JPH03280445A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

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JPH03280445A
JPH03280445A JP2081898A JP8189890A JPH03280445A JP H03280445 A JPH03280445 A JP H03280445A JP 2081898 A JP2081898 A JP 2081898A JP 8189890 A JP8189890 A JP 8189890A JP H03280445 A JPH03280445 A JP H03280445A
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wafer
semiconductor
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housing
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Hisashi Yana
簗 尚志
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、プローブ装置に関する。
(従来の技術) 周知の如く、半導体デバイスは、半導体ウェハ上に精密
写真転写技術等を用いて多数形成され、この後、各半導
体デバイスに切断される。このような半導体デバイスの
製造工程では、従来からプローブ装置を用いて、半完成
品の半導体デバイスの電気的な特性の試験測定を半導体
ウェハの状態で行い、この試験#1定の結果良品と判定
されたもののみをパッケージング等の後工程に送り、生
産性の向上を図ることが行われている。
上記プローブ装置は、x−y−z方向に移動可能に構成
されたウェハ載置台を備えており、このウェハ載置台上
には、半導体デバイスの電極パッドに対応した多数の探
針を備えたプローブカードが固定される。そして、ウェ
ハ載置台上に半導体ウェハを載置し、ウェハ載置台を駆
動して半導体デバイスの電極に探針を接触させ、この探
針を介してテスタにより試験JPj定を行うよう構成さ
れている。
ところで、上述したような半導体デバイスの製造工程に
おいては、微小な回路パターンを形成するため、雰囲気
中に塵埃が存在するとこの塵埃が半導体ウェハ等に付着
して不良発生の原因となる。
このため、通常半導体デバイスの製造工程は、正常化空
気のダウンフローを形成されたクリーンルーム内で行わ
れており、上述したプローブ装置もクリーンルーム内に
設置され、クリーンルーム内で試験n1定が実施される
。このため、従来のプロブ装置は、クリーンルーム内に
設置され、クリーンルーム内で使用されるよう構成され
ており、例えば筐体上面等には、クリーンルーム内のダ
ウンフローを取り込むための例えば多数の円孔等が設け
られている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述したようなりリーンルームは、その
床面積当たりの建設コストが高いので、クリーンルーム
内に設置する機器をできるだけ少なくすることが望まれ
ている。また、人体は、発塵源であるので、作業員等の
クリーンルーム内への立ち入りもできるだけ少なくする
ことが望まれている。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、通常雰囲気下で、半導体ウェハに形成された半導体デ
バイスの電気的な特性の試験fiP+定を実施可能とす
るプローブ装置を提供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、気密容器内に設けられたウェハプロ
ービング機構と、このウェハプロービング機構をクリー
ンエア雰囲気に設定する如く上記気密容器に設けられた
清浄化手段とを具備したことを特徴とする。
(作 用) 前述したように、クリーンルームは、その床面積当たり
の建設コストが高いので、クリーンルーム内に設置する
機器をできるだけ少なくすることが望まれている。また
、人体は、発塵源であるので、作業員等のクリーンルー
ム内への立ち入りもできるだけ少なくすることが望まれ
ている。
このため、プローブ装置を用いた半導体ウェハ状態の半
導体デバイスの試験ΔFl定においても、通常の製造工
程における試験測定以外の測定、例えば設計や工程管理
における評礁のためのJ)I定等は、クリーンルーム外
で実施することが望ましい。
本発明のプローブ装置では、装置内を清浄雰囲とするこ
とにより、このような半導体ウエノ\状態の半導体デバ
イスの試験測定を、通常雰囲気下で実施することができ
る。なお、半導体ウェハは、密閉容器内に収容してクリ
ーンルームから通常雰囲気下に持ち出す。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示すように、この実施例のプローブ装置には、
はぼ矩形状に形成された金属等で構成された筐体1が設
けられており、この筺体1は、不所望部位からの塵埃等
を含む周囲の空気の流入が起きないよう気密に形成され
ている。
また、筐体1の上面には、外気を筐体1内に取り入れる
ための複数の空気取入れ口2が設けられており、これら
の空気取入れ口2には、空気中の塵埃を除去して清浄化
するためのフィルタ3と、外気を強制的に取り入れる空
気取入れ用ファン4が設けられている。一方、筐体1の
底面には、複数の排気口5が設けられている。なお、こ
の排気口5に排気ファンを設けてもよい。
そして、空気取入れ用ファン4を回転させることにより
、図示矢印の如く空気取入れ口2から外気を取り入れて
フィルタ3により清浄化し、この清浄化した空気を筐体
1内を通過させて、排気口5から外部に排出するよう構
成されている。すなわち、筐体1内に、クリーンルーム
等と同様な清浄化空気のダウンフローを形成し、筐体1
内を清浄化雰囲気とするよう構成されている。
また、上記筐体1内には、複数枚の半導体ウェハ6を収
容可能に構成されたウェハ収容箱7を収容するためのウ
ェハ収容箱収容室8が設けられており、このウニ/1収
容箱収容室8内には、ウニ/\収容箱7を上下動させる
ためのエレベータ機構9が設けられている。また、この
ウェハ収容箱収容室8には、筺体1外からウェハ収容箱
7を出し入れするための開口部およびこの開口部を気密
に閉塞可能に構成されたシャッター機構と、ウニ/\収
容箱7を開閉するための開閉機構(いずれも図示せず)
が設けられている。
なお、ウェハ収容箱7は、例えば第2図に示すように、
内部を気密に閉塞可能に構成された矩形状の箱からなり
、内部の対向する壁面に形成された支持溝7aにより、
ウェハカセット等と同様に複数枚の半導体ウェハ6を棚
状に支持するよう構成されている。また、このウェハ収
容箱7の前面には開口部7bが設けられており、この開
口部7bを気密に閉塞する如く蓋体7Cが設けられてい
る。この蓋体7Cは、例えば図示矢印の如く、下端部を
軸として回動自在に構成されており、その上部両側には
係止機構7dが設けられている。また、この係止機構7
dに対応して、箱側にロック機構7eが設けられており
、このロック機構7eにより係止機構7dを係止して蓋
体7cを閉塞状態に保持するよう構成されている。なお
、このロック機構78は、例えば外側に磁石を配置して
磁力によりロック状態を解除する等、外側からロック状
態を解除可能に構成されている。
さらに、上記筐体1内には、x−y−z方向に移動可能
に構成されたウェハ載置台10が設けられており、ウェ
ハ載置台10の上方には、半導体ウェハ6に形成された
半導体デバイスの電極パッドに応じて多数の探針11を
植設されたプローブカード12が設けられている。そし
て、ウェハ載置台10とウェハ収容箱収容室8との間に
は、これらの間を気密に閉塞可能に構成されたシャッタ
機構13およびウェハ収容箱7とウェハ載置台10との
間で半導体ウェハ6の搬送を行う搬送機構14が設けら
れている。
上記構成のこの実施例のプローブ装置は、クリーンルー
ム外の通常雰囲気下に設置される。そして、空気取入れ
用ファン4を回転させることにより、筐体1内にクリー
ンルーム等と同様な清浄化空気のダウンフローを形成し
、筐体1内を清浄化雰囲気に保持する。
そして、測定を行う半導体ウェハ6は、クリールーム内
からウェハ収容箱7内に収容して気密な状態で通常雰囲
気下に搬出し、プローブ装置のウェハ収容箱収容室8に
収容する。
すると、プローブ装置は、このウェハ収容箱収容室8内
のウェハ収容箱7に所定時間清浄化空気を吹き付け、こ
の清浄化空気流により、ウェハ収容箱7の外側に付着し
た塵埃を除去した後、前述した如く、例えば磁石等によ
りウェハ収容箱7のロック機構7eのロック状態を解除
し、蓋体7Cを開ける。
そして、シャッタ機構13を開とし、搬送機構14によ
ってウェハ収容箱7内の半導体ウェハ6をウェハ載置台
10の所定位置に載置する。
この後、ウェハ載置台10を駆動することにより、半導
体ウェハ6に形成された半導体デバイスの電極パッドに
、プローブカード12の探針11を接触させて電気的な
導通を得、図示しないテスタにより、この探針11を介
して、半導体デバイスの電気的特性の試験ハ1定を行う
そして、試験測定が終了した半導体ウェハ6は、搬送機
構14によってウェハ収容箱7ヘアンロードする。
この後、エレベータ機構9により、ウェハ収容箱7を上
昇させ、次の半導体ウェハ6をロード位置に配置して、
上記手順と同様にして次の半導体ウェハ6の試験パー1
定を行う。
このように、この実施例のプローブ装置は、通常雰囲気
下に設置し、通常雰囲気下で半導体ウェハ6に形成され
た半導体デバイスの電気的な特性の試験lIp+定を行
うことができる。したがって、例えば、設計や工程管理
における評価のための測定等通常の製造工程における試
験測定以外のJFI定は、このプローブ装置により、通
常雰囲気下で実施することができる=このため、床面積
当たりの建設コストが^いクリーンルーム内の有効利用
を図ることができ、また、発塵蝕である作業n等のクリ
ーンルーム内への立ち入りを削減することができる。
なお、上記実施例では、プローブ装置の筺体1内を全て
清浄化雰囲気とした例について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、例えば、半導体
ウェハ6が通る移動経路を筺体1内の他の部位と隔離的
に形成し、この部位のみを清浄化雰囲気としてもよい。
つまり、半導体ウェハ6に塵埃が付着することを防止す
ることができれば、他の部位は、清浄化雰囲気とする必
要はない。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明のプローブ装置によれば、
通常雰囲気下で、半導体ウェハに形成された半導体デバ
イスの電気的な特性の試験測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のプローブ装置の構成を示す
図、第2図はウェハ収容箱の一例を示す図である。 1・・・・・・筐体、2・・・・・・空気取入れ口、3
・・・・・・フィルタ、4・・・・・・空気取入れ用フ
ァン、5・・・・・・排気口、6・・・・・・半導体ウ
ェハ、7・・・・・ウェハ収容箱、8・・・・・・ウェ
ハ収容箱収容室、9・・・・・・エレベータ機構、10
・・・・・・ウェハ載置台、11・・・・・・探針、1
2・・・・・・プローブカード、13・・・・・・シャ
ッタ機構、14・・・・・・搬送機構。 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)気密容器内に設けられたウェハプロービング機構
    と、このウェハプロービング機構をクリーンエア雰囲気
    に設定する如く上記気密容器に設けられた清浄化手段と
    を具備したことを特徴とするプローブ装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118507372A (zh) * 2024-05-10 2024-08-16 安徽超元半导体有限公司 一种用于晶圆针测机的无尘室

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01171235A (ja) * 1987-12-25 1989-07-06 Tokyo Electron Ltd テープキャリヤの検査方法
JPH01174931U (ja) * 1988-05-30 1989-12-13

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