JPH03273258A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電子写真感光体に関し、ざらに詳しくは安定
なX型無金属フタロシアニン含有組成物を用いた高感度
な電子写真感光体に関する。
なX型無金属フタロシアニン含有組成物を用いた高感度
な電子写真感光体に関する。
[従来の技術およびその課題]
従来からフタロシアニン類1.金属フタロシアニン類は
優れた光II電性を示すことが知られており、一部は電
子写真感光体に使用されている。近年のノンインパクト
プリンタ技術の発展に伴い、レザ光や、LEDを光源と
する高画質、高速化の可能な電子写真方式の光プリンタ
が広く普及しつつあり、それらの要求に耐える感光体の
開発が盛んである。
優れた光II電性を示すことが知られており、一部は電
子写真感光体に使用されている。近年のノンインパクト
プリンタ技術の発展に伴い、レザ光や、LEDを光源と
する高画質、高速化の可能な電子写真方式の光プリンタ
が広く普及しつつあり、それらの要求に耐える感光体の
開発が盛んである。
特に、レーザを光源とする場合、小型、安価。
簡便さ等の点から、多くは半導体レーザが用いられるが
、現在これらに用いられる半導体レーザの発振波長は、
近赤外域の比較的長波長に限定されている。したがって
、従来電子写真法の複写機に用いられてきた可視領域に
感度を有する感光体を半導体レーザ用に用いるのは不適
当であり、近赤外領域にまで光感度を持つ感光体が必要
となってきている。
、現在これらに用いられる半導体レーザの発振波長は、
近赤外域の比較的長波長に限定されている。したがって
、従来電子写真法の複写機に用いられてきた可視領域に
感度を有する感光体を半導体レーザ用に用いるのは不適
当であり、近赤外領域にまで光感度を持つ感光体が必要
となってきている。
この要求を満たす有機系材料としては、従来、スクアリ
ック酸メチン系色素、インド1ノン系色素、シアニン系
色素、ビリリウム系色素、ボ1ノアゾ系色素、フタロシ
アニン系色素、ナフトキノン系色素等が知られている。
ック酸メチン系色素、インド1ノン系色素、シアニン系
色素、ビリリウム系色素、ボ1ノアゾ系色素、フタロシ
アニン系色素、ナフトキノン系色素等が知られている。
このうち、スクアリック酸メチン系色素、インドリン系
色素、シアニン系色素、ビリリウム系色素は長波長化か
可能であるが、実用的安定性(!lり返し特性)に欠(
ブ、ポリアゾ系色素は長波長化が難しく、かつ製造面で
不利であり、ナフトキノン系色素は感度的に勤があるの
が現状である。
色素、シアニン系色素、ビリリウム系色素は長波長化か
可能であるが、実用的安定性(!lり返し特性)に欠(
ブ、ポリアゾ系色素は長波長化が難しく、かつ製造面で
不利であり、ナフトキノン系色素は感度的に勤があるの
が現状である。
これに対し、フタロシアニン系色素は、600nm以上
の長波長域に分光感度のピークがあり、かつ感度も高く
、中心金属や結晶形の棒類番こより分光感度が変化する
ことから、半導体レーザ用色素として適していると考え
られ、精力的に胡究開発か行われている。
の長波長域に分光感度のピークがあり、かつ感度も高く
、中心金属や結晶形の棒類番こより分光感度が変化する
ことから、半導体レーザ用色素として適していると考え
られ、精力的に胡究開発か行われている。
これまで検討が行われたフタロシアニン化合物の中で7
80nm以上の長波長域において高感度を示す化合物と
しては、X型無金属フタロシアニン、ε型銅フタロシア
ニン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができる
。
80nm以上の長波長域において高感度を示す化合物と
しては、X型無金属フタロシアニン、ε型銅フタロシア
ニン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができる
。
一方、高感度化のために、フタロシアニンの蒸@膜を電
荷発生層とする積層型感光体が検討され、周期律表11
a族およびIV族の金属を中心金属とするフタロシアニ
ンのなかで、比較的高い感度を有するものが幾つか得ら
れている。このような金属フタロシアニンに関する文献
として、例えば、特開昭57−211149号公報、同
57−148745号公報、同59−36254号公報
、同59−44054号公報、同59−30541号公
報、同59−31965号公報、同59−166959
号公報等がある。しかしながら、蒸着膜の作製には高真
空排気装置を必要とし、設備費が高くなることから上記
の如き有機感光体は高価格のものとならざるを得ない。
荷発生層とする積層型感光体が検討され、周期律表11
a族およびIV族の金属を中心金属とするフタロシアニ
ンのなかで、比較的高い感度を有するものが幾つか得ら
れている。このような金属フタロシアニンに関する文献
として、例えば、特開昭57−211149号公報、同
57−148745号公報、同59−36254号公報
、同59−44054号公報、同59−30541号公
報、同59−31965号公報、同59−166959
号公報等がある。しかしながら、蒸着膜の作製には高真
空排気装置を必要とし、設備費が高くなることから上記
の如き有機感光体は高価格のものとならざるを得ない。
これに対し、フタロシアニンを蒸着膜としてではなく、
樹脂分散層とし、これを電荷発生層として用いて、その
上に電荷移動層を塗布してなる複合型感光体も検討され
、このような複合型感光体としては、無金属フタロシア
ニン(特願昭57−66963号)やインジウムフタロ
シアニン(特願昭59−22cm−493号)を用いる
ものがあり、これらは比較的高感度な感光体であるが、
前者は8(10nm以上の長波長領域において急速に感
度が低下する等の欠点を有し、また後者は電荷発生層を
樹脂分散系で作製する場合には、実用化に対して感度か
不充分である等の欠点を有している。
樹脂分散層とし、これを電荷発生層として用いて、その
上に電荷移動層を塗布してなる複合型感光体も検討され
、このような複合型感光体としては、無金属フタロシア
ニン(特願昭57−66963号)やインジウムフタロ
シアニン(特願昭59−22cm−493号)を用いる
ものがあり、これらは比較的高感度な感光体であるが、
前者は8(10nm以上の長波長領域において急速に感
度が低下する等の欠点を有し、また後者は電荷発生層を
樹脂分散系で作製する場合には、実用化に対して感度か
不充分である等の欠点を有している。
また、フタロシアニン類は、一般に結晶多形を有するが
、芳香族溶媒中では最も安定な結晶形、一般にβ型と呼
ばれる結晶に転移する。
、芳香族溶媒中では最も安定な結晶形、一般にβ型と呼
ばれる結晶に転移する。
したがって、α型、X型、ε型のような不安定状態の結
晶は、特開昭57−141453号公報、特公昭52−
6300号公報等に示されるように、フタロシアニン誘
導体を添加することにより安定化させて実用に供してい
る。
晶は、特開昭57−141453号公報、特公昭52−
6300号公報等に示されるように、フタロシアニン誘
導体を添加することにより安定化させて実用に供してい
る。
しかしこれらの誘導体は、光導電性が殆んどないだけで
なく、電子写真特性上重要な光感度、帯電性、暗減衰率
等いずれの性能をも劣化させる原因となっている。これ
は、フタロシアニンの外殻ベンゼン環に側鎖を付与する
ことで、分子間距離が短くなり、分子面方向の導電性が
増すことや、結晶性が不良となること等によると推定さ
れる。
なく、電子写真特性上重要な光感度、帯電性、暗減衰率
等いずれの性能をも劣化させる原因となっている。これ
は、フタロシアニンの外殻ベンゼン環に側鎖を付与する
ことで、分子間距離が短くなり、分子面方向の導電性が
増すことや、結晶性が不良となること等によると推定さ
れる。
特に、光導電特性の良い米国特許第3.357.989
号(1967)に示されるX型無金属フタロシアニンか
実用に供されないのは、上記に述べた■結晶の不安定性
、■それに伴う製造時の制御の難しさ、ざらに■光導電
スペクトルが800nm付近で低下し始める1:め、一
般に発振波長が温度等で±10nIl程度変動する78
0nmを発光中心とする半導体レーザを露光源とする光
プリンタ用感光体に適用する場合、感度変化が現れて不
都合である、という点に問題があったからである。
号(1967)に示されるX型無金属フタロシアニンか
実用に供されないのは、上記に述べた■結晶の不安定性
、■それに伴う製造時の制御の難しさ、ざらに■光導電
スペクトルが800nm付近で低下し始める1:め、一
般に発振波長が温度等で±10nIl程度変動する78
0nmを発光中心とする半導体レーザを露光源とする光
プリンタ用感光体に適用する場合、感度変化が現れて不
都合である、という点に問題があったからである。
一方、電荷移動材料としては、近年、ブタジェン化合物
やオキサジアゾール化合物等の種々の有機材料が提案さ
れ、一部実用化されている。しかし、そのうちブタジェ
ン化合物を含むものは、光疲労には強いが電気的特性に
難があり、オキサジアゾール化合物を含むものは、電気
