JPH03275588A - 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法 - Google Patents

単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法

Info

Publication number
JPH03275588A
JPH03275588A JP7477890A JP7477890A JPH03275588A JP H03275588 A JPH03275588 A JP H03275588A JP 7477890 A JP7477890 A JP 7477890A JP 7477890 A JP7477890 A JP 7477890A JP H03275588 A JPH03275588 A JP H03275588A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diameter
signal
crystal
single crystal
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7477890A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshitaka Fujisawa
佳孝 藤沢
Toshio Inami
俊夫 井波
Makoto Ogasawara
誠 小笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Steel Works Ltd filed Critical Japan Steel Works Ltd
Priority to JP7477890A priority Critical patent/JPH03275588A/ja
Publication of JPH03275588A publication Critical patent/JPH03275588A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、引き上げた単結晶の重量を検出し、その増加
速度をあらかじめ決定したプログラムにそって変化させ
て結晶径制御を行うチョクラルスキー法による単結晶引
き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制
御方法に関するものである。
〔従来技術〕
上記チョクラルスキー法において、重量センサを用いて
引き上げた結晶から直径変化を算出し直径を制御する重
量式計測制御技術は、例えば特開昭50−8680号で
既に知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、ロードセルの測定範囲が広く、それに対
し引き上げ結晶が軽いため、結晶の重量信号は非常に小
さくなる。実際には、この微小信号に回転ノイズやスリ
ップリングによるノイズ等がのってしまい、重量変化を
捕らえ直径値を計算し制御することはかなり困難である
。回転トランスを用いる方法もあるが、非接触で直流信
号を使える方法はない。また重量センサからの信号を微
分し、その変化により直径値を算出し制御する方法もあ
るが、微分回路を用いるとノイズを増幅してしまい、こ
の方法を用いることもかなり困難である。
また、このような従来方法では、ノイズがのっている重
量信号をそのまま直径値計算に用いるため、正確な直径
制御を行う事は非常に困難であつた。
本発明は、重量センサからの信号にノイズがのっている
状態でも、重量の微小変化を捕らえる事で引き上げ結晶
の精密な自動制御を行う事を目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明方法は、上記の目的を達成するため、引き上げた
単結晶の重量を検出し、その増加速度をあらかじめ決定
したプログラムにそって変化させて結晶径制御を行うチ
ョクラルスキー法により単結晶を引き上げるに際し、引
き上げた結晶の重量から直径を算出し結晶直径を制御す
る方法において、重量センサ1の出力信号aから重量変
化分だけを採取するために単位時間T毎に変化する基準
信号す、 、 bl・・・・・を差し引くことで、変化
分の信号Cを得、この変化分の信号Cで融液の温度調整
を行って単結晶の直径値の精密な制御を可能とした単結
晶引き上げにおける自動直径制御方法である。
また、重量センサ1からの出力信号aを時間と共に複数
個サンプリングし、最小2乗法を用い、回帰直線を求め
、その回帰直線から精密に直径を推定する単結晶引き上
げにおける単結晶の直径モニタ方法である。
更に、上記単結晶自動直径制御方法に上記単結晶の直径
モニタ方法を用いてなる単結晶引き上げにおける単結晶
自動直径制御方法である。
〔作 用〕
重量センサ1の出力信号aから信号の変化分だけを得る
ように、基準信号b+ −bl・・・・・を差し引く。
これにより引き上げ結晶の重量増加が非常に小さくても
重量センサ1の出力信号aの微小な変化分を捕らえるこ
とができる。その変化分の信号Cの増幅を行い、微小な
重量の変化分を検出し、直径を求め、直径の自動制御を
行う。さらに、ノイズの多い重量センサ1からの出力信
号aを複数個その時間と共にサンプリングし、最小2乗
法を用い回帰直線を求めることで、結晶直径の推定をし
高精度の自動直径制御を行うことができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明すると、第1
図(イ)は、単結晶引き上げシステムの概要を表す説明
図、同(0)は本発明による制御回路のブロック図であ
る。第2図はロードセルからの出力信号の変化を表すグ
ラフで、斜線部分は標準電圧発生器からの単位時間当た
りの出力電圧を表している。
第1図(イ)において、lは重量センサ(ロードセル)
、2は回転ロット、3は融液、4はるつぼ、5は高周波
加熱装置、6は種結晶である。
図示のようにるつぼ4内の融液3にロット2に固定され
た種結晶6を楼し、ロット2を一定速度で回転させなが
ら一定速度で引き上げ、その上部にあるロードセル1に
より、引き上げた結晶の重量を測定する。
第1図(ロ)示のように、ロードセルlからの出力信号
aは、減算回路1aで重量の変化分だけを捕らえるため
に、第2図に示すように単位時間T毎に変化する標準電
圧発生器7 (第2図の斜線部分)からの基準信号す、
