JPH04132014A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04132014A JPH04132014A JP2252735A JP25273590A JPH04132014A JP H04132014 A JPH04132014 A JP H04132014A JP 2252735 A JP2252735 A JP 2252735A JP 25273590 A JP25273590 A JP 25273590A JP H04132014 A JPH04132014 A JP H04132014A
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- Japan
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- degrees
- magnetic recording
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来の技術
磁気記録の歴史は高密度化の歴史であり、磁気記録機器
の小型化要求や、放送方式の変革による情報量の増大に
よって今後もさらに高密度記録への要求は強く、強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用化が期
待され、民生用で最も高密度記録を達成しているハイバ
ンド８ミリ■ＴＲで一部実用に供され、改良が進められ
ている。
の小型化要求や、放送方式の変革による情報量の増大に
よって今後もさらに高密度記録への要求は強く、強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実用化が期
待され、民生用で最も高密度記録を達成しているハイバ
ンド８ミリ■ＴＲで一部実用に供され、改良が進められ
ている。
現状の磁気記録媒体の構成は、ポリエステルフィルム上
に微粒子を配し、さらにその上にＣＯ−Ｎｉ （Ｎｉ
：２０〜ｚｓｗｔ％）を酸素中で電子ビーム蒸着し
、さらにその上に保護潤滑層を配したもので、Ｃｏ −
Ｎｉ −０＠は１層構成のものから３層構成のものまで
があるが、いずれも回転キャンに沿わせて、９０度入射
から始まる連続入射角変化蒸着法で、酸素中蒸着と組み
合わせて、最小入射角３０度〜４５度の範囲までで磁気
特性の要求に応じて製造条件が決められている０強磁性
金属薄膜上には潤滑剤が配され、ポリエステルフィルム
のもう一方の面にはバックコート層が配されることが多
い。
に微粒子を配し、さらにその上にＣＯ−Ｎｉ （Ｎｉ
：２０〜ｚｓｗｔ％）を酸素中で電子ビーム蒸着し
、さらにその上に保護潤滑層を配したもので、Ｃｏ −
Ｎｉ −０＠は１層構成のものから３層構成のものまで
があるが、いずれも回転キャンに沿わせて、９０度入射
から始まる連続入射角変化蒸着法で、酸素中蒸着と組み
合わせて、最小入射角３０度〜４５度の範囲までで磁気
特性の要求に応じて製造条件が決められている０強磁性
金属薄膜上には潤滑剤が配され、ポリエステルフィルム
のもう一方の面にはバックコート層が配されることが多
い。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記した構成のものは、さらに広い帯域の
信号の記録再生を行なうには膜厚を厚くし、かつ保磁力
を大きくすることが必要とされるものの、それを磁化す
る高い磁束密度を持つ狭ギヤツプヘッドが必要となり、
現状では不十分で、現状の磁気へ一ツドで効率よく磁化
される磁気記録媒体で広帯域をカバーすることが望まれ
ていた。
信号の記録再生を行なうには膜厚を厚くし、かつ保磁力
を大きくすることが必要とされるものの、それを磁化す
る高い磁束密度を持つ狭ギヤツプヘッドが必要となり、
現状では不十分で、現状の磁気へ一ツドで効率よく磁化
される磁気記録媒体で広帯域をカバーすることが望まれ
