JPH03254085A - ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体 - Google Patents
ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体Info
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- JPH03254085A JPH03254085A JP2049626A JP4962690A JPH03254085A JP H03254085 A JPH03254085 A JP H03254085A JP 2049626 A JP2049626 A JP 2049626A JP 4962690 A JP4962690 A JP 4962690A JP H03254085 A JPH03254085 A JP H03254085A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化亜鉛を主成分とするギャップ付避雷器用電
圧非直線抵抗体に関するものである。
圧非直線抵抗体に関するものである。
(従来の技術)
従来から酸化亜鉛(ZnO)を主成分として、BIZO
31Sb203. Sing、 C0ZO31Mn0z
等の少量の金属酸化物を副成分として含有した抵抗体は
、優れた電圧非直線性を示すことが広く知られており、
その性質を利用して避雷器等に使用されている。
31Sb203. Sing、 C0ZO31Mn0z
等の少量の金属酸化物を副成分として含有した抵抗体は
、優れた電圧非直線性を示すことが広く知られており、
その性質を利用して避雷器等に使用されている。
一方、架空送電線における電気事故のうち、半数以上が
雷による事故で占められており、送電線への落雷により
、鉄塔電位が上昇すると、アークホーンで放電し、続い
て故障電流(続流)が流れるため変電所の遮断器で遮断
し、停電していた。
雷による事故で占められており、送電線への落雷により
、鉄塔電位が上昇すると、アークホーンで放電し、続い
て故障電流(続流)が流れるため変電所の遮断器で遮断
し、停電していた。
この問題を解決するため、図面に模式的に示すようなギ
ャップ付避雷器が開発された。これは概念的には碍子装
置2のアークホーン1に避雷機能を持たせたもので、限
流要素部3と直列ギャップ4とから構成される。限流要
素部3は電圧非直線抵抗特性を有する酸化亜鉛素子を直
列に接続し、絶縁物(碍管)内に収納し、あるいは絶縁
物(エチレン、プロピレンゴム)によりモールドしたも
のである。これにより、送電線への落雷で鉄塔電位が上
昇したときに直列ギャップ4で放電させ、短時間のうち
に限流要素部の非直線抵抗特性を利用して続流を完全に
遮断し、変電所の遮断器の作動をなくすることにより停
電の防止を狙っている。
ャップ付避雷器が開発された。これは概念的には碍子装
置2のアークホーン1に避雷機能を持たせたもので、限
流要素部3と直列ギャップ4とから構成される。限流要
素部3は電圧非直線抵抗特性を有する酸化亜鉛素子を直
列に接続し、絶縁物(碍管)内に収納し、あるいは絶縁
物(エチレン、プロピレンゴム)によりモールドしたも
のである。これにより、送電線への落雷で鉄塔電位が上
昇したときに直列ギャップ4で放電させ、短時間のうち
に限流要素部の非直線抵抗特性を利用して続流を完全に
遮断し、変電所の遮断器の作動をなくすることにより停
電の防止を狙っている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、こうしたギャップ付避雷器では、既存の鉄塔間
に新たにギャップ付避雷器を挿入しなければならないの
で、アークホーン1との絶縁強調が問題であり、落雷時
に直列ギャップ4に閃絡させてアークホーン1での閃絡
を防止する必要がある。
に新たにギャップ付避雷器を挿入しなければならないの
で、アークホーン1との絶縁強調が問題であり、落雷時
に直列ギャップ4に閃絡させてアークホーン1での閃絡
を防止する必要がある。
しかし、従来の酸化ビスマス系酸化亜鉛素子の比誘電率
(IMH2)は、650程度が限界のため、直列ギャッ
プ4で閃絡が発生するフラッシュオーバー電圧を小さく
することが難しかった。従って、アークホーン1のギャ
ップ間隔を長くする必要があるため、既設鉄塔へと避雷
器を取り付ける際には、碍子2を増結したりアークホー
ンを取り換える必要がある場合があった。
(IMH2)は、650程度が限界のため、直列ギャッ
