JPH0442412A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0442412A JPH0442412A JP15117090A JP15117090A JPH0442412A JP H0442412 A JPH0442412 A JP H0442412A JP 15117090 A JP15117090 A JP 15117090A JP 15117090 A JP15117090 A JP 15117090A JP H0442412 A JPH0442412 A JP H0442412A
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- magnetic head
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- titanium nitride
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、磁気記録媒体装!に用いられる磁気ヘッド
において、特にビデオテープレコーダ(VTR)の映像
信号等の記録・再生に用いられる磁気ヘッドに関するも
のである。
において、特にビデオテープレコーダ(VTR)の映像
信号等の記録・再生に用いられる磁気ヘッドに関するも
のである。
ビデオテープレコーダ(以下rvtR,という、)の映
像信号等の記録・再生に用いられる従来の磁気ヘッド、
例えば9!J、Mi磁性材料りなる磁気コア間に磁気ギ
ャップを形成した磁気ヘッドを第3図(a)。
像信号等の記録・再生に用いられる従来の磁気ヘッド、
例えば9!J、Mi磁性材料りなる磁気コア間に磁気ギ
ャップを形成した磁気ヘッドを第3図(a)。
(b)に基づいて説明する。
第3図(alは従来の磁気ヘッドの構造を示す概念図、
第3図(blは第3図(a)のA−A’線における断面
図である。
第3図(blは第3図(a)のA−A’線における断面
図である。
第3図(a)および第3図(ト))において、1. 2
は各々フェライト等の磁性材料よりなる1%コアの半体
であり、磁気コアの半体1と磁気コアの半体2とを突き
合わすことにより単一の磁気コアが構成される。またど
ちらか一方の磁気コアの半休(第3図(al、[有])
における磁気コアの半休りの突き合わせ面には、巻線溝
3が形成される。
は各々フェライト等の磁性材料よりなる1%コアの半体
であり、磁気コアの半体1と磁気コアの半体2とを突き
合わすことにより単一の磁気コアが構成される。またど
ちらか一方の磁気コアの半休(第3図(al、[有])
における磁気コアの半休りの突き合わせ面には、巻線溝
3が形成される。
磁気コアの半体lおよび磁気コアの半体2は、非磁性材
料からなるギャップ材(図示せず)を挟んで突き合わさ
れ、このギャップ材により、磁気テープ(図示せず)と
の摺動面9に、ギャップ15(例えばギャップ長が約0
.2〔μm〕〜0.5〔μm))が形成される。
料からなるギャップ材(図示せず)を挟んで突き合わさ
れ、このギャップ材により、磁気テープ(図示せず)と
の摺動面9に、ギャップ15(例えばギャップ長が約0
.2〔μm〕〜0.5〔μm))が形成される。
16はトラック幅規制溝であり、摺動面9上のギャップ
15の両端部から巻線溝3にかけて、トラック暢17(
幅約20〔μm〕〜30〔μm))を規制する溝である
。
15の両端部から巻線溝3にかけて、トラック暢17(
幅約20〔μm〕〜30〔μm))を規制する溝である
。
4はトランク幅規制溝16と巻線溝3との一部に充填さ
れるガラスであり、このガラス4は例えば500°C以
上の軟化点を有するガラスが使用される。