ていた。
本発明はこのような課題を解決するもので、高品位放送
方式に対応可能な広帯域の信号の記録再生に適した磁気
記録媒体を提供することを目的とするものである。
方式に対応可能な広帯域の信号の記録再生に適した磁気
記録媒体を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、回転支持体に沿っ
て９０度からθｌｌ１ｎ （θｎｉｎ：２０度〜１０
度）度までの入射角成分で構成された蒸着微粒子の少く
とも４０度入射角成分近くに、Ｏ，Ｈのいずれかの元素
の高濃度域を形成したものである。
て９０度からθｌｌ１ｎ （θｎｉｎ：２０度〜１０
度）度までの入射角成分で構成された蒸着微粒子の少く
とも４０度入射角成分近くに、Ｏ，Ｈのいずれかの元素
の高濃度域を形成したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、面内磁化
成分の強い、９０度から４０度近くの部分と垂直磁化成
分の強い４０度から６１０度の部分とで蒸着柱状微粒子
内部が磁気的に結合がゆるめられ雑音を改善し、従来の
面内磁化膜と垂直磁化膜の積層と異って、柱状微粒子と
しては一体化していることで、磁気ヘッドとの広帯域化
により一層進む高速摺動条件においても良好な摩擦耐久
性をもたらすことができ、高Ｃ／Ｎを維持できることで
、実用水準として高いＣ／’ Ｎレベルを達成できるこ
とになる。
成分の強い、９０度から４０度近くの部分と垂直磁化成
分の強い４０度から６１０度の部分とで蒸着柱状微粒子
内部が磁気的に結合がゆるめられ雑音を改善し、従来の
面内磁化膜と垂直磁化膜の積層と異って、柱状微粒子と
しては一体化していることで、磁気ヘッドとの広帯域化
により一層進む高速摺動条件においても良好な摩擦耐久
性をもたらすことができ、高Ｃ／Ｎを維持できることで
、実用水準として高いＣ／’ Ｎレベルを達成できるこ
とになる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
本発明の第１実施例の磁気記録媒体は、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルゲトン、ポリ
イミドなどの高分子フィルム上に形状付与層を配し、そ
の上に後述する磁気記録層を配し、その上に保護潤滑層
を配し、また高分子フィルムのもう一方の面にバックコ
ート層を配し、テープ状に加工したものである。保護潤
滑層、バックコート層には適宜工夫が必要であるが、特
に本発明を制限するものではない、前記磁気記録層は第
１図に示すように、フィルム（粒子を主体とした形状付
与層を配したものも含む）１上に形成された柱状微粒子
２が、９０度入射がら成長をはじめ、４０度近くまで成
長した斜め蒸着部３と、さらにθｌ１ｉｎ （θｌｉ
ｎ：２０度〜１０度）度まで成長させた垂直磁化部４と
に分かれるように形成される。第２図にオージェ電子分
光法で測定しなＣＯ元素と酸素の厚み方向のプロファイ
ルを示した。同図において、第１図Ｘ−Ｘ部に相当する
深さ方向で０またはＮの高濃度域が形成されている。
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニ
レンサルファイド、ポリエーテルエーテルゲトン、ポリ
イミドなどの高分子フィルム上に形状付与層を配し、そ
の上に後述する磁気記録層を配し、その上に保護潤滑層
を配し、また高分子フィルムのもう一方の面にバックコ
ート層を配し、テープ状に加工したものである。保護潤
滑層、バックコート層には適宜工夫が必要であるが、特
に本発明を制限するものではない、前記磁気記録層は第
１図に示すように、フィルム（粒子を主体とした形状付
与層を配したものも含む）１上に形成された柱状微粒子
２が、９０度入射がら成長をはじめ、４０度近くまで成
長した斜め蒸着部３と、さらにθｌ１ｉｎ （θｌｉ
