JPH03256341A - パターン比較検査装置 - Google Patents
パターン比較検査装置Info
- Publication number
- JPH03256341A JPH03256341A JP5402390A JP5402390A JPH03256341A JP H03256341 A JPH03256341 A JP H03256341A JP 5402390 A JP5402390 A JP 5402390A JP 5402390 A JP5402390 A JP 5402390A JP H03256341 A JPH03256341 A JP H03256341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- wafer
- optical system
- control unit
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野］
本発明は半導体装置のウェハにおけるパターン比較検査
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
従来のパターン比較検査装置は、第２図に示すように、
光源８の白色光をハーフミラ−９よりウェハに照射し、
前記反射光を光学系２を介してＣＣＤラインセンサ３で
光電変換されパターン映像制御部４に送られる。２つの
パターン撮像制御部４からの信号を欠陥検出制御部４で
隣接パターンと比較して欠陥を検出しＣＰＵ６は装置を
制御するとともに欠陥検出制御部４の欠陥の情報の記録
を行なうものであった。
光源８の白色光をハーフミラ−９よりウェハに照射し、
前記反射光を光学系２を介してＣＣＤラインセンサ３で
光電変換されパターン映像制御部４に送られる。２つの
パターン撮像制御部４からの信号を欠陥検出制御部４で
隣接パターンと比較して欠陥を検出しＣＰＵ６は装置を
制御するとともに欠陥検出制御部４の欠陥の情報の記録
を行なうものであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術ではウェハ上の高融点金属やＡ
１等のパターンにおいて、反射率の違いや表面の荒れに
より他のパターンに比べ欠陥検出感度を向上できないと
いう問題点を有していた。
１等のパターンにおいて、反射率の違いや表面の荒れに
より他のパターンに比べ欠陥検出感度を向上できないと
いう問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところはウェハ上の高融点金属やＡ１等の
パターンにおいて反射率の違いや表面の荒れにも高感度
な検査が可能なパターン比較検査装置を提供する。
の目的とするところはウェハ上の高融点金属やＡ１等の
パターンにおいて反射率の違いや表面の荒れにも高感度
な検査が可能なパターン比較検査装置を提供する。
［作用］
本発明の上記の構成によれば赤外光を照射しウェハの透
過パターン光を用いることによりウェハ上の反射率の違
いや表面の荒れの影響を受ける事なくパターン比較検査
が出来るのである。
過パターン光を用いることによりウェハ上の反射率の違
いや表面の荒れの影響を受ける事なくパターン比較検査
が出来るのである。
［課題を解決するための手段］
本発明のパターン比較検査装置は、ウェハに赤外光を照
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し１次元のラインセンサからなる検出系と、前記
光学系と検出系を２つ配置し、前記２つの検出系からの
パターン撮像信号を比較するパターン撮像制御部と前記
パターン撮像部の出力を２つの隣接パターンのデータと
比較して欠陥検出制御部と装置全体を制御すると共に前
記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記録する中央処理装置
とからなり、１基板に複数個の同一パターンが形成され
たウェハに対し２つ光学系で順次撮像し、隣接するパタ
ーン同士を比較検査することを特徴とする。
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し１次元のラインセンサからなる検出系と、前記
光学系と検出系を２つ配置し、前記２つの検出系からの
パターン撮像信号を比較するパターン撮像制御部と前記
パターン撮像部の出力を２つの隣接パターンのデータと
比較して欠陥検出制御部と装置全体を制御すると共に前
記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記録する中央処理装置
とからなり、１基板に複数個の同一パターンが形成され
たウェハに対し２つ光学系で順次撮像し、隣接するパタ
ーン同士を比較検査することを特徴とする。
［実施例］
第１図は本発明の実施例における構成図であって、光源
８より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
８より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
発光部光学系１はウェハの下に配置され、片方の光学系
は固定されもう一方の光学系は検査するウェハのチップ
サイズに合わせてＸ方向に可動できる構成とする。発光
部光学系１を通った赤外光はざらにウェハ７の高融点金
属やアルミニウム（Ａｌ）等のウェハパターン以外の部
分を透過する。
は固定されもう一方の光学系は検査するウェハのチップ
サイズに合わせてＸ方向に可動できる構成とする。発光
部光学系１を通った赤外光はざらにウェハ７の高融点金
属やアルミニウム（Ａｌ）等のウェハパターン以外の部
分を透過する。
ウェハ７を透過した赤外光は、受光部光学系２に入る。
受光部光学系２はウェハ７の上に配置され、発光部光学
系１と同様に片方の光学系は固定されもう一方の光学系
は検査するウェハ７のチップサイズに合わせてＸ方向に
できる構成とする。２つの受光部光学系２を通った赤外
光を各々のＣＣＤラインセンサー３で受光し、ウェハを
透過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信
号とする。撮像信号はＣＣＤラインセンサー３がらパタ
ーン撮像制御部に送られ各々の撮像信号のゲインを補正
する。２つのパターン撮像制御部４がらの信号を欠陥検
出制御部５へ送り、ウェハ内のチップパターン同士を比
較する。欠陥検出制御部５は縦パターン、横パターン、
斜めパターン、コーナ一部等の各々独立した欠陥検出回
路で比較検査することにより欠陥を検出しＣＰＵ６へ送
られる。
系１と同様に片方の光学系は固定されもう一方の光学系
は検査するウェハ７のチップサイズに合わせてＸ方向に
できる構成とする。２つの受光部光学系２を通った赤外
光を各々のＣＣＤラインセンサー３で受光し、ウェハを
透過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信
号とする。撮像信号はＣＣＤラインセンサー３がらパタ
ーン撮像制御部に送られ各々の撮像信号のゲインを補正
する。２つのパターン撮像制御部４がらの信号を欠陥検
出制御部５へ送り、ウェハ内のチップパターン同士を比
較する。欠陥検出制御部５は縦パターン、横パターン、
斜めパターン、コーナ一部等の各々独立した欠陥検出回
路で比較検査することにより欠陥を検出しＣＰＵ６へ送
