JPH03267363A - 磁気ヘッドとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、オーディオテープレコーダ、ビデオテープ
レコーダ（ＶＴＲ）、デジタルオーディオテープレコー
ダ（ＤＡＴ）、　フロッピディスクハードディスクまた
は磁気カード等の磁気記録媒体および磁気記録再生機器
における記録用、再生用または消去用等の磁気へンドと
その製造方法に関するものである。

〔従来の技術］ 第４図は従来の磁気ヘッドの構造を示す概念図である。

第４図において、１は磁気ヘッドコア材、２は摺動面、
５はギャップ、６はコイルを示す。

磁気ヘッドコア材１としては、従来よりパーマロイ、セ
ンダストおよびフェライト等が用いられている。

磁気ヘッド２１は、摺動面２に磁気テープ等の磁気記録
媒体（図示せず）を摺動させ、記録、再生および消去を
行うものであるが、このように磁気記録媒体と摺動させ
て使用するため、摺動面２の摩耗を避けることができず
、この摩耗が磁気へノド２１の寿命を左右している。

そこで例えば磁気ヘッドコア材ｌとしてパーマロイを用
いたものでは、磁気ヘッドコア材１の磁気記録媒体との
摺動面２に、ボロン賦与材を塗布し、アニーリング処理
を行うことによりボロン拡散層（図示せず）を形成する
ことによって、この摺動面の耐摩耗性を向上させる方法
が、特公昭５６−１６８２号に開示されている。

しかし、このような方法によって、磁気特性の優れた磁
気ヘッドを得ようとすると、磁気記録媒体との摺動面２
にボロン拡散層を形成するだめのアニーリング処理時間
、温度および冷却速度等の管理を厳密に行う必要があり
、このような工程の管理は、複雑であり、結果としてコ
スト高になるという問題があった。

またこのように磁気ヘッドコア材１の磁気記録媒体との
摺動面２にボロン拡散層を硬化層とじて形成する場合、
磁気へ、ド２１の摺動面２は、磁気ヘッド２１の組立の
最終工程において、研磨されるため、硬化層となるボロ
ン拡散層は、研磨しろ以上の厚みが予め必要となる。し
かし、このような厚みを有するボロン拡散層を予め形成
したとしても、最終的に得られるボロン拡散層の厚みは
、非常に再現性の悪いものとなる。

一方ボロン拡散層は非磁性層であるため、その厚みは、
磁気ヘッド２１の出力特性に非常に影響を与える。した
がって上述のように、ボロン拡散層の厚みの再現性の悪
さ、すなわちボロン拡散層の厚みにバラツキが生しると
、磁気ヘッド２１の磁気特性にもバラツキが生しるとい
う問題がある。

このような問題を解決する方法として、例えば特公昭５
５−１２６５２号に開示されている。

この方法は、少なくとも一種以上の金属硬化原子をイオ
ン化し、１０ｋｅＶから１ｏＯｋｅＶの電界で加速して
、このイオンを磁気へノドコア材１の磁気記録媒体との
摺動面２にイオン注入することにより、摺動面２に硬化
層（図示せず）を形成することによって、耐摩耗性を向
上させる方法である。

このような方法による磁気記録媒体との摺動面２の硬化
は、磁気ヘッド２１の組立の最終工程に組み入れること
ができ、また形成プロセスも容易であり、さらにイオン
注入の際のイオンの加速エネルギーを制御することによ
り、硬化層の厚みを制御することができる。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述の方法では、磁気へノド２１の組立
後に、高い加速エネルギーを有するイオンにより、イオ
ン注入を行うため、このイオン注入にともなって発生す
る熱が、磁気へノド２１に用いられている樹脂および接
着剤等に劣化をもたらしたり、磁気ヘッド２１を構成す
る各部の寸法精度に悪影響を及ぼすという問題があった
。また注入されたイオンが磁気ヘッドコア材ｌの結晶格
子間に侵入することにより、歪みを生したり、結晶格子
点の原子と置換したりすることによって、磁気ヘッドコ
ア材１の磁気特性が変化する可能性があるという問題が
あった。