ｎ：２０度〜１０度）度まで成長させた垂直磁化部４と
に分かれるように形成される。第２図にオージェ電子分
光法で測定しなＣＯ元素と酸素の厚み方向のプロファイ
ルを示した。同図において、第１図Ｘ−Ｘ部に相当する
深さ方向で０またはＮの高濃度域が形成されている。
このプロファイルの形状は一例であって、４０魔人射近
くにどういう勾配で濃度ピークを持つかについては特に
限定はない。
くにどういう勾配で濃度ピークを持つかについては特に
限定はない。
本発明実施例の磁気記録媒体の構成を得るには、回転支
持体に沿ってＣｏまたはＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ ：
５〜２８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着する際、酸素を全体
に導入しながら、さらに酸素イオンを入射角が４０度と
なる近くに照射する方法や、蒸着域に酸素イオンビーム
を照射条件を入射角に応じて変化させるなどで得られる
ものにこだわらず、適宜工夫すればよい、Ｎイオンでも
同様である。
持体に沿ってＣｏまたはＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ ：
５〜２８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着する際、酸素を全体
に導入しながら、さらに酸素イオンを入射角が４０度と
なる近くに照射する方法や、蒸着域に酸素イオンビーム
を照射条件を入射角に応じて変化させるなどで得られる
ものにこだわらず、適宜工夫すればよい、Ｎイオンでも
同様である。
以下、本発明の具体実施例について、比較例との対比で
説明する。
説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００Ａの５ｉ０２微粒子を２０ケ／μ２配し、
さらにその上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせてＣＯま
たはＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ：２２ｗｔ％）を電子ビー
ム蒸着した。を子ビーム蒸着を行なう際、９０度入射か
ら蒸着をはじめ、θｌｌ１ｎ （θｌｉｎ ：２０度
〜１０度）度まで蒸着するところへ、酸素イオンビーム
または窒素イオンビームを全体に走査し、走査時間を調
整して、４０度入射付近に、イオンビームが多く照射さ
れるようにするなどによって構成した。
に直径１００Ａの５ｉ０２微粒子を２０ケ／μ２配し、
さらにその上に直径１ｍの円筒キャンに沿わせてＣＯま
たはＣｏ −Ｎｉ （Ｎｉ：２２ｗｔ％）を電子ビー
ム蒸着した。を子ビーム蒸着を行なう際、９０度入射か
ら蒸着をはじめ、θｌｌ１ｎ （θｌｉｎ ：２０度
〜１０度）度まで蒸着するところへ、酸素イオンビーム
または窒素イオンビームを全体に走査し、走査時間を調
整して、４０度入射付近に、イオンビームが多く照射さ
れるようにするなどによって構成した。
条件Ａのものは、ＣＯを９０度から４０度までが０．１
μ、４０度から２０度までが０．１４μｍとなる条件で
電子ビーム蒸着しながら、酸素イオンビームを８ｋｅｙ
、 １０６ μＡ／−で４０度近く（実際は３９度〜
４０．５度）に他の領域の滞在時間の３．５倍ビームを
滞留させて、酸素ピーク域を形成し、飽和磁束密度６５
００（Ｇ）、垂直保磁力１５００ （Ｏｅ ） 、水平
保磁力１１００（Ｏｅ）のｃｏ −ｏｇを形成したもノ
テある０条件Ｂのものは、Ｃｏを９０度から４０度まで
が０．１５μ、４０度から１４度までが０．１６μｍと
なる条件で電子ビーム蒸着しながら、全体を２ Ｘ １
Ｇ（（Ｔｏｒｒ）の酸素雰囲気にして、４０度近くに６
ｋｅｙ、５５μＡ／−の酸素イオンビームを照射し、
他の領域に比して２．３倍の酸素濃度ピークを４０度近
