JPH0438850A - パターン比較検査装置 - Google Patents
パターン比較検査装置Info
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- JPH0438850A JPH0438850A JP14580290A JP14580290A JPH0438850A JP H0438850 A JPH0438850 A JP H0438850A JP 14580290 A JP14580290 A JP 14580290A JP 14580290 A JP14580290 A JP 14580290A JP H0438850 A JPH0438850 A JP H0438850A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置のウェハにおけるパターン比較検査
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
従来のパターン比較検査装置は、第２図に示すように、
光ＦＪ９より発光された赤外光を光フアイバーケーブル
を介して発光部光学系１へと送られる。発光部光学系１
はウェハの下に配置され、赤外光はウェハ８に向かって
照射しウェハ８の高融点金属やアルミニウム（ＡＬ）等
のウェハパターン以外の部分を透過し受光部光学系２に
はいる。
光ＦＪ９より発光された赤外光を光フアイバーケーブル
を介して発光部光学系１へと送られる。発光部光学系１
はウェハの下に配置され、赤外光はウェハ８に向かって
照射しウェハ８の高融点金属やアルミニウム（ＡＬ）等
のウェハパターン以外の部分を透過し受光部光学系２に
はいる。
受光部光学系２は、発光部光学系１からの赤外光を受光
するために光軸を合わせた位置のウェハ８の上に配置す
る。受光部光学系２を通った赤外光をＣＣＤイメージセ
ンサ−３で受光し、ウェハを透過した赤外光を充電変換
してウェハパターンの撮像信号とする。撮像信号はＣＣ
Ｄイメージセンサ−３からパターン撮像制御部４に送ら
れｍ像信号のゲインを補正する。ステージを移動しなが
ら比較検査する対象の１つ目のチップの撮像信号をパタ
ーン撮像制御部４からパターン撮像記録部５へ送り記録
する。さらに比較検査する対象の２つ目のチップにステ
ージを移動し１つ目のチップと同様にステージを移動し
ながら２つ目のチップの撮像信号をパターン撮像制御部
４へ送る。２つ目のチップの撮像信号をパターン撮像制
御部４からゲインを補正して欠陥検出制御部６へ送り、
１つ目のチップの撮像信号も欠陥検出制御部６へ送る。
するために光軸を合わせた位置のウェハ８の上に配置す
る。受光部光学系２を通った赤外光をＣＣＤイメージセ
ンサ−３で受光し、ウェハを透過した赤外光を充電変換
してウェハパターンの撮像信号とする。撮像信号はＣＣ
Ｄイメージセンサ−３からパターン撮像制御部４に送ら
れｍ像信号のゲインを補正する。ステージを移動しなが
ら比較検査する対象の１つ目のチップの撮像信号をパタ
ーン撮像制御部４からパターン撮像記録部５へ送り記録
する。さらに比較検査する対象の２つ目のチップにステ
ージを移動し１つ目のチップと同様にステージを移動し
ながら２つ目のチップの撮像信号をパターン撮像制御部
４へ送る。２つ目のチップの撮像信号をパターン撮像制
御部４からゲインを補正して欠陥検出制御部６へ送り、
１つ目のチップの撮像信号も欠陥検出制御部６へ送る。
欠陥検出制御部６に送られた２つのチップパターン同士
の信号を比較し、縦パターン、横パターン、斜めパター
ン、コーナ一部等の各々独立した欠陥検出回路で比較検
査することにより欠陥を検出しＣＰＵ７へ送られる。Ｃ
ＰＵ７は装置を制御するとともに、欠陥検出制御部６の
欠陥の情報として欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙ
の座標を記録する。
の信号を比較し、縦パターン、横パターン、斜めパター
ン、コーナ一部等の各々独立した欠陥検出回路で比較検
査することにより欠陥を検出しＣＰＵ７へ送られる。Ｃ
ＰＵ７は装置を制御するとともに、欠陥検出制御部６の
欠陥の情報として欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙ
の座標を記録する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の技術では赤外光を用いたウェハのパター
ン比較検査において、ウェハ上のパターンと設計パター
ンとの比較が出来ないという問題点を有していた。そこ
で本発明はこのような問題点を解決するもので、その目
的とするところはウェハ上の任意のチップパターンと基
準となる設計パターンの比較検査が可能なパターン比較
検査装置を提供するところにある。
ン比較検査において、ウェハ上のパターンと設計パター
ンとの比較が出来ないという問題点を有していた。そこ
で本発明はこのような問題点を解決するもので、その目
的とするところはウェハ上の任意のチップパターンと基
準となる設計パターンの比較検査が可能なパターン比較
検査装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のパターン比較検査装置は、ウェハに赤外光を照
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し、ＣＣＤイメージセンサ−からなる検出系と、
前記検出系からのパターン撮像信号を制御するパターン
撮像制御部と、前記ウェハのパターンに対応した基準情
報を蓄積した記録媒体から読みだした基準情報より得ら
れるパターンと比較する欠陥検出制御部と・装置全体を
制御するとともに前記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記
録する中央処理装置とからなり、１基板に複数個の同一
パターンが形成されたウェハに対し１つの光学系で異な
るチップを順次撮像し、ウェハのパターンと基準パター
ン同士を比較検査することを特徴とするパターン比較検
査装置。
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し、ＣＣＤイメージセンサ−からなる検出系と、
前記検出系からのパターン撮像信号を制御するパターン
撮像制御部と、前記ウェハのパターンに対応した基準情
報を蓄積した記録媒体から読みだした基準情報より得ら
れるパターンと比較する欠陥検出制御部と・装置全体を
制御するとともに前記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記
録する中央処理装置とからなり、１基板に複数個の同一
パターンが形成されたウェハに対し１つの光学系で異な
るチップを順次撮像し、ウェハのパターンと基準パター
ン同士を比較検査することを特徴とするパターン比較検
査装置。
［実施例］
第１図は本発明の実施例における構成図であって、光Ｎ
