JPH0786486A - リ−ドフレ−ム及びそのリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ベットを電位配線として用いることが可能なリ
−ドフレ−ムを提供し、そのリ−ドフレ−ムを用いた樹
脂封止型半導体装置を提供することである。 【構成】リ−ドフレ−ムはベット１１と複数のリ−ド１
２とからなり、メッキ処理領域１４にはメッキが施され
ている。但し、ベット１１から連続して成形されたベッ
トボンディン部１３を有するリ−ド１２においては、ベ
ット１１とベットボンディング部１３との間にメッキ処
理がなされない不連続部分を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にベットを一部の電位配線として利用する樹脂
封止型半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５により樹脂封止型半導体装置に使用
されるリ−ドフレ−ムの構造を説明する。リ−ドフレ−
ムは半導体素子（図示せず）が載置されるベット５１と
複数のリ−ド５２とからなり、それらは一枚の金属薄板
をエッチング加工もしくはプレス加工により、所望の形
状に成形されている。また、リ−ドフレ−ムは鉄ニッケ
ル合金（一般に４２％Ｎｉ合金）また銅合金で形成され
ており、半導体素子とリ−ド５２を接続する金属細線
（図示せず）との接合性を良くするため、ベット５１の
一部とリ−ド５２の先端部にはメッキ処理が施されてい
る。同図において、破線で囲まれたメッキ処理領域５３
（特に、ベット５１の一部及びリ−ド５２の先端部は霧
状に印付けられている）にメッキ処理がなされている。

【０００３】ところで、通常、半導体素子の内部には多
数の回路素子が形成されており、それら回路素子におい
て同電位が供給される複数の電極は、半導体素子内部で
配線処理が施され、上記複数の電極は一つのパッドに電
気的に接続している。しかしながら、半導体素子のサイ
ズに比して配線可能領域は狭く、また多層配線を施すに
も種々の制約がある。従って、上記複数の電極を全て一
つのパッドに接続するように配線処理を施すことが難し
いため、上記複数の電極が接続されるパッドが二つ以上
となる場合がある。

【０００４】上記のような供給される電位が同じパッド
が二つ以上有する半導体素子を樹脂封止する場合、図５
のような形状のリ−ドフレ−ムでは不可能である。なぜ
なら、同電位が供給される、例えば二つのパッドは配線
設計上一つに接続することが難しいのであるから、隣接
する可能性はほとんど無く、離れた位置に形成されてい
るからである。

【０００５】そこで、図６に示すようにベット５１を同
電位配線として利用するリ−ドフレ−ムが提案されてい
る。図５に示されるリ−ドフレ−ムと異なる部分は、一
部のリ−ド５２がベット５１と連続して成形されている
（丸印部分）である。ここで、ベット５１と連続するリ
−ド５２のワイヤボンディング部分をベットボンディン
グ部５４とする。同図のようなリ−ドフレ−ムを用いる
と、ベットボンディング部５４を有するリ−ド５２はベ
ット５１を介して電気的に接続しているため、離れた位
置に形成された二つのパッドに同電位を供給することが
可能である。

【０００６】半導体素子はポリマ−系接着材料を用いて
ベット５１に載置されている。ポリマ−系接着材料を用
いた方法の他に、半田を用いた方法があるが前記ポリマ
−系接着材料を用いた方法の方が一般的である。上記ポ
リマ−系接着材料には特性向上のために低粘度ポリマ−
が添加されている。

【０００７】そこで、問題となるのは、ポリマ−系接着
材料をベット５１のみ塗布したにもかかわらず、ベット
ボンディング部５４にまで低粘度ポリマ−成分が広がる
ことである。上記低粘度ポリマ−は金属表面、特にメッ
キ処理が施された表面に広がる性質がある。また、図６
に示されるように、メッキ処理領域５３にはベット５１
とベットボンディング部５４とを連続する部分も含まれ
ている。従って、ベット５１からベットボンディング部
５４にまで低粘度ポリマ−成分が広がる。そのため、ベ
ットボンディング部５４上に絶縁層が形成され、金属細
線とベットボンディング部５４の接合が不可能になる
か、表面的には接合しているようにみえるが接続強度が
非常に弱く、樹脂封止工程の時などに取れることがあ
る。

