JPH0325963B2 - - Google Patents
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- JPH0325963B2 JPH0325963B2 JP56007718A JP771881A JPH0325963B2 JP H0325963 B2 JPH0325963 B2 JP H0325963B2 JP 56007718 A JP56007718 A JP 56007718A JP 771881 A JP771881 A JP 771881A JP H0325963 B2 JPH0325963 B2 JP H0325963B2
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- Japan
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- transistor
- emitter
- base
- current supply
- supply source
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバイアス回路に関し、集積回路素子等
に使用し、素子の特性のバラツキと周囲温度の変
化に対して変動の少ない定電圧バイアス回路を提
供するものである。
に使用し、素子の特性のバラツキと周囲温度の変
化に対して変動の少ない定電圧バイアス回路を提
供するものである。
一般に一定電圧からトランジスタのエミツタを
定電圧源とする回路を構成するには、第１図に示
す如く基準電圧源２および相補極性のトランジス
タ１とトランジスタ４を用いて構成する。なお、
３と５は電流供給源たとえば電流源である。この
ときのトランジスタ１およびトランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧を、それぞれVBE1，VBE4と
すると、トランジスタ４のエミツタの電圧値VE4
は、式(1)で表わされる。
定電圧源とする回路を構成するには、第１図に示
す如く基準電圧源２および相補極性のトランジス
タ１とトランジスタ４を用いて構成する。なお、
３と５は電流供給源たとえば電流源である。この
ときのトランジスタ１およびトランジスタ４のベ
ース・エミツタ間電圧を、それぞれVBE1，VBE4と
すると、トランジスタ４のエミツタの電圧値VE4
は、式(1)で表わされる。
VE4＝VB＋VBE1−VBE4 ……(1)
ただし、VBは第１図基準電圧源２の電圧値で
ある。
ある。
しかしながら、一般にトランジスタのベース・
エミツタ間の電圧値とその温度に対する変化割合
は、トランジスタの種類により相異なり、その差
はトランジスタの製造過程の条件により一定せ
ず、式(1)の値が安定しない。
エミツタ間の電圧値とその温度に対する変化割合
は、トランジスタの種類により相異なり、その差
はトランジスタの製造過程の条件により一定せ
ず、式(1)の値が安定しない。
本発明は、上記の欠点を除去したものである。
以下に第２図を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明を行う。第２図は、本発明のバイアス
回路の構成を示す図であり、第１図で示した回路
に対して、トランジスタ１と同極性のトランジス
タのコレクタ・ベース間を短絡したダイオード接
続体７とトランジスタ４と同極性のトランジスタ
のコレクタ・ベース間を短絡したダイオード接続
体６および定電流源８を付加して構成されてい
る。
ついて説明を行う。第２図は、本発明のバイアス
回路の構成を示す図であり、第１図で示した回路
に対して、トランジスタ１と同極性のトランジス
タのコレクタ・ベース間を短絡したダイオード接
続体７とトランジスタ４と同極性のトランジスタ
のコレクタ・ベース間を短絡したダイオード接続
体６および定電流源８を付加して構成されてい
る。
第２図のバイアス回路ではトランジスタ４のエ
ミツタの電圧値VE4は式(2)で表わされる。
ミツタの電圧値VE4は式(2)で表わされる。
VE4＝VB＋VBE1＋VBE6−VBE7−VBE4 ……(2)
ただし、VBE1はトランジスタ１のベース・エミ
ツタ間電圧、VBE6はダイオード接続体６のベー
ス・エミツタ間電圧、VBE7はダイオード接続体７
のベース・エミツタ間電圧、VBE4はトランジスタ
４のベースエミツタ間電圧である。
ツタ間電圧、VBE6はダイオード接続体６のベー
ス・エミツタ間電圧、VBE7はダイオード接続体７
のベース・エミツタ間電圧、VBE4はトランジスタ
４のベースエミツタ間電圧である。
ここで、、トランジスタのベース・エミツタ間
電圧VBEは式(3)で表わされる。
電圧VBEは式(3)で表わされる。
VBE＝kT／ｑlnIE／IS ……(3)
