JPH03280520A - 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
有機半導体固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH03280520A JPH03280520A JP8250290A JP8250290A JPH03280520A JP H03280520 A JPH03280520 A JP H03280520A JP 8250290 A JP8250290 A JP 8250290A JP 8250290 A JP8250290 A JP 8250290A JP H03280520 A JPH03280520 A JP H03280520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- value
- capacitor
- molecule
- tcnq salt
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical class CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 2
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- -1 1-furopanol Chemical compound 0.000 description 1
- QIPOHFUODFGVHI-UHFFFAOYSA-N 2-butylisoquinolin-2-ium Chemical compound C1=CC=CC2=C[N+](CCCC)=CC=C21 QIPOHFUODFGVHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N iso-quinoline Natural products C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は有機半導体固体電解コンデンサの製造方法に関
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける等個直列抵抗や漏れ電流を抑制できるコンデ
ンサの製造方法に関するものである。
するものである。更に詳説すると、本発明は電解質とし
てTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電解コンデン
サにおける等個直列抵抗や漏れ電流を抑制できるコンデ
ンサの製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術
電解質としてTCNQ錯塩を使用する有機半導体固体電
解コンデンサに関しては、本願出願人より既に種々提案
している。即ち、特開昭58−191414号(HOI
G9102)等に開示されているN位をアルキル基で
置換したイソキノリンとのTCNQ錯塩を用いた固体電
解コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているた
め、スイッチング電源用などに広く採用されている。
解コンデンサに関しては、本願出願人より既に種々提案
している。即ち、特開昭58−191414号(HOI
G9102)等に開示されているN位をアルキル基で
置換したイソキノリンとのTCNQ錯塩を用いた固体電
解コンデンサは、特に優れた高周波特性をもっているた
め、スイッチング電源用などに広く採用されている。
次にコンデンサ素子について説明する。第1図は従来お
よび本発明に使用されているコンデンサ素子を示す。ま
ず、高純度(99,99%以上)のアルミニウム箔を化
学的処理により粗面化し、実効表面積を増加させるため
のいわゆるエツチング処理を行なう。次に電解液中にて
、電気化学的にアルミニウム箔表面に酸化皮膜(酸化ア
ルミニウムの薄膜)を形成する(化成処理)。次にエツ
チング処理、化成処理を行なったアルミニウム箔を陽極
箔(1)とし、対向陰極箔(2)との間にセパレータ(
3)としてマニラ紙を挟み、第1図に示すように円筒状
に巻き取る。こうしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成
した陽極箔(1)及び陰極箔(2)と両電極箔間に介挿
されたセパレータ(3)とを持回してコンデンサ素子(
6)が形成される。なお(4)(4’)はアルミリード
、(5)(5’)はリード線である。
よび本発明に使用されているコンデンサ素子を示す。ま
ず、高純度(99,99%以上)のアルミニウム箔を化
学的処理により粗面化し、実効表面積を増加させるため
のいわゆるエツチング処理を行なう。次に電解液中にて
、電気化学的にアルミニウム箔表面に酸化皮膜(酸化ア
ルミニウムの薄膜)を形成する(化成処理)。次にエツ
チング処理、化成処理を行なったアルミニウム箔を陽極
箔(1)とし、対向陰極箔(2)との間にセパレータ(
3)としてマニラ紙を挟み、第1図に示すように円筒状
に巻き取る。こうしてアルミニウム箔に酸化皮膜を形成
した陽極箔(1)及び陰極箔(2)と両電極箔間に介挿
されたセパレータ(3)とを持回してコンデンサ素子(
6)が形成される。なお(4)(4’)はアルミリード
、(5)(5’)はリード線である。
さらにコンデンサ素子(6)に熱処理を施し、セパレー