的特性は良いが、光疲労に問題がある。
やオキサジアゾール化合物等の種々の有機材料が提案さ
れ、一部実用化されている。しかし、そのうちブタジェ
ン化合物を含むものは、光疲労には強いが電気的特性に
難があり、オキサジアゾール化合物を含むものは、電気
的特性は良いが、光疲労に問題がある。
本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなさ
れたもので、有機光導電性材料を組み合わせて、半導体
レーザに適した光感度を有し、かつ特性を制御できる電
子写真感光体を提供することを目的とする。
れたもので、有機光導電性材料を組み合わせて、半導体
レーザに適した光感度を有し、かつ特性を制御できる電
子写真感光体を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明は、電荷発生材料と電荷移動材料を含む電子写真
感光体において、 (a)電荷発生材料が、無金属フタロシアニン100重
量部とチタニルフタロシアニン100重量部以下を含む
X型無金属フタロシアニン組成物結晶であって、その赤
外吸収スペクトルにおいて971±2cm−’および9
65±2個−1に特徴的な吸収を示し、980±2c「
1および955±2 c「1ニハ特徴的な吸収を示さな
い組成物結晶であり、かつCuKδを線源とするX線回
折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±0.2度
)が7,5度、9.1度。
感光体において、 (a)電荷発生材料が、無金属フタロシアニン100重
量部とチタニルフタロシアニン100重量部以下を含む
X型無金属フタロシアニン組成物結晶であって、その赤
外吸収スペクトルにおいて971±2cm−’および9
65±2個−1に特徴的な吸収を示し、980±2c「
1および955±2 c「1ニハ特徴的な吸収を示さな
い組成物結晶であり、かつCuKδを線源とするX線回
折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±0.2度
)が7,5度、9.1度。
16.7度および17.3度に強い回折ピークを有する
X型無金属フタロシアニン組成物を有効成分とし、 (b)電荷移動材料が、下記一般式[I]で表されるブ
タジェン化合物と、下記一般式[II]で表されるオキ
サジアゾール化合物とを有効成分とすることを特徴とす
る電子写真感光体である。
X型無金属フタロシアニン組成物を有効成分とし、 (b)電荷移動材料が、下記一般式[I]で表されるブ
タジェン化合物と、下記一般式[II]で表されるオキ
サジアゾール化合物とを有効成分とすることを特徴とす
る電子写真感光体である。
(式中、R1−R4はアルキル基を示し、相互に同じで
も異なっていてもよい。〉 ル基を示し、相互に同じでも異なっていてもよい。〉 本発明によれば、電荷移動材料として上記一般式[II
]で表されるブタジェン化合物と、上記−般式[II]
で表されるオキサジアゾール化合物とを絹み合わせて使
用することによって、各々のもつ欠点が相互に補足され
、半導体レーザに対応した光感度を有し、電気的特性に
優れ、さらに光疲労にも強い電子写真感光体が提供され
る。
も異なっていてもよい。〉 ル基を示し、相互に同じでも異なっていてもよい。〉 本発明によれば、電荷移動材料として上記一般式[II
]で表されるブタジェン化合物と、上記−般式[II]
で表されるオキサジアゾール化合物とを絹み合わせて使
用することによって、各々のもつ欠点が相互に補足され
、半導体レーザに対応した光感度を有し、電気的特性に
優れ、さらに光疲労にも強い電子写真感光体が提供され
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いられる無金属フタロシアニンは、一般式;
(式中、R5、R6、R7およびR8は水素原子、アル
キル基、アシル基またはシクロアルキ(式中、Xj 、
X2 、X3 、X4は各々独立的に各種ハロゲン原子
を表し、n、m、!、には各々独立的にO〜4の数字を
表す。〉 で表される化合物である。
キル基、アシル基またはシクロアルキ(式中、Xj 、
X2 、X3 、X4は各々独立的に各種ハロゲン原子
を表し、n、m、!、には各々独立的にO〜4の数字を
表す。〉 で表される化合物である。
本発明に用いられる無金属フタロシアニンのうち、特に
好適なものは、無金属フタロシアニン、無金属クロロフ
タロシアニンおよびそれらの混合物である。
好適なものは、無金属フタロシアニン、無金属クロロフ
タロシアニンおよびそれらの混合物である。
これらの無金属フタロシアニンは、任意の公知の方法に
よって得られる。例えば、ラインホールド出版の「フタ
ロシアニン化合物J (1963年)中にエフ・モー
ザー(F、 noser)とエイ・トーマス(A、 T
hoa+as>によって示されたα型およびβ型無金属
フタロシアニンの製造方法や、特公昭58−23854
号公報に示されたようなO−フタロジニトリルを強塩基
触媒存在下でアルコール系溶剤中で合成する等の方法が
ある。
よって得られる。例えば、ラインホールド出版の「フタ
ロシアニン化合物J (1963年)中にエフ・モー
ザー(F、 noser)とエイ・トーマス(A、 T
hoa+as>によって示されたα型およびβ型無金属
フタロシアニンの製造方法や、特公昭58−23854
号公報に示されたようなO−フタロジニトリルを強塩基
触媒存在下でアルコール系溶剤中で合成する等の方法が
ある。
このようにして得られた無金属フタロシアニンを、酸、
アルカリ洗浄や、メタノール、エタノル、イソプロピル
アルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、1,4−ジ
オキサン等のエーテル類、2−エトキシエタノール、キ
ノリン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン等の電子供与性の溶媒で洗浄処理す
ることが好ましい。
アルカリ洗浄や、メタノール、エタノル、イソプロピル
アルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、テトラヒドロフラン、1,4−ジ
オキサン等のエーテル類、2−エトキシエタノール、キ
ノリン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピ
ロリドン、ピリジン等の電子供与性の溶媒で洗浄処理す
ることが好ましい。
X型無金属フタロシアニンは、上記材料を、特公昭44
−14106@公報、同46−42512号公報等に示
された方法によって結晶化を行うことにより得られる。
−14106@公報、同46−42512号公報等に示
された方法によって結晶化を行うことにより得られる。
本発明では、いずれの方法によって得られるX型無金属
フタロシアニンも用い得るが、電子写真感光体の電荷発
生材料として用いる場合、良好な分散性を得るためには
、粒径の小さいものの得られるミリング法により得られ
たものが好ましい。
フタロシアニンも用い得るが、電子写真感光体の電荷発
生材料として用いる場合、良好な分散性を得るためには
、粒径の小さいものの得られるミリング法により得られ
たものが好ましい。
またその際のミリング原料には、アシッドペースティン
グ法、あるいは機械的粉砕法によって得られ、良く洗浄
されたα型を用いることが良好な光電特性を得るために
は好ましい。
グ法、あるいは機械的粉砕法によって得られ、良く洗浄
されたα型を用いることが良好な光電特性を得るために
は好ましい。
α型無金属フタロシアニンを得るための化学的処理方法
としてよく知られたアシッドペースティング法は、95
%以上の硫酸に顔料を溶解もしくは@酸塩にしたものを
水または氷水中に注ぎ、再析出させる方法であるが、@
酸および水を望ましくは5℃以下に保ち、@酸を高速攪
拌された水中にゆっくりと注入することにより、さらに
条件良く微小粒子を得ることができる。
としてよく知られたアシッドペースティング法は、95
%以上の硫酸に顔料を溶解もしくは@酸塩にしたものを
水または氷水中に注ぎ、再析出させる方法であるが、@
酸および水を望ましくは5℃以下に保ち、@酸を高速攪
拌された水中にゆっくりと注入することにより、さらに
条件良く微小粒子を得ることができる。
その他、結晶性粒子を直接機械的処理装置できわめて長
時間摩砕する方法、アシッドペースティング法で得られ
た粒子を前記溶媒等で処理した後摩砕する方法等がある
。
時間摩砕する方法、アシッドペースティング法で得られ
た粒子を前記溶媒等で処理した後摩砕する方法等がある
。
チタニルフタロシアニンの添加によるX型無金属フタロ
シアニンの安定化は、X型製造時の種々の工程で可能で
ある。
シアニンの安定化は、X型製造時の種々の工程で可能で
ある。
即ち、■粗合成精製後の通常β型(一部α型混在)で添
加する、■α型の段階で添加する、■X型転移途中で添
加する、■X型に添加する、の各場合が考えられ、いず
れの場合も良いが、良好なX型結晶を得るためには、■
あるいは■が実用上好ましい。