ただし、ｋはボルツマン定数、ｑは電子の電荷
量、Ｔは絶対温度、ISはトランジスタの逆方向飽
和電流、IEはトランジスタのエミツタの電流値で
ある。
量、Ｔは絶対温度、ISはトランジスタの逆方向飽
和電流、IEはトランジスタのエミツタの電流値で
ある。
式(2)および(3)より式(4)が得られる。
VE4＝VB＋kT／ｑlnIE1・IE6・IS7・IS4／IS1・IS6・I
E7・IE4……(4) ただし、IE1，IS1はトランジスタ１の、IE6，IS6
はトランジスタ６の、IE7，IS7はトランジスタ７
の、IE4，IS4はトランジスタ４のエミツタ電流と
逆方向飽和電流である。
E7・IE4……(4) ただし、IE1，IS1はトランジスタ１の、IE6，IS6
はトランジスタ６の、IE7，IS7はトランジスタ７
の、IE4，IS4はトランジスタ４のエミツタ電流と
逆方向飽和電流である。
一般に集積回路素子では同一基板内へ複数のト
ランジスタが作り込まれており、したがつて各ト
ランジスタの逆方向飽和電流は、同極性で、かつ
同一寸法であればほぼ同じとみなせる。
ランジスタが作り込まれており、したがつて各ト
ランジスタの逆方向飽和電流は、同極性で、かつ
同一寸法であればほぼ同じとみなせる。
よつて、第２図のトランジスタ１，４、ダイオ
ード接続体６，７のエミツタ電流IE1，IE4，IE6，
IE7の間に式(5)が満されるように電流源３，８，
５の値を選び、さらにトランジスタ１とダイオー
ド接続体７ならびにトランジスタ４とダイオード
接続体６をそれぞれ同極性で同一寸法で構成すれ
ば式(6)，(7)が成立する。
ード接続体６，７のエミツタ電流IE1，IE4，IE6，
IE7の間に式(5)が満されるように電流源３，８，
５の値を選び、さらにトランジスタ１とダイオー
ド接続体７ならびにトランジスタ４とダイオード
接続体６をそれぞれ同極性で同一寸法で構成すれ
ば式(6)，(7)が成立する。
IE4・IE7／IE6・IE1＝１ ……(5)
IS1＝IS7 ……(6)
IS4＝IS6 ……(7)
ここで、式(4)に式(5)，(6)，(7)を用いれば、式(8)
となる。
となる。
VE4＝VB ……(8)
以上述べたように、式(5)，(6)，(7)が完全に満足
されれば、トランジスタ４のエミツタの電圧値
は、式(8)に示すごとく一定になり従来の回路の欠
点であつたベースエミツタ間電圧VBEの影響を除
去することができる。
されれば、トランジスタ４のエミツタの電圧値
は、式(8)に示すごとく一定になり従来の回路の欠
点であつたベースエミツタ間電圧VBEの影響を除
去することができる。
また、式(4)の第２項に対数であるので、式(5)，
(6)，(7)が完全に成立せずにたとえば式(9)のごとく
になつても式(10)に示すように、式(4)の第２項は、
0.0068V程度となる。
(6)，(7)が完全に成立せずにたとえば式(9)のごとく
になつても式(10)に示すように、式(4)の第２項は、
0.0068V程度となる。
IE1・IE6・IS7・IS4／IS1・IS6・IE7・IE4＝1.3……(
9) kT／ｑlnIE1・IE6・IS7・IS4／IS1・IS6・IE7・IE4＝
0.0068……(10) ただし、絶対温度を300Kとした。
9) kT／ｑlnIE1・IE6・IS7・IS4／IS1・IS6・IE7・IE4＝
0.0068……(10) ただし、絶対温度を300Kとした。
なお、第２図の回路では、電流供給源として電
流源３，５，８を用いたがこれらを抵抗器に置き
換えてもよい。
流源３，５，８を用いたがこれらを抵抗器に置き
換えてもよい。
また、第３図のように、PNP形トランジスタ
のかわりにNPN形トランジスタを、NPN形トラ
ンジスタのかわりにNPN形トランジスタを使用
できることは、もちろんである。
のかわりにNPN形トランジスタを、NPN形トラ
ンジスタのかわりにNPN形トランジスタを使用
できることは、もちろんである。
PNP形トランジスタとNPN形トランジスタの
ベース・エミツタ間電圧の差は、製造上±0.1V
以上になることもあり、従来のバイアス回路では
温度変化ならびに製造上のバラツキに対して安定
性を確保できない大きな欠点を有していた。一
方、本発明のバイアス回路では、第２図で示した
電流源３，５，８の値が完全に式(5)を満足しなく
ても、温度が変化することに対してあるいは
PNP形、NPN形トランジスタそれぞれのベー
ス・エミツタ間電圧が相異なることに対してトラ
ンジスタ４のエミツタ電圧値は安定化されてい
る。すなわち従来のバイアス回路では式(1)にベー
ス・エミツタ間電圧の項が含まれていたのである
が、本発明のバイアス回路では式(8)のようにベー
ス・エミツタ間電圧項が消去されているために、
ベース・エミツタ間電圧に依存する回路特性のバ
ラツキ、変動要因が著しく少なくなり、その効果
は大きい。