くに形成し、飽和磁束密度６７００（Ｇ）、垂直保磁力
１６００（Ｏｅ）、水平保磁力１１５０（Ｏｅ）の００
０膜を形成したものである０条件Ｃのものは、直径５０
ｃｍの円筒キャンに沿わせて、Ｃｏ −Ｎ（Ｎｉ：２４
ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、９０度から４０度までが
０．０６μｍ、４０度から１２度までが０．１２μｍと
なるように構成した。その際、外部より酸素を導入し、
３ ｘ １０′（Ｔｏｒｒ）の酸素分圧中で、４０度近
くに５ ｋｅｙ 、５６μＡ ／ ａｉｌの酸素イオン
を照射し、４０度近くに２．７倍の酸素濃度部（最小濃
度部に比して）を形成し、飽和磁束密度７０００ （Ｇ
）、垂直保磁力１５５０ （Ｏｅ ） 、水平保持力
１０６０（Ｏｅ）のＣ０−０膜を形成した０条件りのも
のは、酸素を導入せず、蒸着域に１１ｋｅｙ 、 ９０
μＡ／−の窒素イオンを照射し、４０度近くに２．５倍
の窒素濃度のピークを形成した。蒸着の条件は条件Ｃと
同じにした。得られた膜は、飽和磁束密度６４００ （
Ｇ ）、垂直保磁力１３８０（Ｏｅ）、水平保磁力１２
９０（Ｏｅ）であった０条件Ｅのものは比較例で、直径
１ｍの円筒キャンに沿わせて、９０度から４０度まで、
６Ｘ１０’ （Ｔｏｒｒ）の酸素中でＣｏを０．１μｍ
蒸着し、さらにその上に、入射角を４０度から１５度の
範囲にしてＣｏを蒸着した。その際、１５度に入射角を
規制する側から酸素を導入し、４０度に入射角を規制す
る側よりＡ「ガスを導入した。第１層は飽和磁束密度４
８００（Ｇ）、水平保磁力１１００（Ｏｅ）、垂直保磁
力１０００（Ｏｅ）、第２層は飽和磁束密度６２００（
Ｇ）、水平保磁力１２００ （Ｏｅ ） 、垂直保磁力
１５０Ｇ（Ｏｅ）である、それぞれの蒸着膜上にパーフ
ルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社製のフ
オンブリンＡＨ２００１を４０Ａ ！布し、カーボンと
ポリエステル樹脂を１：１配合したバックコート層を０
．５μｍ配し、８ミリ幅の磁気ナースにして、比較評価
した。評価は、８ミリビデオデツキを改造し、相対速度
を３．８ ｍ／ｓｅｃ 、 ７．６ｍ ／ ｓｅｃと２
段階に変化させ、記録周波数を７（ＭＨ２）、１４（Ｍ
Ｈ２）として、キャリアから１ （ＭＨ２）のところの
ノイズとの比較でＣ／Ｎを表わした。その結果を第１表
にまとめて示した。
μ、４０度から２０度までが０．１４μｍとなる条件で
電子ビーム蒸着しながら、酸素イオンビームを８ｋｅｙ
、 １０６ μＡ／−で４０度近く（実際は３９度〜
４０．５度）に他の領域の滞在時間の３．５倍ビームを
滞留させて、酸素ピーク域を形成し、飽和磁束密度６５
００（Ｇ）、垂直保磁力１５００ （Ｏｅ ） 、水平
保磁力１１００（Ｏｅ）のｃｏ −ｏｇを形成したもノ
テある０条件Ｂのものは、Ｃｏを９０度から４０度まで
が０．１５μ、４０度から１４度までが０．１６μｍと
なる条件で電子ビーム蒸着しながら、全体を２ Ｘ １
Ｇ（（Ｔｏｒｒ）の酸素雰囲気にして、４０度近くに６
ｋｅｙ、５５μＡ／−の酸素イオンビームを照射し、
他の領域に比して２．３倍の酸素濃度ピークを４０度近
くに形成し、飽和磁束密度６７００（Ｇ）、垂直保磁力
１６００（Ｏｅ）、水平保磁力１１５０（Ｏｅ）の００
０膜を形成したものである０条件Ｃのものは、直径５０
ｃｍの円筒キャンに沿わせて、Ｃｏ −Ｎ（Ｎｉ：２４
ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、９０度から４０度までが
０．０６μｍ、４０度から１２度までが０．１２μｍと
なるように構成した。その際、外部より酸素を導入し、
３ ｘ １０′（Ｔｏｒｒ）の酸素分圧中で、４０度近
くに５ ｋｅｙ 、５６μＡ ／ ａｉｌの酸素イオン
を照射し、４０度近くに２．７倍の酸素濃度部（最小濃
度部に比して）を形成し、飽和磁束密度７０００ （Ｇ