加する、■α型の段階で添加する、■X型転移途中で添
加する、■X型に添加する、の各場合が考えられ、いず
れの場合も良いが、良好なX型結晶を得るためには、■
あるいは■が実用上好ましい。
特にミリング法によるX型製造法では、最終工程で溶剤
による攪拌精製を行うが、常法では結晶のβ化を考慮し
て脂肪族溶剤しか用いることはできず、洗浄効果の点で
問題が残る。この時、チタニルフタロシアニンを添加す
ると、精製効率の良いエステル系溶剤、芳香族溶剤等を
用いてもβ型への転移はせずX型で安定するので、純度
の高い安定性のあるX型を得るには、少なくともこの工
程では存在することが好ましい。
による攪拌精製を行うが、常法では結晶のβ化を考慮し
て脂肪族溶剤しか用いることはできず、洗浄効果の点で
問題が残る。この時、チタニルフタロシアニンを添加す
ると、精製効率の良いエステル系溶剤、芳香族溶剤等を
用いてもβ型への転移はせずX型で安定するので、純度
の高い安定性のあるX型を得るには、少なくともこの工
程では存在することが好ましい。
従って、この時用いられる溶剤は、分散性の良好な溶剤
、精製効率の優れた溶剤等から自由に選択でき、例えば
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等のエーテ
ルおよびエステル類、メチルエチルケトン、アセトン等
のケトン類、トルエン等の芳香族類、塩化メチレン等の
ハロゲン類、N−メチルピロリドン等の電子供与性溶剤
等が挙げられる。
、精製効率の優れた溶剤等から自由に選択でき、例えば
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等のエーテ
ルおよびエステル類、メチルエチルケトン、アセトン等
のケトン類、トルエン等の芳香族類、塩化メチレン等の
ハロゲン類、N−メチルピロリドン等の電子供与性溶剤
等が挙げられる。
また、チタニルフタロシアニンの添加量は、照金属フタ
ロシアニン100重量部に対して100重1部以下であ
り、特に50重量部以下であることが好ましい。これは
結晶型確認のためのX線回折測定の際、チタニルフタロ
シアニンが多く存在すると、分解能が悪くなり、結晶型
の同定が難しくなるためである。
ロシアニン100重量部に対して100重1部以下であ
り、特に50重量部以下であることが好ましい。これは
結晶型確認のためのX線回折測定の際、チタニルフタロ
シアニンが多く存在すると、分解能が悪くなり、結晶型
の同定が難しくなるためである。
このようにして得られたX型無金属フタロシアニン組成
物は、赤外吸収スペクトルにおいて、971±2on−
’ 965±2ctx−’に特徴的な吸収を示し、9
55±2cm’ 980±2cut−’には特徴的な
吸収を示さない。これに対し、無添加のX型無金属フタ
ロシアニンは955±2αn−’に特徴的な吸収を示す
。一方、X線回折スペクトルでは、ブラッグ角度(2θ
±0.2度〉が7.5度、9.1度、 16.7度。
物は、赤外吸収スペクトルにおいて、971±2on−
’ 965±2ctx−’に特徴的な吸収を示し、9
55±2cm’ 980±2cut−’には特徴的な
吸収を示さない。これに対し、無添加のX型無金属フタ
ロシアニンは955±2αn−’に特徴的な吸収を示す
。一方、X線回折スペクトルでは、ブラッグ角度(2θ
±0.2度〉が7.5度、9.1度、 16.7度。
17.3度に強い回折ピークを示し、X型の特徴を有し
ている。
ている。
本発明で用いられるチタニルフタロシアニンは、一般式
; %式%) (式中、Xl 、X2 、X3 、X4は各々独立的に
各種ハロゲン原子を表し、n、m、!、には各々独立的
にO〜4の数字を表す。〉 で表される化合物である。
; %式%) (式中、Xl 、X2 、X3 、X4は各々独立的に
各種ハロゲン原子を表し、n、m、!、には各々独立的
にO〜4の数字を表す。〉 で表される化合物である。
本発明に用いられるチタニルフタロシアニンのうち、特
に好適なものは、チタニルフタロシアニン(Ti0Pc
> 、チタニルクロロフタロシアニン(Ti0PcCJ
すおよびそれらの混合物である。
に好適なものは、チタニルフタロシアニン(Ti0Pc
> 、チタニルクロロフタロシアニン(Ti0PcCJ
すおよびそれらの混合物である。
これらのチタニルフタロシアニン化合物は、例えば、1
,2−ジシアノベンゼン(○−フタロジニトリル)また
はその誘導体と金属または金属化合物から、公知の方法
に従って容易に合成することができる。
,2−ジシアノベンゼン(○−フタロジニトリル)また
はその誘導体と金属または金属化合物から、公知の方法
に従って容易に合成することができる。
合成動の精製・洗浄は、前述の無金属フタロシアニンの
場合と同様に行うことができる。
場合と同様に行うことができる。
また電子写真感光体を塗布法にて作製する際に必要な塗
料作成において、塗料の安定性2分散性が重要であり、
そのためには分散する粒子が微小であることが好ましい
。これらのチタニルフタロシアニンを微粒子化する方法
としては、単一の化学的方法、i械的な方法でも得られ
るか、より好ましくは各種の方法の組み合わせによって
得ることができる。
料作成において、塗料の安定性2分散性が重要であり、
そのためには分散する粒子が微小であることが好ましい
。これらのチタニルフタロシアニンを微粒子化する方法
としては、単一の化学的方法、i械的な方法でも得られ
るか、より好ましくは各種の方法の組み合わせによって
得ることができる。
例えば、アシッドペースティング法、アシッドスラリー
法等の方法で粒子間の凝集を弱め、次いで機械的処理方
法で摩砕することにより、きわめて微小な粒子を得るこ
とができる。摩砕時に使用される装置としては、ニーダ
−、バンバリーミキサ−、アトライター、エツジランナ
ーミル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、5PE
Xミル。
法等の方法で粒子間の凝集を弱め、次いで機械的処理方
法で摩砕することにより、きわめて微小な粒子を得るこ
とができる。摩砕時に使用される装置としては、ニーダ
−、バンバリーミキサ−、アトライター、エツジランナ
ーミル、ロールミル、ボールミル、サンドミル、5PE
Xミル。
ホモミキサー、ディスパーザ−、アジター、ショークラ
ッシャー、スタンプミル、カッターミル。
ッシャー、スタンプミル、カッターミル。
マイクロナイザー等があるが、これらに限られるもので
はない。また、化学的処理方法としてよく知られたアシ
ッドペースティング法は、95%以上の@酸に顔料を溶
解もしくは硫I!塩にしたものを水または氷水中に注ぎ
再析出させる方法であるが、硫#Iおよび水を望ましく
は5℃以下に保ち、硫酸を高速攪拌された水中にゆっく
りと注入することにより、ざらに条件良く微小粒子を得
ることができる。
はない。また、化学的処理方法としてよく知られたアシ
ッドペースティング法は、95%以上の@酸に顔料を溶
解もしくは硫I!塩にしたものを水または氷水中に注ぎ
再析出させる方法であるが、硫#Iおよび水を望ましく
は5℃以下に保ち、硫酸を高速攪拌された水中にゆっく
りと注入することにより、ざらに条件良く微小粒子を得
ることができる。
その他、結晶性粒子を直接機械的処理装置できわめて長
時間摩砕する方法、アシッドペースティング法で得られ
た粒子を前記溶媒等で処理した後摩砕する方法等がある
。
時間摩砕する方法、アシッドペースティング法で得られ
た粒子を前記溶媒等で処理した後摩砕する方法等がある
。
上記のようにして得られた微小チタニルフタロシアニン
粒子を、更に、各種溶媒で精製・洗浄する。洗浄溶媒は
相合成品の洗浄に用いたものと同様なものが適宜用いら
れる。特にテトラヒドロフランにて精製したものは、電
子写真特性が良く、分散性も良好で、本発明に用いるの
に好適である。
粒子を、更に、各種溶媒で精製・洗浄する。洗浄溶媒は
相合成品の洗浄に用いたものと同様なものが適宜用いら
れる。特にテトラヒドロフランにて精製したものは、電
子写真特性が良く、分散性も良好で、本発明に用いるの
に好適である。
これはX線回折スペクトルがCukδを線源とした場合
、ブラッグ角度〈2θ±0.2度〉で9.7度。
、ブラッグ角度〈2θ±0.2度〉で9.7度。
24.1度、 27.2度(!大〉に特徴的な強いピ
ークを有するものとなっている。他の公知の各種のX線
回折パターンを持つチタニルフタロシアニンも、本発明
のX型無金属フタロシアニンの結晶安定化にはいずれも
使用でき、その安定化機能において差異はない。
ークを有するものとなっている。他の公知の各種のX線
回折パターンを持つチタニルフタロシアニンも、本発明
のX型無金属フタロシアニンの結晶安定化にはいずれも
使用でき、その安定化機能において差異はない。
以上のようにして得られた安定化されたX型無金属フタ
ロシアニン組成物を用いて電子写真感光体を作製する。
ロシアニン組成物を用いて電子写真感光体を作製する。
本発明によるX型無金属フタロシアニン組成物または該
組成物とチタニルフタロシアニン化合物を電荷発生材料
として適当な樹脂と共に基板上に塗工し、均質な、高感