このように現在、磁気ヘッド２１の磁気記録媒体との摺
動面２の耐摩耗性を実用上充分なものとし、かつ工業的
に有利な方法は、見出されていないのが実情である。

この発明の目的は、上記問題点に鑑み、磁気記録媒体と
の摺動面の耐摩耗性を著しく向上させた磁気ヘッドとそ
の製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

請求項（１）記載の磁気ヘッドは、磁気記録媒体との摺
動面に形成した第ＩＩＩｂ族、第ＩＶａ族および第ＩＶ
ｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含む薄膜と、 この薄膜上に形成した窒化ホウ素薄膜とを備えたもので
ある。

第１図はこの発明の磁気ヘッドの一例を示す概念図であ
る。

第１図に示すように、磁気へノドコア材１の磁気記録媒
体との摺動面２上に、第ＩＩＩｂ族、第ＩＶａ族および
第■ｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含む薄膜（
以下「中間Ｔｆｉ３」という。）を形成し、そしてさら
にこの中間層３上には、高硬度。

熱的および化学的安定性に優れたｃ−ＢＮまたはｗ−Ｂ
Ｎを含有する窒化ホウ素薄膜４を形成した。

なお第１図において、５はギャップ、６はコイルを示す
。

また磁気へラド７の形状は、任意である。

また磁気へラドコア材１には、パーマロイ、アルパーム
、フェライト系またはセンダスト合金系のものが用いら
れ、特に材質は限定されない。

請求項（２）記載の磁気ヘッドの製造方法は、磁気記録
媒体との摺動面に、第ＩＩＩｂ族、第］Ｖａ族および第
ＩＶｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含む物質の
真空蒸着と同時もしくは交互または蒸着後に、不活性ガ
スイオンおよび窒素イオンのうちの少なくとも一方を含
むイオンを照射して、前記第ＩＩＩｂ族、第ＩＶａ族お
よび第ＩＶｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含ん
だ薄膜を形成し、この薄膜上に、ホウ素を含む物質の真
空蒸着と同時または交互に、少なくとも窒素イオンを含
むイオンを照射して窒化ホウ素薄膜を形成することを特
徴とする。

この発明の磁気ヘッドの製造方法の一例を第１図および
第２図に基づいて説明する。

第２図はこの発明の磁気ヘッドの製造方法に用いられる
薄膜形成装置の一例を示す概念図である。

第２図に示すように、膜を形成すべき磁気ヘッド７をホ
ルダ８に保持する。磁気ヘッド７の磁気記録媒体との摺
動面２に対向した位置には、蒸発源９．蒸発源１０およ
びイオン源１１を配置する。

また磁気ヘッド７の両側付近には、膜厚計１２およびイ
オン電流測定器１３を配置する。

なお磁気ヘッド７、ホルダ８．蒸発源９．蒸発源１０．
イオン源１１．膜厚計１２およびイオン電流測定器１３
は図示しない真空容器内に収容する。

蒸発源９，１０は、蒸発物質１４．１５を例えば電子ビ
ーム、レーザ線または高周波等によって、衆発させるも
のであり、特に限定されない。

またイオンｔＡ１１は、例えばカウフマン型またはプラ
ズマ閉じ込めにカプス磁場を用いたバケット型等であり
、特に限定されない。

また膜厚計１２は、磁気ヘッド７の磁気記録媒体との摺
動面２に蒸着する蒸発物質１４．１５の膜厚および粒子
数を計測するものであり、例えば水晶振動子を使用した
振動型膜厚計等を用いる。

またイオン電流測定器１３は、磁気ヘッド７の磁気記録
媒体との摺動面２に照射するイオンの個数を計測するも
のであり、例えばファラデーカップのような２次電子抑
制電極をもつカップ形構造のものである。

また蒸発源９より蒸発させる蒸発物質１４は、第ＩＩＩ
ｂ族、第ＩＶａ族および第ｒＶｂ族元素のうちの少なく
とも一種以上を含んだ物質であり、例えば各々の単体、
酸化物または窒化物、またはこれらの混合物１合金等で
ある。また第ＩＩＩｂ族元素としては、例えばＢ、Ａｆ
等であり、第ＩＶａ族元素としては、例えばＴｉ、Ｚｒ
等であり、第ＩＶｂ族元素としては、例えばＳｉ等であ
る。

