JPH03250724A - 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
有機半導体固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH03250724A JPH03250724A JP4791390A JP4791390A JPH03250724A JP H03250724 A JPH03250724 A JP H03250724A JP 4791390 A JP4791390 A JP 4791390A JP 4791390 A JP4791390 A JP 4791390A JP H03250724 A JPH03250724 A JP H03250724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal salt
- capacitor
- solid electrolytic
- organic semiconductor
- chemical conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は有機半導体固体電解コンデンサの製造方法に関
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てＴＣＮＱ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける漏？Ｌ電流を抑制できるコンデンサの製造方
法に関するものである。
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てＴＣＮＱ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける漏？Ｌ電流を抑制できるコンデンサの製造方
法に関するものである。
（ロ）従来の技術
電解質としてＴＣＮＱ錯塩を使用する有機半導体固体電
解コンデンサに関しては、本頼出頼人より既に種々提案
している。即ち、特開昭５８−〕９９１４１４号ＨＯＩ
Ｇ９１０２）等に開示されているＮ位をアルキル基で
置換したイソキノリンとのＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電
解コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているた
め、スイッチング電源用などに広く採用されている。
解コンデンサに関しては、本頼出頼人より既に種々提案
している。即ち、特開昭５８−〕９９１４１４号ＨＯＩ
Ｇ９１０２）等に開示されているＮ位をアルキル基で
置換したイソキノリンとのＴＣＮＱ錯塩を用いた固体電
解コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているた
め、スイッチング電源用などに広く採用されている。
次にコンデンサ素子について説明する。第１図は従来使
用されているコンデンサ素子を示す。まず、高純度（９
９，９９％以上）のアルミニウム箔を科学的処理により
粗面化し、実効表面積を増加させるためのいわゆる工・
／チング処理を行なう。次に電解液中にて、電気化学的
にアルミニウム箔表面に酸化皮膜（酸化アルミニウムの
薄膜）を形成する（化成処理）。次にエツチング処理、
化成処理を行なったアルミニウム箔を陽極箔（１）とし
、対向陰極箔（２）との間にセパレータ（３）としてマ
ニラ紙を挟み、第１図に示すように円筒状に巻き取る。
用されているコンデンサ素子を示す。まず、高純度（９
９，９９％以上）のアルミニウム箔を科学的処理により
粗面化し、実効表面積を増加させるためのいわゆる工・
／チング処理を行なう。次に電解液中にて、電気化学的
にアルミニウム箔表面に酸化皮膜（酸化アルミニウムの
薄膜）を形成する（化成処理）。次にエツチング処理、
化成処理を行なったアルミニウム箔を陽極箔（１）とし
、対向陰極箔（２）との間にセパレータ（３）としてマ
ニラ紙を挟み、第１図に示すように円筒状に巻き取る。
こうしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成した陽極箔（
１）及び陰極箔（２）と両電極箔間に介挿されたセパレ
ータ（３）とを持回してコンデンサ素子（６）が形成さ
れる。なお（４）（４’）はアルミリード、（５）（５
’）はリード線である。
１）及び陰極箔（２）と両電極箔間に介挿されたセパレ
ータ（３）とを持回してコンデンサ素子（６）が形成さ
れる。なお（４）（４’）はアルミリード、（５）（５
’）はリード線である。
さらにコンデンサ素子（６）に熱処理を施し、セパレー
タ（３）を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
タ（３）を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
第２図はこのコンデンサ素子（６）をアルミケース（７
）内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量の各
種ＴＣＮＱＣＮ上８）をケース（７）内に入れ、加熱し
た熱板上にアルミケース（７）を載置し、本実施例では
３１０〜３１５℃にてケース（７）中の粉末状ＴＣＮＱ
錯塩を加熱融解させる。
）内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量の各
種ＴＣＮＱＣＮ上８）をケース（７）内に入れ、加熱し
た熱板上にアルミケース（７）を載置し、本実施例では
３１０〜３１５℃にてケース（７）中の粉末状ＴＣＮＱ
錯塩を加熱融解させる。
一方、予め加熱しであるコンデンサ素子（６）をアルミ
ケース（７）内に挿入して、融解したＴＣＮＱＣＮ上混
合液をコンデンサ素子（６）に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、ＴＣＮＱＣＮ上は反応し難い樹脂（
９）を封入し、さらにエポキシ樹脂等（１０）で成形す
る。（１１）はリード線用溝である。前述の如き従来技
術においては化成したエツチドアルミニウム箔（１）と
陰極箔（２）をセパレータ（３）を介して巻回したコン
デンサ素子（６）を素子形成時に損傷した陽極箔の化成
皮膜修復のため再度アジピン酸アンモニウムの水溶液に
て再化成並びに熱処理していた。そして該コンデンサ素
子に融解液化したＴＣＮＱ塩（８）を含浸し、樹脂（９
）又はゴムで封口、電圧処理（エージング）等の工程を
経て目的とする有機半導体固体電解コンデンサを完成さ
せていた。