度の電荷発生層を得ることができる。X型無金属フタロ
シアニン組成物とチタニルフタロシアニンとの混合比は
必要に応じ適宜変えることができる。
組成物とチタニルフタロシアニン化合物を電荷発生材料
として適当な樹脂と共に基板上に塗工し、均質な、高感
度の電荷発生層を得ることができる。X型無金属フタロ
シアニン組成物とチタニルフタロシアニンとの混合比は
必要に応じ適宜変えることができる。
X型だけを用いた場合、その分光波長のピークが770
nm付近にあり、半導体レーザの発振波長である780
nmでは、光感度が落ちる。
nm付近にあり、半導体レーザの発振波長である780
nmでは、光感度が落ちる。
一方、チタニルフタロシアニンは82cm−nm近傍に
分光感度のピークがあり、やはり780nmは必ずしも
最高感度とはなっていない。
分光感度のピークがあり、やはり780nmは必ずしも
最高感度とはなっていない。
第9図はX型無金属フタロシアニン組成物に対するチタ
ニルフタロシアニンの量と分光感度のピーク波長との相
関図で、同図かられかるように、上記の2種の電荷発生
材料を適宜調合することにより、例えば780nIかそ
の分光感度のピークとなる感光体を作製することができ
る。更に、この2種の調合により、それぞれの固有抵抗
および仕事関数等の物性が異なることから、基板からの
キャリアの注入、電荷移動層への注入効率の調整が可能
となるため、電子写真方式のシステム毎に要求される感
光体特性の微妙な調整かでき、きわめて広範な実用適性
を有する感光体を提供することができるようになる。
ニルフタロシアニンの量と分光感度のピーク波長との相
関図で、同図かられかるように、上記の2種の電荷発生
材料を適宜調合することにより、例えば780nIかそ
の分光感度のピークとなる感光体を作製することができ
る。更に、この2種の調合により、それぞれの固有抵抗
および仕事関数等の物性が異なることから、基板からの
キャリアの注入、電荷移動層への注入効率の調整が可能
となるため、電子写真方式のシステム毎に要求される感
光体特性の微妙な調整かでき、きわめて広範な実用適性
を有する感光体を提供することができるようになる。
電荷発生層を塗工によって形lli!2する際に用いう
る樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択できる。ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ【ニルアントラ
センやポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーから
選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、ボリ
アリレート(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体等
)、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂
、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド
樹脂。
る樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択できる。ま
たポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリ【ニルアントラ
センやポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマーから
選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、ボリ
アリレート(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体等
)、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂
、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド
樹脂。
ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリス
チレン、ポリケトン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、ポリごニルアセタール、ポリアクリ
ロニトリル、フエノル樹脂、メラミン樹脂、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等の絶縁
性樹脂を挙げることができる。電荷発生層中に含有する
樹脂は、100重量%以下、好ましくは40重量%以下
が適している。またこれらの樹脂は、1種または2種以
上組み合わせて用いても良い。
ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリス
チレン、ポリケトン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、ポリごニルアセタール、ポリアクリ
ロニトリル、フエノル樹脂、メラミン樹脂、カゼイン、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等の絶縁
性樹脂を挙げることができる。電荷発生層中に含有する
樹脂は、100重量%以下、好ましくは40重量%以下
が適している。またこれらの樹脂は、1種または2種以
上組み合わせて用いても良い。
これらの樹脂を溶解する溶剤は樹脂の種類によって異な
り、後述する電荷移動層やアンダーコート層を塗工時に
影響を与えないものから選択することが好ましい。具体
的にはベンゼン、キシレン。
り、後述する電荷移動層やアンダーコート層を塗工時に
影響を与えないものから選択することが好ましい。具体
的にはベンゼン、キシレン。
リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等
の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール
、イソプロパツール等のアルコール類、酢酸エチル、メ
チルセロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホ
ルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、テトラ上10
フラン、ジオキサン、エチレングリコール七ツメチルエ
ーテル等のエーテル類、N、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、および
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が用いられる
。
の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール
、イソプロパツール等のアルコール類、酢酸エチル、メ
チルセロソルブ等のエステル類、四塩化炭素、クロロホ
ルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、トリクロルエ
チレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、テトラ上10
フラン、ジオキサン、エチレングリコール七ツメチルエ
ーテル等のエーテル類、N、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、および
ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類が用いられる
。
塗工は、スピンコーター、アプリケーター、スプレーコ
ーター、バーコーター、浸漬コータードクターブレード
、ローラーコーター、カーテンコーター、ど−トコ−タ
ー装置を用いて行い、乾燥は、望ましくは加熱乾燥で4
0〜2cm−0℃、10分〜6時間の範囲で静止または
送風条件下で行う。
ーター、バーコーター、浸漬コータードクターブレード
、ローラーコーター、カーテンコーター、ど−トコ−タ
ー装置を用いて行い、乾燥は、望ましくは加熱乾燥で4
0〜2cm−0℃、10分〜6時間の範囲で静止または
送風条件下で行う。
乾燥後S厚は0.01〜5脚、望ましくは0.1〜1脚
になるように塗工される。
になるように塗工される。
本発明に用いられる電荷移動材料のうち一つは一般式[
I]で表されるブタジェン化合物であり、もう一つは一
般式[II]で表されるオキサジアゾール化合物である
。
I]で表されるブタジェン化合物であり、もう一つは一
般式[II]で表されるオキサジアゾール化合物である
。
一般式[I]のブタジェン化合物としては、例えば次の
ような化合物が挙げられる。
ような化合物が挙げられる。
(以下余白〉
H3
H3
[II,1−ビス−(p−ジメチルアミノフェニル)
−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンコ c2)+5 [II,1−ビス−(p−ジエチルアミノフェニル)
