JPH03255708A - ミューティング機能付きトランジスタ増幅回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、増幅機能とミューティング機能とを備えて、
民主機器、産業機器等に使用される部品点数の少ないミ
ューティング機能付きトランジスタ増幅回路に関する。

従来の技術 第２図は従来のミューティング機能付きトランジスタ増
幅回路の構成を示している。このミューティング機能付
きトランジスタ増幅回路は、アナログスイッチＩＣＩか
らなる切換回路１と、結合コンデンサＣ１、バイアス抵
抗Ｒ１，直列帰還抵抗Ｒ２、トランジスタＱ１からなる
トランジスタ増幅回路２と、分圧抵抗Ｒ３、分圧抵抗Ｒ
４、プルアップ抵抗Ｒ５、トランジスタＱ２、トランジ
スタＱ３からなるミューティング回路３とを有している
。

また、Ａは被増幅信号であり、Ｂは０■レヘルくローレ
ベル）と５Ｖレベル（ハイレベル〉の２値レベルを有す
るミューティング信号であり、４は負荷である。

次に上記従来例の動作について説明する。ミューティン
グ信号Ｂがローレベルの時には、アナログスイッチＩＣ
ＩがＯＦＦ状態にされるとともに、トランジスタＱ３が
オフ状態、トランジスタＱ２がオン状態にされることで
、トランジスタＱ１はオフ状態とされて、いわゆるミュ
ーティング状態になる。

一方、ミューティング信号Ｂがハイレベルの時には、ア
ナログスイッチＩＣＩがオン状態にされるとともにトラ
ンジスタＱ３がオン状態、トランジスタＱ２がオフ状態
とされることで、ミューティング回路３がトランジスタ
増幅回路２から電気的に切り離される。

この状態において、トランジスタＱ１は自己バイアス状
態とされて、被増幅信号Ａがトランジスタ増幅回路２に
よって増幅されて負荷４に導入される。

ところで、ミューティング機能付きトランジスタ増幅回
路の基板上の占有面積は小さいことが望まれている。ま
た、構成が簡単で信頼性の高いことも望まれている。高
密度実装が容易となり小型・軽量化が図れるとともに、
コストダウンを図ることが出来るからである。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来のミューティング機能付きトラ
ンジスタ増幅回路では、部品点数が多いため基板上の占
有面積が大きく、シかもミューティング付きトランジス
タ増幅回路は一つの装置のなかに複数個設けられる場合
も多いことから、結局、高密度実装が困難になり、製品
の小型・軽量化、コストダウンが図れないという欠点を
有している。

本発明はこのような従来の問題を解決するものであり、
ミューティング回路とトランジスタ増幅回路とが一体的
に構成できて部品点数の少ないミューティング機能付き
トランジスタ増幅回路を提供することを目的とするもの
である。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、２値信号であるミ
ューティング信号と被増幅信号とが入力されて２値信号
のレベルが非ミューティング状態に対応するレベルであ
る時には、このレベルをトランジスタ回路のバイアス電
位として用いて被増幅信号を増幅し、一方、２値信号の
レベルがミューティング状態に対応するレベルであると
きには、このレベルを利用してトランジスタ回路がオフ
状態とされるように構成したものである。

作用 したがって、本発明によれば、２値信号であるミューテ
ィング信号がミューティング状態に対応するレベルにあ
る時にはトランジスタ回路がオフ状態とされて、いわゆ
る、ミューティング状態になり、ミューティング信号が
非ミューティング状態に対応するレベルにあるときには
、トランジスタ回路がバイアスされて被増幅信号を増幅
することができる状態になり、ミューティング信号自体
でトランジスタ回路にバイアスを与えることができるの
でトランジスタ回路が簡単化されて部品点数が少な（で
きるという作用を有する。