れるガラスであり、このガラス4は例えば500°C以
上の軟化点を有するガラスが使用される。
5は巻線ガイドであり、このIllガイド5と巻線溝3
とを利用してコイル(図示せず)が巻かれる。
とを利用してコイル(図示せず)が巻かれる。
またdはギャップ15の深さを示し、例えば、家庭用1
/2インチVTR等において、このギャップ15の深さ
dは約30 (、um) 〜40 (μm)である。
/2インチVTR等において、このギャップ15の深さ
dは約30 (、um) 〜40 (μm)である。
近年、上述のように構成した磁気へラドYを用いたVT
Rに対して、益々、高画質化が要求されている。したが
って、高画質化を実現するため、水平解像度の向上およ
びS/N比の向上等を実現することが求められており、
それに伴い、磁気ヘッドの再生出力特性の向上および磁
気ヘッドのQ値を高めることによりアンプ系システムの
ノイズ低減を図る必要が生じている。このような要求に
応える一つの方法として、磁気ヘッドYのギャップ15
の深さdを小さくする方法が考えられる。
Rに対して、益々、高画質化が要求されている。したが
って、高画質化を実現するため、水平解像度の向上およ
びS/N比の向上等を実現することが求められており、
それに伴い、磁気ヘッドの再生出力特性の向上および磁
気ヘッドのQ値を高めることによりアンプ系システムの
ノイズ低減を図る必要が生じている。このような要求に
応える一つの方法として、磁気ヘッドYのギャップ15
の深さdを小さくする方法が考えられる。
例えばギャップの深さが40(μm)の磁気ヘッドと、
ギャップの深さが5〔μm〕の磁気ヘッドとの再生出力
特性を比較するため、これら各々の磁気ヘッドを用いて
、磁気ヘッドに対する磁気テープの走行速度を5.8(
m/S)とし、磁気テープを再生した結果を(表1)に
示す、なお磁気テープは、保磁力900 (Oe)、残
留磁束密度1500[G)のフェライト系のものである
。また磁気ギャップの深さdが40(、um)の磁気ヘ
ッドにおいて、周波数9 (Ml(zlの再生出力を0
(dB)に定めるとする。
ギャップの深さが5〔μm〕の磁気ヘッドとの再生出力
特性を比較するため、これら各々の磁気ヘッドを用いて
、磁気ヘッドに対する磁気テープの走行速度を5.8(
m/S)とし、磁気テープを再生した結果を(表1)に
示す、なお磁気テープは、保磁力900 (Oe)、残
留磁束密度1500[G)のフェライト系のものである
。また磁気ギャップの深さdが40(、um)の磁気ヘ
ッドにおいて、周波数9 (Ml(zlの再生出力を0
(dB)に定めるとする。
(表1)
(表1)から明らかなように、3〜9 (MHz)の周
波数帯において、ギャップの深さ5〔μm〕の磁気ヘッ
ドの再生出力は、ギャップの深さ40(Ilm)の磁気
ヘッドの再生出力と比較して、6(dB)向上している
ことがわかる。
波数帯において、ギャップの深さ5〔μm〕の磁気ヘッ
ドの再生出力は、ギャップの深さ40(Ilm)の磁気
ヘッドの再生出力と比較して、6(dB)向上している
ことがわかる。
また同様のギャップの深さ5 (tIm)の磁気ヘッド
と、ギャップの深さ40(pm)の磁気ヘッドとのQ値
を測定した結果を(表2)に示す、但し、測定に使用し
た周波数は5 (MHz)であり、周波数(MHz)に
おけるギャップの深さ40〔μm〕の磁気ヘッドのイン
ダクタンスの値を2〔μH〕となるようにした。
と、ギャップの深さ40(pm)の磁気ヘッドとのQ値
を測定した結果を(表2)に示す、但し、測定に使用し
た周波数は5 (MHz)であり、周波数(MHz)に
おけるギャップの深さ40〔μm〕の磁気ヘッドのイン
ダクタンスの値を2〔μH〕となるようにした。
(表2)