−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンコ さらに、一般式[II]のオキサジアゾール化合物とし
ては、例えば次のような化合物が挙げられる。
−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンコ c2)+5 [II,1−ビス−(p−ジエチルアミノフェニル)
−4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンコ さらに、一般式[II]のオキサジアゾール化合物とし
ては、例えば次のような化合物が挙げられる。
[2,5−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾールコ [2,5−ビス−(4−イソアミルアミノフェニル)−
1゜3.4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾールコ ・・・NJ) [2,5−ビス−(4−シクロペンチルアミノフェニル
〉−1,3,4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−n−プロピルアミノフェニル)
−1゜3.4−オキサジアゾールコ ・・・(h) [2,5−ビス−(4−シクロへキシルアミノフェニル
)−1,3,4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−N−エチル−N−n−プロピル
−アミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]
[2,5−ビス−(<4−ジ−n−プロピル〉−アミノ
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール][2,5
−ビス−(4−< N−エチル−N−アセチル〉−アミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール][2,
5−ビス−(4−アセチルアミノフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−エチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール] [2−(4−ジエチル−アミノフェニル)−5−(4’
−ジメチル−アミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジアゾールコ −N υ [2−(4−モノ−n−プロピル−アミノフェニル)−
5−(4“−ジメチル−アミノフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾール] [2−(4−七〕−〇−プロピル−アミノフェニル)−
5−(4°−モノ−エチル−アミノフェニル) −1,
3,4−オキサジアゾール] (以下余白) 上記物質のうち、ブタジェン化合物としては特に1,1
−どスー(p−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジ
フェニル−1,3−ブタジェンが好ましく、オキサジア
ゾール化合物としては特に2,5−ビス−(4−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールが
好ましい。これらのブタジェン化合物およびオキサジア
ゾール化合物は本出願前公知のものであり、それぞれ常
法により製造される。
,3,4−オキサジアゾールコ [2,5−ビス−(4−イソアミルアミノフェニル)−
1゜3.4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾールコ ・・・NJ) [2,5−ビス−(4−シクロペンチルアミノフェニル
〉−1,3,4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−n−プロピルアミノフェニル)
−1゜3.4−オキサジアゾールコ ・・・(h) [2,5−ビス−(4−シクロへキシルアミノフェニル
)−1,3,4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−N−エチル−N−n−プロピル
−アミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]
[2,5−ビス−(<4−ジ−n−プロピル〉−アミノ
フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール][2,5
−ビス−(4−< N−エチル−N−アセチル〉−アミ
ノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール][2,
5−ビス−(4−アセチルアミノフェニル)−1,3,
4−オキサジアゾール] [2,5−ビス−(4−エチルアミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール] [2−(4−ジエチル−アミノフェニル)−5−(4’
−ジメチル−アミノフェニル) −1,3,4−オキサ
ジアゾールコ −N υ [2−(4−モノ−n−プロピル−アミノフェニル)−
5−(4“−ジメチル−アミノフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾール] [2−(4−七〕−〇−プロピル−アミノフェニル)−
5−(4°−モノ−エチル−アミノフェニル) −1,
3,4−オキサジアゾール] (以下余白) 上記物質のうち、ブタジェン化合物としては特に1,1
−どスー(p−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジ
フェニル−1,3−ブタジェンが好ましく、オキサジア
ゾール化合物としては特に2,5−ビス−(4−ジエチ
ルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールが
好ましい。これらのブタジェン化合物およびオキサジア
ゾール化合物は本出願前公知のものであり、それぞれ常
法により製造される。
本発明の電子写真感光体の電荷移動居は、前記一般式[
I]のブタジェン化合物と、前記一般式[II1]のオ
キサジアゾール化合物とを樹脂(結着剤)と共に適当な
溶媒中に溶解し、必要に応じて光を吸収して電荷を発生
する光導電物質、増感染料、電子吸収性材料、劣化防止
物質あるいは可塑剤等の各種添加剤を添加して得られる
塗布液を導電性基板上に塗布、乾燥し、通常5〜30μ
sの膜厚の感光層を形成することにより作製できる。
I]のブタジェン化合物と、前記一般式[II1]のオ
キサジアゾール化合物とを樹脂(結着剤)と共に適当な
溶媒中に溶解し、必要に応じて光を吸収して電荷を発生
する光導電物質、増感染料、電子吸収性材料、劣化防止
物質あるいは可塑剤等の各種添加剤を添加して得られる
塗布液を導電性基板上に塗布、乾燥し、通常5〜30μ
sの膜厚の感光層を形成することにより作製できる。
ブタジェン化合物およびオキサジアゾール化合物と樹脂
との混合割合は、樹脂100重量部に対し、30〜30
0重量部、好ましくは50〜2cm−0重量部である。
との混合割合は、樹脂100重量部に対し、30〜30
0重量部、好ましくは50〜2cm−0重量部である。
ざらに、ブタジェン化合物とオキサジアゾール化合物と
の混合比は、ブタジェン化合物100重量部に対してオ
キサジアゾール化合物10〜1000重量部、好ましく
は30〜150重量部である。
の混合比は、ブタジェン化合物100重量部に対してオ
キサジアゾール化合物10〜1000重量部、好ましく
は30〜150重量部である。
この電荷移動層に用いられる樹脂は、シリコーン樹脂、
ケトン樹脂、ポリメチルメタクリレート。
ケトン樹脂、ポリメチルメタクリレート。
ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂ボリアリレート。
ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン。
アクリロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ボ1ノアクリル
アミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性樹脂、ポリ
−N−ビニルカルバゾール。
リル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ボ1ノアクリル
アミド、ポリアミド、塩素化ゴム等の絶縁性樹脂、ポリ
−N−ビニルカルバゾール。
ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等が用いら
れる。これらの樹脂は、1種または2種以上組み合わせ
て用いてもよい。
れる。これらの樹脂は、1種または2種以上組み合わせ
て用いてもよい。
電荷移動層の塗工方法は、スピンコーター、アプリケー
ター、スプレーコーター、バーコーター浸漬コーター、
ドクターブレード、ローラーコーラ−、カーテンコータ
ー ビードコーター等の装置を用いて行い、乾燥後の膜
厚は5〜50仰、望ましくは10〜2cm− mになる
ように塗工されるものが良い。
ター、スプレーコーター、バーコーター浸漬コーター、
ドクターブレード、ローラーコーラ−、カーテンコータ
ー ビードコーター等の装置を用いて行い、乾燥後の膜
厚は5〜50仰、望ましくは10〜2cm− mになる
ように塗工されるものが良い。
これらの各層に加えて、帯電性の低下防止、接着性向上
などの目的でアンダーコート層を導電性基板上に設ける
ことができる。アンダーコート層としては、ナイロン6
、ナイロン66、ナイロン11゜ナイロン610.共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン等のアルコー
ル可溶性ポリアミド、カゼイン、ポリビニルアルコール
、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー
、ゼラチン、ポリウレタン、ポリビニルブチラールおよ
び酸化アルミニウム等の金属酸化物が用いられる。
などの目的でアンダーコート層を導電性基板上に設ける
ことができる。アンダーコート層としては、ナイロン6
、ナイロン66、ナイロン11゜ナイロン610.共重
合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロン等のアルコー
ル可溶性ポリアミド、カゼイン、ポリビニルアルコール
、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー
、ゼラチン、ポリウレタン、ポリビニルブチラールおよ
び酸化アルミニウム等の金属酸化物が用いられる。
また、金属酸化物やカーボンブラック等の導電性粒子を
樹脂中に含有させても効果的である。
樹脂中に含有させても効果的である。
アンダーコート層のWIA厚は0.05〜1011Il
、好ましくは0.2〜3朗程度が適当である。
、好ましくは0.2〜3朗程度が適当である。
また、本発明の電子写真感光体は、導電性基板上に、ア
ンダーコート層、電荷発生層、電荷移動層の順に積層さ
れたものが望ましいが、アンダーコート層、電荷移動層
、電荷発生層の順で積層されたものや、アンダーコート
層上に電荷発生材料と電荷移動材料を適当な樹脂で分散
塗工されたものでも良い。また、これらのアンダーコー
ト層は必要に応じて省略することもできる。
ンダーコート層、電荷発生層、電荷移動層の順に積層さ
れたものが望ましいが、アンダーコート層、電荷移動層
、電荷発生層の順で積層されたものや、アンダーコート
層上に電荷発生材料と電荷移動材料を適当な樹脂で分散
塗工されたものでも良い。また、これらのアンダーコー
ト層は必要に応じて省略することもできる。
本発明の電子写真感光体は800部m近傍の波長に吸収
ピークがあり、電子写真感光体として複写機。
ピークがあり、電子写真感光体として複写機。
プリンターに用いられるだけでなく、太陽電池。
光電変換素子および光デイスク用吸収材料としても好適
である。
である。
[実施例]
以下、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨
を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。
を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。
なお例中、「部」とあるのは特に断わりのない限り、「
重量部」を示す。
重量部」を示す。
製造例1
0−フタロジニトリル(BASF社製) 100部と
ピペリジン10部とを、クロルドルオール300部中に
て2cm−0℃で10時間攪拌・反応させ、赤紫色結晶
を得た。更に酸、アルカリにて洗浄後、メタノール、
N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン
にて洗浄精製を行い、乾燥し、顔料粉末を得た。IRス
ペクトルおよび質量分析の結果、無金属フタロシアニン
であることをNl認した。
ピペリジン10部とを、クロルドルオール300部中に
て2cm−0℃で10時間攪拌・反応させ、赤紫色結晶
を得た。更に酸、アルカリにて洗浄後、メタノール、
N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン
にて洗浄精製を行い、乾燥し、顔料粉末を得た。IRス
ペクトルおよび質量分析の結果、無金属フタロシアニン
であることをNl認した。
製造例2
製造例1で得た無金属フタロシアニン1部を0〜5℃に
冷却した。fiAM (95部濃度) 2cm−部に
充分に溶解し、2cm−0部の水中に滴下し再析出させ
る。これを濾過し、更にアルカ1ハメタノール。
冷却した。fiAM (95部濃度) 2cm−部に
充分に溶解し、2cm−0部の水中に滴下し再析出させ
る。これを濾過し、更にアルカ1ハメタノール。
N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン
にて洗浄精製を行い、乾燥し、顔料フレークを得た。X
線回折によるとα型無金属フタロシアニンであった。
にて洗浄精製を行い、乾燥し、顔料フレークを得た。X
線回折によるとα型無金属フタロシアニンであった。
製造例3
0−フタロジニトリル2cm−.4部、四塩化チタン7
.6部をキノリン50部中で2cm−0℃にて2時間加
熱反応後、水蒸気蒸溜で溶媒を除き、2%塩酸水溶液、
続いて2%水酸化ナトリウム水溶液で精製し、アセトン
、N−メチルピロリドンで洗浄後、乾燥し、チタニルフ
タロシアニン(TiOPc)21.3部を得た。水洗後
のX線回折6図を第3図に、溶剤洗浄後のX線回折図を
第4図に示す。
.6部をキノリン50部中で2cm−0℃にて2時間加
熱反応後、水蒸気蒸溜で溶媒を除き、2%塩酸水溶液、
続いて2%水酸化ナトリウム水溶液で精製し、アセトン
、N−メチルピロリドンで洗浄後、乾燥し、チタニルフ
タロシアニン(TiOPc)21.3部を得た。水洗後
のX線回折6図を第3図に、溶剤洗浄後のX線回折図を
第4図に示す。
製造例4
製造例3で得たチタニルフタロシアニン2部を5℃の9
8%硫ill 40部の中に少しずつ溶解し、その混合
物を約1時間、5℃以下の温度を保ちながら攪拌する。
8%硫ill 40部の中に少しずつ溶解し、その混合
物を約1時間、5℃以下の温度を保ちながら攪拌する。
続いて硫酸溶液を高速攪拌した400部の氷水中にゆっ
くりと注入し、析出した結晶を濾過する。結晶を酸が残
留しなくなるまで蒸溜水で洗浄し、非結晶性のチタニル
フタロシアニンを1.8部得た。生成物のX線回折図を
第5図に示す。
くりと注入し、析出した結晶を濾過する。結晶を酸が残
留しなくなるまで蒸溜水で洗浄し、非結晶性のチタニル
フタロシアニンを1.8部得た。生成物のX線回折図を
第5図に示す。
製造例5
製造例4で得た非結晶性チタニルフタロシアニン2部を
テトラヒドロフラン100部中で約5時間攪拌を行う。
テトラヒドロフラン100部中で約5時間攪拌を行う。
次いで濾過し、テトラヒドロフランによる洗浄を行い、
乾燥後、1.7部のチタニルフタロシアニンを得た。こ
のようにして得た生成物のX線回折図は第6図に示すよ
うな結晶型であった。
乾燥後、1.7部のチタニルフタロシアニンを得た。こ
のようにして得た生成物のX線回折図は第6図に示すよ
うな結晶型であった。
実施例1
製造例2で得たα型無金属フタロシアニン10部とX型
無金属フタロシアニン1部をfa製ボールミルで4日間
攪拌する。X線回折にてX型にほぼ転移しているのを確
認後、製造例5にて得たチタニルフタロシアニン1部と
テトラヒドロフラン2cm−0部を入れ、更に5時間攪
拌した後、X線回折を行い、結晶性の良いX型無金属フ
タロシアニン組成物を10.5部得た。その赤外吸収ス
ペクトルを第1図に、X線回折図を第2図に示す。
無金属フタロシアニン1部をfa製ボールミルで4日間
攪拌する。X線回折にてX型にほぼ転移しているのを確
認後、製造例5にて得たチタニルフタロシアニン1部と
テトラヒドロフラン2cm−0部を入れ、更に5時間攪
拌した後、X線回折を行い、結晶性の良いX型無金属フ
タロシアニン組成物を10.5部得た。その赤外吸収ス
ペクトルを第1図に、X線回折図を第2図に示す。
この後、濾過、乾燥を行い、このX型無金属フタロシア
ニン組成物1部およびブチラール樹脂(積木化学社製:
BX−1>1部、テトロヒドラフラン35 gをボール
ミルにて10時間混練し、塗料を得た。
ニン組成物1部およびブチラール樹脂(積木化学社製:
BX−1>1部、テトロヒドラフラン35 gをボール
ミルにて10時間混練し、塗料を得た。
これをポリアミド樹脂(東し社製; CH−8000)
が0.5g塗布されたアルミ基板に0.37部厚となる
ように塗布し、電荷発生層を得た。
が0.5g塗布されたアルミ基板に0.37部厚となる
ように塗布し、電荷発生層を得た。
ざらに、一般式[I]のブタジェン化合物(b)である
1、1−ビス−(p−ジエチルアミノフェニル)−4゜
4−ジフェニル−1,3−ブタジェン70部と一般式[
II]のオキサジアゾール化合物(d)である2、5−
ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール30部、ポリカーボネート樹脂(三菱
ガス化学社製:Z−2cm−0) ioogおよび2
4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキ
シ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−L3,5−ト
リアジン5部をトルエン/テトラヒドロフラン(1/1
)混合液500部に溶解した溶液を乾燥膜厚が15μs
となるように塗布し、電荷移動層を得た。
1、1−ビス−(p−ジエチルアミノフェニル)−4゜
4−ジフェニル−1,3−ブタジェン70部と一般式[
II]のオキサジアゾール化合物(d)である2、5−
ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール30部、ポリカーボネート樹脂(三菱
ガス化学社製:Z−2cm−0) ioogおよび2
4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキ
シ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−L3,5−ト
リアジン5部をトルエン/テトラヒドロフラン(1/1
)混合液500部に溶解した溶液を乾燥膜厚が15μs
となるように塗布し、電荷移動層を得た。
このようにして、積層型の感光層を有する電子写真感光
体を得た。この感光体の半減露光量(E1/2)を静電
複写紙試験装N(川口電機製作所EPA−8100)に
より測定した。即ち、暗所で一5.5kVのコロナ放電
により帯電させ、次いで照度5 luxの白色光で露光
し、表面電位の半分に減衰するのに必要な露光量E
(1ux−sec>を72 求めた。その結果を表−1に示す。
体を得た。この感光体の半減露光量(E1/2)を静電
複写紙試験装N(川口電機製作所EPA−8100)に
より測定した。即ち、暗所で一5.5kVのコロナ放電
により帯電させ、次いで照度5 luxの白色光で露光
し、表面電位の半分に減衰するのに必要な露光量E
(1ux−sec>を72 求めた。その結果を表−1に示す。
実施例2
上記実施例1で使用したオキサジアゾール化合物((1
)に代えて、オキサジアゾール化合物(f)の2.5−
ビス−(4−イソアミルアミノフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾールを用いた他は、実施例1と同様な方
法で電子写真感光体を作製した。
)に代えて、オキサジアゾール化合物(f)の2.5−
ビス−(4−イソアミルアミノフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾールを用いた他は、実施例1と同様な方
法で電子写真感光体を作製した。
実施例3
実施例1で使用したオキサジアゾール化合物(d)に代
えて、オキサジアゾール化合物(i)の2.5−ビス−
(〈4−ジ−n−プロピル〉−アミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾールを用いた他は、実施例1と同
様な方法で電子写真感光体を作製した。
えて、オキサジアゾール化合物(i)の2.5−ビス−
(〈4−ジ−n−プロピル〉−アミノフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾールを用いた他は、実施例1と同
様な方法で電子写真感光体を作製した。
実施例4
実施例1と同様に、X型無金属フタロシアニン組成物を
作成し、顔料の取り出し、乾燥を行わずに、ざらにこの
ボールミルにブチラール樹脂(積木化学社製:BX−1
> 10部を加え、10時間攪拌し、塗料を調製する
。同塗料を実施例1と同様に、ポリアミド樹脂を塗布し
たアルミ基板上に0.2#塗布した。
作成し、顔料の取り出し、乾燥を行わずに、ざらにこの
ボールミルにブチラール樹脂(積木化学社製:BX−1
> 10部を加え、10時間攪拌し、塗料を調製する
。同塗料を実施例1と同様に、ポリアミド樹脂を塗布し
たアルミ基板上に0.2#塗布した。
さらに、ブタジェン化合物(b)の1.1−ビス−(p
−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジフェニル−1
3−ブタジェン12cm−部とオキサジアゾール化合物
(d)の2,5−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル
)−L34−オキサジアゾール30部、ポリカーボネー
ト樹脂(三菱ガス化学社製: 7−2cm−0>
100部、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノ
ン3部および2,4−ビス−(n−オクチルチオ) −
6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジー■−ブチルアニリ
ノ)−L3,5−トリアジン3部をジクロルメタン50
0部に溶解した溶液で実施例1と同様に電荷移動層を形
成し、電子写真感光体を作製した。
−ジエチルアミノフェニル)−4,4−ジフェニル−1
3−ブタジェン12cm−部とオキサジアゾール化合物
(d)の2,5−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル
)−L34−オキサジアゾール30部、ポリカーボネー
ト樹脂(三菱ガス化学社製: 7−2cm−0>
100部、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノ
ン3部および2,4−ビス−(n−オクチルチオ) −
6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジー■−ブチルアニリ
ノ)−L3,5−トリアジン3部をジクロルメタン50
0部に溶解した溶液で実施例1と同様に電荷移動層を形
成し、電子写真感光体を作製した。
実施例5
実施例1と同様にして製造したX型無金属フタロシアニ
ン0.7部と製造例5にて得られたチタニルフタロシア
ニン0.3部とを用いて実施例1と同様にして電荷発生
層を形成した後、実施例4と同様にして電子写真感光体
を作製した。
ン0.7部と製造例5にて得られたチタニルフタロシア
ニン0.3部とを用いて実施例1と同様にして電荷発生
層を形成した後、実施例4と同様にして電子写真感光体
を作製した。
実施例6
製造例2で得たα型無金属フタロシアニン10部とX型
無金属フタロシアニン0.5部および製造例5により得
たチタニルフタロシアニン2部とをボールミルにて5日
間攪拌して取り出し、メチルエチルケトン500部にて
スラリーとし、精製した。
無金属フタロシアニン0.5部および製造例5により得
たチタニルフタロシアニン2部とをボールミルにて5日
間攪拌して取り出し、メチルエチルケトン500部にて
スラリーとし、精製した。
この生成物のX線回折図を第7図に示す。次いで、該生
成物を用いた他は、実施例4と同様にして電子写真感光
体を作製した。
成物を用いた他は、実施例4と同様にして電子写真感光
体を作製した。
実施例7
製造例1で得た無金属フタロシアニン10部と製造例5
で得たチタニルフタロシアニン0.5部を製造例2と同
様な方法で硫酸処理を行い、次にボールミルにて7日間
攪拌を行った後、トルエンで溶剤処理してX型無金属フ
タロシアニン組成物を得た。生成物のX線回折図を第8
図に示す。ざらに、該生成物を用いた他は、実施例4と
同様にして電子写真感光体を作製した。
で得たチタニルフタロシアニン0.5部を製造例2と同
様な方法で硫酸処理を行い、次にボールミルにて7日間
攪拌を行った後、トルエンで溶剤処理してX型無金属フ
タロシアニン組成物を得た。生成物のX線回折図を第8
図に示す。ざらに、該生成物を用いた他は、実施例4と
同様にして電子写真感光体を作製した。
比較例1
実施例1で用いた電荷発生層上に、ブタジェン化合物(
b) 100部、ポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学
社製: Z−2cm−0>およびトルエン/THF(
1/1)混合液500部からなる塗料を塗布した電子写
真感光体を作製した。
b) 100部、ポリカーボネート樹脂(三菱ガス化学
社製: Z−2cm−0>およびトルエン/THF(
1/1)混合液500部からなる塗料を塗布した電子写
真感光体を作製した。
比較例2
比較例1においてブタジェン化合物(b)に代えて、オ
キサジアゾール化合物(d)を用いた電子写真感光体を
作製した。
キサジアゾール化合物(d)を用いた電子写真感光体を
作製した。
以上の実施例1〜7および比較例1〜2で作製した電子
写真感光体の緒特性を実施例1で述べたようにして調べ
た結果を表−1に示す。
写真感光体の緒特性を実施例1で述べたようにして調べ
た結果を表−1に示す。
(以下余白)
−73二
■o二表面電位(−5,5kV)
E1/2’半減露光量
DDRI :初期の暗減衰率
暗減衰率=〈帯電2秒後の表面電位〉
/(初期の表面電位)X100
DDR2:1000サイクル後の暗減衰率Vo1 :初
期の帯ii電位 VO2: 1000サイクル後の帯電電位VR1:初期
の残留電位 VR2:1000サイクル後の残留電位[発明の効果] 以上説明したように、本発明に用いられるX型無金属フ
タロシアニン組成物は、本来溶剤や熱等に対して結晶安
定性が悪く、安定した結晶が得難かったX型無金属フタ
ロシアニンを安定して確保でき、ざらに安定化剤として
用いるチタニルフタロシアニンも良好な電気特性を有す
るので、極めて優れた特性を持つ安定な組成物である。
期の帯ii電位 VO2: 1000サイクル後の帯電電位VR1:初期
の残留電位 VR2:1000サイクル後の残留電位[発明の効果] 以上説明したように、本発明に用いられるX型無金属フ
タロシアニン組成物は、本来溶剤や熱等に対して結晶安
定性が悪く、安定した結晶が得難かったX型無金属フタ
ロシアニンを安定して確保でき、ざらに安定化剤として
用いるチタニルフタロシアニンも良好な電気特性を有す
るので、極めて優れた特性を持つ安定な組成物である。
また、各々特性の異なる安定形X型無金属フタロシアニ
ンとチタニルフタロシアニンの組成比率を変えることに
より、感光体特性を調整できるため、装置に最適な電子
写真感光体を提供することができる。
ンとチタニルフタロシアニンの組成比率を変えることに
より、感光体特性を調整できるため、装置に最適な電子
写真感光体を提供することができる。
さらに、上記電荷発生材料と、ブタジェン化合物および
オキサジアゾール化合物の二成分を含有する電荷移動材
料の組み合わせにより、繰り返し使用においても特性劣
化における変動が少ない優れた電子写真感光体を提供す
ることができる。
オキサジアゾール化合物の二成分を含有する電荷移動材
料の組み合わせにより、繰り返し使用においても特性劣
化における変動が少ない優れた電子写真感光体を提供す
ることができる。
第1図は実施例1によるX型無金属フタロシアニン組成
物の赤外吸収スペクトル図、第2図は実施例1によるX
型無金属フタロシアニン組成物のX線回折図、第3図は
製造例3による水洗後のチタニルフタロシアニンのX線
回折図、第4図は製造例3による溶剤洗浄後のチタニル
フタロシアニンのX線回折図、第5図は製造例4による
チタニルフタロシアニンのX線回折図、第6図は製造例
5によるチタニルフタロシアニンのX線回折図、第7図
は実施例6によるX型無金属フタロシアニン組成物のX
線回折図、第8図は実施例7によるX型無金属フタロシ
アニン組成物のX線回折図、第9図はX型無金属フタロ
シアニンに対するチタニルフタロシアニンの調合比と分
光感度のピーク波長との相関図である。 特1′+出願人 日本電気株式会社
物の赤外吸収スペクトル図、第2図は実施例1によるX
型無金属フタロシアニン組成物のX線回折図、第3図は
製造例3による水洗後のチタニルフタロシアニンのX線
回折図、第4図は製造例3による溶剤洗浄後のチタニル
フタロシアニンのX線回折図、第5図は製造例4による
チタニルフタロシアニンのX線回折図、第6図は製造例
5によるチタニルフタロシアニンのX線回折図、第7図
は実施例6によるX型無金属フタロシアニン組成物のX
線回折図、第8図は実施例7によるX型無金属フタロシ
アニン組成物のX線回折図、第9図はX型無金属フタロ
シアニンに対するチタニルフタロシアニンの調合比と分
光感度のピーク波長との相関図である。 特1′+出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- (1)電荷発生材料と電荷移動材料を含む電子写真感光
体において、 (a)電荷発生材料が、無金属フタロシアニン100重
量部とチタニルフタロシアニン100重量部以下を含む
X型無金属フタロシアニン組成物結晶であつて、その赤
外吸収スペクトルにおいて971±2cm^−^1およ
び965±2cm^−^1に特徴的な吸収を示し、98
0±2cm^−^1および955±2cm^−^1には
特徴的な吸収を示さない組成物結晶であり、かつCuK
@α@を線源とするX線回折スペクトルにおいて、ブラ
ッグ角度(2θ±0.2度)が7.5度、9.1度、1
6.7度および17.3度に強い回折ピークを有するX
型無金属フタロシアニン組成物を有効成分とし、 (b)電荷移動材料が、下記一般式[ I ]で表される
ブタジエン化合物と、下記一般式[II]で表されるオキ
サジアゾール化合物とを有効成分とすることを特徴とす
る電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[ I ] (式中、R^1〜R^4はアルキル基を示し、相互に同
じでも異なつていてもよい。) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・[II] (式中、R^5、R^6、R^7およびR^8は水素原
子、アルキル基、アシル基またはシクロアルキル基を示
し、相互に同じでも異なっていてもよい。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7220490A JP2861220B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7220490A JP2861220B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273258A true JPH03273258A (ja) | 1991-12-04 |
| JP2861220B2 JP2861220B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=13482476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7220490A Expired - Fee Related JP2861220B2 (ja) | 1990-03-23 | 1990-03-23 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861220B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707768A (en) * | 1994-11-30 | 1998-01-13 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Diamine compounds and electrophotographic photoreceptor |
| US8535862B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-17 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge |
| US8637216B2 (en) | 2010-10-25 | 2014-01-28 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus and process cartridge for image forming apparatus |
-
1990
- 1990-03-23 JP JP7220490A patent/JP2861220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707768A (en) * | 1994-11-30 | 1998-01-13 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Diamine compounds and electrophotographic photoreceptor |
| US5840980A (en) * | 1994-11-30 | 1998-11-24 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Diamine compounds and electrophotographic photoreceptor |
| US8535862B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-17 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge |
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| JP2861220B2 (ja) | 1999-02-24 |
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