 、 bl・・・・・・を差し引く。これらの基準信号
す、 、 b、・・・・・・は計算機13のインタフェ
ース8より標準電圧発生器7に信号dを送ることによっ
て造る。これにより、電圧信号の変化分の信号Cがデー
タとして得られる。
この変化分の信号Cは、直流増幅器9により、1倍81
0倍、 20倍、30倍、40倍の増幅率で増幅して信
号c、 、 cl・・・・・となり、A/D変換変換器
l弁してディジタル信号となって計算機13内に取り込
まれる。計算機13内では、^/D変換変換器l針解能
を引き出す方法として、増幅されたそれぞれの変化分の
信号c、 、 cl・・・・・のうちで^/D変換器1
0の入力の限界電圧10Vを超えない値で、最も限界に
近い値をもつ倍率の信号を計算機13により選ぶ。
計算機13内では、選択された信号から単結晶の直径を
算出し、さらに制御処理を行い、インターフェース11
を介し、高周波加熱発振器用調整計12゜高周波加熱装
置5を用いて融液3の温度調整を行う。このように融液
3の温度を制御することで、データ入出力装置14から
入力された信号eに従って引き上げ結晶の直径を制御す
るものである。
以上のように、この方法により重量の微小変化のみを捕
らえる事が可能となり、それに比例する直径の微小変化
にも精度良く対応できる。
上記の実施例では、直流増幅器9の倍率を1倍。
10倍、 20倍、30倍、40倍としているが、倍率
の個数9種類は任意である。また、^10変換器10の
入力限界電圧をIOVとしたが、その電圧を小さくする
ことによりさらに高精度の自動直径制御が可能なことは
自明のことである。
また上記実施例において、絶えず測定を繰り返して複数
個の測定値(X、×2”・・・・・)、 測定時(tl
tl・・・・・)をサンプリングし、これら測定値より
最小2乗法で単結晶の直径を推定するが、単結晶の直径
は時々刻々と変化するので、これを直線的に変化するも
のと仮定し、最小2乗法でその回帰直線(x=p+qt
、 p、 qは定数)を求めて、引き上げ直径を推定す
る。
以上のようにロードセルからの出力信号を、単位時間を
中にサンプリングし、最小2乗法を用い回帰直線を求め
ることにより、その傾きから精密に直径を推定すること
が可能となり、現在引き上げている結晶の状態がわかる
。以上の2方法を用いることで、単結晶引き上げにおけ
る高精度の自動直径制御が可能となる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ロードセル1の重量信号から変化分だ
けを得られるように基準信号を差し引いているので、次
に直流増幅器9で信号を増幅する場合、単にロードセル
1からの信号をそのまま増幅した時に比べて、減算して
から増幅した時の方が大きい増幅率を選択することが可
能となり、重量信号の微小変化を得られるようになった
。これにより、重量の変化に比例する結晶直径の微小変
化を精密に捕らえることが可能となった。
さらに、ロードセル1の重量信号aをサンプリングした
とき、最小2乗法を用い回帰直線を求めることで、引き
上げ直径の推定を可能にし、かつ容易にした。これらの
方法を用いることで、更に高精度の自動直径制御ができ
る。
また、完全自動化を行ったので、従来方法に比べ生産性
が向上しコストが低減される効果がある。
また品質面においては、再現性が向上し、一定品質の結
晶が得られ高品位化にも効果がある等、実用上極めて有
用である。
【図面の簡単な説明】
第1図(イ〉は、単結晶引き上げシステムの概要を表す
説明図、同図(0)は本発明による制御回路のブロック
図、第2図はロードセルからの出力信号の変化を表すグ
ラフである。 1・・・・・・重量センサ(ロードセル)、a・・・・
・・出力信号、b、・b2・・・・・・信号、C・・・
・・・変化分の信号、2・・・・・・回転ロット、3・
・・・・・融液、4・・・・・・るつぼ、5・・・・・
・高周波加熱装置、6・・・・・・種結晶。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)引き上げた単結晶の重量を検出し、その増加速度
    をあらかじめ決定したプログラムにそって変化させて結
    晶径制御を行うチョクラルスキー法により単結晶を引き
    上げるに際し、引き上げた結晶の重量から直径を算出し
    結晶直径を制御する方法において、重量センサの出力信
    号から重量変化分だけを採取するために単位時間毎に変
    化する基準信号を差し引くことで、変化分の信号を得、
    この変化分の信号で融液の温度調整を行って単結晶の直
    径値の精密な制御を可能とした単結晶引き上げにおける
    自動直径制御方法。
  2. (2)引き上げた単結晶の重量を検出し、その増加速度
    をあらかじめ決定したプログラムにそって変化させて結
    晶径制御を行うチョクラルスキー法により単結晶を引き
    上げるに際し、引き上げた結晶の重量から直径を算出し
    、結晶直径を測定する方法において、重量センサからの
    出力信号を時間と共に複数個サンプリングし、最小2乗
    法を用い、回帰直線を求め、その回帰直線から精密に直
    径を推定する単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニ
    タ方法。
  3. (3)チョクラルスキー法により単結晶を引き上げるに
    際し、請求項第1項記載の単結晶自動直径制御方法に請
    求項第2項記載の単結晶の直径モニタ方法を用いてなる
    単結晶引き上げにおける単結晶自動直径制御方法。
JP7477890A 1990-03-23 1990-03-23 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法 Pending JPH03275588A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7477890A JPH03275588A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7477890A JPH03275588A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03275588A true JPH03275588A (ja) 1991-12-06

