの膜の内部応力と異なる膜との
接合箇所であれば種々変形して実施することができる。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、内部応力差に起因す
る膜剥離が防止できるので信頼性が向上して優れた特性
のＴＰＴを得ることができる。
る膜剥離が防止できるので信頼性が向上して優れた特性
のＴＰＴを得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係る薄膜トランジスタ
の断面図、第２図は第１実施例に係るゲート絶縁膜中の
水素濃度を示す図、第３図はＳｉＮｘ膜の内部応力と水
素濃度との関係を示す図、第４図は第２の実施例に係る
薄膜トランジスタの断面図、第５図は第２実施例に係る
ゲート絶縁膜中の水素濃度を示す図、第６図はＳｉＮｘ
膜の内部応力と水素濃度との関係を示す図、第７図はゲ
ート絶縁膜中の水素濃度を示す図、第８図は従来の薄膜
トランジスタの断面図である。 １・・・透光性絶縁基板、２・・・ゲート電極、３゜３
ａ、３ｂ、３ｃ、１３，１３ａ、１３ｂ。 １３ｃ、１３ｄ−・・ゲート絶縁膜、４ ・＝ ａ −
Ｓ ｉ膜、５．５ａ、５ｂ−・・保護膜、６−ｎ” ａ
−Ｓ ｉ膜。 ７・・・ソース電極、８・・・ドレイン電極。
の断面図、第２図は第１実施例に係るゲート絶縁膜中の
水素濃度を示す図、第３図はＳｉＮｘ膜の内部応力と水
素濃度との関係を示す図、第４図は第２の実施例に係る
薄膜トランジスタの断面図、第５図は第２実施例に係る
ゲート絶縁膜中の水素濃度を示す図、第６図はＳｉＮｘ
膜の内部応力と水素濃度との関係を示す図、第７図はゲ
ート絶縁膜中の水素濃度を示す図、第８図は従来の薄膜
トランジスタの断面図である。 １・・・透光性絶縁基板、２・・・ゲート電極、３゜３
ａ、３ｂ、３ｃ、１３，１３ａ、１３ｂ。 １３ｃ、１３ｄ−・・ゲート絶縁膜、４ ・＝ ａ −
Ｓ ｉ膜、５．５ａ、５ｂ−・・保護膜、６−ｎ” ａ
−Ｓ ｉ膜。 ７・・・ソース電極、８・・・ドレイン電極。
Claims (2)
- （１）基板と、この基板上に所定パターンをもって形成
された非晶質シリコン膜と、この非晶質シリコン膜にコ
ンタクトするソースおよびドレイン電極と、前記非晶質
シリコン膜の上部または下部にゲート絶縁膜を介して配
設されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおい
て、前記ゲート絶縁膜は少くとも前記非晶質シリコン膜
に近い部分が窒化シリコン膜により形成され、かつその
窒化シリコン膜は前記非晶質シリコン膜側では水素濃度
が低くなる膜厚方向の水素濃度分布を有することを特徴
とする薄膜トランジスタ。 - （２）前記ゲート絶縁膜は、膜厚方向に水素濃度分布を
有する窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層膜を有
することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449490A JP2885458B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4449490A JP2885458B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248569A true JPH03248569A (ja) | 1991-11-06 |
| JP2885458B2 JP2885458B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=12693110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4449490A Expired - Fee Related JP2885458B2 (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2885458B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134712A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012099847A (ja) * | 2012-01-13 | 2012-05-24 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2013254950A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2017228800A (ja) * | 2012-05-10 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP4449490A patent/JP2885458B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134712A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012099847A (ja) * | 2012-01-13 | 2012-05-24 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP2013254950A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9711652B2 (en) | 2012-05-10 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2017126794A (ja) * | 2012-05-10 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2017228800A (ja) * | 2012-05-10 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9966475B2 (en) | 2012-05-10 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2018201047A (ja) * | 2012-05-10 | 2018-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2019125809A (ja) * | 2012-05-10 | 2019-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2885458B2 (ja) | 1999-04-26 |
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