JPH03266430A - キャリア - Google Patents
キャリアInfo
- Publication number
- JPH03266430A JPH03266430A JP2065677A JP6567790A JPH03266430A JP H03266430 A JPH03266430 A JP H03266430A JP 2065677 A JP2065677 A JP 2065677A JP 6567790 A JP6567790 A JP 6567790A JP H03266430 A JPH03266430 A JP H03266430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- holes
- semiconductor wafers
- lapping
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハの両面ラッピング又は両面研磨に使用され
るキャリアに関し、 半導体ウェハにおけるラッピング又は研磨の加工精度を
向上させることを目的とし、 オリエンテーションフラットを有する円盤状の被加工物
を、所定数のホールにそれぞれ嵌入して、該被加工物の
両面を加工処理させるキャリアにおいて、前記ホールを
、前記オリエンテーションフラットに対応するフラット
部を有する円形状に形成するように構成する。
るキャリアに関し、 半導体ウェハにおけるラッピング又は研磨の加工精度を
向上させることを目的とし、 オリエンテーションフラットを有する円盤状の被加工物
を、所定数のホールにそれぞれ嵌入して、該被加工物の
両面を加工処理させるキャリアにおいて、前記ホールを
、前記オリエンテーションフラットに対応するフラット
部を有する円形状に形成するように構成する。
本発明は、￥導体ウェハの両面ラッピング又は両面研磨
に使用されるキャリアに関する。
に使用されるキャリアに関する。
半導体ウェハは、現在ＤＲＡＭ （Ｄｙｎａｓｉｃ
Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ ）等
に代表される半導体素子の基板であり、半導体素子が高
密度化するにつれて半導体ウェハの高い加工精度が要求
される。このため、半導体素子の各加エエ稈で精度を向
上させる必要がある。
Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ ）等
に代表される半導体素子の基板であり、半導体素子が高
密度化するにつれて半導体ウェハの高い加工精度が要求
される。このため、半導体素子の各加エエ稈で精度を向
上させる必要がある。
従来、半導体ウェハはスライシング、ラッピング、エツ
チング、研磨等の加工により作成される。
チング、研磨等の加工により作成される。
これら加工工程のうち、ラッピング及び研磨工程におい
て、半導体ウェハをキャリアにセットして両面をラッピ
ング及び研磨する場合がある。ここで、ラッピングとは
、パウダと加工液との混合液によりパウダの転がりで表
面を滑らかにする加工方法である。
て、半導体ウェハをキャリアにセットして両面をラッピ
ング及び研磨する場合がある。ここで、ラッピングとは
、パウダと加工液との混合液によりパウダの転がりで表
面を滑らかにする加工方法である。
第５図に、従来のキャリアの平面図を示す。第５図にお
いて、キャリア３０は、円盤３１の周囲に歯車３２が形
成されていると共に、円盤３１上に所定数（４個）のホ
ール３３１〜３３４が形成される。このホール３３１〜
３３４は加工される半導体ウェハを嵌入可能な円である
。また、キャリア３０の厚みは加工する半導体ウェハの
厚みにもよるが約３００〜６００μ−である。そして、
キャリア３０のホール３３１〜３３４のそれぞれに半導
体ウェハをそれぞれ嵌入して両面又は片面をラッピング
又は研磨するものである。この場合のラッピング又は研
磨は、ラップ定盤又は研磨定盤の回転と共に、該キャリ
ア３０を回転させて行われる。
いて、キャリア３０は、円盤３１の周囲に歯車３２が形
成されていると共に、円盤３１上に所定数（４個）のホ
ール３３１〜３３４が形成される。このホール３３１〜
３３４は加工される半導体ウェハを嵌入可能な円である
。また、キャリア３０の厚みは加工する半導体ウェハの
厚みにもよるが約３００〜６００μ−である。そして、
キャリア３０のホール３３１〜３３４のそれぞれに半導
体ウェハをそれぞれ嵌入して両面又は片面をラッピング
又は研磨するものである。この場合のラッピング又は研
磨は、ラップ定盤又は研磨定盤の回転と共に、該キャリ
ア３０を回転させて行われる。
この場合のラッピング又は研磨された半導体ウェハの厚
みばらつきの一例のグラフを第６図に示す。第６図から
も明らかなように、最大厚みと最小厚みの差（ＴＴＶ
Ｔｏｔａｌ Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ
）が２．５３μｍである。
みばらつきの一例のグラフを第６図に示す。第６図から
も明らかなように、最大厚みと最小厚みの差（ＴＴＶ
Ｔｏｔａｌ Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ
）が２．５３μｍである。
ところで、上述のように半導体ウェハはキャリア３０の
円形のホール３３に嵌入されているのみであることから
、ラッピング又は研磨中に、該半導体ウェハ自体が該ホ
