JPH02133939A - 多層配線形成法 - Google Patents
多層配線形成法Info
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- JPH02133939A JPH02133939A JP28724688A JP28724688A JPH02133939A JP H02133939 A JPH02133939 A JP H02133939A JP 28724688 A JP28724688 A JP 28724688A JP 28724688 A JP28724688 A JP 28724688A JP H02133939 A JPH02133939 A JP H02133939A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、集植回路装置等の製造に用いられる多層配
線形成法に関し、特にコンタクト孔内のアルミナ膜を除
去する技術に関するものである。
線形成法に関し、特にコンタクト孔内のアルミナ膜を除
去する技術に関するものである。
［発明の概要コ
この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に生じ
たアルミナ膜をアルカリ現像液で除去した後２層目配線
を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものであ
る。
たアルミナ膜をアルカリ現像液で除去した後２層目配線
を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものであ
る。
［従来の技術］
従来、多層配線形成法としては、１層目配線をおおう層
間絶縁膜にレジスト層をマスクとする選択エツチング処
理によりコンタクト孔を設けた後、レジスト層を酸素プ
ラズマにより灰化して除去してからコンタクト孔を介し
て１層目配線にオーミック接触する２層目配線を形成す
る方法が知られている。
間絶縁膜にレジスト層をマスクとする選択エツチング処
理によりコンタクト孔を設けた後、レジスト層を酸素プ
ラズマにより灰化して除去してからコンタクト孔を介し
て１層目配線にオーミック接触する２層目配線を形成す
る方法が知られている。
このような方法にあっては、１層目配線の材料としてＡ
ｎ又はＡ１合金を用いた場合、酸素プラズマによるレジ
スト沃化の過程でコンタクト孔内の配線表面に電気絶縁
性のアルミナ膜（ＡＭ酸化膜）が形成される。また、こ
のようなアルミナ膜は、コンタクト孔内の配線表面が空
気に接触することによっても生ずる。そこで、従来は、
２層目配線形成のためにスパッタ法等で金属を堆積する
前に逆スパツタ処理によりコンタクト孔内のアルミナ膜
を除去していた。
ｎ又はＡ１合金を用いた場合、酸素プラズマによるレジ
スト沃化の過程でコンタクト孔内の配線表面に電気絶縁
性のアルミナ膜（ＡＭ酸化膜）が形成される。また、こ
のようなアルミナ膜は、コンタクト孔内の配線表面が空
気に接触することによっても生ずる。そこで、従来は、
２層目配線形成のためにスパッタ法等で金属を堆積する
前に逆スパツタ処理によりコンタクト孔内のアルミナ膜
を除去していた。
［発明が解決しようとする課題］
上記した従来技術によると、開口サイズが約１．５μｍ
以下の微細なコンタクト孔においては、逆スパツタ処理
だけではアルミナ膜を十分に除去できず、２層目配線の
１層目配線に対する接触抵抗が高くなるという問題点が
あった。
以下の微細なコンタクト孔においては、逆スパツタ処理
だけではアルミナ膜を十分に除去できず、２層目配線の
１層目配線に対する接触抵抗が高くなるという問題点が
あった。
この発明の目的は、簡単な方法でアルミナ膜を除去する
ことにより接触抵抗の低減を図ることにある。
ことにより接触抵抗の低減を図ることにある。
［課題を解決するための手段］
この発明による多層配線形成法は、コンタクト孔内のア
ルミナ膜をアルカリ現像液に接触させて除去することを
特徴とするものである。
ルミナ膜をアルカリ現像液に接触させて除去することを
特徴とするものである。
アルカリ現像液としては、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・
アンモニウム・ハイドロオキサイド）、コリン等の有機
アルカリ現像液が好適であるが、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等であってもよい。
アンモニウム・ハイドロオキサイド）、コリン等の有機
アルカリ現像液が好適であるが、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等であってもよい。
［作 用］
この発明の方法によれば、コンタクト孔内のアルミナ膜
を十分に除去することができ、接触抵抗の低減が可能と
なる。
を十分に除去することができ、接触抵抗の低減が可能と
なる。
［実施例］
第１図乃至第３図は、この発明の一実施例による多層配
線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）
〜（３）を順次に説明する。
線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程（１）
〜（３）を順次に説明する。
（１）シリコン等の半導体基板ｌＯの表面をおおうシリ
コンオキサイド等の絶１＆膜１２の上にＡｎ又はＡＪＩ
合金（例えばＡｎ−３ｉ合金）からなる第１配線層１４
を公知の方法で形成した後、絶縁膜１２上に第１配線層
】４をおおってＰＳＧ （リンケイ醜ガラス）等からな
る層間絶縁膜１６をＣＶＤ （ケミカル・ペーパー・デ
ポジション）法等により形成する。そして１層間絶縁膜
１６上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部
を有するレジスト層１８を形成した後、このレジスト層
１８をマスクとして層間絶縁膜１６を選択的にエッチし
て第１配線層１４の一部を露呈するコンタクト孔１１１
Ａを形成する。この後、酸素プラズマによりレジスト層
Ｉ８を灰化して除去する。このとき、コンタクト孔１８
Ａ内で第１配線層１４の露呈部には、アルミナ膜２０が
形成される。
コンオキサイド等の絶１＆膜１２の上にＡｎ又はＡＪＩ
合金（例えばＡｎ−３ｉ合金）からなる第１配線層１４
を公知の方法で形成した後、絶縁膜１２上に第１配線層
】４をおおってＰＳＧ （リンケイ醜ガラス）等からな
る層間絶縁膜１６をＣＶＤ （ケミカル・ペーパー・デ
ポジション）法等により形成する。そして１層間絶縁膜
１６上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部
を有するレジスト層１８を形成した後、このレジスト層
１８をマスクとして層間絶縁膜１６を選択的にエッチし
て第１配線層１４の一部を露呈するコンタクト孔１１１
Ａを形成する。この後、酸素プラズマによりレジスト層
Ｉ８を灰化して除去する。このとき、コンタクト孔１８
Ａ内で第１配線層１４の露呈部には、アルミナ膜２０が
形成される。
（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立っ
て、半導体基板１０をＴＭＡＨ液に浸漬することにより
アルミナ＠２０をＴＭＡＨ液に接触させる。この結果、
アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗
浄（リンス）、乾燥等の処理を行なう。
て、半導体基板１０をＴＭＡＨ液に浸漬することにより
アルミナ＠２０をＴＭＡＨ液に接触させる。この結果、
アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗
浄（リンス）、乾燥等の処理を行なう。
（３）次に、基板上面に例えばスパッタ法により第２配
線形成用の金属を堆積し、適宜パターニングすることに
より第２配線層２２を形成する。この第２配線層２２は
、第２図の工程でコンタクト孔＋８Ａ内のアルミナ膜２
ｏをすべて除去したので、第１配線層１４と良好にオー
ミック接触するようになる。
線形成用の金属を堆積し、適宜パターニングすることに
より第２配線層２２を形成する。この第２配線層２２は
、第２図の工程でコンタクト孔＋８Ａ内のアルミナ膜２
ｏをすべて除去したので、第１配線層１４と良好にオー
ミック接触するようになる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、アルカリ現像液を用
いて簡単にコンタクト孔内のアルミナ膜を除去すること
ができ、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効
果が得られるものである。
いて簡単にコンタクト孔内のアルミナ膜を除去すること
ができ、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効
果が得られるものである。
第１図乃至第３図は、この発明の一実施例による多層配
線形成法を示す基板断面図である。 １０・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１４・・・
第１配線層、 １Ｂ・・・層間絶縁膜、 １８・・・レジスト層、 ２０・・・アルミナ膜、 ２２・・・第２配線層。
線形成法を示す基板断面図である。 １０・・・半導体基板、１２・・・絶縁膜、１４・・・
第１配線層、 １Ｂ・・・層間絶縁膜、 １８・・・レジスト層、 ２０・・・アルミナ膜、 ２２・・・第２配線層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）第１の配線層をおおって層間絶縁膜を形成する工
程と、 （ｂ）前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パター
ンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程
と、 （ｃ）前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を
選択的にエッチすることにより前記第１の配線層の一部
を露呈するコンタクト孔を形成する工程と、 （ｄ）前記レジスト層を除去する工程と、 （ｅ）前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部
に生じたアルミナ膜を除去する工程と、（ｆ）前記アル
ミナ膜の除去後に前記コンタクト孔を介して前記第１の
配線層とオーミック接触する第２の配線層を形成する工
程と を含む多層配線形成法において、 前記（ｅ）工程では、前記アルミナ膜をアルカリ現像液
に接触させて除去することを特徴とする多層配線形成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287246A JP2743409B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 多層配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63287246A JP2743409B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 多層配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133939A true JPH02133939A (ja) | 1990-05-23 |
| JP2743409B2 JP2743409B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=17714923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63287246A Expired - Lifetime JP2743409B2 (ja) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | 多層配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743409B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153879A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110034016A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片正面铝层可焊化方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527625A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Sharp Corp | Oxide film etching method |
| JPS582046A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Nec Corp | 配線方法 |
| JPS5871628A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP63287246A patent/JP2743409B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527625A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Sharp Corp | Oxide film etching method |
| JPS582046A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Nec Corp | 配線方法 |
| JPS5871628A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015153879A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN110034016A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-07-19 | 华中科技大学 | 一种半导体芯片正面铝层可焊化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2743409B2 (ja) | 1998-04-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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