Family

ID=13557090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7477890A Pending JPH03275588A (ja) 1990-03-23 1990-03-23 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03275588A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112987624A (zh) * 2021-04-20 2021-06-18 广东力源液压机械有限公司 一种工程机械的自动压桩控制系统及控制方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6065788A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 単結晶の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6065788A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 単結晶の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112987624A (zh) * 2021-04-20 2021-06-18 广东力源液压机械有限公司 一种工程机械的自动压桩控制系统及控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104035329B (zh) 一种振动自动化校准方法
CN100371507C (zh) 晶体等径生长的控制系统及其方法
CN105807812A (zh) Pid温度控制方法及温度控制模块
JPH09196874A (ja) ヒータ制御回路装置
JPH03156615A (ja) ローラの偏心度による乱れを補償する方法およびその装置
CN119694912A (zh) 一种芯片级GaAs刻蚀温度控制方法
JPH03275588A (ja) 単結晶引き上げにおける単結晶の直径モニタ方法及び自動直径制御方法
US3028501A (en) Method for measuring the volume or the weight of bodies having different size and irregularly passing through a channel or of accumulations of such bodies, particularly of fibre tufts
EP0456370A2 (en) Method and apparatus for controlling the diameter of a silicon single crystal
CN109298631A (zh) 一种基于传统pid控制器附加二次比例系数的自适应参数整定方法
JPS59133605A (ja) サンプル値pid制御装置
US4166378A (en) Method and apparatus for the differential thermal analysis of a molten metal
JP2653124B2 (ja) 連続鋳造鋳型内の湯面レベル制御方法
JPH03159984A (ja) 単結晶育成装置および単結晶育成方法
CN121323289B (zh) 一种海马热风串联干燥过程温度及湿度智能调控系统
CN115655085B (zh) 一种钢丝热镀镀层在线检测系统及方法
CN120928858B (zh) 一种炉式设备流量控制系统及方法
CN119794293B (zh) 一种tp2铜合金连续铸造过程中的硼砂添加方法及装置
JPS5935876B2 (ja) 単結晶自動径制御方法
FR2678645A1 (fr) Procede de regulation d'un traitement metallurgique effectue sur un produit en defilement et dispositif pour sa mise en óoeuvre.
JPS62263856A (ja) 連続鋳造における鋳片の切断制御方法
JPH0336217A (ja) 金属ストリップの熱処理方法
JPS635360B2 (ja)
JPH0211204A (ja) 圧延機の自動板厚制御方法
JPS5941021A (ja) 恒温水槽の温度制御方式