【０００８】更に、リ−ド５２表面が汚染されている事
となり耐湿性汚染を実施した場合において汚染成分が水
に溶けだし、金属細線を伝わって半導体素子表面に到達
し、悪影響を及ぼし不良発生の要因となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】半導体素子上のパッド
とリ−ドフレ−ムのリ−ドとを金属細線により良好に接
続するため、リ−ドフレ−ムのベットの一部とリ−ドの
先端部にメッキ処理を施している。また、半導体素子と
ベットとの接着をよくするため、低粘度ポリマ−を含む
ポリマ−系接着材料が用いられている。そこで、ベット
を一つの電位配線として利用したリ−ドフレ−ムにおい
て、低粘度ポリマ−成分がベットからベットと連続する
リ−ドへ広がり、上述のような問題が発生する。

【００１０】それ故に、本発明は、ベットに塗布される
ポリマ−系接着剤がベットと連続して成形されたリ−ド
に広がらことなく、ベットを電位配線として用いること
が可能なリ−ドフレ−ムを提供し、更に、そのリ−ドフ
レ−ムを用いた樹脂封止型半導体装置を提供することで
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明にかかるリ−ドフ
レ−ムは、一体成形されたベットと複数のリ−ドからな
り、上記複数のリ−ドは、上記ベットに連続して成形さ
れかつ金属細線が接続されるベットボンディング部を有
するリ−ドを含み、上記ベットと上記ベットボンディン
グ部との間を除いた上記ベットの一部と上記複数のリ−
ドの先端部にメッキ処理がなされている。

【００１２】また、上記リ−ドフレ−ムを用いて、同電
位が供給される二つ以上のパッドを有する半導体素子は
上記ベットにポリマ−系接着剤を介して載置され、上記
パッドはそれぞれ上記ベットボンディング部に金属細線
により接続され、樹脂封止され樹脂封止型半導体装置が
提供される。

【００１３】

【作用】上記ベットとベットボンディング部に至る間に
メッキ処理を施さない部分を設けることにより、上記ベ
ットに塗布されるポリマ−系接着剤に含まれる低粘度ポ
リマ−成分が上記ベットボンディング部に広がるのを防
ぐことができる。

【００１４】従って、半導体素子を載置する際に上記ベ
ットに塗布される上記ポリマ−系接着剤は上記ベットボ
ンディング部には広がらないため、上記ベットボンディ
ング部上に絶縁層が形成されないため上記金属細線と良
好にボンディングすることができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明によるリ−ドフレ−ムと及びそ
れを用いた樹脂封止型半導体装置を図面を参照して説明
する。先ず、リ−ドフレ−ムの構造を図１より説明す
る。リ−ドフレ−ムは半導体素子（図示せず）が載置さ
れるベット１１と複数のリ−ド１２とからなり、それら
は一枚の金属薄板をエッチング加工もしくはプレス加工
により、所望の形状に成形されている。但し、丸印部分
（２カ所）において、リ−ド１２ａはベット１１の一部
に連続して成形されている。ここで、これらベット１１
と連続するリ−ド１２において、金属細線（図示せず）
がボンディング部分をベットボンディング部１３とす
る。

【００１６】また、リ−ドフレ−ムは鉄ニッケル合金
（一般に４２％Ｎｉ合金）また銅合金で形成されてお
り、半導体素子とリ−ド１２を接続する金属細線（図示
せず）との接合性を良くするため、ベット１１の一部と
リ−ド１２の先端部にはメッキ処理が施されている。同
図において、破線で囲まれたメッキ処理領域１４（特
に、ベット１１の一部及びリ−ド１２の先端部は霧状に
印付けられている）にメッキ処理がなされている。但
し、丸印部分におけるメッキ処理領域１４において、ベ
ット１１とベットボンディング部１３との間にはメッキ
処理が施されていない。丸印部分を詳細に図２により説
明する。破線部分がメッキ処理が施されていないリ−ド
フレ−ムの素地金属領域１５である。素地金属領域１５
により、ベット１１とベットボンディング部１３との間
がメッキ処理が不連続となる。このようにメッキ処理を
施すことにより、ベット１１に塗布されるポリマ−系接
着剤のベットボンディング部１３への広がりを防ぐこと
ができる。

【００１７】このポリマ−系接着剤に含まれる低粘度ポ
リマ−成分は金属表面を広がっていく性質があり、低粘
度ポリマ−成分はメッキ処理部表面、またリ−ドフレ−
ムの素地金属の単一表面は非常に広がりやすい。しかし
ながら、メッキ処理領域１４と素地金属領域１５とが接
している際に、ポリマ−系接着剤を素地金属領域１５側
に塗布にした場合メッキ処理領域１４に広がるが、逆に
メッキ処理領域１４側に塗布した場合は素地金属領域１
５には広がらず、メッキ処理領域１４と素地金属領域１
５との境界部で止まる。それ故に、本発明によるリ−ド
フレ−ムではベットボンディング部１３にまで低粘度ポ
リマ−成分が広がることがない。