ール３３内で不規則に回転する場合が多い。このため、
加工された半導体ウェハの平面がテーパ形状（前記２μ
ｌ）となる場合が多い。
円形のホール３３に嵌入されているのみであることから
、ラッピング又は研磨中に、該半導体ウェハ自体が該ホ
ール３３内で不規則に回転する場合が多い。このため、
加工された半導体ウェハの平面がテーパ形状（前記２μ
ｌ）となる場合が多い。
しかし、半導体素子の性能、例えばＤＲＡＭで４Ｍ、１
６Ｍ、６４Ｍビットと向上するにつれて、半導体ウェハ
の加工精度を上記ＴＴＶで１μ−以下とする必要があり
、従来のキャリアではＴＴＶで１μ■以下とすることが
困難であるという問題がある。
６Ｍ、６４Ｍビットと向上するにつれて、半導体ウェハ
の加工精度を上記ＴＴＶで１μ−以下とする必要があり
、従来のキャリアではＴＴＶで１μ■以下とすることが
困難であるという問題がある。
そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、半導
体ウェハにおけるラッピング又は研磨の加工精度を向上
させるキャリアを提供することを目的とする。
体ウェハにおけるラッピング又は研磨の加工精度を向上
させるキャリアを提供することを目的とする。
上記課題は、オリエンテーションフラットを有する円盤
状の被加工物を、所定数のホールにそれぞれ嵌入して、
該被加工物の両面を加工処理させるキャリアにおいて、
前記ホールを、前記オリエンテーションフラットに対応
するフラット部を有する円形状に形成することにより解
決される。
状の被加工物を、所定数のホールにそれぞれ嵌入して、
該被加工物の両面を加工処理させるキャリアにおいて、
前記ホールを、前記オリエンテーションフラットに対応
するフラット部を有する円形状に形成することにより解
決される。
ンテーションフラットは、半導体ウェハの円周のある部
分を所定の結晶方位の半径方向に対して垂直に削ってフ
ラットにして結晶方位を示したものである。
分を所定の結晶方位の半径方向に対して垂直に削ってフ
ラットにして結晶方位を示したものである。
このようなオリエンテーションフラットを有する被加工
物（半導体ウェハ）をキャリアにセットして、両面を加
工する場合、上述のように、所定数のオリエンテーショ
ンフラットに対応するフラット部を有する円形状のホー
ルにそれぞれ嵌入している。これにより、ラッピング又
は研磨等の加工処理に際して、キャリアのホール内で被
加工物が回転することがない。 従って、被加工物はキ
ャリアの自公転により強制的に加工等の定盤内を移動す
ることから、安定した加工処理がなされ、加工精度を向
上させることが可能となる。
物（半導体ウェハ）をキャリアにセットして、両面を加
工する場合、上述のように、所定数のオリエンテーショ
ンフラットに対応するフラット部を有する円形状のホー
ルにそれぞれ嵌入している。これにより、ラッピング又
は研磨等の加工処理に際して、キャリアのホール内で被
加工物が回転することがない。 従って、被加工物はキ
ャリアの自公転により強制的に加工等の定盤内を移動す
ることから、安定した加工処理がなされ、加工精度を向
上させることが可能となる。
一般に、例えばシリコン、ガリウム・ヒ素等の半導体ウ
ェハは、結晶の方位を示すためにオリエンテーションフ
ラットが形成される。このオリエ〔実施例〕 第１図に本発明の一実施例の構成図を示す。第１図にお
いて、キャリア１は、円盤２の周囲に歯車３が形成され
ると共に、円盤２に４個のホール４１〜４４が対象に形
成される。そして、ホール４１〜４４は円形形状であり
、円盤２の周囲方面に前述のオリエンテーションフラッ
トに対応するフラット部５１〜５４が形成されたもので
ある。
ェハは、結晶の方位を示すためにオリエンテーションフ
ラットが形成される。このオリエ〔実施例〕 第１図に本発明の一実施例の構成図を示す。第１図にお
いて、キャリア１は、円盤２の周囲に歯車３が形成され
ると共に、円盤２に４個のホール４１〜４４が対象に形
成される。そして、ホール４１〜４４は円形形状であり
、円盤２の周囲方面に前述のオリエンテーションフラッ
トに対応するフラット部５１〜５４が形成されたもので
ある。
これらホール４１〜４４にはオリエンテーションフラッ
トを有する被加工物である半導体ウェハ（図示せず）が
嵌入されるものであり、よってホール４１〜４４の大き
さは該半導体ウェハが嵌入可能な大きさのものである。
トを有する被加工物である半導体ウェハ（図示せず）が
嵌入されるものであり、よってホール４１〜４４の大き
さは該半導体ウェハが嵌入可能な大きさのものである。
ここで、例えば、半導体ウェハの厚さを６２５μｍとす
ると、キャリア１の厚さは４００〜５００μ−に設定さ
れる。
ると、キャリア１の厚さは４００〜５００μ−に設定さ
れる。
次に、第２図に、上記キャリア１を適用するラッピング
装置の概念図を示す。第２図のラッピング装置ｉ１０に
おいて、下側ラップ定盤１１上の中央に太陽ギア１２が
設けられており、その外周に内歯歯車のインターナルギ
アが設けられている。
装置の概念図を示す。第２図のラッピング装置ｉ１０に
おいて、下側ラップ定盤１１上の中央に太陽ギア１２が
設けられており、その外周に内歯歯車のインターナルギ
アが設けられている。
この太陽ギヤ１２及びインターナルギア１３に複数個（
第２図では３個）のキャリア１が歯合する。
第２図では３個）のキャリア１が歯合する。
そして、キャリア１のそれぞれのホール４１〜４４には
同形状のオリエンテーションフラットを有する半導体ウ
