JPH042140A - パターン比較検査装置 - Google Patents
パターン比較検査装置Info
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- JPH042140A JPH042140A JP10338490A JP10338490A JPH042140A JP H042140 A JPH042140 A JP H042140A JP 10338490 A JP10338490 A JP 10338490A JP 10338490 A JP10338490 A JP 10338490A JP H042140 A JPH042140 A JP H042140A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置のウェハにおけるパターン比較検査
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
従来のパターン比較検査装置は、第２図に示すように、
光源９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを
介して発光部光学系１へと送られる。発光部光学系１は
ウェハの下に配置され、片方の光学系は固定されもう一
方の光学系は検査するウェハのチップサイズに合わせて
Ｘ方向に可動８来る構成とする。発光部光学系１を通っ
た赤外光はざらにウェハ８を透過し受光部光学系２には
いる。受光部光学系２はウェハ８の上に配置され、発光
部光学系１と同様に片方の光学系は固定されもう一方の
光学系は検査するウェハ８のチップサイズに合わせて、
Ｘ方向に可動出来る構成とする。
光源９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを
介して発光部光学系１へと送られる。発光部光学系１は
ウェハの下に配置され、片方の光学系は固定されもう一
方の光学系は検査するウェハのチップサイズに合わせて
Ｘ方向に可動８来る構成とする。発光部光学系１を通っ
た赤外光はざらにウェハ８を透過し受光部光学系２には
いる。受光部光学系２はウェハ８の上に配置され、発光
部光学系１と同様に片方の光学系は固定されもう一方の
光学系は検査するウェハ８のチップサイズに合わせて、
Ｘ方向に可動出来る構成とする。
２つの受光部光学系２を通った赤外光を各々のＣＣＤイ
メージセンサ−３で受光し、ウェハを透過した赤外光を
光電変換してウェハパターンの撮像信号とする。撮像信
号はＣＣＤイメージセンサ−３からパターン撮像制御部
４に送られ各々の撮像信号のゲインを補正する。２つの
パターン撮像制御部４からの信号を欠陥検出制御部６へ
送り、ウェハ内のチップパターン同士を比較検査し欠陥
検出したデータをＣＰＵ７へ送る。ＣＰｔＪ７は装置を
制御すると共に、欠陥検出制御部６の欠陥情報として欠
陥の個数と各々の欠陥のＸ、Ｙの座標を記録する。
メージセンサ−３で受光し、ウェハを透過した赤外光を
光電変換してウェハパターンの撮像信号とする。撮像信
号はＣＣＤイメージセンサ−３からパターン撮像制御部
４に送られ各々の撮像信号のゲインを補正する。２つの
パターン撮像制御部４からの信号を欠陥検出制御部６へ
送り、ウェハ内のチップパターン同士を比較検査し欠陥
検出したデータをＣＰＵ７へ送る。ＣＰｔＪ７は装置を
制御すると共に、欠陥検出制御部６の欠陥情報として欠
陥の個数と各々の欠陥のＸ、Ｙの座標を記録する。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の技術では２つの光学系の機械的な可動範
囲の制限を受け、ウェハ上の任意のチップのパターン比
較検査が出来ないという問題点を有していた。そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところはウェハ上の任意のチップのパターン比較検
査が可能なパターン比較検査装置を提供する。
囲の制限を受け、ウェハ上の任意のチップのパターン比
較検査が出来ないという問題点を有していた。そこで本
発明はこのような問題点を解決するもので、その目的と
するところはウェハ上の任意のチップのパターン比較検
査が可能なパターン比較検査装置を提供する。
［課題を解決するための手段〕
本発明のパターン比較検査装置は、ウェハに赤外光を照
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し、ＣＣＤイメージセンサ−からなる検出系と、
前記検出系からのパターン撮像信号を制御するパターン
撮像制御部と、前記パターン撮像制御部の出力を記録す
るパターン撮像記録部との異なるチップパターンのデー
タと比較する欠陥検出制御部と装置全体を制御するとと
もに前記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記録する中央処
理装置とからなり、１基板に複数個の同一パターンが形
成されたウェハに対し１つの光学系で異なるチップを順
次撮像し、異なるチップパターン同士を比較検査するこ
とを特徴とするパターン比較検査装置。
射する光学系と、前記光学系による透過パターン光を光
電変換し、ＣＣＤイメージセンサ−からなる検出系と、
前記検出系からのパターン撮像信号を制御するパターン
撮像制御部と、前記パターン撮像制御部の出力を記録す
るパターン撮像記録部との異なるチップパターンのデー
タと比較する欠陥検出制御部と装置全体を制御するとと
もに前記欠陥検出制御部の欠陥の情報を記録する中央処
理装置とからなり、１基板に複数個の同一パターンが形
成されたウェハに対し１つの光学系で異なるチップを順
次撮像し、異なるチップパターン同士を比較検査するこ
とを特徴とするパターン比較検査装置。
［実施例］
第１図は本発明の実施例における構成図であって、光源
９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
９より発光された赤外光を光フアイバーケーブルを介し
て発光部光学系１へと送られる。
発光部光学系１はウェハの下に配置され、赤外光はウェ
ハ８に向かって照射しウェハ８の高融点金属やアルミニ
ウム（ＡＬ）等のウェハパターン以外の部分を透過し受
光部光学系２にはいる。受光部光学系２は、発光部光学
系１がらの赤外光を受光するために光軸を合わせた位置
