JPH03280504A - 平面インダクタ - Google Patents
平面インダクタInfo
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- JPH03280504A JPH03280504A JP2081857A JP8185790A JPH03280504A JP H03280504 A JPH03280504 A JP H03280504A JP 2081857 A JP2081857 A JP 2081857A JP 8185790 A JP8185790 A JP 8185790A JP H03280504 A JPH03280504 A JP H03280504A
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- planar
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- inductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、平面インダクタに関し、特に直流重畳特性を
改善した平面インダクタに関する。
改善した平面インダクタに関する。
（従来の技術）
従来、スパイラル状又はつづら折れ状の導体コイルの両
面を、絶縁層を介して強磁性体層で挟んだ構造の平面イ
ンダクタが知られている。第１図（Ａ）は、このような
平面インダクタの一例を示す平面図であり、同図（Ｂ）
は、同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
面を、絶縁層を介して強磁性体層で挟んだ構造の平面イ
ンダクタが知られている。第１図（Ａ）は、このような
平面インダクタの一例を示す平面図であり、同図（Ｂ）
は、同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
図中１は、スパイラル状導体コイルである。スパイラル
状導体コイル１は、絶縁層３ｂの両面にスパイラルコイ
ル２ａ、２ｂを設けている。そして、スルーホール４に
よって各スパイラルコイル２ｇ、２ｂに同方向の電流が
流れるように、スパイラルコイル２ａ、２ｂを接続した
構造としている。
状導体コイル１は、絶縁層３ｂの両面にスパイラルコイ
ル２ａ、２ｂを設けている。そして、スルーホール４に
よって各スパイラルコイル２ｇ、２ｂに同方向の電流が
流れるように、スパイラルコイル２ａ、２ｂを接続した
構造としている。
ここで、第１図（Ａ）中の実線及び破線は、それぞれ絶
縁層３ｂの表面側及び裏面側にあるスパイラルコイル２
ａ、２ｂの中心の軌跡を表わしている。このスパイラル
状導体コイル１の両面を絶縁層３ａ、３ｃを介して強磁
性薄帯又は強磁性薄膜５ａ、５ｂで挟むことにより平面
インダクタが構成されている。このように構成された平
面インダクタの端子６ａ、６ｂ間に、インダクタンスが
形成される。
縁層３ｂの表面側及び裏面側にあるスパイラルコイル２
ａ、２ｂの中心の軌跡を表わしている。このスパイラル
状導体コイル１の両面を絶縁層３ａ、３ｃを介して強磁
性薄帯又は強磁性薄膜５ａ、５ｂで挟むことにより平面
インダクタが構成されている。このように構成された平
面インダクタの端子６ａ、６ｂ間に、インダクタンスが
形成される。
（発明が解決しようとする課１ｉ）
上述の平面インダクタは、例えばＤＣ−ＤＣコンバータ
などの出力側のチョークコイルに適用される。この場合
、平面インダクタには直流が重畳された高周波電流が流
れる。こにため、良好な直流重畳特性が要求される。
などの出力側のチョークコイルに適用される。この場合
、平面インダクタには直流が重畳された高周波電流が流
れる。こにため、良好な直流重畳特性が要求される。
ところが、従来の平面インダクタは、直流重畳特性が悪
い。これは、従来使用されている強磁性薄帯の磁気特性