また蒸発源１０より蒸発させる蒸発物質１５は、ホウ素
を含む物質であり、例えば、ホウ素単体ホウ素酸化物ま
たはホウ素窒化物等である。

またイオン１６は、例えば窒素イオン、窒素イオンと不
活性ガスイオンまたは窒素イオンと不活性ガスイオンと
水素イオンとからなるイオン種である。

このような薄膜形成装置を用いて、第１図に示すように
、磁気ヘッド７の磁気記録媒体との摺動面２に第ＩＩＩ
ｂ族、第ＩＶａ族および第ＩＶｂ族元素のうちの少なく
とも一種以上を含んだ薄膜（中間層３）を形成し、この
中間層３上に窒化ホウ素薄膜４を形成する。

また摺動面２と中間層３との界面には、摺動面２と中間
層３との構成原子からなる混合Ｎ（図示せず）、中間層
３と窒化ホウ素薄膜４との界面には、中間層３と窒化ホ
ウ素膜４との構成原子からなる混合層（図示せず）が形
成される。

以下この中間層３および窒化ホウ素薄膜４の形成方法を
説明する。

第２図に示す薄膜形成装置を用い、磁気ヘソド７の磁気
記録媒体との摺動面２に、蒸発′ｔｉ、９による第ＩＩ
Ｉｂ族、第ＩＶａ族および第ＩＶｂ族元素のうちの少な
くとも一種以上を含む蒸発物質１４の蒸着と同時もしく
は交互または蒸着後に、イオンｔＡ１１により、不活性
ガスイオンおよび窒素イオンのうちの少なくとも一方を
含むイオンを照射して、中間層３を形成する。

この際、摺動面２と中間層３との界面には、照射するイ
オンと蒸着原子との衝突および反跳により、イオンと蒸
着原子とが内部に侵入し、その結果、新たな混合層（図
示せず）が形成される。

但し、蒸発物質１４として、第ＩＩＩｂ族元素のホウ素
単体を用いた場合は、イオン源１１により、不活性ガス
イオンのみを照射する。

この中間層３の形成により、磁気へノド１を構成する原
子と、後に中間層３の表面に形成する窒化ホウ素薄膜４
との熱膨張係数の違いおよび格子定数の違いによって生
しる窒化ホウ素薄膜４の密着性の悪化を防ぐことができ
、かつ窒化ホウ素蒲Ｗｉ：４の形成時におけるｃ−ＢＮ
、ｗ−ＢＮの成長の妨げをなくすことができる。そして
さらに、中間Ｎ３の形成時に、窒素イオンおよび不活性
ガスイオンのうちの少なくとも一種以上を含むイオンを
照射することにより、磁気ヘッド７の磁気記録媒体との
摺動面２と中間層３との界面に新たな混合層を形成する
ことにより、摺動面２と中間層３との密着性を向上させ
るこ゛とができる。

なお中間層３の厚みは、１ｏ人〜５０００人の範囲が好
ましい。この範囲を逸脱して１ｏ人より薄くなると、前
述中間層３の効果が明確に出現せず、５０００人より厚
くなると、磁気ヘッド７が高温下にさらされた場合、中
間層３と、後に中間層３上に形成する窒化ホウ素薄膜４
との熱伝導率の違いにより、磁気ヘッド７を覆う膜内に
熱勾配が生じ、膜が剥離しやすくなる。

またイオン源１１により、磁気ヘッド７の磁気記録媒体
との摺動面２に照射する不活性ガスイオンおよび窒素イ
オンのうちの一方を含むイオンの加速エネルギーは、１
ｋｅＶ以上〜４０ｋｅＶ以下の範囲が好ましい。この範
囲を逸脱して、１ｋｅＶより小さくすると、磁気ヘッド
７の磁気記録媒体との摺動面２と中間層３との界面での
混合層の形成が不充分となり、４０ｋｅＶより大きくす
ると、中間層３に生じる欠陥の数が多くなる。

