JPH03265149A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03265149A JP2062789A JP6278990A JPH03265149A JP H03265149 A JPH03265149 A JP H03265149A JP 2062789 A JP2062789 A JP 2062789A JP 6278990 A JP6278990 A JP 6278990A JP H03265149 A JPH03265149 A JP H03265149A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、外囲器の組立におけるワイヤボンディング
を改良した半導体装置に関する。
（従来の技術） 近年、出力回路等に用いられて大電力を取り扱うパワー
素子と微少な電流を取り扱う信号処理用の集積回路を、
１つの半導体チップ上に形成した集積回路が製造される
ようになってきている。
このような集積回路において、パワーＭＯ５ＦＥＴやパ
ワー・バイパーラトランジスタ等のパワー素子を用いて
構成される電力部では、数アンペア以上の大電流を取り
扱うことになる。このため、電力部から外部に電力を取
り出すために、従来ではパワ一部のワイヤボンディング
に多点ボンディング法が用いられている。
多点ボンディング法を適用した一例としては、例えば第
２図に示すように、リードフレームのダイパッド１に搭
載されたチップ２の信号処理部２ａにおいては、信号処
理部２ａ内のパッド３ａとインナーリード４が、−射的
に用いられている例えば径が２５〜５０μ順程度のＡｕ
（金）線やＣＵ（銅）線等のボンディングワイヤ５を介
して結線されている。これに対して、チップ２のパワー
部２ｂでは、パワ一部２ｂ内の電力出力用の１つのパッ
ド３ｂと１本のインナーリード４が、信号処理部２ａで
用いられているボンディングワイヤ５と同径のボンディ
ングワイヤ５を複数本（第２図にあっては３本）用いて
結線されている。
このように、チップ２のパワ一部２ｂにあっては、信号
処理部２ａで用いられている太さのボンディングワイヤ
が１本では電流容量が不足するため、ボンディングワイ
ヤの複数本化によって、電流容量を満足させるようにし
ている。
しかしながら、このような多点ボンディングにあっては
、ボンディングワイヤを接合部に案内するキャピラリの
大きさにより、パッド面積に対するボンディング可能な
ワイヤの本数は限られる。
例えば、５０μ厘径のボンディングワイヤでは、ＩＸＢ
■１２程度の面積のパッドに３〜４本以上はボンディン
グできない。
このため、パワ一部から取り出される電流は、取り出し
パッドに接合できるボンディングワイヤの本数すなわち
ポンディングパッドの面積に制約されることになる。し
たがって、パワ一部の性能を有効最大限に引出すことが
困難となる。
また、多点ボンディングにあっては、比較的狭い範囲に
ワイヤが集中するため、ワイヤ間での短絡が生じ易くな
るとともに、この短絡により電流が集中し、ワイヤが溶
断されるといった不良が生じ易くなる。
さらに、共通のパッドに接合される各々のワイヤの長さ
や各々のワイヤのパワ一部での接合位置の相違により、
電流の引出し量にアンバランスが生じたり、パワ一部の
全領域内での電力消費バランズが崩れたりして、パワ一
部の特性が損なわれるおそれがあった。
（発明が解決しようとする課題） 以上説明したように、１チツプに信号処理用の回路と電
力用の回路が集積化された従来の半導体装置にあっては
、電力用の回路に多点ボンディングが用いられていた。
このため、電力用回路において、その特性を十分に発揮
することが困難になるとともに、信頼性の低下を招くお
それがあった。
そこで、この発明は、上記に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、信頼性の低下を招くことな
く、本来装置が有している電気的特性を十分かつ有効に
発揮させることができる半導体装置を提供することにあ
る。
［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明は、１つのチップ
上に材質の異なるボンディングワイヤを結線して構成さ
れる。
（作用） 上記構成において、この発明は、信頼性の低下及びコス
トの上昇を招くことなく、電力引出用のパッドに他のパ
ッドに結線されたボンディングワイヤよりも太いボンデ
ィングワイヤを結線するようにしている。
（実施例） 以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置の構成
を示す図である。
第１図において、リードフレームのダイパッド１１にマ
ウントされた半導体チップ１２は、バイポーラトランジ
スタと０ＭＯ５ＦＥＴとからなる信号処理部１２ａと、
パワーＭＯＳＦＥＴからなるパワ一部１２ｂとで構成さ