が不適当なためである。すなわち、第１図の平面インダ
クタの場合、磁束は両面の強磁性薄帯５ａ、５ｂの面内
方向を流れる。そして、高インダクタンスを得るために
は、高透磁率強磁性薄帯を用いる。
い。これは、従来使用されている強磁性薄帯の磁気特性
が不適当なためである。すなわち、第１図の平面インダ
クタの場合、磁束は両面の強磁性薄帯５ａ、５ｂの面内
方向を流れる。そして、高インダクタンスを得るために
は、高透磁率強磁性薄帯を用いる。
しかしながら、高透磁率強磁性薄帯の飽和磁化が低い場
合には、小さな直流磁場が重畳されても磁束密度が飽和
してインダクタンスが低下し、直流重畳特性が悪くなる
。例えば、高透磁率強磁性体として、Ｃｏを主体とした
金属−半金属系の非晶質合金が知られている。しかし、
その飽和磁化はフェライトよりも高いものの充分ではな
く、直流重畳特性は悪い。
合には、小さな直流磁場が重畳されても磁束密度が飽和
してインダクタンスが低下し、直流重畳特性が悪くなる
。例えば、高透磁率強磁性体として、Ｃｏを主体とした
金属−半金属系の非晶質合金が知られている。しかし、
その飽和磁化はフェライトよりも高いものの充分ではな
く、直流重畳特性は悪い。
なお、強磁性薄帯としてＣｏ系非晶質合金を用いる場合
でも、これを積層すれば直流重畳特性をある程度改善す
ることができる。しかし、非晶質合金を積層すれば、そ
れだけ平面インダクタの厚さが増すため、平面インダク
タの薄形化を達成できない。
でも、これを積層すれば直流重畳特性をある程度改善す
ることができる。しかし、非晶質合金を積層すれば、そ
れだけ平面インダクタの厚さが増すため、平面インダク
タの薄形化を達成できない。
このように平面インダクタの直流重畳特性が悪いと、イ
ンダクタンスが低下し、制御が困難になってＤＣ−ＤＣ
コンバータの効率が低下する。このため、そのままでは
ＤＣ−ＤＣコンバータなどへ適用することは不適当であ
る。
ンダクタンスが低下し、制御が困難になってＤＣ−ＤＣ
コンバータの効率が低下する。このため、そのままでは
ＤＣ−ＤＣコンバータなどへ適用することは不適当であ
る。
したがって、直流重畳特性の改善には、高透磁率強磁性
薄帯の飽和磁化か高いことが要求される。
薄帯の飽和磁化か高いことが要求される。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
あり、直流重畳特性の良好な平面インダクタを提供する
ことを目的とする。
あり、直流重畳特性の良好な平面インダクタを提供する
ことを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、平面状導体コイル又はこれらの積層体の両面
を、絶縁層を介して強磁性薄帯或いは強磁性薄膜又はこ
れらの積層体で挟んで成る平面インダクタにおいて、 強磁性薄帯又は強磁性薄膜を組成が、 ［Ｆ ｅ ｘ Ｎ ｔ 、 Ｃｏ
、−ｘ−ｙ コ Ｈ−Ｚｒ２但し、０．６ ＜ｘ
＜０．９ 、 Ｏ＜ｙ＜０．１ 。
を、絶縁層を介して強磁性薄帯或いは強磁性薄膜又はこ
れらの積層体で挟んで成る平面インダクタにおいて、 強磁性薄帯又は強磁性薄膜を組成が、 ［Ｆ ｅ ｘ Ｎ ｔ 、 Ｃｏ
、−ｘ−ｙ コ Ｈ−Ｚｒ２但し、０．６ ＜ｘ
＜０．９ 、 Ｏ＜ｙ＜０．１ 。
０、Ｏｌｉ＜ ｚ ＜ ０．１４
からなるアモルファス合金で形成したことを特徴とする
平面インダクタである。
平面インダクタである。
ここで、平面状導体コイルとは、通常、例えば第１図に
示されるように絶縁層の表面及び裏面にスパイラルコイ
ルを設けて各スパイラルコイルをスルーホールで接続し
た構造のスパイラル状２層導体コイルを指す。
示されるように絶縁層の表面及び裏面にスパイラルコイ
ルを設けて各スパイラルコイルをスルーホールで接続し
た構造のスパイラル状２層導体コイルを指す。
なお、端子の取出しに支障が生じなければ、スパイラル
状導体コイルとしては、スパイラルコイルが１層だけの
ものでもよい。