）、垂直保磁力１５５０ （Ｏｅ ） 、水平保持力
１０６０（Ｏｅ）のＣ０−０膜を形成した０条件りのも
のは、酸素を導入せず、蒸着域に１１ｋｅｙ 、 ９０
μＡ／−の窒素イオンを照射し、４０度近くに２．５倍
の窒素濃度のピークを形成した。蒸着の条件は条件Ｃと
同じにした。得られた膜は、飽和磁束密度６４００ （
Ｇ ）、垂直保磁力１３８０（Ｏｅ）、水平保磁力１２
９０（Ｏｅ）であった０条件Ｅのものは比較例で、直径
１ｍの円筒キャンに沿わせて、９０度から４０度まで、
６Ｘ１０’ （Ｔｏｒｒ）の酸素中でＣｏを０．１μｍ
蒸着し、さらにその上に、入射角を４０度から１５度の
範囲にしてＣｏを蒸着した。その際、１５度に入射角を
規制する側から酸素を導入し、４０度に入射角を規制す
る側よりＡ「ガスを導入した。第１層は飽和磁束密度４
８００（Ｇ）、水平保磁力１１００（Ｏｅ）、垂直保磁
力１０００（Ｏｅ）、第２層は飽和磁束密度６２００（
Ｇ）、水平保磁力１２００ （Ｏｅ ） 、垂直保磁力
１５０Ｇ（Ｏｅ）である、それぞれの蒸着膜上にパーフ
ルオロポリエーテルとして市販のモンテジソン社製のフ
オンブリンＡＨ２００１を４０Ａ ！布し、カーボンと
ポリエステル樹脂を１：１配合したバックコート層を０
．５μｍ配し、８ミリ幅の磁気ナースにして、比較評価
した。評価は、８ミリビデオデツキを改造し、相対速度
を３．８ ｍ／ｓｅｃ 、 ７．６ｍ ／ ｓｅｃと２
段階に変化させ、記録周波数を７（ＭＨ２）、１４（Ｍ
Ｈ２）として、キャリアから１ （ＭＨ２）のところの
ノイズとの比較でＣ／Ｎを表わした。その結果を第１表
にまとめて示した。
（以下余白）
次に本発明の第２実施例について説明する。
この第２実施例は斜め蒸着膜上の成長方向が反対側で、
回転支持体に沿って９０度からθｓｉｎ （２０度〜
１０度）度までの入射角成分で構成された蒸着微粒子の
少くとも４０度入射角成分近くにＯまたはＮの高濃度域
が形成されたものである０本発明実施例の磁気記録媒体
は上記した構成により、斜め蒸着膜上に形成した反対方
向に成長した９０度から４０度近くまでの入射角成分の
面内磁化成分支配部分と、４０度から０１５度までの垂
直磁化成分支配の部分が一体の柱状微粒子となっている
ことで、磁気的には３層構成的な分離がなされ雑音が改
善されるのと、長波長側は斜め蒸着膜部分と、斜め蒸着
方向の異なる９０度から４０度近くまでの入射角成分の
部分が担い、短波長側は４０度からθｍｉｎ度までの部
分が担うことで、より広帯域に亘って出力向上が図れる
ことになる。長波長側は斜め蒸着方向が相反し、そのた
めにより面内的になり、低域雑音が改善されることもＣ
／Ｎ向上に寄与する。
回転支持体に沿って９０度からθｓｉｎ （２０度〜
１０度）度までの入射角成分で構成された蒸着微粒子の
少くとも４０度入射角成分近くにＯまたはＮの高濃度域
が形成されたものである０本発明実施例の磁気記録媒体
は上記した構成により、斜め蒸着膜上に形成した反対方
向に成長した９０度から４０度近くまでの入射角成分の
面内磁化成分支配部分と、４０度から０１５度までの垂
直磁化成分支配の部分が一体の柱状微粒子となっている
ことで、磁気的には３層構成的な分離がなされ雑音が改
善されるのと、長波長側は斜め蒸着膜部分と、斜め蒸着
方向の異なる９０度から４０度近くまでの入射角成分の
部分が担い、短波長側は４０度からθｍｉｎ度までの部
分が担うことで、より広帯域に亘って出力向上が図れる
ことになる。長波長側は斜め蒸着方向が相反し、そのた
めにより面内的になり、低域雑音が改善されることもＣ
／Ｎ向上に寄与する。
第３図は本発明の第２実施例の磁気記録媒体の要部拡大
断面図で、図において５は高分子フィルムなどの基板、
６はＣｏ 、Ｃｏ −Ｎｉ 、Ｃｏ −０゜Ｃｏ −Ｎ
ｉ −０などの斜め蒸着膜を構成する柱状微粒子、７は
Ｃｏ−０，ｃｏ −Ｎｉ −０またはｃｏ−Ｎ、Ｃｏ
−Ｎｉ −Ｎからなる柱状微粒子で、この柱状微粒子７