れている。
信号処理部１２ａは、それぞれのポンディングパッド１
３ｇとインナーリード１４が、３８μ口径程度の太さの
Ａｕからなるボンディングワイヤ１５を介してそれぞれ
結線されている。
パワ一部１２ｂは、例えばソース／ドレイン耐圧値が６
０Ｖ以上、連続出力可能な電流値が４Ａ程度、オン抵抗
値が０．２２Ω程度以下の特性を有するパワーＭＯ３Ｆ
ＥＴからなる。このパワーＭＯ３ＦＥＴの出力端となる
ポンディングパッド１３ａは、２５０μ圓径程度の太さ
のＡＩＬからなるボンディングワイヤ１６を介してイン
ナーリード１４と結線されている。
信号処理部１２ａにおけるワイヤボンディングは、−射
的に用いられているポールボンディング法を使用してい
る。一方、パワ一部１２ｂにおけるワイヤボンディング
では、超音波ボンディング法を用いており、このボンデ
ィング法により比較的太いワイヤのボンディングを可能
にしている。
このように、信号処理部１２ａとパワ一部１２ｂとで使
用されるボンディング法が異なるが、それぞれのボンデ
ィング法は従来から一般的に用いられているため、それ
ぞれのボンディング法を行なう組立装置を順に用いるこ
とにより実施することが可能となる。また、それぞれの
ボンディング組立装置を一体化することにより、生産性
の低下を招くことなくワイヤボンディングの作業工程を
実施することが可能となる。
このような構成においては、ボンディングワイヤの径が
従来から用いられているボンディングワイヤの径に比し
てかなり太いため、パワーＭＯ３ＦＥＴの連続出力電流
値を１本のボンディングワイヤで十分に流すことが可能
となる。また、パワーＭＯ３ＦＥＴの最大出力電流値が
連続出力電流値の２倍の８Ａ程度とすると、２５０μｍ
径の１本のボンディングワイヤでこの値を許容すること
ができる。
これに対して、従来から一般的に用いられている例えば
５０μｍ径のボンディングワイヤにあっては、１本の電
流容量が２〜３Ａ程度で６Ａ程度の電流で溶断されてし
まう。このため、上述したパワーＭＯ５ＦＥＴの連続出
力電流及び最大出力電流を許容するためには、少なくと
も３本以上のボンディングワイヤが必要となる。
また、２５０μ駈径のボンディングワイヤの接合に必要
なボンディング領域は、５０ａ口径のボンディングワイ
ヤを３本接合するに必要なボンディング領域に比して、
かなり縮少することが可能となる。
したがって、この発明による上記実施例にあっては、小
さな占有面積のポンディングパッドに比較的太い径のボ
ンディングワイヤを結線するようにしているので、限ら
れた面積のポンディングパッドから従来に比してより多
くの電流を取り出すことが可能となり、パワ一部の特性
を十分に引き出すことができるようになる。
また、１ケ所のパッドから引出されるボンディングワイ
ヤを１本にすることにより、ボンディングワイヤの開放
不良や短絡不良が防止され、信頼性が向上する。さらに
、ボンディングワイヤの長さやパワーＭＯＳＦＥＴとの
接合位置の相違に寄因した出力電流のアンバランスやパ
ワーＭＯ６ＦＥＴの占有面積に対する消費電力のアンバ
ランスも解消され、パワーＭＯＳＦＥＴの特性劣化が抑
制される。
一方、ボンディングワイヤにＡｕ線を用いているので、
ワイヤの径を太くしても、同径のＡｕ線に比べてチップ
に損傷を与えることなくボンディングを行なうことが可
能となる。さらに、ボンディングワイヤにＡｕ線を用い
る場合に比して、コストを大幅に低減することが可能と
なる。
なお、この発明は、上記実施例に限ることはなく、例え
ば１つのチップが信号処理用の回路と電力用の回路とで
構成されていなくとも、１チツプに微少な電流が入出力
するパッドと大電力を取り出すための出力パッドを有す
る集積回路であっても適用できることは勿論である。
また、上記実施例における信号処理部１２ａに使用され
るボンディングワイヤの材質は、Ａｕでなくとも例えば
ＣｕやＡｇ　　（銀）、Ｐｄ（パラジウム）等であって
もかまわない。さらに、パワー部１２ｂに使用されるボ
ンディングワイヤの材質は、ＡＩＬの他に例えばＡＵを
含む合金であっても良い。
［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、材質の異なる
ボンディングワイヤでもって１つのチップと外部とを結
線するようにしたので、信頼性の低下及びコストの上昇
を招くことなく、電力引出し用のパッドに太いポンデイ
、ングワイヤを結線することが可能となる。これにより
、本来半導体装置が有している電気的特性を十分かつ有
効に発揮させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体装置の構成
を示す図、第２図は従来の多点ボンディングを用いた半
導体装置の構成を示す図である。 １．１１・・・ダイパッド ２．１２・・・半導体チップ ３ａ、３ｂ、１３ａ、　　１３ｂ−・・ポンディングパ
ッド ４．１４・・・インナーリード