ェハ１４１〜１４４が嵌入され、下側ラップ定盤１１上
に載置される。該半導体ウェハ１４１〜１４４上に、図
示しないが上側ラップ定盤が位置する。
同形状のオリエンテーションフラットを有する半導体ウ
ェハ１４１〜１４４が嵌入され、下側ラップ定盤１１上
に載置される。該半導体ウェハ１４１〜１４４上に、図
示しないが上側ラップ定盤が位置する。
このようなラッピング装置１０は、例えば太陽ギア１２
が回転することにより、キャリア１がインターナルギア
１３に沿って回転（自公転）する。
が回転することにより、キャリア１がインターナルギア
１３に沿って回転（自公転）する。
これにより、下側及び上側の両ラップ定盤で該半導体ウ
ェハ１４１〜１４４の両面をラッピングするものである
。
ェハ１４１〜１４４の両面をラッピングするものである
。
このようにホール４１〜４４内で半導体ウェハ１４１〜
１４４が回転せず、キャリア１の自公転により強制的に
定盤内を移動することから、加工精度のよい半導体ウェ
ハを作成することができる。
１４４が回転せず、キャリア１の自公転により強制的に
定盤内を移動することから、加工精度のよい半導体ウェ
ハを作成することができる。
この場合、各キャリア１は、その厚みばらつきが小さい
ことが必要である。これは、キャリア１の厚みばらつき
により、ホール４１〜４４に嵌入された半導体ウェハ１
４１〜１４４に作用する圧力が変化し、この圧力変化が
半導体ウェハ１４１〜１４４の厚みばらつきとして表わ
れるからである。
ことが必要である。これは、キャリア１の厚みばらつき
により、ホール４１〜４４に嵌入された半導体ウェハ１
４１〜１４４に作用する圧力が変化し、この圧力変化が
半導体ウェハ１４１〜１４４の厚みばらつきとして表わ
れるからである。
次に、第３図に、従来と比較した実験例及び結果を示す
。第３図（Ａ）はキャリア２０に本発明におけるホール
４＋ 、４２と従来におけるホール３３＋ 、３３２と
を形成し、半導体ウェハを嵌入して第２図のように両面
ラッピングしたものである。この場合の厚み測定の結果
が第３図（Ｂ）に示される。第３図（Ｂ）において、従
来のホール３３＋ 、３３２内の半導体ウェハの厚みば
らつきはグラフＡで示され、本発明のホール４＋ 、４
２内の半導体ウェハの厚みばらつきがグラフＢにボされ
る。グラフからも明らかなように、グラフＡでのＴＴＶ
は１．９７μ園であり、グラフＢでのＴＴＶは０．８７
μ−である。
。第３図（Ａ）はキャリア２０に本発明におけるホール
４＋ 、４２と従来におけるホール３３＋ 、３３２と
を形成し、半導体ウェハを嵌入して第２図のように両面
ラッピングしたものである。この場合の厚み測定の結果
が第３図（Ｂ）に示される。第３図（Ｂ）において、従
来のホール３３＋ 、３３２内の半導体ウェハの厚みば
らつきはグラフＡで示され、本発明のホール４＋ 、４
２内の半導体ウェハの厚みばらつきがグラフＢにボされ
る。グラフからも明らかなように、グラフＡでのＴＴＶ
は１．９７μ園であり、グラフＢでのＴＴＶは０．８７
μ−である。
従って、本発明によれば本発明におけるホール４＋ 、
４２ （４１〜４４）を有するキャリア１ではＴＴＶ
で１μ−以下の加工精度が得られる。
４２ （４１〜４４）を有するキャリア１ではＴＴＶ
で１μ−以下の加工精度が得られる。
次に、第４図に本発明における他の実施例の構成図を示
す。第４図（Ａ）（Ｂ）はホール４１〜４４のフラット
部５１〜５４の位置を変えたちのである。すなわち、第
４図（Ａ）はフラット部５１〜５４を円盤２の中心に向
って位置するように形成し、第４図（Ｂ）はフラット部
５１〜５４のそれぞれを円盤２の径方向で点対象に形成
したものである。すなわち、第１図及び第４図（Ａ）（
Ｂ）におけるフラット部５１〜５４の位置関係が、円Ｗ
２の円周方向に回転したときに同一方向に位置するよう
に形成するものである。このことは、円盤２上に形成さ
れるホールの数が増加又は減少しても同様である。
す。第４図（Ａ）（Ｂ）はホール４１〜４４のフラット
部５１〜５４の位置を変えたちのである。すなわち、第
４図（Ａ）はフラット部５１〜５４を円盤２の中心に向
って位置するように形成し、第４図（Ｂ）はフラット部
５１〜５４のそれぞれを円盤２の径方向で点対象に形成
したものである。すなわち、第１図及び第４図（Ａ）（
Ｂ）におけるフラット部５１〜５４の位置関係が、円Ｗ
２の円周方向に回転したときに同一方向に位置するよう
に形成するものである。このことは、円盤２上に形成さ
れるホールの数が増加又は減少しても同様である。
なお、上記実施例では、本発明のキャリアをラッピング
装置に適用した場合を示したが、研磨装置においても材
質は異なるが基本的に同じ構成である。
装置に適用した場合を示したが、研磨装置においても材
質は異なるが基本的に同じ構成である。
以上のように本発明によれば、キャリアのホールにフラ
ット部を設けることにより、キャリアの自公転で被加工
物を強制的に移動させることができ、高い加工精度の被
加工物を作製することができる。
ット部を設けることにより、キャリアの自公転で被加工
物を強制的に移動させることができ、高い加工精度の被
加工物を作製することができる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、
第２図は本発明のキャリアを適用するラッピング装置の
概念図、 第３図は本発明と従来とを比較した実験例及びその結果