次にこの中間層３上に、蒸発源１０によるホウ素を含む
蒸発物質１５の蒸着と同時または交互に、イオン源１１
により、少なくとも窒素イオンを含むイオンを照射して
、窒化ホウ素薄膜４を形成する。

この際、形成する窒化ホウ素ｆｌｉｔ膜４中に含まれる
ホウ素原子と窒素原子との粒子数の割合（以下ｒＢ／Ｎ
＆ＩＩ成比」という。）は１以上〜６０以下の範囲とす
ることが好ましい。

このＢ／Ｎ組成比は、窒化ホウ素薄膜４全体で一定にし
ても、または窒化ホウ素薄膜４中で、磁気ヘッド７の磁
気記録媒体との摺動面２から表面方向に、Ｂ／Ｎ組成比
を減少させても良い（すなわち窒化ホウ素薄膜４中で、
ホウ素の原子密度を磁気へノド７の磁気記録媒体との摺
動面２から表面方向に、段階的または連続的に減少させ
る）。

窒化ホウ素薄膜４全体でＢ／Ｎ組成比を一定とする場合
、窒化ホウ素薄膜４の形成時に照射するイオンの加速エ
ネルギーが２ｋｅＶ未満では、Ｂ／Ｎ組成比を１以上〜
６以下の範囲で一定とし、同様に加速エネルギ−２ｋｅ
Ｖ以上〜５ｋｅＶ未満では、Ｂ／Ｎ組成比を１以上〜１
０以下の範囲で一定とし、加速エネルギ’−５ｋｅＶ以
上では、Ｂ／Ｎ＆ｌＩ成比を１以上〜２０以下の範囲で
一定とすることが好ましい。

この範囲を逸脱すると、窒化ホウ素薄膜４の表面でのｃ
−ＢＮまたはｗ−ＢＮの含有量が少なくなり、ｃ−ＢＮ
およびｗ−ＢＮの高硬度、化学的安定性等の優れた特性
に悪影響を及ぼす恐れがある。

また窒化ホウ素薄膜４中のＢ／Ｎ！ｌ！成比を段階的ま
たは連続的に減少させる場合は、窒化ホウ素薄膜４の表
面では、Ｂ／Ｎ＆ＩＩＩ成比を１以上〜１０以下の範囲
とし、中間層３と窒化ホウ素薄膜４との界面では、Ｂ／
Ｎ１１ｌ成比を４以上〜６０以下の範囲とすることが好
ましい。

窒化ホウ素清膜４の表面でのＢ／ＮＭ成比が１以上〜１
０以下の範囲を逸脱すると、膜表面でのｃ−ＢＮまたは
ｗ−ＢＮの含有量が少なくなり、このｃ−ＢＮおよびｗ
−ＢＮが有する高硬度、化学的安定性等の優れた特性に
悪影響を及ぼし、また中間層３と窒化ホウ素薄膜４との
界面でのＢ／Ｎ組成比が４以上〜６０以下の範囲を逸脱
すると、中間層３による窒化ホウ素薄膜４と摺動面２と
の熱膨張係数および格子定数の違いを緩和する作用が不
充分となる。

またこのように窒化ホウ素薄膜４中で、磁気ヘッド７の
磁気記録媒体との摺動面２から表面方向にＢ　／Ｎ組成
比を段階的または連続的に減少させる場合の窒化ホウ素
薄膜４の形成方法は、中間層３の表面に到達するホウ素
と窒素イオンとの粒子数を制御することにより、中間層
３と窒化ホウ素薄膜４との界面でのＢ／Ｎ＆ｌｌ成比を
４以上〜６０以下の範囲とし、その後堆積する窒化ホウ
素薄膜４のＢ／Ｎ組成比を減少させるように、膜に到達
するホウ素と窒素イオンとの粒子数を制御し、最終的に
窒化ホウ素薄膜４０表面付近でのＢ／Ｎ組成比を１以上
〜１０以下の範囲となるようにする。