実施例 第１図は本発明の一実施例の構成を示すものである。第
１図において、５はトランジスタ回路であり、結合コン
デンサＣＩＯ、バイアス抵抗Ｒ１０、トランジスタＱＩ
Ｏおよび直列帰還抵抗Ｒ１１を備えている。前記結合コ
ンデンサＣＩＯは被増幅信号Ａの交流成分を通過させて
トランジスタＱＩＯのベース端子に導入する。バイアス
抵抗Ｒ１０はミューティング信号ＣをトランジスタＱ１
０のベース端子に導入する。４はトランジスタ回路５の
負荷である。

ここて、ミューティング信号Ｃはミューティング状態に
対応する“ローレベル”と非ミューティング状態に対応
する“ハイレベル”を有する２値信号である。なお、ミ
ューティング信号Ｃの発生器（不図示）の出力インピー
ダンスは低インピーダンスであることが望ましい。

次に上記実施例の動作について説明する。

ミューティング信号Ｃが“ローレベル”であるときに、
トランジスタＱＩＯにはベース電流が供給されない。し
たがって、トランジスタＱＩＯはオフ状態とされるので
負荷４には信号電流が供給されず、いわゆるミューティ
ング状態になる。

この状態において、被増幅信号Ａは結合コンデンサＣＩ
Ｏ、バイアス抵抗Ｒ１０を通じてミューティング信号Ｃ
の発生器（図示せず）内に側路される。

一方、ミューティング信号Ｃが“ハイレベル”であると
きには、この“ハイレベル”の電圧、バイアス抵抗ＲＩ
Ｏ、トランジスタＱＩＯのペース・エミッタ間電圧ｖＢ
Ｅ、および直列帰還抵抗Ｒ１１によって決定されるベー
ス電流が前記トランジスタＱＩＯに供給されることで、
トランジスタ回路５にバイアスが与えられる。

したがってこの状態において、被増幅信号Ａがトランジ
スタ回路５によって増幅され負荷４に供給される。

このように、上記実施例によれば、ミューティング信号
Ｃ自体によってバイアス抵抗ＲＩＯを通じてトランジス
タＱＩＯにペース電圧が供給されるので、ミューティン
グ信号ＣによってトランジスタＱ１０にバイアスが与え
られる。このため、わずか４つの部品でミューティング
機能付きトランジスタ増幅回路が構成でき、部品点数が
少なくてきるという効果を有する。

発明の効果 本発明は上記実施例より明らかなように、ミューティン
グ状態と非ミューティング状態に対応するレベルを有す
る２値信号であるミューティング信号の非ミューティン
グ状態に対応するレベルをトランジスタのバイアス電位
として利用することによりミューティング回路とトラン
ジスタ増幅器とを一体的に構成したものである。そのた
め、以下に示す効果を有する。

すなわち、部品点数が少なくできることにより、このミ
ューティング機能付きトランジスタ増幅回路の基板上の
占有面積が小さくできる。また、部品点数が少なくでき
ることにより故障間平均時間（ＭＴＢＦ）が長くなり信
頼性が高くなる。さらに、高密度実装が容易になりこの
ミューティング機能付きトランジスタ増幅回路を利用す
る装置の小型・軽量化が図れるとともにコストダウンを
することができるという優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるミューティング機能
付きトランジスタ増幅回路の回路図、第２図は従来のミ
ューティング機能付きトランジスタ増幅回路の回路図で
ある。 ５・・・トランジスタ回路、ＱＩＯ・・・トランジスタ
、ＲＩＯ・・・バイアス抵抗、Ｒ１１・・・直列帰還抵
抗、Ｃ１０・・・結合コンデンサ。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ミューティング状態に対応するレベルと非ミューティン
   グ状態に対応するレベルとを有する２値信号と被増幅信
   号とが入力されて、前記２値信号がミューティング状態
   に対応するレベルにあるときにはオフ状態とされ、前記
   ２値信号が非ミューティング状態に対応するレベルにあ
   るときには、この非ミューティング状態に対応するレベ
   ルによってバイアスが与えられて前記被増幅信号を増幅
   するトランジスタ回路を備えるミューティング機能付き
   トランジスタ増幅回路。