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １つのチップ上に材質の異なるボンディングワイヤを結
    線してなることを特徴とする半導体装置。
JP2062789A 1990-03-15 1990-03-15 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0760839B2 (ja)

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JP2062789A JPH0760839B2 (ja) 1990-03-15 1990-03-15 半導体装置
US07/668,024 US5173762A (en) 1990-03-15 1991-03-12 Semiconductor device using bonding wires of different materials
KR1019910004027A KR910017604A (ko) 1990-03-15 1991-03-14 반도체장치
DE69119946T DE69119946T2 (de) 1990-03-15 1991-03-15 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien
EP91104006A EP0446937B1 (en) 1990-03-15 1991-03-15 Method of manufacturing a semiconductor device using bonding wires of different material
KR2019950021529U KR960000464Y1 (ko) 1990-03-15 1995-08-21 반도체장치(a semiconductor device)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2062789A JPH0760839B2 (ja) 1990-03-15 1990-03-15 半導体装置

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JPH03265149A true JPH03265149A (ja) 1991-11-26
JPH0760839B2 JPH0760839B2 (ja) 1995-06-28

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EP (1) EP0446937B1 (ja)
JP (1) JPH0760839B2 (ja)
KR (2) KR910017604A (ja)
DE (1) DE69119946T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008187151A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Toyota Motor Corp 半導体装置とその製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644281A (en) * 1992-04-07 1997-07-01 Rohm Co., Ltd. Electronic component incorporating solder fuse wire
JP3459291B2 (ja) * 1993-09-21 2003-10-20 ローム株式会社 半導体チップを備えた電子部品
JPH06216307A (ja) * 1993-01-13 1994-08-05 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JP2807396B2 (ja) * 1993-05-25 1998-10-08 ローム株式会社 半導体装置
US5530284A (en) * 1995-03-06 1996-06-25 Motorola, Inc. Semiconductor leadframe structure compatible with differing bond wire materials
US6534878B1 (en) * 1996-11-11 2003-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Optimizing the power connection between chip and circuit board for a power switch
DE29924183U1 (de) 1998-05-05 2002-03-28 International Rectifier Corp., El Segundo, Calif. Gehäuse und Leitungsrahmen für ein Halbleiterbauelement hoher Stromleitfähigkeit, mit großflächigen Verbindungsschlüssen und veränderter Form
US6476481B2 (en) 1998-05-05 2002-11-05 International Rectifier Corporation High current capacity semiconductor device package and lead frame with large area connection posts and modified outline
US20030155635A1 (en) * 2002-02-21 2003-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, method for designing the same and recording medium that can be read by computer in which program for designing semiconductor device is recorded
TW586203B (en) * 2002-11-04 2004-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same
JP2004281887A (ja) * 2003-03-18 2004-10-07 Himeji Toshiba Ep Corp リードフレーム及びそれを用いた電子部品
DE102005016830A1 (de) * 2004-04-14 2005-11-03 Denso Corp., Kariya Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US8125060B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-28 Infineon Technologies Ag Electronic component with layered frame
US8237268B2 (en) 2007-03-20 2012-08-07 Infineon Technologies Ag Module comprising a semiconductor chip
JP5192163B2 (ja) * 2007-03-23 2013-05-08 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
US8546904B2 (en) * 2011-07-11 2013-10-01 Transcend Information, Inc. Integrated circuit with temperature increasing element and electronic system having the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51129063U (ja) * 1975-04-02 1976-10-18
JPS5821351A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1478393A (en) * 1975-08-12 1977-06-29 Ferranti Ltd Methods of manufacturing semiconductor devices
US4845543A (en) * 1983-09-28 1989-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPS6396947A (ja) * 1986-10-13 1988-04-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
EP0288776A3 (en) * 1987-04-28 1989-03-22 Texas Instruments Incorporated Gold alloy wire connection to copper doped aluminum semiconductor circuit interconnection bonding pad
JPS6459947A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Toshiba Corp Semiconductor device
MY104152A (en) * 1988-08-12 1994-02-28 Mitsui Chemicals Inc Processes for producing semiconductor devices.
IT1233008B (it) * 1989-09-21 1992-03-14 Sgs Thomson Microelectronics Dispositivo integrato con connessioni perfezionate fra i terminali e la piastrina di materiale semiconduttore integrante componenti elettronici
JPH03157448A (ja) * 1989-11-15 1991-07-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51129063U (ja) * 1975-04-02 1976-10-18
JPS5821351A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008187151A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Toyota Motor Corp 半導体装置とその製造方法

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