を説明するための図、 第４図は本発明の他の実施例の構成図、第５図は従来の
キャリアの構成図、 第６図は従来のキャリアによる半導体ウェハの厚みばら
つきのグラフである。 図において、 １はキャリア、 ２は円盤、 ３は歯車、 ４１〜４４はホール、 ５１〜５４はフラット部 を示す。 一１貫 α） （Ｂ） 本発明と従来とを比較した実験例及びその結果を説明す
るための図 第３図 第 ６ 図
概念図、 第３図は本発明と従来とを比較した実験例及びその結果
を説明するための図、 第４図は本発明の他の実施例の構成図、第５図は従来の
キャリアの構成図、 第６図は従来のキャリアによる半導体ウェハの厚みばら
つきのグラフである。 図において、 １はキャリア、 ２は円盤、 ３は歯車、 ４１〜４４はホール、 ５１〜５４はフラット部 を示す。 一１貫 α） （Ｂ） 本発明と従来とを比較した実験例及びその結果を説明す
るための図 第３図 第 ６ 図
Claims (1)
- オリエンテーションフラットを有する円盤状の被加工
物を、所定数のホール（４＿１〜４＿４）にそれぞれ嵌
入して、該被加工物の両面を加工処理させるキャリアに
おいて、前記ホール（４＿１〜４＿４）を、前記オリエ
ンテーションフラットに対応するフラット部（５＿１〜
５＿４）を有する円形状に形成することを特徴とするキ
ャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2065677A JPH03266430A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | キャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2065677A JPH03266430A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | キャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266430A true JPH03266430A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13293874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2065677A Pending JPH03266430A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | キャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266430A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296553B1 (en) | 1997-04-02 | 2001-10-02 | Nippei Toyama Corporation | Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest |
| EP0947300A3 (en) * | 1998-04-01 | 2002-04-24 | Nippei Toyama Corporation | An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus |
| JP2007015105A (ja) * | 2006-09-25 | 2007-01-25 | Hoya Corp | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
| JP2014195119A (ja) * | 2011-09-15 | 2014-10-09 | Siltronic Ag | 半導体ウェハの両面研磨方法 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2065677A patent/JPH03266430A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296553B1 (en) | 1997-04-02 | 2001-10-02 | Nippei Toyama Corporation | Grinding method, surface grinder, workpiece support, mechanism and work rest |
| EP0947300A3 (en) * | 1998-04-01 | 2002-04-24 | Nippei Toyama Corporation | An ingot slicing method, an ingot manufacturing method and a sliced ingot grinding apparatus |
| JP2007015105A (ja) * | 2006-09-25 | 2007-01-25 | Hoya Corp | 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法 |
| JP2014195119A (ja) * | 2011-09-15 | 2014-10-09 | Siltronic Ag | 半導体ウェハの両面研磨方法 |
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