またこの際に照射するイオンの加速エネルギーは、一定
であっても、随時変化させても良く、例えば中間層３の
表面付近では、窒化ホウ素薄膜４と中間層との密着性を
向上させるため、２ｋｅＶ〜４０ｋｅＶの加速エネルギ
ーの範囲でイオンを照射し、一定の膜厚の有する窒化ホ
ウ素薄膜４を形成した後、膜の表面付近では、内部に欠
陥等の少ない窒化ホウ素薄膜４を形成するため、照射す
るイオンの加速エネルギーを２ｋｅＶ以下にさげても良
い。

また窒化ホウ素薄膜４の形成の際に照射する少なくとも
窒素イオンを含むイオンの加速エネルギーは４０ｋｅＶ
以下とすることが好ましい。

この範囲を逸脱して、照射するイオンの加速エネルギー
を４０ｋｅＶより大きくすると、形成した窒化ホウ素薄
膜４中の欠陥の数が多くなり、膜の特性劣化を及ぼす。

またイオンの加速エネルギーの下限は、特に限定されな
いが、実際のイオン源１１の構造を考慮した場合、１０
０ｅＶ位になると考えられる。

このように、磁気ヘッド７の磁気記録媒体との摺動面２
に中間層３を形成し、この中間Ｎ３上に高硬質、熱的お
よび化学的安定性等の優れた特性を有するｃ−ＢＮまた
はｗ−ＢＮを含有する窒化ホウ素１膜４を形成すること
により、磁気へ、ドアの磁気記録媒体との摺動面２の耐
摩耗性を著しく向上させることができる。

なおこの窒化ホウ素薄膜４の形成の際、イオン源１１に
より照射するイオン種は、照射量および加速エネルギー
が前述範囲内であれば、窒素イオンのみ、窒素イオンと
不活性ガスイオンまたはそれらに水素イオンを加えたも
のでも良い。

また中間層３および窒化ホウ素薄膜４の被覆は、磁気へ
ノドコア材１の磁気記録媒体との摺動面２に限らず、磁
気ヘッドコア材１を収納するシールドケース（図示せず
）等において、耐摩耗性の要求される磁気記録媒体との
摺動面に施しても良い。

例えば、所定の形状に加工した磁気へ、ドコア材を所定
の形状のシールドケースに収納し、樹脂等を用いて固定
し、この磁気へノドコア材等からなる磁気ヘッドの磁気
記録媒体との摺動面を研磨しした後、磁気ヘッドおよび
シールドケースの磁気記録媒体との摺動面に膜を被覆す
ることもできる。

この方法によれば、窒化ホウ素薄膜の形成工程を磁気へ
ノド組立の最終工程に組み入れることができ、工業的に
有益である。

［作用〕 この発明の構成によれば、磁気ヘッドの磁気記録媒体と
の摺動面と窒化ホウ素薄膜との間に形成する第ＩＩＩｂ
族、第ｒＶａ族および第ＩＶｂ族のうちの少なくとも一
種以上を含んだ薄膜によって、磁気ヘッドの摺動面と窒
化ホウ素薄膜との熱膨張率の違いおよび格子定数の違い
により生しる窒化ホウ素薄膜の密着性の悪化および窒化
ホウ素薄膜の形成時におけるｃ−ＢＮ、ｗ−ＢＮの成長
の妨げ等をなくすことができる。

〔実施例］ 尖旌拠土 第２図に示す薄膜形成製置を用いて、真空容器内の真空
度をｌＸｌ０−’［Ｔｏｒｒ）以下に維持し、第３図に
示す磁気へノド２０の磁気記録媒体との摺動面１８に電
子ビームの蒸発源９により、蒸発物質１４として、第Ｉ
Ｖｂ族元素の純度９９．９９９％のケイ素原子（Ｓｌ）
の蒸着と同時に、イオン源１１に純度９９．９９９％の
窒素ガスを導入することにより、窒素イオンを加速エネ
ルギー２　ｋｅＶで照射することによって、中間層（図
示せず）を形成した。