は９０度がら蒸着され、成長方向が柱状微粒子６と反対
方向となる斜め蒸着部８と、はぼ４０度からθｗｉｎ
（θｓｉｎ ＝２０度〜１０度）度の範囲の蒸着部９
とからなり、４０度近くのＹ−Ｙ部近くで酸素か窒素の
高濃度域が存在するように構成されたものである０本発
明の第２実施例の磁気記録媒体は上記した構成の磁気記
録層の上に保護潤滑層を配し、高分子フィルムのもう一
方の面にバックコート層を配し、所定の幅の磁気テープ
として用いられるものである。
断面図で、図において５は高分子フィルムなどの基板、
６はＣｏ 、Ｃｏ −Ｎｉ 、Ｃｏ −０゜Ｃｏ −Ｎ
ｉ −０などの斜め蒸着膜を構成する柱状微粒子、７は
Ｃｏ−０，ｃｏ −Ｎｉ −０またはｃｏ−Ｎ、Ｃｏ
−Ｎｉ −Ｎからなる柱状微粒子で、この柱状微粒子７
は９０度がら蒸着され、成長方向が柱状微粒子６と反対
方向となる斜め蒸着部８と、はぼ４０度からθｗｉｎ
（θｓｉｎ ＝２０度〜１０度）度の範囲の蒸着部９
とからなり、４０度近くのＹ−Ｙ部近くで酸素か窒素の
高濃度域が存在するように構成されたものである０本発
明の第２実施例の磁気記録媒体は上記した構成の磁気記
録層の上に保護潤滑層を配し、高分子フィルムのもう一
方の面にバックコート層を配し、所定の幅の磁気テープ
として用いられるものである。
以下、さらに具体的に比較例とめ対比で説明する。
厚み１１μｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に
直径４００Ａの球状ポリメチルメタアクリレートが高さ
方向に偏平化し平均高さ１８ｏＡとなるようにして、５
〜６ケ／μ２配した面に、直径６゜ｌの回転支持体に沿
って入射角９０度から５０度までの斜め蒸着をＣｏ −
Ｎｉ （Ｎｉ ：２６ｗｔ％）を４×１０−５〜６
×１Ｏ−５（■ｏ「「）の酸素中で電子ビーム加熱する
ことで行なった。形成した膜厚は０．０８μｍとした。
直径４００Ａの球状ポリメチルメタアクリレートが高さ
方向に偏平化し平均高さ１８ｏＡとなるようにして、５
〜６ケ／μ２配した面に、直径６゜ｌの回転支持体に沿
って入射角９０度から５０度までの斜め蒸着をＣｏ −
Ｎｉ （Ｎｉ ：２６ｗｔ％）を４×１０−５〜６
×１Ｏ−５（■ｏ「「）の酸素中で電子ビーム加熱する
ことで行なった。形成した膜厚は０．０８μｍとした。
さらにその上に柱状微粒子の斜め蒸着部分方向が反対側
に交差した入射角成分で形成された斜め蒸着部と一体に
なって、最小入射角が２０度、１５度、１０度の３種間
の蒸着膜Ａ、Ｂ、Ｃを形成した。その際、酸素イオンビ
ームを蒸着と同時に蒸着域に差し向け、走査条件を調整
しく８ｋｖ１５〜１５０μＡ／ｃｊ）、入射角が４０度
になる部分に酸素原子が高濃度になるように構成した。
に交差した入射角成分で形成された斜め蒸着部と一体に
なって、最小入射角が２０度、１５度、１０度の３種間
の蒸着膜Ａ、Ｂ、Ｃを形成した。その際、酸素イオンビ
ームを蒸着と同時に蒸着域に差し向け、走査条件を調整
しく８ｋｖ１５〜１５０μＡ／ｃｊ）、入射角が４０度
になる部分に酸素原子が高濃度になるように構成した。
第４図にオージェ電子分光法で測定したＣｏ元素と、酸
素の厚み方向のプロファイルを示した。
素の厚み方向のプロファイルを示した。
参考例として、斜め蒸着を行なった後、その方向と同じ
方向に斜め蒸着を開始して、４０度入射部分近くに酸素
の高濃度域を形成してから最小入射角が１５度となるよ
うに蒸着、イオン照射を行なった。また比較例は、斜め
蒸着膜と反対方向に斜め蒸着を９０度から４０度まテ４
×１０″５〜５×１Ｏ−５（ＴＯｒｒ）の酸素中で行な
い、さらにその上に４０度がら１５度まで、４０度入射
部分近くの酸素導入ボートより酸素ガスを導入し、垂直
磁化膜を形成した。
方向に斜め蒸着を開始して、４０度入射部分近くに酸素
の高濃度域を形成してから最小入射角が１５度となるよ
うに蒸着、イオン照射を行なった。また比較例は、斜め