られる。
ＣＰＵ６は装置を制御すると共に、欠陥検出制御部５の
欠陥の情報として欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙ
の座標を記録する。
欠陥の情報として欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙ
の座標を記録する。
［発明の効果］
以上述べたような発明によれば、ウェハ上の高融点金属
やＡ１等のパターンの欠陥検査において、ウェハ上の反
射率の違いや表面の荒れの影響を受けることなく高感度
なパターンの欠陥検査を行なうことが出来る効果がある
。
やＡ１等のパターンの欠陥検査において、ウェハ上の反
射率の違いや表面の荒れの影響を受けることなく高感度
なパターンの欠陥検査を行なうことが出来る効果がある
。
第１図は本発明のパターン欠陥検査装置の一実施例を示
す構成図 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図 発光部光学系 受光部光学系 ＣＯＤラインセンサ パターン撮像制御部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 ハーフミラ− 以 上
す構成図 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図 発光部光学系 受光部光学系 ＣＯＤラインセンサ パターン撮像制御部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 ハーフミラ− 以 上
Claims (1)
- ウェハに赤外光を照射する光学系と、前記光学系によ
る透過パターン光を光電変換し１次元のラインセンサか
らなる検出系と、前記光学系と検出系を２つ配置し、前
記２つの検出系からのパターン撮像信号を比較するパタ
ーン撮像制御部と前記パターン撮像部の出力を２つの隣
接パターンのデータと比較して欠陥検出制御部と装置全
体を制御すると共に前記欠陥検出制御部の欠陥の情報を
記録する中央処理装置とからなり、１基板に複数個の同
一パターンが形成されたウェハに対し２つ光学系で順次
撮像し、隣接するパターン同士を比較検査することを特
徴とするパターン比較検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5402390A JPH03256341A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | パターン比較検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5402390A JPH03256341A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | パターン比較検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256341A true JPH03256341A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12958991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5402390A Pending JPH03256341A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | パターン比較検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03256341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014965A (en) * | 1993-08-19 | 2000-01-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
| JP2008198966A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ欠陥検査装置 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP5402390A patent/JPH03256341A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6014965A (en) * | 1993-08-19 | 2000-01-18 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
| JP2008198966A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ欠陥検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2010058680A1 (ja) | シリコンウェハ欠陥検査装置 | |
| JPH04255077A (ja) | 像分析方法 | |
| US20030117616A1 (en) | Wafer external inspection apparatus | |
| JPS6242039A (ja) | 表面検査装置 | |
| JPH03256341A (ja) | パターン比較検査装置 | |
| US6770862B1 (en) | Scalable wafer inspection | |
| JPH042140A (ja) | パターン比較検査装置 | |
| JPH0438850A (ja) | パターン比較検査装置 | |
| JPH07103905A (ja) | 傷検査装置 | |
| JP3609136B2 (ja) | 半導体装置の検査方法及び装置 | |
| JPS62276443A (ja) | 自動穴ミス検査機 | |
| JPS6061604A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
| JPH071776B2 (ja) | パターン検査装置 | |
| JPH09218162A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
| JP3827812B2 (ja) | 表面欠陥検査装置および表面欠陥検査方法 | |
| JP2919192B2 (ja) | レチクル洗浄装置 | |
| KR950010190B1 (ko) | 전자부품 검사장치 | |
| JPH09318553A (ja) | 基板の検査方法 | |
| JP2701872B2 (ja) | 面付パターンの欠陥検査装置 | |
| JPH01206203A (ja) | 膜厚不良検査方法 | |
| JPH04316346A (ja) | パターン認識方法 | |
| JPH10170240A (ja) | パターン欠陥検査方法及びその装置 | |
| JPH0516585B2 (ja) | ||
| JPH03179242A (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
| JPH0582628A (ja) | オリフラ検出装置及び方法 |