(表2)から明らかなように、周波数5 (MHz)に
おける磁気ギャップの深さ5〔μm〕の磁気ヘッドのQ
値は、磁気ギャップの深さ40〔μm]のQ値より、大
きい値である。
おける磁気ギャップの深さ5〔μm〕の磁気ヘッドのQ
値は、磁気ギャップの深さ40〔μm]のQ値より、大
きい値である。
以上(表1)および(表2)の結果より、磁気ヘッドの
特性を向上させる有効な方法は、磁気へラドYのギヤシ
ブ15の深さdを小さくすれば良いことがわかる。
特性を向上させる有効な方法は、磁気へラドYのギヤシ
ブ15の深さdを小さくすれば良いことがわかる。
しかしながら、磁気ヘッドYのギャップ15の深さdは
、磁気ヘッドYの磁気記録媒体との摺動面9の摩耗と大
きく関与しているため、あまりギャップ15の深さdを
小さくすると、磁気ヘッドYの寿命が短縮化されるとい
う問題があった。すなわちVTR等に用いられる磁気へ
ラドYは、磁気記録媒体(M1気テープ)を摺動させて
、使用するため、使用中、磁気へラドYの磁気記録媒体
との摺動面9が摩耗することにより、磁気へラドYの寿
命が決定されることは避けられないのである。
、磁気ヘッドYの磁気記録媒体との摺動面9の摩耗と大
きく関与しているため、あまりギャップ15の深さdを
小さくすると、磁気ヘッドYの寿命が短縮化されるとい
う問題があった。すなわちVTR等に用いられる磁気へ
ラドYは、磁気記録媒体(M1気テープ)を摺動させて
、使用するため、使用中、磁気へラドYの磁気記録媒体
との摺動面9が摩耗することにより、磁気へラドYの寿
命が決定されることは避けられないのである。
具体的には、磁気ヘッドYのギャップ15の深さdを大
きくする程、磁気ヘッドの寿命は長くなり、例えば、ピ
ンカース硬度650(kg/−一8)のフェライト系材
料を磁気コアに用いた磁気ヘッドにおいて、1000時
間程度の寿命を保証するために必要な磁気ヘッドのギャ
ップの深さは、20〔μm]〜25〔μm〕である。
きくする程、磁気ヘッドの寿命は長くなり、例えば、ピ
ンカース硬度650(kg/−一8)のフェライト系材
料を磁気コアに用いた磁気ヘッドにおいて、1000時
間程度の寿命を保証するために必要な磁気ヘッドのギャ
ップの深さは、20〔μm]〜25〔μm〕である。
現在、実際に用いられている磁気ヘッドは、磁気テープ
の種類等を考慮し、かつ使用者に長時間の寿命を保証す
るために、ギャップの深さを30〔μm〕〜40〔μm
〕としているのが実情である。
の種類等を考慮し、かつ使用者に長時間の寿命を保証す
るために、ギャップの深さを30〔μm〕〜40〔μm
〕としているのが実情である。
このように、磁気ヘッドの特性の向上と、磁気ヘッドの
寿命とは、相反する傾向にあり、従来の磁気ヘッドの特
性は、充分に向上されていないのが現状である。
寿命とは、相反する傾向にあり、従来の磁気ヘッドの特
性は、充分に向上されていないのが現状である。
この発明の目的は、上記問題点に鑑み、再生出力特性等
を向上させ、かつ摩擦による寿命の短縮化を防いだ磁気
ヘッドを従供することである。
を向上させ、かつ摩擦による寿命の短縮化を防いだ磁気
ヘッドを従供することである。
この発明の磁気ヘッドの製造方法は、ギャップの深さを
20μm以下とした磁気ヘッドの磁気記録媒体との摺動
面に、チタン元素を含有する物質の真空蒸着と、窒素元
素を含有するイオンまたは不活性ガス元素を含有するイ
オンの照射とを併用して、窒化チタンを含有する薄膜を
形成することを特徴とする。
20μm以下とした磁気ヘッドの磁気記録媒体との摺動
面に、チタン元素を含有する物質の真空蒸着と、窒素元
素を含有するイオンまたは不活性ガス元素を含有するイ
オンの照射とを併用して、窒化チタンを含有する薄膜を
形成することを特徴とする。
第1図はこの発明の磁気ヘッドの一実施例を示す概念図
である。
である。
第1図において、1.2は磁気コアの半休、3は巻線溝
、4はガラス、5ば巻線ガイドであり、第3図と同一の
符号のものは、説明を省略する。
、4はガラス、5ば巻線ガイドであり、第3図と同一の
符号のものは、説明を省略する。
第1図において、6は磁気記録媒体(図示せず)との摺
動面9に形成した窒化チタンを含有する薄膜(以下[窒
化チタン含有i16」という、)である。
動面9に形成した窒化チタンを含有する薄膜(以下[窒
化チタン含有i16」という、)である。
この磁気ヘッドXは、ラフピングテープ等で研磨するこ
とにより、ギャップの深さを20(arn)以下とした
ものであり、従来の磁気ヘッド(ギャップ15の深さd
は、−船釣に30Cμm)〜40〔μm〕である。)に
比較して、磁気ヘッドの特性を向上させたものである。
とにより、ギャップの深さを20(arn)以下とした
ものであり、従来の磁気ヘッド(ギャップ15の深さd
は、−船釣に30Cμm)〜40〔μm〕である。)に
比較して、磁気ヘッドの特性を向上させたものである。