プ4で閃絡が発生するフラッシュオーバー電圧を小さく
することが難しかった。従って、アークホーン1のギャ
ップ間隔を長くする必要があるため、既設鉄塔へと避雷
器を取り付ける際には、碍子2を増結したりアークホー
ンを取り換える必要がある場合があった。
本発明の課題は、比誘電率が高く、直列ギャップの閃絡
電圧を低減してアークホーンとの絶縁協調を容易にとる
ことができるようなギャップ付避雷器用電圧比直線抵抗
体を提供することである。
電圧を低減してアークホーンとの絶縁協調を容易にとる
ことができるようなギャップ付避雷器用電圧比直線抵抗
体を提供することである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、酸化亜鉛を主成分として含有しかつ少なくと
も酸化ビスマスを添加成分として含有する混合物を造粒
、成形、焼成してなるギャップ付避雷器用電圧非直線抵
抗体において、BaTi0.結晶、5rTi(h結晶又
はPbTiO3結晶が酸化亜鉛粒子の粒間層に0.01
〜15.0重量%含有されていることを特徴とするギャ
ップ付避雷器用電圧非直線抵抗体に係るものである。
も酸化ビスマスを添加成分として含有する混合物を造粒
、成形、焼成してなるギャップ付避雷器用電圧非直線抵
抗体において、BaTi0.結晶、5rTi(h結晶又
はPbTiO3結晶が酸化亜鉛粒子の粒間層に0.01
〜15.0重量%含有されていることを特徴とするギャ
ップ付避雷器用電圧非直線抵抗体に係るものである。
(作 用)
本発明に係るギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体によ
れば、酸化亜鉛粒子の粒間相に、BaTi0:+結晶、
SrTiO3結晶又はPbTi0.結晶を0.01〜1
5.0重量%含有させているので、これらの高誘電率の
結晶により抵抗体の比誘電率を高め、例えば700以上
とすることができる。これにより、限流要素郡全体の比
誘電率を高め、それだけ直列ギャップの閃絡電圧を低減
できるので、絶縁協調性に優れ、既設の鉄塔にこのギャ
ップ付避雷器を取り付ける際にも、碍子の増結やアーク
ホーンの取り換えの必要はない。
れば、酸化亜鉛粒子の粒間相に、BaTi0:+結晶、
SrTiO3結晶又はPbTi0.結晶を0.01〜1
5.0重量%含有させているので、これらの高誘電率の
結晶により抵抗体の比誘電率を高め、例えば700以上
とすることができる。これにより、限流要素郡全体の比
誘電率を高め、それだけ直列ギャップの閃絡電圧を低減
できるので、絶縁協調性に優れ、既設の鉄塔にこのギャ
ップ付避雷器を取り付ける際にも、碍子の増結やアーク
ホーンの取り換えの必要はない。
しかも、ここでBaTiOx、 5rTiO,、、pb
Tio3の結晶を採用したことが重要である。即ち、例
えば特開昭62−268102号公報、同62−286
202号公報、同6390802号公報及び同63−9
0804号公報では、通常の非ギャップ型避雷器用の電
圧非直線抵抗体においては、Ba/Bi とTi/Bi
あるいはSr/Bi とTi/Biを特定範囲に規定す
ることが開示されているが、これらは単にBa、 T+
+ Srの酸化物を原料に添加するのみであり、もとも
と比誘電率向上を目的としているわけではない。しかも
、これらの酸化物は焼成時に粒界相の酸化ビスマス層に
固溶し、酸化バリウム等の結晶の残存量が著しく減少し
、このため誘電率への寄与は見られなかった。こうした
技術とは全く異なり、本発明では、BaTiO3,5r
TiO,。
Tio3の結晶を採用したことが重要である。即ち、例
えば特開昭62−268102号公報、同62−286
202号公報、同6390802号公報及び同63−9
0804号公報では、通常の非ギャップ型避雷器用の電
圧非直線抵抗体においては、Ba/Bi とTi/Bi
あるいはSr/Bi とTi/Biを特定範囲に規定す
ることが開示されているが、これらは単にBa、 T+
+ Srの酸化物を原料に添加するのみであり、もとも
と比誘電率向上を目的としているわけではない。しかも
、これらの酸化物は焼成時に粒界相の酸化ビスマス層に
固溶し、酸化バリウム等の結晶の残存量が著しく減少し
、このため誘電率への寄与は見られなかった。こうした
技術とは全く異なり、本発明では、BaTiO3,5r
TiO,。
PbT+0:+の結晶をZnOの粒間相に存在させてい
るので、ギャップ付避雷器用として前記の優れた効果を
発揮亥る電圧非直線抵抗体を提供できるわけである。