状導体コイルとしては、スパイラルコイルが１層だけの
ものでもよい。
また、スパイラル状導体コイルを積層するとインダクタ
ンスは増大するが、この場合、スパイラル状導体コイル
間には絶縁層のみを介在させ、強磁性薄帯を介在させな
いことが望ましい。これは、スパイラル状導体コイル間
に強磁性薄帯を介在させてもインダクタンスの増大には
ほとんど寄与せず、かえって平面インダクタ全体の厚さ
を増大させて単位体積当りのインダクタンスを低下させ
るからである。
ンスは増大するが、この場合、スパイラル状導体コイル
間には絶縁層のみを介在させ、強磁性薄帯を介在させな
いことが望ましい。これは、スパイラル状導体コイル間
に強磁性薄帯を介在させてもインダクタンスの増大には
ほとんど寄与せず、かえって平面インダクタ全体の厚さ
を増大させて単位体積当りのインダクタンスを低下させ
るからである。
また、上述の組成のアモルファス合金を用いたのは、こ
れらの合金は高飽和磁化を有する高透磁率材料であり、
これらを用いることによってインダクタンスの直流重畳
特性の良い平面インダクタが得られるからである。
れらの合金は高飽和磁化を有する高透磁率材料であり、
これらを用いることによってインダクタンスの直流重畳
特性の良い平面インダクタが得られるからである。
飽和磁化の値が異なる強磁性薄帯を用いて作製された同
一構造の平面インダクタを、例えば出力電圧５Ｖ、２層
級の非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣＣ−式−タに適用した場合
の効率について調べると以下のようになる。
一構造の平面インダクタを、例えば出力電圧５Ｖ、２層
級の非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣＣ−式−タに適用した場合
の効率について調べると以下のようになる。
空心インダクタンス５４μＨ１コイル抵抗１．８Ωのス
パイラル状導体コイル（約１■■厚）の両面を７μｌ厚
のポリイミドフィルムを介してＣｏ系又はＦｅ系の非晶
質合金薄帯（約１５μ履厚）の５層積層体で挟んで構成
される平面インダクタを用いてＤＣ−ＤＣコンバータを
作製する。この場合、非晶質合金薄帯の飽和磁化４πＭ
ｓと、入力電圧１５ｖ１出力電圧５Ｖ、出力電流０．４
Ａの条件下におけるＤＣ−ＤＣコンバータの効率ηとの
関係は第２図に示す通りである。
パイラル状導体コイル（約１■■厚）の両面を７μｌ厚
のポリイミドフィルムを介してＣｏ系又はＦｅ系の非晶
質合金薄帯（約１５μ履厚）の５層積層体で挟んで構成
される平面インダクタを用いてＤＣ−ＤＣコンバータを
作製する。この場合、非晶質合金薄帯の飽和磁化４πＭ
ｓと、入力電圧１５ｖ１出力電圧５Ｖ、出力電流０．４
Ａの条件下におけるＤＣ−ＤＣコンバータの効率ηとの
関係は第２図に示す通りである。
第２図より、４ｇＭｓ＞１０ｋＧの非晶質合金薄帯を用
いた場合の効率ηは、約７０％のほぼ一定の値を有する
。しかし、４ｇＭｓ＜１０ｋＧの非晶質合金薄帯を用い
た場合には、インダクタンスの直流重畳特性は悪くなり
、効率ηは低下する。
いた場合の効率ηは、約７０％のほぼ一定の値を有する
。しかし、４ｇＭｓ＜１０ｋＧの非晶質合金薄帯を用い
た場合には、インダクタンスの直流重畳特性は悪くなり
、効率ηは低下する。
従って、１〜２ＷＩｌ＆Ｄｃ−ＤＣコンバータに適用し
て高効率を得るためには該強磁性体に少なくとも１０ｋ
Ｇ以上の飽和磁化を有する高透磁率材を必要とする。
て高効率を得るためには該強磁性体に少なくとも１０ｋ
Ｇ以上の飽和磁化を有する高透磁率材を必要とする。
一方、飽和磁化に関して不利な半金属を含まない飽和磁
化の高い高透磁率材として例えば［Ｆ ｅｘ （Ｎ
１ ＋ Ｃｏ） ｒ−ｚ ］ ＋−Ｚ ｒｚ系非晶質合
金（但し０．８ ＜ ｘ ＜ ０．９ 、０．０８＜
ｚ ＜ ０．１４）が知られている。これらの非晶質合
金は、１０ｋＧ以上の飽和磁化を有する。また、これら