ケース（７）内に挿入して、融解したＴＣＮＱＣＮ上混
合液をコンデンサ素子（６）に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、ＴＣＮＱＣＮ上は反応し難い樹脂（
９）を封入し、さらにエポキシ樹脂等（１０）で成形す
る。（１１）はリード線用溝である。前述の如き従来技
術においては化成したエツチドアルミニウム箔（１）と
陰極箔（２）をセパレータ（３）を介して巻回したコン
デンサ素子（６）を素子形成時に損傷した陽極箔の化成
皮膜修復のため再度アジピン酸アンモニウムの水溶液に
て再化成並びに熱処理していた。そして該コンデンサ素
子に融解液化したＴＣＮＱ塩（８）を含浸し、樹脂（９
）又はゴムで封口、電圧処理（エージング）等の工程を
経て目的とする有機半導体固体電解コンデンサを完成さ
せていた。
しかし、有機半導体固体電解コンデンサは一般の電解液
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜についてもＴＣＮＱ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により高
電圧印加時においては上記弱体部が破壊し、漏れ電流が
増大する。
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜についてもＴＣＮＱ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により高
電圧印加時においては上記弱体部が破壊し、漏れ電流が
増大する。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、ＴＣＮＱ塩を固体電解質に用いた有機半導体
固体電解コンデンサにおいて高電圧印加時に漏れ電流の
増大する点を解決するものて゛ある。
固体電解コンデンサにおいて高電圧印加時に漏れ電流の
増大する点を解決するものて゛ある。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は巻き取り素子形成後、陽極箔をリン酸のアルカ
リ金属塩或はアルカリ土類金属塩の少なくともいずれか
一方を含む溶液にて化成熟処理することにより巻き取り
素子（コンデンサ素子）形成前から存在しているアルミ
ニウム箔の化成皮膜上にリン酸のアルカリ金属塩、アル
カリ土類金属塩の少なくともいずれか一方を含む化成液
にて化成された新たな化成皮膜を形成させるものである
。
リ金属塩或はアルカリ土類金属塩の少なくともいずれか
一方を含む溶液にて化成熟処理することにより巻き取り
素子（コンデンサ素子）形成前から存在しているアルミ
ニウム箔の化成皮膜上にリン酸のアルカリ金属塩、アル
カリ土類金属塩の少なくともいずれか一方を含む化成液
にて化成された新たな化成皮膜を形成させるものである
。
（ホ）作 用
巻き取り素子形成前から存在している化成皮膜の上にリ
ン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩の少なくと
もいずれか１つを含む化成液にて化成された化成皮膜を
形成することにより機械的、熱的、化学的に非常に安定
した酸化皮膜が得られる。
ン酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩の少なくと
もいずれか１つを含む化成液にて化成された化成皮膜を
形成することにより機械的、熱的、化学的に非常に安定
した酸化皮膜が得られる。
（へ）実施例
第１表に本発明の実施例及び従来例として用いた再化成
（巻き取り素子形成後の化成）の化成液を示す。
（巻き取り素子形成後の化成）の化成液を示す。
以下余白
第
１
表
第２表に第１表に示した化成液により処理した定格３５
Ｖ、容量０．６８ｕＦの素子を用いて試作した有機半導
体固体電解コンデンサの電圧処理（エージング）後のも
れ電流の歩留りを記載する。（条件＝１２５℃、３５Ｖ
で１時間）第２表においてり、Ｃ１は漏れ電流のデータ
であり、試料１００個中の不良数と歩留りを示している
が、ＬＣ規格は３５ ■、０．６８μＦの場合は０ 、
５ （ＩＩＡ／１０ ｓｅｃ、 ）以下である。尚、測
定条件は１２５℃、印加電圧３５ｖ、１時間後の結果で
ある。
Ｖ、容量０．６８ｕＦの素子を用いて試作した有機半導
体固体電解コンデンサの電圧処理（エージング）後のも
れ電流の歩留りを記載する。（条件＝１２５℃、３５Ｖ
で１時間）第２表においてり、Ｃ１は漏れ電流のデータ
であり、試料１００個中の不良数と歩留りを示している
が、ＬＣ規格は３５ ■、０．６８μＦの場合は０ 、
５ （ＩＩＡ／１０ ｓｅｃ、 ）以下である。尚、測
定条件は１２５℃、印加電圧３５ｖ、１時間後の結果で
ある。
第２表から本発明が従来に比べ漏れ電流の増大化の防止
に著しい効果のあることが判かる。又高温負荷の寿命試
験においても従来のアジピン酸アンモニウムやリン酸ア
ンモニウムを用いた場合に較べ、本発明のリン酸のアル
カリ金属塩、アルカリ土類金属塩を用いた場合は極めて
ショート率が減少する。この事実からも理解できるよう
に本発明により形成した酸化皮膜は非常に安定した酸化
皮膜であり、もれ電流の低減下に大いに役立つことがわ
かる。
に著しい効果のあることが判かる。又高温負荷の寿命試
験においても従来のアジピン酸アンモニウムやリン酸ア
ンモニウムを用いた場合に較べ、本発明のリン酸のアル
カリ金属塩、アルカリ土類金属塩を用いた場合は極めて
ショート率が減少する。この事実からも理解できるよう
に本発明により形成した酸化皮膜は非常に安定した酸化
皮膜であり、もれ電流の低減下に大いに役立つことがわ
かる。
第３表（ａ）に１０５℃、３５Ｖの寿命試験における５
００時間までのショート数測定結果を示す。
００時間までのショート数測定結果を示す。
以下余白
第
表
（ａ）
尚上記ショート数はエージング後、ＬＣ良品の試料１０
０個に対する結果である。
０個に対する結果である。
（ト）発明の効果
このように本発明によれば、ＴＣＮＱ塩を使用する有機
半導体固体電解コンデンサにおいてアルミニウム箔上の
酸化皮膜が極めて安定したものとなり、漏れ電流が著し
く低減する。
半導体固体電解コンデンサにおいてアルミニウム箔上の
酸化皮膜が極めて安定したものとなり、漏れ電流が著し
く低減する。
第１図はコンデンサ素子の斜視図、第２図は固体電解コ
ンデンサの断面図である。 （１）（２）・・・陽、 陰極箔、 （３）・・・セパレータ、 （６）・・・コンデンサ素子、 （７）・・・アルミケース、 （８）・・・ＴＣＮＱ錯塩。