るので、ギャップ付避雷器用として前記の優れた効果を
発揮亥る電圧非直線抵抗体を提供できるわけである。
酸化亜鉛粒子の粒間相に含有されるBaTi0:+結晶
、5rTiO+結晶又はPbTi0:+の結晶の含有率
は0.01〜15.0重里%とするが、これを0.01
〜10.0重量%とすると好ましく、0.1〜1.5重
量%とすると更に好ましい。これが15.0重量%を越
えると非直線定数αが低下してバリスタ特性が悪化し、
0.01重量%より低いと比誘電率向上の効果が薄くな
る。
、5rTiO+結晶又はPbTi0:+の結晶の含有率
は0.01〜15.0重里%とするが、これを0.01
〜10.0重量%とすると好ましく、0.1〜1.5重
量%とすると更に好ましい。これが15.0重量%を越
えると非直線定数αが低下してバリスタ特性が悪化し、
0.01重量%より低いと比誘電率向上の効果が薄くな
る。
酸化亜鉛粒子の粒間相に含有されるBaTi0+結晶、
5rTiCh結晶又はPbTi0:+結晶の平均粒径は
5μm以下が好ましく、1.5〜3μmが更に好ましい
。
5rTiCh結晶又はPbTi0:+結晶の平均粒径は
5μm以下が好ましく、1.5〜3μmが更に好ましい
。
結晶の粒径が5μmより大きくなると酸化亜鉛の結晶粒
子同士の接触が妨げられバリスターとしての電気特性が
低下する。結晶の定量は粉末X線回折定量法により測定
した。結晶粒径は走査型電子顕微鏡で測定した。
子同士の接触が妨げられバリスターとしての電気特性が
低下する。結晶の定量は粉末X線回折定量法により測定
した。結晶粒径は走査型電子顕微鏡で測定した。
(実施例)
電圧非直線抵抗体を製造するには、所定の粒度に調整し
た酸化亜鉛原料と所定の粒度に調整した酸化ヒスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモン、酸化ク
ロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化銀、酸化ホウ素
等よりなる添加物の所定量を混合する。なお、この場合
酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、ホウ酸を用いて
もよい。
た酸化亜鉛原料と所定の粒度に調整した酸化ヒスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモン、酸化ク
ロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化銀、酸化ホウ素
等よりなる添加物の所定量を混合する。なお、この場合
酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、ホウ酸を用いて
もよい。
好ましくは銀を含むホウケイ酸ヒスマスガラスを用いる
とよい。これら原料粉末に対して所定量のポリビニルア
ルコール水溶液等を加え、好ましくはデイスパーミルに
より混合した後、好ましくはスプレードライヤにより造
粒して造粒物を得る。
とよい。これら原料粉末に対して所定量のポリビニルア
ルコール水溶液等を加え、好ましくはデイスパーミルに
より混合した後、好ましくはスプレードライヤにより造
粒して造粒物を得る。
ここにおいて、本発明の電圧非直線抵抗体を製造するに
は、添加物を混合して原料を調製する際、表1〜3に示
す所定粒径のBaTiO3,5rTiO=又はPbTi
0.の結晶を使用し、これらの結晶を他の添加物のよう
には粉砕せず、所定粒径の結晶のまま使用してデイスパ
ーミルで混合する。この際、BaTi0゜結晶、SrT
iO3結晶又はPbTi0:+の結晶の平均粒径は2μ
m以上とすることが好ましく、2.5〜4μmとすると
更に好ましい。
は、添加物を混合して原料を調製する際、表1〜3に示
す所定粒径のBaTiO3,5rTiO=又はPbTi
0.の結晶を使用し、これらの結晶を他の添加物のよう
には粉砕せず、所定粒径の結晶のまま使用してデイスパ
ーミルで混合する。この際、BaTi0゜結晶、SrT
iO3結晶又はPbTi0:+の結晶の平均粒径は2μ
m以上とすることが好ましく、2.5〜4μmとすると
更に好ましい。
造粒後、成形圧力800〜1000kg/cntO下で
所定の形状に成形する。そして成形棒を昇降温速度30
〜70°C/hrで800〜1000°C1保持時間1
〜5時間という条件で仮焼成する。
所定の形状に成形する。そして成形棒を昇降温速度30
〜70°C/hrで800〜1000°C1保持時間1
〜5時間という条件で仮焼成する。
なお、仮焼成の前に成形棒を昇降温速度10〜100’
C/hrで400〜600°C1保持時間1〜10時間
で加熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを
脱脂体という。
C/hrで400〜600°C1保持時間1〜10時間
で加熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを
脱脂体という。
次に、仮焼成した仮焼体の側面に側面高抵抗層を形成す
る。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ケイ素等の所
定量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカル
ピトール、酢酸nブチル等を加えた側面高抵抗層用混合
物ペーストを、60〜300 μmの厚さに仮焼体の側
面に塗布する。なお、前記混合物ペーストは成形棒また
は脱脂体に塗布してもよい。次に、これを昇降温速度4
0〜100”C/hr 、1000〜1300°C好ま
しくは1100〜1250°C1保持時間3〜7時間と
いう条件で本焼成する。
る。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ケイ素等の所
定量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカル
ピトール、酢酸nブチル等を加えた側面高抵抗層用混合
物ペーストを、60〜300 μmの厚さに仮焼体の側
面に塗布する。なお、前記混合物ペーストは成形棒また
は脱脂体に塗布してもよい。次に、これを昇降温速度4
0〜100”C/hr 、1000〜1300°C好ま
しくは1100〜1250°C1保持時間3〜7時間と
いう条件で本焼成する。
なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセルロース
、ブチルカルピトール、酢酸nブチル等を加えたガラス
ペーストを、前記の側面高抵抗層上に100〜300μ
mの厚さに塗布し、空気中で昇降温速度lOO〜200
°C/hr、500〜900°C1保持時間0.5〜1
0時間という条件で熱処理することによりガラス層の形
成を同時に実施することも可能である。
、ブチルカルピトール、酢酸nブチル等を加えたガラス
ペーストを、前記の側面高抵抗層上に100〜300μ
mの厚さに塗布し、空気中で昇降温速度lOO〜200
°C/hr、500〜900°C1保持時間0.5〜1
0時間という条件で熱処理することによりガラス層の形
成を同時に実施することも可能である。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面をSiC,
^1□03+ ダイヤモンド等の#400〜#2000
相当の研磨剤により水または油を使用して研磨する。
^1□03+ ダイヤモンド等の#400〜#2000
相当の研磨剤により水または油を使用して研磨する。
次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミニ
ウム等によって電極を例えば溶射により設けて電圧非直
線抵抗体を得ている。
ウム等によって電極を例えば溶射により設けて電圧非直
線抵抗体を得ている。
以下、実際に本発明範囲内および範囲外の電圧非直線抵
抗体について各種特性を測定した結果について説明する
。
抗体について各種特性を測定した結果について説明する
。
夫嵐班上
表1に示す所定量、所定粒径のBaTiO3結晶を用い
、BizO+ 1.0 モ/L/%、co2o31.O
モル%、 Mn020.5−Eル%、5bzO+ 1.
0 モル%+ Cr z O30−5モル%、 NiO
1,0−E/L/%、5iOz 1.5モル%、 Al
(NO3)3・98200.005モル%および残部が
上記酸化亜鉛原料からなるように酸化亜鉛原料と添加物
を屓合し、ホウケイ酸ビスマスガラスを外記で0.1w
t%添加し、前記したように仮焼成、側面高抵抗層の形
成、本焼成を行い、表1に示す各電圧非直線抵抗体を作
成した(径47mm、高さ22.5m+n、バリスター
電圧VIA =6.3KV)。ここで、BaTiO3結
晶の添加量と平均粒径とを表1に示すように変化させ、
製造した電圧非直線抵抗体中に含有されるBaTi0:
+結晶の残留量を変化させた。
、BizO+ 1.0 モ/L/%、co2o31.O
モル%、 Mn020.5−Eル%、5bzO+ 1.
0 モル%+ Cr z O30−5モル%、 NiO
1,0−E/L/%、5iOz 1.5モル%、 Al
(NO3)3・98200.005モル%および残部が
上記酸化亜鉛原料からなるように酸化亜鉛原料と添加物
を屓合し、ホウケイ酸ビスマスガラスを外記で0.1w
t%添加し、前記したように仮焼成、側面高抵抗層の形
成、本焼成を行い、表1に示す各電圧非直線抵抗体を作
成した(径47mm、高さ22.5m+n、バリスター
電圧VIA =6.3KV)。ここで、BaTiO3結
晶の添加量と平均粒径とを表1に示すように変化させ、
製造した電圧非直線抵抗体中に含有されるBaTi0:
+結晶の残留量を変化させた。
次いで、これらの各電圧非直線抵抗体について、それぞ
れ比誘電率(I MHz)、非直線定数α、雷サージ放
電耐量及び雷サージ印加後のVImA変化率を測定し、
その結果を表1に示した。
れ比誘電率(I MHz)、非直線定数α、雷サージ放
電耐量及び雷サージ印加後のVImA変化率を測定し、
その結果を表1に示した。
非直線定数αは、電流0.1mA通電時と1mA通電時
との制限電圧から計算した。雷サージ放電耐量は、10
0個の試験体を準備し、4/1oμsの波形のインパル
ス電流(120KA)を2回繰り返して印加し、これに
よって破壊しなかった合格品の数を試験体の個数(10
0)で除した比率として求めた。VImA変化率は、4
/10μsの波形のインパルス電流(120KA)を2
回繰り返して印加した後の変化率として求めた。
との制限電圧から計算した。雷サージ放電耐量は、10
0個の試験体を準備し、4/1oμsの波形のインパル
ス電流(120KA)を2回繰り返して印加し、これに
よって破壊しなかった合格品の数を試験体の個数(10
0)で除した比率として求めた。VImA変化率は、4
/10μsの波形のインパルス電流(120KA)を2
回繰り返して印加した後の変化率として求めた。
表1に示す結果から明らかなように、本発明に従って電
圧非直線抵抗体中にBaTiO3結晶を含有させること
により、比誘電率、非直線定数、雷サジ放電耐量をいず
れも大きくし、ΔVlffiAを低く抑えることができ
る。
圧非直線抵抗体中にBaTiO3結晶を含有させること
により、比誘電率、非直線定数、雷サジ放電耐量をいず
れも大きくし、ΔVlffiAを低く抑えることができ
る。
1」動性2
実施例1において、原料混合物へと添加するBaTi0
:+結晶の代わりに、SrTiO3結晶を用い、この5
rTiO+結晶の平均粒径、添加量を種々変化させ、実
施例1と同様の方法で表2に示す各電圧非直線抵抗体を
作成した。そして、これらの各電圧非直線抵抗体につき
、それぞれ実施例1と同様の測定を行った。測定結果を
表2に示す。
:+結晶の代わりに、SrTiO3結晶を用い、この5
rTiO+結晶の平均粒径、添加量を種々変化させ、実
施例1と同様の方法で表2に示す各電圧非直線抵抗体を
作成した。そして、これらの各電圧非直線抵抗体につき
、それぞれ実施例1と同様の測定を行った。測定結果を
表2に示す。
表2に示す結果から明らかなように、本発明に従って電
圧非直線抵抗体中に5rTiO,、結晶を含有させるこ
とにより、比誘電率、非直線定数、雷サージ放電耐量を
いずれも大きくし、ΔνImAを低く抑えることができ
る。
圧非直線抵抗体中に5rTiO,、結晶を含有させるこ
とにより、比誘電率、非直線定数、雷サージ放電耐量を
いずれも大きくし、ΔνImAを低く抑えることができ
る。
失旌班1
実施例1において、原料混合物へと添加するBaTi0
:+結晶の代わりに、PbTiO3結晶を用い、このP
bT+03結晶の平均粒径、添加量を種々変化させ、実
施例1と同様の方法で表3に示す各電圧非直線抵抗体を
作成した。そして、これらの各電圧非直線抵抗体につき
、それぞれ実施例1と同様の測定を行った。測定結果を
表3に示す。
:+結晶の代わりに、PbTiO3結晶を用い、このP
bT+03結晶の平均粒径、添加量を種々変化させ、実
施例1と同様の方法で表3に示す各電圧非直線抵抗体を
作成した。そして、これらの各電圧非直線抵抗体につき
、それぞれ実施例1と同様の測定を行った。測定結果を
表3に示す。
表3に示す結果から明らかなように、本発明に従って電
圧非直線抵抗体中にPbTi(1+結晶を含有させるこ
とにより、比誘電率、非直線定数、雷サージ放電耐量を
いずれも大きくし、Δv+mAを低く抑えることができ
る。
圧非直線抵抗体中にPbTi(1+結晶を含有させるこ
とにより、比誘電率、非直線定数、雷サージ放電耐量を
いずれも大きくし、Δv+mAを低く抑えることができ
る。
(発明の効果)
本発明に係るギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体によ
れば、酸化亜鉛粒子の粒間相にBaTi0.結晶、5r
TiO+結晶又はPbTi0z結晶を含有させているの
で、これらの結晶により抵抗体の比誘電率を高めること
ができる。これにより、ギャップ付避雷器の限流要素部
会体の誘電率を高め、直列ギャップの閃絡電圧を低減で
きるので、絶縁協調性に優れたコンパクトなギャップ付
避雷器が得られる。
れば、酸化亜鉛粒子の粒間相にBaTi0.結晶、5r
TiO+結晶又はPbTi0z結晶を含有させているの
で、これらの結晶により抵抗体の比誘電率を高めること
ができる。これにより、ギャップ付避雷器の限流要素部
会体の誘電率を高め、直列ギャップの閃絡電圧を低減で
きるので、絶縁協調性に優れたコンパクトなギャップ付
避雷器が得られる。
従って、既設の鉄塔にこのギャップ付避雷器を取り付け
る際に、碍子の増結やアークホーンの取り換えの必要は
ない。
る際に、碍子の増結やアークホーンの取り換えの必要は
ない。
しかも、BaTi0:+結晶、SrTiO3結晶又はP
bTi0:+結晶の含有率を0.01重量%以上として
いるので、比誘電率向上の効果が充分大きく、15.0
重量%以下としているので、非直線定数αの低下も防止
できる。
bTi0:+結晶の含有率を0.01重量%以上として
いるので、比誘電率向上の効果が充分大きく、15.0
重量%以下としているので、非直線定数αの低下も防止
できる。
第1図はアークホーンにギャップ付避雷器を取り付けた
状態を示す模式図である。 1・・・アークホーン 3・・・限流要素部 2・・・碍子装置 4・・・直列ギャソプ
状態を示す模式図である。 1・・・アークホーン 3・・・限流要素部 2・・・碍子装置 4・・・直列ギャソプ
Claims (1)
- 1.酸化亜鉛を主成分として含有しかつ少なくとも酸化
ビスマスを添加成分として含有する混合物を造粒、成形
、焼成してなるギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体に
おいて、BaTiO_3結晶、SrTiO_3結晶又は
PbTiO_3結晶が酸化亜鉛粒子の粒間層に0.01
〜15.0重量%含有されていることを特徴とするギャ
ップ付避雷器用電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049626A JPH03254085A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049626A JPH03254085A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254085A true JPH03254085A (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=12836439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049626A Pending JPH03254085A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03254085A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017017053A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器および電子部品 |
| JP2017017051A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器および電子部品 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2049626A patent/JPH03254085A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017017053A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器および電子部品 |
| JP2017017051A (ja) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器および電子部品 |
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