９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
発光部光学系１はウェハの下に配置され、赤外光はウェ
ハ８に向かって照射しウェハ８の高融点金属やアルミニ
ウム（ＡＬ）等のウェハパターン以外の部分を透過し受
光部光学系２にはいる。受光部光学系２は、発光部光学
系１からの赤外光を受光するために光軸を合わせた位置
のウェハ８の上に配置する。受光部光学系２を通った赤
外光をＣＣＤイメージセンサ−３で受光し、ウェハを透
過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信号
とする。撮像信号はＣＣＤイメージセンサ−３からパタ
ーン撮像制御部４に送られ撮像信号のゲインを補正する
。前記ウェハパターンに対応した基準情報を蓄積した記
録媒体であるテープユニット１０から基準情報を読みだ
しパターン撮像変換部１１でパターン撮像信号に変換す
る。パターン撮像信号１１からの基準情報であるパター
ン撮像信号とウェハ情報であるパターン撮像制御部４か
らのパターン撮像信号の２つの信号を欠陥検出制御部６
に送る。欠陥検出制御部６に送られたウェハパターンと
ウェハに対応した基準パターンの２つの信号を比較し、
縦パターン、横パターン、斜めパターン、コーナ一部等
の各々独立した欠陥検出回路で比較検査することにより
欠陥を検出しＣＰＵ７へ送られる。ＣＰＵ７は装置を制
御するとともに、欠陥検出制御部６の欠陥の′ＩＷ報と
して欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙの座標を記録
する。
ハ８に向かって照射しウェハ８の高融点金属やアルミニ
ウム（ＡＬ）等のウェハパターン以外の部分を透過し受
光部光学系２にはいる。受光部光学系２は、発光部光学
系１からの赤外光を受光するために光軸を合わせた位置
のウェハ８の上に配置する。受光部光学系２を通った赤
外光をＣＣＤイメージセンサ−３で受光し、ウェハを透
過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信号
とする。撮像信号はＣＣＤイメージセンサ−３からパタ
ーン撮像制御部４に送られ撮像信号のゲインを補正する
。前記ウェハパターンに対応した基準情報を蓄積した記
録媒体であるテープユニット１０から基準情報を読みだ
しパターン撮像変換部１１でパターン撮像信号に変換す
る。パターン撮像信号１１からの基準情報であるパター
ン撮像信号とウェハ情報であるパターン撮像制御部４か
らのパターン撮像信号の２つの信号を欠陥検出制御部６
に送る。欠陥検出制御部６に送られたウェハパターンと
ウェハに対応した基準パターンの２つの信号を比較し、
縦パターン、横パターン、斜めパターン、コーナ一部等
の各々独立した欠陥検出回路で比較検査することにより
欠陥を検出しＣＰＵ７へ送られる。ＣＰＵ７は装置を制
御するとともに、欠陥検出制御部６の欠陥の′ＩＷ報と
して欠陥の個数と各々の欠陥のＸ、 Ｙの座標を記録
する。
［発明の効果］
以上述べたような発明によれば、ウェハ上の高融点金属
やＡＬ等のパターンの欠陥検査において、被検体である
ウェハの任意のチップのパターンと被検体のウェハのパ
ターンに対応した基準信号を比較検査することにより、
より正確な検査が可能となる効果がある。
やＡＬ等のパターンの欠陥検査において、被検体である
ウェハの任意のチップのパターンと被検体のウェハのパ
ターンに対応した基準信号を比較検査することにより、
より正確な検査が可能となる効果がある。
第１図は本発明のパターン欠陥検査装置の実施例を示す
構成図。 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図。 発光部光学系 受光部光学系 ＣＣＤイメージセンサ− パターン撮像制御部 パターン撮像記録部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 ・テープユニット ・パターン撮像変換部 以
構成図。 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図。 発光部光学系 受光部光学系 ＣＣＤイメージセンサ− パターン撮像制御部 パターン撮像記録部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 ・テープユニット ・パターン撮像変換部 以
Claims (1)
- ウェハに赤外光を照射する光学系と、前記光学系によ
る透過パターン光を光電変換し、ＣＣＤイメージセンサ
ーからなる検出系と、前記検出系からのパターン撮像信
号を制御するパターン撮像制御部と、前記ウェハのパタ
ーンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読み出
した基準情報より得られるパターンと比較する欠陥検出
制御部と装置全体を制御するとともに前記欠陥検出制御
部の欠陥の情報を記録する中央処理装置とからなり、１
基板に複数個の同一パターンが形成されたウェハに対し
１つの光学系で異なるチップを順次撮像し、ウェハのパ
ターンと基準パターン同士を比較検査することを特徴と
するパターン比較検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14580290A JPH0438850A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | パターン比較検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14580290A JPH0438850A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | パターン比較検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438850A true JPH0438850A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15393493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14580290A Pending JPH0438850A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | パターン比較検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438850A (ja) |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP14580290A patent/JPH0438850A/ja active Pending
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