蒸着膜と反対方向に斜め蒸着を９０度から４０度まテ４
×１０″５〜５×１Ｏ−５（ＴＯｒｒ）の酸素中で行な
い、さらにその上に４０度がら１５度まで、４０度入射
部分近くの酸素導入ボートより酸素ガスを導入し、垂直
磁化膜を形成した。
いずれも磁性層の上には、パーフルオロポリエーテルと
して市販のモンテジソン社製のフォンブリンｚ−２５を
６０八塗布し、反対面にバックコート層を０．５μｍ塗
布し、８ミリ幅の磁気テープとした。
して市販のモンテジソン社製のフォンブリンｚ−２５を
６０八塗布し、反対面にバックコート層を０．５μｍ塗
布し、８ミリ幅の磁気テープとした。
８ｍ＋ビデオデツキを改造し、広帯域記録を行ない、Ｃ
／Ｎと、耐久性を、繰り返し走行で評価しな。
／Ｎと、耐久性を、繰り返し走行で評価しな。
テープの条件と、評価結果を第２表にまとめて示した。
（以下余白）
なお、Ａ〜Ｃの蒸着膜は比較例と対比して０．７５（Ｍ
Ｈｚｌの低域側でも〒２．２〜＋２．６ （ｄＢ）
Ｃ／Ｎが良いことから、広帯域でのＣ／Ｎ改善効果は大
きい。
Ｈｚｌの低域側でも〒２．２〜＋２．６ （ｄＢ）
Ｃ／Ｎが良いことから、広帯域でのＣ／Ｎ改善効果は大
きい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、広帯域のＣ／Ｎに優れ、
かつ耐久性も良好な磁気記録媒体を得ることができる。
かつ耐久性も良好な磁気記録媒体を得ることができる。
第１図は本発明の第１実緒例における磁気記録媒体の断
面図、第２図は同オージェプロファイル、第３図は本発
明の第２実施例における磁気記録媒体の断面図、第４図
は同オージェプロファイルである。 １・・・フ仁・ルム、２・・・柱状微粒子、３・・・斜
め蒸着部、４・・・垂直磁化部、５・・・基板、６．７
・・・柱状微粒子、８・・・斜め蒸着部、９・・・蒸着
部。 代理人 森 本 義 弘
面図、第２図は同オージェプロファイル、第３図は本発
明の第２実施例における磁気記録媒体の断面図、第４図
は同オージェプロファイルである。 １・・・フ仁・ルム、２・・・柱状微粒子、３・・・斜
め蒸着部、４・・・垂直磁化部、５・・・基板、６．７
・・・柱状微粒子、８・・・斜め蒸着部、９・・・蒸着
部。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- １、回転支持体に沿つて９０度からθｍｉｎ（θｍｉｎ
：２０度〜１０度）度までの入射角成分で構成された蒸
着微粒子の少くとも４０度入射角成分近くにＯ、Ｎいず
れかの元素の高濃度域が形成されていることを特徴とす
る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252735A JPH04132014A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252735A JPH04132014A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132014A true JPH04132014A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17241539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252735A Pending JPH04132014A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132014A (ja) |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2252735A patent/JPH04132014A/ja active Pending
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