の非晶質合金は、半金属を含む飽和磁化の高いＦｅ系非
晶質合金に比べて飽和磁歪が小さい。このため、平面イ
ンダクタの製造工程の中の外装樹脂モールド工程で、樹
脂硬化時の収縮力のために生じる、逆磁歪効果によるイ
ンダクタンスの低下の程度は少なくなる。
化の高い高透磁率材として例えば［Ｆ ｅｘ （Ｎ
１ ＋ Ｃｏ） ｒ−ｚ ］ ＋−Ｚ ｒｚ系非晶質合
金（但し０．８ ＜ ｘ ＜ ０．９ 、０．０８＜
ｚ ＜ ０．１４）が知られている。これらの非晶質合
金は、１０ｋＧ以上の飽和磁化を有する。また、これら
の非晶質合金は、半金属を含む飽和磁化の高いＦｅ系非
晶質合金に比べて飽和磁歪が小さい。このため、平面イ
ンダクタの製造工程の中の外装樹脂モールド工程で、樹
脂硬化時の収縮力のために生じる、逆磁歪効果によるイ
ンダクタンスの低下の程度は少なくなる。
また、例えば、適宜磁性体とモールド樹脂の間に応力緩
和のために高分子フィルム等の応力吸収材を設けて、モ
ールドによるインダクタンスの低下を防いで使用する場
合でも、この高分子フィルムの厚さは薄くて済み、平面
インダクタの薄形化には好都合である。
和のために高分子フィルム等の応力吸収材を設けて、モ
ールドによるインダクタンスの低下を防いで使用する場
合でも、この高分子フィルムの厚さは薄くて済み、平面
インダクタの薄形化には好都合である。
飽和磁歪に関しては、例えばｘ−０，９、ｚ ＝０゜１
、Ｎｉ含有量が０の場合には、飽和磁化４πＭｓ−１２
ｋＧ、飽和磁歪λＳ−１０ＸＩＯ−６で、同じ飽和磁化
を有する半金属を含むＦｅ系非晶質合金の中で比較的磁
否の小さなもの、 例えば（Ｆ ｅｏ、ｅｓＮｂｏ
、ｏｓ） ａ２ｓ ｉ ｂ Ｂ１２． 飽和磁歪１３
Ｘ １０−６ よりも小さい。
、Ｎｉ含有量が０の場合には、飽和磁化４πＭｓ−１２
ｋＧ、飽和磁歪λＳ−１０ＸＩＯ−６で、同じ飽和磁化
を有する半金属を含むＦｅ系非晶質合金の中で比較的磁
否の小さなもの、 例えば（Ｆ ｅｏ、ｅｓＮｂｏ
、ｏｓ） ａ２ｓ ｉ ｂ Ｂ１２． 飽和磁歪１３
Ｘ １０−６ よりも小さい。
またｘ＝０．６ 、 ｚ −０，１ｒ Ｎ ｉ含有量
がＯの場合には、飽和磁化１６ｋＧ、飽和磁歪２５Ｘ１
０−６であり、同程度の飽和磁化を有する半金属を含む
Ｆｅ系非晶質合金、例えばＦ ｅ ７８Ｓ ｉ １９Ｂ
＋３＋飽和磁化１５．６ｋＧ、飽和磁歪２７×１０−
よりも小さい。
がＯの場合には、飽和磁化１６ｋＧ、飽和磁歪２５Ｘ１
０−６であり、同程度の飽和磁化を有する半金属を含む
Ｆｅ系非晶質合金、例えばＦ ｅ ７８Ｓ ｉ １９Ｂ
＋３＋飽和磁化１５．６ｋＧ、飽和磁歪２７×１０−
よりも小さい。
即ち、同じ飽和磁化を有する組成で比較すると、本発明
において用いた金属−金属系非晶質合金は、金属−半金
属系よりも磁歪の点で有利である。
において用いた金属−金属系非晶質合金は、金属−半金
属系よりも磁歪の点で有利である。
しかしながら、Ｎｉを含む場合には、Ｎｉを含まない場
合に比べて飽和磁化が小さいか又は飽和磁歪が大きくな
る。このため、本発明の平面インダクタに適用する場合
には、Ｎｉ含有量は少ない方が良い。
合に比べて飽和磁化が小さいか又は飽和磁歪が大きくな
る。このため、本発明の平面インダクタに適用する場合
には、Ｎｉ含有量は少ない方が良い。
また、これらの非晶質合金は、半金属を含む系に比べて
熱的に安定であり、脆性を生じ難い。従って、これらの
点からも平面インダクタへの適用に適している。つまり
、ＤＣ−ＤＣコンバータ用平面インダクタには、上述の
組成のアモルファス合金の適用が有効であることが分る
。
熱的に安定であり、脆性を生じ難い。従って、これらの
点からも平面インダクタへの適用に適している。つまり
、ＤＣ−ＤＣコンバータ用平面インダクタには、上述の
組成のアモルファス合金の適用が有効であることが分る
。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