ンデンサの断面図である。 （１）（２）・・・陽、 陰極箔、 （３）・・・セパレータ、 （６）・・・コンデンサ素子、 （７）・・・アルミケース、 （８）・・・ＴＣＮＱ錯塩。
Claims (1)
- （１）アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有
する金属を化成しエッチングした箔よりなる陽極箔と該
金属の薄箔よりなる陰極箔との間にセパレータ紙を介し
て巻回して形成したコンデンサ素子に、加熱融解可能で
且つ冷却固化後コンデンサ用電解質として使用し得る電
導度を有するＴＣＮＱ塩を加熱して含浸させ、冷却固化
させてなる有機半導体固体電解コンデンサにおいて、前
記コンデンサ素子の形成後、前記陽極箔を、リン酸のア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩のうちの少なくとも
いずれか一方を含む溶液にて化成し、その後、熱処理す
ることにより前記コンデンサ素子の形成前から存在して
いる前記金属の化成皮膜上にリン酸のアルカリ金属塩、
アルカリ土類金属塩の少なくともいずれか一方を含む化
成液にて化成皮膜を施すことを特徴とする有機半導体固
体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4791390A JP2755767B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4791390A JP2755767B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250724A true JPH03250724A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2755767B2 JP2755767B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=12788609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4791390A Expired - Fee Related JP2755767B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755767B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040326A1 (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 電気化学工業株式会社 | 電子源用ロッド、電子源及び電子機器 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4791390A patent/JP2755767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040326A1 (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 電気化学工業株式会社 | 電子源用ロッド、電子源及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755767B2 (ja) | 1998-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2663544B2 (ja) | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 | |
| JPH04229611A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0158856B2 (ja) | ||
| KR920009178B1 (ko) | 유기반도체 전해질 콘덴서 및 그의 제조방법 | |
| JPH03250724A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS612315A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH03250723A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03276711A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2714281B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH01184912A (ja) | アルミ電解コンデンサ用電極箔及びその製造方法 | |
| JP3162738B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2924251B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2840522B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3656666B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR940005995B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 | |
| JPH01105525A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0337854B2 (ja) | ||
| JPH06132172A (ja) | 電解コンデンサ用タブ端子の製造方法 | |
| JPH0435014A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH06163323A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH04307917A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0897104A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPH03280521A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090306 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |