JPH03276728A - Ｉｎバンプの形成方法 - Google Patents
Ｉｎバンプの形成方法Info
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- JPH03276728A JPH03276728A JP7822690A JP7822690A JPH03276728A JP H03276728 A JPH03276728 A JP H03276728A JP 7822690 A JP7822690 A JP 7822690A JP 7822690 A JP7822690 A JP 7822690A JP H03276728 A JPH03276728 A JP H03276728A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はハイブリッド型のデバイスに使用するＩｎバン
プの形成方法に関する。
プの形成方法に関する。
［従来の技術］
数種のデバイスをＩｎバンプで結合して使用するハイブ
リッド型のデバイスは、通常、単一素子を２次元に数千
〜数万個に配列した構造をしている。
リッド型のデバイスは、通常、単一素子を２次元に数千
〜数万個に配列した構造をしている。
第３図、第４図に示すように、デバイスｌのＩｎバンプ
】０を形成する部分の表面は、通常アルミニウム、金等
のＩｎと異なる金属の蒸着膜３で覆われており、メッキ
法でＩｎバンプを形成する場合、デバイスの片側又は両
側にたとえば直径２０〜３０ｐｍ、高さｌｏｐｍのＩｎ
の円柱を成長させている。図中、７はＩｎメッキ液、８
はＩｎが電着した部分、９はＩｎが電着しない部分であ
る。
】０を形成する部分の表面は、通常アルミニウム、金等
のＩｎと異なる金属の蒸着膜３で覆われており、メッキ
法でＩｎバンプを形成する場合、デバイスの片側又は両
側にたとえば直径２０〜３０ｐｍ、高さｌｏｐｍのＩｎ
の円柱を成長させている。図中、７はＩｎメッキ液、８
はＩｎが電着した部分、９はＩｎが電着しない部分であ
る。
〔発明が解決しようとする課題］
数種のデバイスを確実にＩｎバンプで結合するためには
、Ｉｎバンプの高さを均一にする必要がある。
、Ｉｎバンプの高さを均一にする必要がある。
上述したように、デバイスのＩｎバンプを形成する部分
の表面は、通常、Ｉｎとは異なる金属で覆われており、
一般的にメッキでは同種金属間と異種金属間とではメッ
キの成長速度が異なる。たとえばデバイスの表面が金で
覆われている場合、金の上にＩｎが成長する速度はＩｎ
の上にＩｎが成長する速度より小さいため、従来のメッ
キ法によるＩｎバンプの形成方法では、数千〜数万個の
Ｉｎバンプ形成部分の中で早＜Ｉｎが電着した部分はＩ
ｎが電着しない部分よりもより早＜Ｉｎメッキが成長し
てしまう。
の表面は、通常、Ｉｎとは異なる金属で覆われており、
一般的にメッキでは同種金属間と異種金属間とではメッ
キの成長速度が異なる。たとえばデバイスの表面が金で
覆われている場合、金の上にＩｎが成長する速度はＩｎ
の上にＩｎが成長する速度より小さいため、従来のメッ
キ法によるＩｎバンプの形成方法では、数千〜数万個の
Ｉｎバンプ形成部分の中で早＜Ｉｎが電着した部分はＩ
ｎが電着しない部分よりもより早＜Ｉｎメッキが成長し
てしまう。
従ってＩｎバンプ１０．１１の高さに差が生じ、Ｉｎバ
ンプが低い部分はもう一つのデバイスと結合することが
できず、その単一素子は欠陥となる欠点があった。
ンプが低い部分はもう一つのデバイスと結合することが
できず、その単一素子は欠陥となる欠点があった。
本発明の目的は、Ｉｎバンプの高さを均一にするＩｎメ
ッキ成長方法を提供することにある。
ッキ成長方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明によるＩｎバンプの形
成方法においては、デバイスのＩｎバンプを形成する部
分の表面に、Ｉｎの蒸着膜を形成し、その後Ｉｎメッキ
を行うことを特徴としている。
成方法においては、デバイスのＩｎバンプを形成する部
分の表面に、Ｉｎの蒸着膜を形成し、その後Ｉｎメッキ
を行うことを特徴としている。
〔作用１
本発明では、デバイスのＩｎバンプを形成する部分の表
面はＩｎの蒸着膜で覆われているので、Ｉｎメッキ成長
は同種金属間のみで行われる。従って、Ｉｎメッキの成
長速度に差が生じることはなく、各Ｉｎバンプの高さを
均一に揃えることができる。
面はＩｎの蒸着膜で覆われているので、Ｉｎメッキ成長
は同種金属間のみで行われる。従って、Ｉｎメッキの成
長速度に差が生じることはなく、各Ｉｎバンプの高さを
均一に揃えることができる。
［実施例］
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図、第２図は本発明の一実施例を工程順に示す断面
図である。図に示すように、デバイス１の表面には金の
蒸着膜４が形成され、蒸着膜４のＩｎバンプｌＯを形成
する部分に、Ｉｎの蒸着膜４が形成され、それ以外はレ
ジスト６が塗布されている。
図である。図に示すように、デバイス１の表面には金の
蒸着膜４が形成され、蒸着膜４のＩｎバンプｌＯを形成
する部分に、Ｉｎの蒸着膜４が形成され、それ以外はレ
ジスト６が塗布されている。
Ｉｎバンプ１０はデバイスｌをＩｎメッキ液７に浸し、
電流を流して形成するが、ＩｎバンプｌＯを形成する部
分はＩｎの蒸着膜４で覆われているので、Ｉｎメッキは
同種金属間のみで行われる。従って、Ｉｎメッキ５の成
長速度は一定に保たれるので、Ｉｎバンプ１０を均一に
形成することができる。Ｉｎバンプ１０の高さが均一で
あれば、他のデバイス２と結合しない部分が生じること
もなく、素子の欠陥をなくすことができる。
電流を流して形成するが、ＩｎバンプｌＯを形成する部
分はＩｎの蒸着膜４で覆われているので、Ｉｎメッキは
同種金属間のみで行われる。従って、Ｉｎメッキ５の成
長速度は一定に保たれるので、Ｉｎバンプ１０を均一に
形成することができる。Ｉｎバンプ１０の高さが均一で
あれば、他のデバイス２と結合しない部分が生じること
もなく、素子の欠陥をなくすことができる。
以上説明したように、本発明のＩｎバンプ形成法によれ
ば、デバイスのＩｎバンプを形成する部分の表面にＩｎ
の蒸着膜が形成され、Ｉｎメッキは同種金属間のみで行
えばよいので、各Ｉｎバンプの高さを均一にすることが
できる効果がある。
ば、デバイスのＩｎバンプを形成する部分の表面にＩｎ
の蒸着膜が形成され、Ｉｎメッキは同種金属間のみで行
えばよいので、各Ｉｎバンプの高さを均一にすることが
できる効果がある。
第１図、第２図は本発明の一実施例を工程順に＝４
示す断面図、第３図。
面図である。
ｌ・・・デバイス
３・・・金の蒸着膜
５・・・Ｉｎメッキ
７・・・Ｉｎメッキ液
第４図は従来技術を示す断
２・・・他のデバイス
４・・・Ｉｎの蒸着膜
６・・・レジスト
１０・・・Ｉｎバンプ
Claims (1)
- （１）ハイブリッド型のデバイスに使用するＩｎバンプ
の形成方法であって、 デバイスのＩｎバンプを形成する部分に、Ｉｎの蒸着膜
を形成し、その後Ｉｎメッキを行うことを特徴とするＩ
ｎバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7822690A JPH03276728A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7822690A JPH03276728A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276728A true JPH03276728A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13656136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7822690A Pending JPH03276728A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｉｎバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994018698A1 (en) * | 1993-02-09 | 1994-08-18 | Hans Peter Peloschek | METHOD FOR ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONNECTING AND MECHANICAL FASTENING OF ICs ON CONDUCTING PATTERNS OF SUBSTRATES AND THE APPLICATION THEREOF |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP7822690A patent/JPH03276728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994018698A1 (en) * | 1993-02-09 | 1994-08-18 | Hans Peter Peloschek | METHOD FOR ELECTRICALLY CONDUCTIVE CONNECTING AND MECHANICAL FASTENING OF ICs ON CONDUCTING PATTERNS OF SUBSTRATES AND THE APPLICATION THEREOF |
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