単ロール法によって作、製した組成がＦ ｅ 、２Ｃ。
ＩｇＺｒｌｏ（原子比）で、幅１２龍、厚さ１８μ−の
アモルファス薄帯（４ｇＭｓ −１６１（Ｑ、 λＳ
−２５Ｘ １０−６）から１２−■角の試片を切り出し
、これに歪取り熱処理を施して強磁性体箔を得た。
アモルファス薄帯（４ｇＭｓ −１６１（Ｑ、 λＳ
−２５Ｘ １０−６）から１２−■角の試片を切り出し
、これに歪取り熱処理を施して強磁性体箔を得た。
次いで、外形寸法１０ｍｍ、＠線数４０．コイル線幅２
００μｍ、コイル線厚１００μｌ、コイル線ピッチ２５
０μ市、ベースフィルム（第１図の３ｂ）の厚さ２５μ
口の正方形状両面スパイラルコイル（第１図の１）を２
層、７μｌ厚のポリイミドフィルムを介して重ねて電気
的に直列に接続し、全巻線数８０の平面状コイルを作製
した。
００μｍ、コイル線厚１００μｌ、コイル線ピッチ２５
０μ市、ベースフィルム（第１図の３ｂ）の厚さ２５μ
口の正方形状両面スパイラルコイル（第１図の１）を２
層、７μｌ厚のポリイミドフィルムを介して重ねて電気
的に直列に接続し、全巻線数８０の平面状コイルを作製
した。
この平面状コイルの両面を、７μ麿厚のポリイミドフィ
ルム（第１図の３ｇ、３Ｃ）を介して上述の強磁性体箔
で挟み、平面インダクタを作製した。
ルム（第１図の３ｇ、３Ｃ）を介して上述の強磁性体箔
で挟み、平面インダクタを作製した。
実施例２
Ｆ ｅｓ＋ＣＯ１２ｒ ｔｏの組成の非晶質合金（４π
Ｍｓ −１２ｋＱ、 λ５−１０ｘｌＯ−’）を用い
たこと以外は実施例１と同様の平面インダクタを作製し
た。
Ｍｓ −１２ｋＱ、 λ５−１０ｘｌＯ−’）を用い
たこと以外は実施例１と同様の平面インダクタを作製し
た。
実施例３
実施例２の平面インダクタに、両面を５０μｌ厚のポリ
フェニレンスルフィドフィルム（ｐｐｓフィルム）で挾
んだ後エポキシ系樹脂で外装モールドを施し、モールド
平面インダクタを作製した。
フェニレンスルフィドフィルム（ｐｐｓフィルム）で挾
んだ後エポキシ系樹脂で外装モールドを施し、モールド
平面インダクタを作製した。
比較例１
（ＣＯｏ、ｓｓＦ ｅ ’ｏ、ｏｂＮ ｉ ０．０４Ｎ
ｂ Ｏ，０２） ７５Ｓ ｆｌｏＢ １％の組成の非
晶質合金（４ｙｒ Ｍｓ −８，８ｋＧ 。
ｂ Ｏ，０２） ７５Ｓ ｆｌｏＢ １％の組成の非
晶質合金（４ｙｒ Ｍｓ −８，８ｋＧ 。
λ５−０）を用いたこと以外は実施例１と同様にして平
面インダクタを作製した。
面インダクタを作製した。
比較例２
（Ｆ ｅ ０．９５Ｎ ｂ Ｏ，０５） ８２Ｓ ｉ
６ Ｂ ＋２の組成の非晶質合金（４πＭｓ −１２ｋ
Ｇ、 λｓ −１３Ｘ １Ｏ−６）を用いたこと以外
は実施例１と同様にして平面インダクタを作製した。
６ Ｂ ＋２の組成の非晶質合金（４πＭｓ −１２ｋ
Ｇ、 λｓ −１３Ｘ １Ｏ−６）を用いたこと以外
は実施例１と同様にして平面インダクタを作製した。
比較例３
比較例２の平面インダクタに、実施例３と同様の外装モ
ールドを施し、モールド平面インダクタを作製した。
ールドを施し、モールド平面インダクタを作製した。
比較例４
Ｆ ｅ ６ｇＣＯ４Ｎ ｌ １ｓＺ ｒ ｌｏの組成の
非晶質合金（４πＭｓ −１２ｋＧ、 λ５−１６ｘ
ｌＯ−６）を用いたこと以外は実施例１と同様にして平
面インダクタを作製した。
非晶質合金（４πＭｓ −１２ｋＧ、 λ５−１６ｘ
ｌＯ−６）を用いたこと以外は実施例１と同様にして平
面インダクタを作製した。
次いで、実施例３と同様に外装モールドを施し、モール
ド平面インダクタを作製した。
ド平面インダクタを作製した。
このようにして得た実施例１〜３の平面インダクタ及び
、比較例１〜４の平面インダクタについて５０ ｋＨｚ
におけるインダクタンスの直流重畳特性（直流重畳電流
Ｉ ＤＣ−０〜０．４Ａ）を調べた。
、比較例１〜４の平面インダクタについて５０ ｋＨｚ
におけるインダクタンスの直流重畳特性（直流重畳電流