また中間層中のＳｉ原子と窒素原子との粒子数の割合（
Ｓｉ／Ｎ＆１１成比）は３となるように、到達するＳｉ
と窒素イオンとの粒子数を制御した。

またこの中間層の厚みは、２００人とした。

次にこの中間層上に、茶発Ｒ１０により、純度９９．７
％のホウ素原子（Ｂ）の蒸着と同時に、イオン源１１に
純度９９．９９９％の窒素ガスを導入することにより、
窒素イオンを加速エネルギー２ｋｅＶで照射し、窒化ホ
ウ素薄膜を形成した。また窒化ホウ素薄膜中のホウ素原
子と窒素原子との粒子数の割合（Ｂ／Ｎｕ成比）は、膜
全体で一定の３とした。

また窒化ホウ素薄膜の膜厚は１０００人とした。

なおこの実施例に用いる磁気ヘッドとして、第３図に示
すオーディオ用磁気ヘッドを用いた。

第３図において、１７はコア、５はギャップ１８は磁気
記録媒体との摺動面および１９はケースを示す。またコ
ア１７およびケース１９の材質はともに、パーマロイ（
Ｎｉ−Ｆｅ合金）である。

そして、さらに実施例１における中間層の形成時の蒸発
物質１４．照射イオン種、照射イオンの加速エネルギー
（１ｋｅＶ以上〜４０ｋｅＶ以下の範囲内）および中間
層の組成比、また窒化ホウ素薄膜の形成時の照射イオン
種、照射イオンの加速エネルギーおよびＢ／Ｎ＆Ｉｌ成
比（１以上〜６０以下の範囲内）を変化させ、他の条件
および形成プロセスは実施例１と同様にして、実施例２
〜１８とした。

この実施例２〜１４および実施例１の諸条件を表１に示
す。

なお実施例１〜１４に用いた窒素ガス、チタン（Ｔ　ｉ
　）およびケイ素（Ｓｉ）の純度は、全て９９、９９９
％であり、またホウ素（Ｂ）の純度は全て９９．７％で
ある。

（以下余白） （表１） （以下余白） 此ｍ二ｌ 第２図に示す薄膜形成装置を用いて、実施例における中
間層を形成せず、実施例１と同様の磁気へノド２０の磁
気記録媒体との摺動面１８に、純度９９．７％のホウ素
原子（Ｂ）の蒸着と同時に、イオン源１１に純度９９．
９９９％の窒素ガスを導入することにより、窒素イオン
を加速エネルギー２ｋｅＶで照射し、窒化ホウ素薄膜を
形成した。

また窒化ホウ素薄膜中のホウ素原子と窒素原子との粒子
数の割合（Ｂ／Ｎ組成比）は、膜全体で一定の８とした
。

また窒化ホウ素薄膜の膜厚は１０００人とした。

そして、さらに比較例１における窒素イオンの加速エネ
ルギーおよび形成した窒化ホウ素薄膜のＢ／Ｎ組成比を
変化させ、他の条件および形成プロセスを比較例１と同
様にしたものを比較例２および比較例３とした。

この比較例１〜３の諸条件を表２に示す。

なお比較例１〜３に用いた窒素ガスの純度は、全て９９
．９９９％であり、またホウ素（Ｂ）の純度は全て９９
．７％である。

（表２） 以上実施例１〜１４、比較例１〜３および無処理の各磁
気ヘッドを実際のテープレコーダに組み込み、酸化鉄よ
りなる磁気テープを用いて、テープ走行試験を行った。

テープ走行試験は、室温１８°Ｃおよび湿度４０％の条
件下で、２００時間で新品の磁気テープと交換し、計４
００時間行った。その後、実施例１〜１４．比較例１〜
３および無処理の各磁気ヘッドのコアの最大摩耗量［μ
ｍ］を触針式表面粗さ計で測定した。

この測定結果を表３に示す。

（表３） 以上の測定結果より、実施例１〜１４の最大摩耗量は０
．０２Ｃμｍ］以下であるのに対して、中間層を形成し
なかった比較例１〜３の最大摩耗量は、１０．０（μｍ
３以上であることがわかる。

また実施例１〜１４は、摺動面に形成した窒化ホウ素薄
膜に剥離は認められなかったが、比較例１〜３は、摺動
面に形成した窒化ホウ素薄膜に剥離が認められた。さら
に実施例１〜１４は、無処理の磁気ヘッド（磁気記録媒
体との摺動面に何も被覆していない磁気へ・７ド）に比
較して、著しく摩耗量が少ないことがわかる。