ベース・エミツタ間電圧の差は、製造上±0.1V
以上になることもあり、従来のバイアス回路では
温度変化ならびに製造上のバラツキに対して安定
性を確保できない大きな欠点を有していた。一
方、本発明のバイアス回路では、第２図で示した
電流源３，５，８の値が完全に式(5)を満足しなく
ても、温度が変化することに対してあるいは
PNP形、NPN形トランジスタそれぞれのベー
ス・エミツタ間電圧が相異なることに対してトラ
ンジスタ４のエミツタ電圧値は安定化されてい
る。すなわち従来のバイアス回路では式(1)にベー
ス・エミツタ間電圧の項が含まれていたのである
が、本発明のバイアス回路では式(8)のようにベー
ス・エミツタ間電圧項が消去されているために、
ベース・エミツタ間電圧に依存する回路特性のバ
ラツキ、変動要因が著しく少なくなり、その効果
は大きい。
第１図は従来のバイアス回路の一例図、第２
図、第３図は本発明の実施例のバイアス回路図で
ある。 １，４……トランジスタ、２……電圧源、３，
５，８……電流源、６，７……トランジスタのダ
イオード接続体。
図、第３図は本発明の実施例のバイアス回路図で
ある。 １，４……トランジスタ、２……電圧源、３，
５，８……電流源、６，７……トランジスタのダ
イオード接続体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一定電位の電源を第１トランジスタのベース
に接続し、同第１トランジスタのエミツタをこれ
とは逆極性のトランジスタで形成した第１ダイオ
ード接続体を介して第１エミツタ電流発生手段に
接続し、前記第１ダイオード接続体と第１電流供
給源との接続点に１端が接続され、前記第１トラ
ンジスタと同極性のトランジスタで形成した第２
ダイオード接続体の他端を前記第１トランジスタ
とは逆極性の第２トランジスタのベースおよび第
２電流供給源に接続し、前記第２トランジスタの
エミツタに第３電流供給源を接続してなり、前記
第２トランジスタのエミツタを定電圧発生点とし
たことを特徴とするバイアス回路。 ２ 電流供給源が抵抗で構成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載のバイアス
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56007718A JPS57121307A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Bias circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56007718A JPS57121307A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Bias circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57121307A JPS57121307A (en) | 1982-07-28 |
| JPH0325963B2 true JPH0325963B2 (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=11673505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56007718A Granted JPS57121307A (en) | 1981-01-20 | 1981-01-20 | Bias circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57121307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147666B2 (en) | 2009-05-14 | 2015-09-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5526790A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Emitter follower circuit |
-
1981
- 1981-01-20 JP JP56007718A patent/JPS57121307A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9147666B2 (en) | 2009-05-14 | 2015-09-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57121307A (en) | 1982-07-28 |
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