Ｉ ＤＣ−０〜０．４Ａ）を調べた。
得られた結果を第３図〜第５図に示す。
第３図は、実施例１の平面インダクタと半金属を含む高
透磁率非晶質合金を用いた比較例１の平面インダクタに
ついて、インダクタンスと直流重畳電流の関係を比較し
た特性図である。同図から明らかなように、実施例１の
平面インダクタの方が、比較例１のものに比べて遥かに
優れた直流重畳電流特性を有していることが分る。
透磁率非晶質合金を用いた比較例１の平面インダクタに
ついて、インダクタンスと直流重畳電流の関係を比較し
た特性図である。同図から明らかなように、実施例１の
平面インダクタの方が、比較例１のものに比べて遥かに
優れた直流重畳電流特性を有していることが分る。
第４図は、実施例２．３の平面インダクタ及び比較例２
．３平面インダクタを用いて、同じ飽和磁化を有する金
属−金属系及び金属−半金属系非晶質合金を採用した場
合におけるインダクタンスと直流重畳電流の関係を、外
装モールドの効果の観点から比較した特性図である。
．３平面インダクタを用いて、同じ飽和磁化を有する金
属−金属系及び金属−半金属系非晶質合金を採用した場
合におけるインダクタンスと直流重畳電流の関係を、外
装モールドの効果の観点から比較した特性図である。
飽和磁歪の小さな金属−金属系の方（実施例２、実施例
３）が、金属−半金属系のも（比較例２、比較例３）よ
りもモールドによるインダクタンスの低下が小さく、優
れていることが分る。
３）が、金属−半金属系のも（比較例２、比較例３）よ
りもモールドによるインダクタンスの低下が小さく、優
れていることが分る。
第５図は、同し飽和磁化を有する金属−金属系非晶質合
金においてＮｉを含む場合（比較例４）と含まない場合
（実施例３）について、インダクタンスと直流重畳電流
の関係を、外装モールド後比較した図である。Ｎｉを含
まない実施例３のものの方が、Ｎｉを含む比較例４のも
のよりも遥かに優れていることが分る。
金においてＮｉを含む場合（比較例４）と含まない場合
（実施例３）について、インダクタンスと直流重畳電流
の関係を、外装モールド後比較した図である。Ｎｉを含
まない実施例３のものの方が、Ｎｉを含む比較例４のも
のよりも遥かに優れていることが分る。
［発明の効果］
以上説明した如く、本発明によれば、直流重畳特性の良
い平面インダクタが得られ、ＤＣ−ＤＣコンバータなど
に適用可能な平面インダクタを容易に提供することかで
き、ＤＣ−ＤＣコンバータの薄形化を可能にし、その工
業的価値は極めて大きいものである。
い平面インダクタが得られ、ＤＣ−ＤＣコンバータなど
に適用可能な平面インダクタを容易に提供することかで
き、ＤＣ−ＤＣコンバータの薄形化を可能にし、その工
業的価値は極めて大きいものである。
第１図（Ａ）は、平面インダクタの構成を示す平面図、
同図（Ｂ）は、同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図、
第２図は、本発明に係る平面インダクタを構成する強磁
性体の飽和磁化とその平面インダクタを適用した非絶縁
降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータの効率との関係を示す特性
図、第３図〜第５図は、本発明の実施例及び比較例の平
面インダクタにおける直流重畳電流とインダクタンスと
の関係を示す特性図である。 １・・・スパイラル状導体コイル、２ａ、２ｂ・・・ス
パイラルコイル、３ａ、３ｂ、３ｃ・・・絶縁層、４・
・・スルーホール、５ａ、５ｂ・・・強磁性薄帯。 （Ａ） ２ｂ ｂ （Ｂ） 飽和磁化 （にＧ） 第 図 Ｖ、）トぐへ八区
同図（Ｂ）は、同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図、
第２図は、本発明に係る平面インダクタを構成する強磁
性体の飽和磁化とその平面インダクタを適用した非絶縁
降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータの効率との関係を示す特性
図、第３図〜第５図は、本発明の実施例及び比較例の平
面インダクタにおける直流重畳電流とインダクタンスと
の関係を示す特性図である。 １・・・スパイラル状導体コイル、２ａ、２ｂ・・・ス
パイラルコイル、３ａ、３ｂ、３ｃ・・・絶縁層、４・
・・スルーホール、５ａ、５ｂ・・・強磁性薄帯。 （Ａ） ２ｂ ｂ （Ｂ） 飽和磁化 （にＧ） 第 図 Ｖ、）トぐへ八区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平面状導体コイル又はこれらの積層体の両面を、絶縁層
を介して強磁性薄帯或いは強磁性薄膜又はこれらの積層
体で挟んで成る平面インダクタにおいて、 強磁性薄帯又は強磁性薄膜を組成が、 ［Ｆｅ＿ｘＮｉ＿ｙＣｏ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ］＿１＿
−＿ｚＺｒ＿ｚ但し、０．６＜ｘ＜０．９、０＜ｙ＜０
．１、０．０８＜ｚ＜０．１４ からなるアモルファス合金で形成したことを特徴とする
平面インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081857A JPH03280504A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 平面インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2081857A JPH03280504A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 平面インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280504A true JPH03280504A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13758158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2081857A Pending JPH03280504A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 平面インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03280504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109211A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Mitsui Chemicals Inc | 磁性基材およびその積層体 |
| JP2015106709A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型電子部品、その製造方法及びその実装基板 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2081857A patent/JPH03280504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005109211A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Mitsui Chemicals Inc | 磁性基材およびその積層体 |
| JP2015106709A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型電子部品、その製造方法及びその実装基板 |
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