［発明の効果］ 請求項（１）記載の磁気ヘッドによれば、磁気記録媒体
との摺動面に形成した第ＩＩＩｂ族、第ＩＶａ族および
第ＩＶｂ族のうちの少なくとも一種以上を含んだ薄膜と
、この薄膜上に形成した窒化ホウ素１膜とを備えること
によって、磁気記録媒体との摺動面の耐摩耗性および膜
の密着性を著しく向上させることができる。

請求項（２）記載の磁気へ、ｌ、の製造方法によれば、
磁気記録媒体との摺動面に、第ＩＩＩｂ族、第Ｗａ族お
よび第ＩＶｂ族のうちの少なくとも一種以上を含む物質
の真空蒸着と同時もしくは交互または蒸着後に、不活性
ガスイオンおよび窒素イオンのうちの少なくとも一方を
含むイオンを照射して、第■ｂ族、第］Ｖａ族および第
■ｂ族のうちの少なくとも一種以上を含んだ薄膜を形成
し、この薄膜上にホウ素を含む物質の真空蒸着と同時ま
たは交互に、少な（とも窒素イオンを含むイオンを照射
して窒化ホウ素薄膜を形成することにより、高硬度、熱
的および化学的安定性等の優れた特性を有するｃ−ＢＮ
またはｗ−ＢＮを含存する窒化ホウ素薄膜を密着性良く
、磁気ヘッドの磁気記録媒体との摺動面に形成すること
ができる。その結果、磁気ヘッドの磁気記録媒体との摺
動面の耐摩耗性を著しく向上させることができる。

また第ＩＩＩｂ族、第ＩＶａ族および第ＩＶｂ族のうち
の少なくとも一種以上を含んだ薄膜および窒化ホウ素薄
膜の形成は、比較的低い加速エネルギーを有するイオン
の照射で可能なため、磁気ヘッドに発生する熱を抑える
ことができる。したがって、これら膜の被覆工程は、磁
気ヘッドに悪影響を及ぼすことなく、磁気ヘッド組立の
最終工程に施すことができ、工業的に極めて有益な方法
である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の磁気ヘッドの一例を示す概念図、第
２図はこの発明の磁気ヘッドの製造方法に用いられる薄
膜形成装置の一例を示す概念図、第３図は実施例に用い
たオーディオ用磁気ヘッドを示す斜視図である。 ２・・・摺動面、３・・・中間層（第ＩＩＩｂ族、第Ｉ
Ｖａ族および第ｒＶｂ族のうちの少なくとも一種以上を
含んだ薄膜）、４・・・窒化ホウ素薄膜、７・・・磁気
ヘッド ２−唐ｎ面 工盲含りだ薄Ｍ） ４−窒化ｙ、”ｙ−！１唄 ７−！気＼ット 図 ＼ 第２１Ｎ ２ 手続補正書 （左〜 第 図 平成２年７月６日 平成２年 特 許 願 第０６７９２５号 ２゜ 発明の名称 磁気ヘッドとその製造方法 ８ ３゜ 補正をする者 １呵牛との関係

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気記録媒体との摺動面に形成した第IIIｂ族，
   第IVａ族および第IVｂ族元素のうちの少なくとも一種以
   上を含む薄膜と、 この薄膜上に形成した窒化ホウ素薄膜とを備えた磁気ヘ
   ッド。
2. （２）磁気記録媒体との摺動面に、第IIIｂ族，第IVａ
   族および第IVｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含
   む物質の真空蒸着と同時もしくは交互または蒸着後に、
   不活性ガスイオンおよび窒素イオンのうちの少なくとも
   一方を含むイオンを照射して、前記第IIIｂ族，第IVａ
   族および第IVｂ族元素のうちの少なくとも一種以上を含
   んだ薄膜を形成し、 この薄膜上に、ホウ素を含む物質の真空蒸着と同時また
   は交互に、少なくとも窒素イオンを含むイオンを照射し
   て窒化ホウ素薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘッ
   ドの製造方法。