のウェハ８の上に配置する。受光部光学系２を通った赤
外光をＣＣＤイメージセンサ−３で受光し、ウェハを透
過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信号
とする。撮像信号はＣＣＤイメージセンサ−３からパタ
ーン撮像制御部４に送られｆ！偉倍信号ゲインを補正す
る。ステージを移動しながら比較検査する対象の１つ目
のチップの撮像信号をパターン撮像制御部４からパター
ン撮像記録部５へ送り記録する。さらに比較検査する対
象の２つ目のチップにステージを移動し１つ目のチップ
と同様にステージを移動しながら２つ目のチップの撮像
信号をパターン撮像制御部４へ送る。２つ目のチップの
撮像信号をパターン撮像制御部４がらゲインを補正して
欠陥検出制御部６へ送り、１つ目のチップの撮像信号も
欠陥検出制御部６へ送る。欠陥検出制御部６に送られた
２つのチップパターン同士の信号を比較し、縦パターン
、横パターン、斜めパターン、コーナ一部等の各々独立
した欠陥検出回路で比較検蚕することにより欠陥を検出
しＣＰＵ７へ送られる。ＣＰＵ７は装置を制御するとと
もに、欠陥検出制御部６の欠陥の情報として欠陥の個数
と各々の欠陥のＸ、 Ｙの座標を記録する。
ハ８に向かって照射しウェハ８の高融点金属やアルミニ
ウム（ＡＬ）等のウェハパターン以外の部分を透過し受
光部光学系２にはいる。受光部光学系２は、発光部光学
系１がらの赤外光を受光するために光軸を合わせた位置
のウェハ８の上に配置する。受光部光学系２を通った赤
外光をＣＣＤイメージセンサ−３で受光し、ウェハを透
過した赤外光を光電変換してウェハパターンの撮像信号
とする。撮像信号はＣＣＤイメージセンサ−３からパタ
ーン撮像制御部４に送られｆ！偉倍信号ゲインを補正す
る。ステージを移動しながら比較検査する対象の１つ目
のチップの撮像信号をパターン撮像制御部４からパター
ン撮像記録部５へ送り記録する。さらに比較検査する対
象の２つ目のチップにステージを移動し１つ目のチップ
と同様にステージを移動しながら２つ目のチップの撮像
信号をパターン撮像制御部４へ送る。２つ目のチップの
撮像信号をパターン撮像制御部４がらゲインを補正して
欠陥検出制御部６へ送り、１つ目のチップの撮像信号も
欠陥検出制御部６へ送る。欠陥検出制御部６に送られた
２つのチップパターン同士の信号を比較し、縦パターン
、横パターン、斜めパターン、コーナ一部等の各々独立
した欠陥検出回路で比較検蚕することにより欠陥を検出
しＣＰＵ７へ送られる。ＣＰＵ７は装置を制御するとと
もに、欠陥検出制御部６の欠陥の情報として欠陥の個数
と各々の欠陥のＸ、 Ｙの座標を記録する。
［発明の効果コ
以上述べたような発明によれば、ウェハ上の高融点金属
やＡＬ等のパターンの欠陥検査において、２つの光学系
の機械的な可動範囲の制限を受けることなくウェハ上の
任意のチップのパターン比較検査が可能となる効果があ
る。
やＡＬ等のパターンの欠陥検査において、２つの光学系
の機械的な可動範囲の制限を受けることなくウェハ上の
任意のチップのパターン比較検査が可能となる効果があ
る。
第１図は本発明のパターン欠陥検査装置の実施例を示す
構成図。 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図。 発光部光学系 受光部光学系 ＣＯＤイメージセンサ− パターン撮像制御部 パターン撮像記録部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部（化１名） １Ｘ１
構成図。 第２図は従来のパターン欠陥検査装置を示す構成図。 発光部光学系 受光部光学系 ＣＯＤイメージセンサ− パターン撮像制御部 パターン撮像記録部 欠陥検出制御部 ＰＵ ウェハ 光源 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 鈴木喜三部（化１名） １Ｘ１
Claims (1)
- ウェハに赤外光を照射する光学系と、前記光学系によ
る透過パターン光を光電変換し、ＣＣＤイメージセンサ
ーからなる検出系と、前記検出系からのパターン撮像信
号を制御するパターン撮像制御部と、前記パターン撮像
制御部の出力を記録するパターン撮像記録部との異なる
チップパターンのデータと比較する欠陥検出制御部と装
置全体を制御するとともに前記欠陥検出制御部の欠陥の
情報を記録する中央処理装置とからなり、１基板に複数
個の同一パターンが形成されたウェハに対し１つの光学
系で異なるチップを順次撮像し、異なるチップパターン
同士を比較検査することを特徴とするパターン比較検査
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10338490A JPH042140A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | パターン比較検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10338490A JPH042140A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | パターン比較検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042140A true JPH042140A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14352587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10338490A Pending JPH042140A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | パターン比較検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042140A (ja) |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP10338490A patent/JPH042140A/ja active Pending
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