【００１８】次に、本発明のリ−ドフレ−ムを用いた樹
脂封止型半導体装置を図３乃至図４を用いて説明する。
半導体素子１６上には複数のパッド１７形成され、それ
ら複数のパッド１７は同電位が供給される二つ以上のパ
ッド１７ａを含む。このような半導体素子１６をベット
１１にポリマ−系接着剤（図４）１８を介して載置す
る。各パッドはリ−ド１２にそれぞれ金属細線１９によ
り電気的に接続される。金属細線１９が接続される各リ
−ド１２の先端部はメッキ処理が施されているため、金
属細線１９は良好に接続される。

【００１９】図４によれば、メッキ処理領域１４である
ベット１１の一部とベットボンディング部１３とを有す
るリ−ド１２ａとの間には素地金属領域１５が設けられ
ており、ベット１１に塗布されたポリマ−系接着剤１８
はベットボンディング部１３にまで広がることがない。
従って、ベットボンディング部１３上は絶縁層が形成さ
れることなく、メッキ処理がなされたベットボンディン
グ部１３と金属細線１９とは良好に接続される。

【００２０】また、ベットボンディング部１３表面は汚
染されていないため、汚染成分が金属細線１９を伝わっ
て半導体素子１６表面に到達することもなく非常に信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置となる。

【００２１】

【発明の効果】本発明によれば、半導体素子上に離れて
形成されたパッドに同電位を供給することが可能であ
る。また、金属細線とベットボンディング部とは良好に
接合し、樹脂封止をする際に取れることがない。更に、
金属細線を通じてポリマ−系接着剤が半導体素子表面に
到達することがないため、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるリ−ドフレ−ムを示す平面図であ
る。

【図２】図１中の丸印部分の拡大図である。

【図３】本発明のリ−ドフレ−ムを用いた樹脂封止型半
導体装置を模式的に示す平面図である。

【図４】図３中のＸ−Ｘ´断面を示す図である。

【図５】従来のリ−ドフレ−ムの構造を示す平面図であ
る。

【図６】従来の他のリ−ドフレ−ムの構造を示す平面図
である。

【符号の説明】

１１…ベット、１２…リ−ド、１３…ベットボンディン
グ部 １４…メッキ処理領域、１５…素地金属領域、１６…半
導体素子 １７…パッド、１８…ポリマ−系接着剤、１９…金属細
線

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子を載置するベットと、上記ベ
   ットに連続して成形され少なくとも二つ以上の第一リ−
   ドと、上記第一リ−ド以外の複数の第二リ−ドとからな
   り、上記ベットと上記第一リ−ド及び上記第二リ−ドと
   がメッキされたリ−ドフレ−ムにおいて、 上記第一リ−ドは金属細線と接合されるベットボンディ
   ング部を有し、上記ベットと上記ベットボンディン部と
   の間のメッキが不連続であることを特徴とするリ−ドフ
   レ−ム。
2. 【請求項２】 上記第一リ−ドは互いに上記ベットを介
   して電気的に接続しており、同電位を有することを特徴
   とする請求項１記載のリ−ドフレ−ム。
3. 【請求項３】 同一の電位が供給され少なくとも二つ以
   上のパッド電極と、他の固有の電位が供給される他のパ
   ッド電極とを有する半導体素子と、 上記半導体素子を載置するベットと、上記ベットに連続
   して成形され少なくとも二つ以上の第一リ−ドと、上記
   第一リ−ド以外の複数の第二リ−ドとからなり、上記第
   一リ−ドは金属細線と接合されるベットボンディング部
   と上記ベットボンディン部との間のメッキが不連続部分
   を有し、上記不連続部分を除き上記ベットと上記第一リ
   −ド及び上記第二リ−ドとがメッキされたリ−ドフレ−
   ムを備え、 上記半導体素子を載置するポリマ−系接着剤は、上記不
   連続部分に広がらず上記ベット上のみに塗布されること
   を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
4. 【請求項４】 上記パッド電極は上記金属配線により上
   記ベットボンディング部に電気的に接続され、上記全て
   のパッド電極は同一の電位が供給されることを特徴とす
   る請求項３記載の樹脂封止型半導体装置。