第2図は第1図の磁気ヘッドの製造に用いられるyl膜
形成装置の一例を示す概念図である。
形成装置の一例を示す概念図である。
第2図に示すように、窒化チタン含有薄膜6を形成すべ
き磁気へノド7は、水冷されたホルダ8に保持される。
き磁気へノド7は、水冷されたホルダ8に保持される。
この磁気ヘッド7は、ギャップの深さが20〔μm〕以
下となるように、ラッピングテープ等で研磨したもので
ある。また磁気へノド7の磁気記録媒体(図示せず)と
の摺動面9に対向した位置には、イオン源10および蒸
発源11を配置する。磁気ヘッド7の両側には、摺動面
9に形成する1着膜の膜厚を測定するための膜厚計12
およびイオンs10により照射するイオン10’の電流
を測定するためのイオン電流測定器】3を配置する。ま
た14はガスを導入するためのガス導入ノズルである。
下となるように、ラッピングテープ等で研磨したもので
ある。また磁気へノド7の磁気記録媒体(図示せず)と
の摺動面9に対向した位置には、イオン源10および蒸
発源11を配置する。磁気ヘッド7の両側には、摺動面
9に形成する1着膜の膜厚を測定するための膜厚計12
およびイオンs10により照射するイオン10’の電流
を測定するためのイオン電流測定器】3を配置する。ま
た14はガスを導入するためのガス導入ノズルである。
なお磁気へフド7.ホルダ8.イオン源10蒸発11E
t+ 1.膜厚計12.イオン電流測定器13およびガ
ス導入ノズル14は、図示しない真空容器内に収められ
る。
t+ 1.膜厚計12.イオン電流測定器13およびガ
ス導入ノズル14は、図示しない真空容器内に収められ
る。
イオン源10は、イオン10″を摺動面9に照射するも
のであり、例えばカウフマン形またはプラズマを閉じ込
めるためにカプス磁場を用いたパケット形であり、その
形式は、特に限定されない。
のであり、例えばカウフマン形またはプラズマを閉じ込
めるためにカプス磁場を用いたパケット形であり、その
形式は、特に限定されない。
蒸発源11は、蒸発物質11’ を蒸発させ、磁気ヘッ
ド7の摺動面9に蒸着させるものであり、例えば電子ビ
ーム、レーザ線または高周波等を用い、その方式は特に
限定されない。
ド7の摺動面9に蒸着させるものであり、例えば電子ビ
ーム、レーザ線または高周波等を用い、その方式は特に
限定されない。
膜厚計12は摺動面9に蒸着する痕発物質10の膜厚お
よびチタンの粒子数を計測するものであり、例えば水晶
振動子を用いた振動型膜厚計等である。
よびチタンの粒子数を計測するものであり、例えば水晶
振動子を用いた振動型膜厚計等である。
イオン電流計測器13は、摺動面9に照射するイオン】
0°の個数を計測するものであり、例えば、ファラデー
カップのような2次電子抑制電極を有するカップ型構造
等を用いる。
0°の個数を計測するものであり、例えば、ファラデー
カップのような2次電子抑制電極を有するカップ型構造
等を用いる。
このような薄膜形成装置を用いた第1図に示す磁気へノ
ドの製造方法を説明する。
ドの製造方法を説明する。
第2図に示す薄膜形成装置を用いて、真空容器内をI
X 10−’ (Torr〕以下の高真空状態に維持し
、水冷されたホルダ8に保持した磁気へノド7の磁気記
録媒体との摺動面9に、蒸発+1911によりチタンを
含有する物質である蒸発物質11’の蒸着と同時または
交互に、イオンStOにより窒素元素を含有するイオン
または不活性ガス元素を含有するイオンであるイオンl
O°を照射して、窒化チタン含有薄膜6を形成する。
X 10−’ (Torr〕以下の高真空状態に維持し
、水冷されたホルダ8に保持した磁気へノド7の磁気記
録媒体との摺動面9に、蒸発+1911によりチタンを
含有する物質である蒸発物質11’の蒸着と同時または
交互に、イオンStOにより窒素元素を含有するイオン
または不活性ガス元素を含有するイオンであるイオンl
O°を照射して、窒化チタン含有薄膜6を形成する。
この際、イオン源10により照射するイオン10゛と、
蒸発attによる蒸発物質11゛との衝突および反跳に
より、磁気ヘッドXの摺動面9と、窒化チタン含有薄膜
6との界面に、両者を構成する原子の混合層が形成され
ることにより、摺動面9に優れた密着性を有する窒化チ
タン含有薄膜6を得ることができる。
蒸発attによる蒸発物質11゛との衝突および反跳に
より、磁気ヘッドXの摺動面9と、窒化チタン含有薄膜
6との界面に、両者を構成する原子の混合層が形成され
ることにより、摺動面9に優れた密着性を有する窒化チ
タン含有薄膜6を得ることができる。
蒸発源11による蒸発物質11°は、チタン金属、チタ
ン酸化物またはチタン窒化物等のチタン元素を含有する
物質である。
ン酸化物またはチタン窒化物等のチタン元素を含有する
物質である。
イオン源10により照射するイオン10 は、窒素元
素を含有するイオン、不活性ガス元素を含有するイオン
または窒素イオンと不活性ガスイオンとの混合イオンで
ある。またイオン10 は不活性ガスイオンのみでも
良い、但し、この場合ガス導入ノズル14より、磁気へ
ノド7付近に窒素元素を含有するガスを導入する。
素を含有するイオン、不活性ガス元素を含有するイオン
または窒素イオンと不活性ガスイオンとの混合イオンで
ある。またイオン10 は不活性ガスイオンのみでも
良い、但し、この場合ガス導入ノズル14より、磁気へ
ノド7付近に窒素元素を含有するガスを導入する。
また照射するイオン10゛の加速エネルギーは、イオン
−個当たり、40 (keV3以下とすることが好まし
い、この範囲を逸脱して、イオン10′の加速エネルギ
ーを40(keV)より大きくすると、形成した窒化チ
タン含有薄膜6内に生しる欠陥の数が多くなり、膜の特
性劣化を及ぼす、またイオン10゛の加速エネルギーの
下限は、特に限定されないが、実際のイオン1llil
lOの構造を考慮した場合、100 (eV)位になる
と考えられる。
−個当たり、40 (keV3以下とすることが好まし
い、この範囲を逸脱して、イオン10′の加速エネルギ
ーを40(keV)より大きくすると、形成した窒化チ
タン含有薄膜6内に生しる欠陥の数が多くなり、膜の特
性劣化を及ぼす、またイオン10゛の加速エネルギーの
下限は、特に限定されないが、実際のイオン1llil
lOの構造を考慮した場合、100 (eV)位になる
と考えられる。
また窒化チタン含有薄膜6中に含まれるチタン元素と、
窒素元素との粒子数の割合(以下rTi/N&[l酸比
」という、)は、1〜10の範囲であることが好ましい
、この範囲を逸脱すると、窒化チタン含有fII#6内
における窒化チタン(TiN)の含有量が少なくなり、
窒化チタン含有薄膜6の硬度が低下する。
窒素元素との粒子数の割合(以下rTi/N&[l酸比
」という、)は、1〜10の範囲であることが好ましい
、この範囲を逸脱すると、窒化チタン含有fII#6内
における窒化チタン(TiN)の含有量が少なくなり、
窒化チタン含有薄膜6の硬度が低下する。
またTi/N&ll成比は、窒化酸比ン含有薄膜6全体
で同一であっても、摺動面9と、窒化チタン含有薄膜6
との界面から、窒化チタン含有IM6の表面方向に、段
階的または連続的に減少させても良い、この際、チタン
は活性な金属であるため、窒化チタン含有薄膜6と磁気
ヘッド7の摺動面9との密着性を向上させるのに有効で
ある。
で同一であっても、摺動面9と、窒化チタン含有薄膜6
との界面から、窒化チタン含有IM6の表面方向に、段
階的または連続的に減少させても良い、この際、チタン
は活性な金属であるため、窒化チタン含有薄膜6と磁気
ヘッド7の摺動面9との密着性を向上させるのに有効で
ある。
またこの窒化チタン含有薄膜6は、磁気ヘッド7を構成
するガラス7の軟化点以下で形成することができるため
、磁気へラド7に熱的損傷による特性劣化を及ぼすこと
がなく、さらに窒化チタン含有薄膜6を形成すべき磁気
へラド7を水冷したホルダ8に保持することにより、常
温下で窒化チタン含有薄膜6を慴動面9に形成すること
ができる。
するガラス7の軟化点以下で形成することができるため
、磁気へラド7に熱的損傷による特性劣化を及ぼすこと
がなく、さらに窒化チタン含有薄膜6を形成すべき磁気
へラド7を水冷したホルダ8に保持することにより、常
温下で窒化チタン含有薄膜6を慴動面9に形成すること
ができる。
このように、磁気ヘッド7の磁気記録媒体との摺動面9
に、磁気ヘッド7に特性劣化を与えることなく、密着性
に優れ、かつ硬質な窒化チタン含有薄膜6を形成するこ
とにより、摺動面9の耐摩耗性を向上させる。
に、磁気ヘッド7に特性劣化を与えることなく、密着性
に優れ、かつ硬質な窒化チタン含有薄膜6を形成するこ
とにより、摺動面9の耐摩耗性を向上させる。
なお窒化チタン含有量M6は、磁気へノド7付近に、ガ
ス導入ノズル14より窒素元素を含有するガスを導入し
、磁気記録媒体との摺動面9に、蒸発源11によるチタ
ン元素を含有する蒸発物質!1″の真空蒸着と同時また
は交互に、イオン源10により不活性ガスイオンのみ、
または窒素元素および不活性ガス元素を含有するイオン
を照射して形成しても良い。
ス導入ノズル14より窒素元素を含有するガスを導入し
、磁気記録媒体との摺動面9に、蒸発源11によるチタ
ン元素を含有する蒸発物質!1″の真空蒸着と同時また
は交互に、イオン源10により不活性ガスイオンのみ、
または窒素元素および不活性ガス元素を含有するイオン
を照射して形成しても良い。
但し、この際、照射するイオンの加速エネルギ(40k
eV以下の範囲)およびTi/Nll成比(1〜酸比の
範囲)は、上述と同様の範囲内とすることが好ましく、
さらにガス導入ノズル14に導入する窒素元素を含有す
るガスの流入量は、5 X 10−’ (Torr)以
上〜I X 10−’ (Torr)以下の範囲とする
ことが好ましい、この範囲を逸脱して、ガスの流入量が
5 X 10−’ (Torr)より少ないと、蒸発!
IIFltll’であるチタン(Ti)が充分に窒化し
ないことにより、Ti/N&n成比が1−酸比の範囲を
逸脱してしまう、また流入量がI X l O−’ (
Torr)より多くなると、真空排気システムに悪影響
を及ぼす。
eV以下の範囲)およびTi/Nll成比(1〜酸比の
範囲)は、上述と同様の範囲内とすることが好ましく、
さらにガス導入ノズル14に導入する窒素元素を含有す
るガスの流入量は、5 X 10−’ (Torr)以
上〜I X 10−’ (Torr)以下の範囲とする
ことが好ましい、この範囲を逸脱して、ガスの流入量が
5 X 10−’ (Torr)より少ないと、蒸発!
IIFltll’であるチタン(Ti)が充分に窒化し
ないことにより、Ti/N&n成比が1−酸比の範囲を
逸脱してしまう、また流入量がI X l O−’ (
Torr)より多くなると、真空排気システムに悪影響
を及ぼす。
この発明の構成によれば、磁気記録媒体との摺動面に、
チタン元素を含有する物質の真空蒸着と、窒素元素を含
有するイオンまたは不活性ガス元素を含有するイオンの
照射とを併用して形成した硬質な窒化チタンを含有する
f!膜により、摺動面の耐摩耗性を向上させたため、摺
動面の耐摩耗性を劣化させることなく、ギャップの深さ
を20μm以下の小さなものとすることができる。
チタン元素を含有する物質の真空蒸着と、窒素元素を含
有するイオンまたは不活性ガス元素を含有するイオンの
照射とを併用して形成した硬質な窒化チタンを含有する
f!膜により、摺動面の耐摩耗性を向上させたため、摺
動面の耐摩耗性を劣化させることなく、ギャップの深さ
を20μm以下の小さなものとすることができる。
〔実施例〕
21拠1
第2図に示す薄膜形成装置を用いて、真空容器(図示せ
ず)内を2 X 10−” (Torr)に排気した後
、ギャップの深さを5(μm〕とした磁気へラド7の磁
気記録媒体との摺動面9に、蒸発11111によるチタ
ン(純度99%)の蒸着と同時に、イオン源10に窒素
ガス(純度99゜999%)を導入し、窒素イオンを照
射して、窒化チタン薄膜を形成した。
ず)内を2 X 10−” (Torr)に排気した後
、ギャップの深さを5(μm〕とした磁気へラド7の磁
気記録媒体との摺動面9に、蒸発11111によるチタ
ン(純度99%)の蒸着と同時に、イオン源10に窒素
ガス(純度99゜999%)を導入し、窒素イオンを照
射して、窒化チタン薄膜を形成した。
この際、窒素イオンの加速エネルギーは、2(k e
V)とし、形成した窒化チタンTl 11m内に含まれ
るチタンと窒素との粒子数比(Ti/N組成比)は1と
した。また窒化チタン薄膜の膜厚は300人とした。
V)とし、形成した窒化チタンTl 11m内に含まれ
るチタンと窒素との粒子数比(Ti/N組成比)は1と
した。また窒化チタン薄膜の膜厚は300人とした。
なお蒸発源11は電子ビームによるもの、イオン源9は
パケット形イオン源を用いた。
パケット形イオン源を用いた。
また磁気へラド7は、ダイヤモンドラッピングテープで
研磨することにより、第3図(a)、 (blに示すギ
ャップ15の深さdを5〔μm〕としたものである。ま
た磁気へラド7のコア材はMn−Znフェライトからな
り、トラック幅17は約27〔μm〕、ギャップ長は約
0.25〔μm〕のものである。
研磨することにより、第3図(a)、 (blに示すギ
ャップ15の深さdを5〔μm〕としたものである。ま
た磁気へラド7のコア材はMn−Znフェライトからな
り、トラック幅17は約27〔μm〕、ギャップ長は約
0.25〔μm〕のものである。
また磁気ヘッド7は水冷されたホルダ8に保持されてお
り、したがって磁気ヘッド7に熱的損傷が加えられるこ
とがなかった。
り、したがって磁気ヘッド7に熱的損傷が加えられるこ
とがなかった。
災旅■業
実施例1と同様の磁気ヘッド7の磁気記録媒体との摺動
面9に、実施例1と同様のプロセスで膜厚300人の窒
化チタン薄膜を形成した。
面9に、実施例1と同様のプロセスで膜厚300人の窒
化チタン薄膜を形成した。
但し、窒化チタン薄膜を形成する際に、照射する窒素イ
オンの加速エネルギーをto (keV)とし、またT
i / N組成比は1とした。
オンの加速エネルギーをto (keV)とし、またT
i / N組成比は1とした。
比較■
比較例として、従来の磁気ヘッドを用いた。この磁気ヘ
ッドは、ギャップ15の深さdが40〔μm〕のもので
あり、磁気記録媒体との摺動面9には、窒化チタン薄膜
が形成されていないものである。
ッドは、ギャップ15の深さdが40〔μm〕のもので
あり、磁気記録媒体との摺動面9には、窒化チタン薄膜
が形成されていないものである。
以下に実施例1.実施例2および比較例の各磁気ヘッド
を用いて、磁気記録媒体となる磁気テープを再生するこ
とにより、各磁気ヘッドの再生出力特性の測定を行った
。この測定結果を(表3)に示す。
を用いて、磁気記録媒体となる磁気テープを再生するこ
とにより、各磁気ヘッドの再生出力特性の測定を行った
。この測定結果を(表3)に示す。
なお各磁気ヘッドの再生出力特性を測定するために用い
た磁気テープは、保持力900 [Oe]および残留磁
束密度1500(G)のフェライト系のものであり、ま
た各磁気ヘッドと磁気テープとの相対速度は5.8(m
/S)とした。
た磁気テープは、保持力900 [Oe]および残留磁
束密度1500(G)のフェライト系のものであり、ま
た各磁気ヘッドと磁気テープとの相対速度は5.8(m
/S)とした。
但し、(表3)に示す各磁気ヘッドの再生出力の測定値
は、比較例としたギャップの深さ40〔μm]の磁気ヘ
ッドにおいて、周波数9 [MHz)のおける再生出力
を0(dB)に定めた値である。
は、比較例としたギャップの深さ40〔μm]の磁気ヘ
ッドにおいて、周波数9 [MHz)のおける再生出力
を0(dB)に定めた値である。
(表3)
(表3)から明らかなように、各実施例1. 2の磁気
ヘンt′は、比較例の磁気ヘッドと比較して、各周波数
帯において、再生出力が優れていることがわかる。
ヘンt′は、比較例の磁気ヘッドと比較して、各周波数
帯において、再生出力が優れていることがわかる。
次に実施例1.実施例2お、hび比較例の各磁気ヘッド
のQ(11!を表4に示す。
のQ(11!を表4に示す。
但し、使用周波数は5(Mt(z)とし、また比較例の
磁気ヘッド(ギャップの深さ40μm)において、周波
数5 (MHz)におけるインダクタンスの値を2〔μ
H)となるようにした。
磁気ヘッド(ギャップの深さ40μm)において、周波
数5 (MHz)におけるインダクタンスの値を2〔μ
H)となるようにした。
(以下余白)
(表4)
(表4)から明らかなように、各実施例1.2の磁気ヘ
ッドは、比較例の磁気ヘッドに比較して、Q値が優れて
いることがわかる。
ッドは、比較例の磁気ヘッドに比較して、Q値が優れて
いることがわかる。
以上に示すように、各実施例1.2の磁気ヘッドは、比
較例の磁気ヘッドに比べて、再生出力およびQ値が向上
していることが明らかとなった。
較例の磁気ヘッドに比べて、再生出力およびQ値が向上
していることが明らかとなった。
次に各実施例1.2および比較例の磁気ヘッドの耐FI
l耗性試験を行った。
l耗性試験を行った。
耐摩耗性試験は、一定の環境下(室温下、湿度60〔%
〕)で、上述再生出力特性を測定する際に用いた磁気テ
ープを用い、磁気ヘッドと磁気テープとの相対速度を5
.8(m/S)とし、1000時間走行させ、その後、
各実施例1.2の磁気ヘッドの磁気テープとの摺動面に
おける摩耗量を走査型電子顕微鏡(SEM)により観測
したところ、実施例1の摩耗量は約120人であり、実
施例2は摩耗量の約110人であった。
〕)で、上述再生出力特性を測定する際に用いた磁気テ
ープを用い、磁気ヘッドと磁気テープとの相対速度を5
.8(m/S)とし、1000時間走行させ、その後、
各実施例1.2の磁気ヘッドの磁気テープとの摺動面に
おける摩耗量を走査型電子顕微鏡(SEM)により観測
したところ、実施例1の摩耗量は約120人であり、実
施例2は摩耗量の約110人であった。
このように実施例1および実施例2の磁気ヘッドは、ギ
ャップの深さを小さくする(20 (8m)以下)こと
により、磁気ヘッドの特性を向上させることでき、かつ
磁気記録媒体との摺動面に、窒化チタン薄膜を形成する
ことにより、耐摩耗性も得ることができ、比較例とした
従来のギャップの深さの大きい磁気ヘッドが保証してい
るのと同等の長時間使用をユーザに保証することができ
た。
ャップの深さを小さくする(20 (8m)以下)こと
により、磁気ヘッドの特性を向上させることでき、かつ
磁気記録媒体との摺動面に、窒化チタン薄膜を形成する
ことにより、耐摩耗性も得ることができ、比較例とした
従来のギャップの深さの大きい磁気ヘッドが保証してい
るのと同等の長時間使用をユーザに保証することができ
た。
この発明の磁気ヘッドによれば、磁気ヘッドの磁気記録
媒体との摺動面に、チタン元素を含有する物質の真空蒸
着と、窒素元素を含有するイオンまたは不活性ガス元素
を含有するイオンの照射とを併用して、形成した硬質の
窒化チタンを含有する薄膜により、摺動面の耐摩耗性を
向上させたため、摺動面の耐摩耗性を劣化させることな
く、ギャップの深さを20μm以下の小さなものとする
ことができる。その結果、再往出力特性等を向上させ、
かつ摺動面の摩耗による寿命の短縮化を防いだ磁気ヘッ
ドを得ることができる。
媒体との摺動面に、チタン元素を含有する物質の真空蒸
着と、窒素元素を含有するイオンまたは不活性ガス元素
を含有するイオンの照射とを併用して、形成した硬質の
窒化チタンを含有する薄膜により、摺動面の耐摩耗性を
向上させたため、摺動面の耐摩耗性を劣化させることな
く、ギャップの深さを20μm以下の小さなものとする
ことができる。その結果、再往出力特性等を向上させ、
かつ摺動面の摩耗による寿命の短縮化を防いだ磁気ヘッ
ドを得ることができる。
第1図はこの発明の磁気ヘッドの一実施例を示す概念図
、第2図は第1図の磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜
形成装置の一例を示す概念図、第3図(a)は従来の磁
気ヘットの構造を示す概念図、第3図ら)は第3図(a
)のA−A’線における断面図である。 X・・・磁気ヘッド、6・・・窒化チタン含有菌#(窒
化チタンを含有する薄膜)、9・・・摺動面、10’・
・・イオン、lビ・・・蒸発物質 \ (b) 9・・・摺動面 第 図
、第2図は第1図の磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜
形成装置の一例を示す概念図、第3図(a)は従来の磁
気ヘットの構造を示す概念図、第3図ら)は第3図(a
)のA−A’線における断面図である。 X・・・磁気ヘッド、6・・・窒化チタン含有菌#(窒
化チタンを含有する薄膜)、9・・・摺動面、10’・
・・イオン、lビ・・・蒸発物質 \ (b) 9・・・摺動面 第 図
Claims (1)
- ギャップの深さを20μm以下とした磁気ヘッドの磁
気記録媒体との摺動面に、チタン元素を含有する物質の
真空蒸着と、窒素元素を含有するイオンまたは不活性ガ
ス元素を含有するイオンの照射とを併用して、窒化チタ
ンを含有する薄膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15117090A JPH0442412A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15117090A JPH0442412A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442412A true JPH0442412A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15512847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15117090A Pending JPH0442412A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442412A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001039181A1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic head, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6403473B1 (en) * | 1998-05-20 | 2002-06-11 | Infineon Technologies Ag | Process for producing metal-containing layers |
| US6640418B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a head unit |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP15117090A patent/JPH0442412A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403473B1 (en) * | 1998-05-20 | 2002-06-11 | Infineon Technologies Ag | Process for producing metal-containing layers |
| WO2001039181A1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic head, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6783435B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic head, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6640418B2 (en) | 1999-12-03 | 2003-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a head unit |
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