タ(3)を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
タ(3)を構成するマニラ紙を炭化して繊維の細径化に
よる密度の低下を計る。
第2図はこのコンデンサ素子(6)をアルミケース(7
)内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量のT
CNQCN上8)をケース(7)内に入れ、加熱した熱
板上にアルミケース(7)を載置し、本実施例では31
0〜315℃にてケース(7)中の粉末状TCNQ錯塩
を加熱融解させる。
)内に収納した状態の断面図である。即ち、所定量のT
CNQCN上8)をケース(7)内に入れ、加熱した熱
板上にアルミケース(7)を載置し、本実施例では31
0〜315℃にてケース(7)中の粉末状TCNQ錯塩
を加熱融解させる。
一方、予め加熱しであるコンデンサ素子(6)をアルミ
ケース(7)内に挿入して、融解したTCNQCN上混
合液をコンデンサ素子(6)に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、TCNQCN上は反応し難い樹脂(
9)を封入し、さらにエポキシ樹脂等(10)で成形す
る。前述の如き従来技術においては化成したエツチドア
ルミニウム箔(1)と陰極箔(2)をセパレータ(3)
を介して巻回したコンデンサ素子(6)を素子形成時に
損傷した陽極箔の化成皮膜修復のため再度アジピン酸ア
ンモニウムの水溶液にて再化成並びに熱処理していた。
ケース(7)内に挿入して、融解したTCNQCN上混
合液をコンデンサ素子(6)に含浸させ、すぐに冷却固
化させる。その後、TCNQCN上は反応し難い樹脂(
9)を封入し、さらにエポキシ樹脂等(10)で成形す
る。前述の如き従来技術においては化成したエツチドア
ルミニウム箔(1)と陰極箔(2)をセパレータ(3)
を介して巻回したコンデンサ素子(6)を素子形成時に
損傷した陽極箔の化成皮膜修復のため再度アジピン酸ア
ンモニウムの水溶液にて再化成並びに熱処理していた。
そして該コンデンサ素子に融解液化したTCNQ塩(8
)を含浸し、樹脂(9)又はゴムで封口した後、コンデ
ンサの陽極リード線(5)と陰極リード線(5′)間に
正の定格直流電圧(順方向)を印加する工程を経て目的
とする有機半導体固体電解コンデンサを完成させていた
。
)を含浸し、樹脂(9)又はゴムで封口した後、コンデ
ンサの陽極リード線(5)と陰極リード線(5′)間に
正の定格直流電圧(順方向)を印加する工程を経て目的
とする有機半導体固体電解コンデンサを完成させていた
。
しかし、有機半導体固体電解コンデンサは一般の電解液
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜においてもTCNQ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により化
成皮膜の弱体部が破壊し、等価直列抵抗や漏れ電流が増
大し、歩留りが低くなるという問題がある。
を用いたコンデンサに比べ酸化皮膜の修復性が若干弱く
、アジピン酸アンモニウムの再度の化成により形成させ
た皮膜においてもTCNQ塩含浸時の機械的ストレス、
熱的ストレス或いは化学的なストレスにより化成皮膜に
は弱体部が存在することになる。これらの要因により化
成皮膜の弱体部が破壊し、等価直列抵抗や漏れ電流が増
大し、歩留りが低くなるという問題がある。
このような問題を解決するため、従来は有機半導体を含
浸後又は樹脂封口後酸化皮膜を修復し、漏れ電流値を小
さくする目的で100℃前後の高温で電圧処理(エージ
ング)を行なっている。また、このような漏れ電流の問
題を解決するため、本願出願人は特願昭63−2645
71号(出願日、昭和63年10月20日)において、
コンデンサ素子に融解液化した有機半導体を含浸させ、
冷却固化した後に、素子の内部に純水を含浸させ、次に
素子の水分を乾燥させる固体電解コンデンサの製造方法
を提案した。そして、この場合、TCNQ塩の含浸した
素子内部に純水を含浸後乾燥させることにより、酸化皮
膜の欠損部に入りこんだ有機半導体は絶縁体化しやすく
なり、電圧処理(エージング)での酸化皮膜の修復性が
著しく向上する。
浸後又は樹脂封口後酸化皮膜を修復し、漏れ電流値を小
さくする目的で100℃前後の高温で電圧処理(エージ
ング)を行なっている。また、このような漏れ電流の問
題を解決するため、本願出願人は特願昭63−2645
71号(出願日、昭和63年10月20日)において、
コンデンサ素子に融解液化した有機半導体を含浸させ、
冷却固化した後に、素子の内部に純水を含浸させ、次に
素子の水分を乾燥させる固体電解コンデンサの製造方法
を提案した。そして、この場合、TCNQ塩の含浸した
素子内部に純水を含浸後乾燥させることにより、酸化皮
膜の欠損部に入りこんだ有機半導体は絶縁体化しやすく
なり、電圧処理(エージング)での酸化皮膜の修復性が
著しく向上する。
しかし乍ら、このような従来の製造方法においては、水
をTCNQ塩含浸済み素子内部に含浸するため、等価直
列抵抗の増大を招くという欠点があった。
をTCNQ塩含浸済み素子内部に含浸するため、等価直
列抵抗の増大を招くという欠点があった。
(ハ)発明が解決しようとする課題
本発明は、TCNQ塩を固体電解質に用いた有機半導体
固体電解コンデンサにおいて、前述の如き問題、即ち、
水をコンデンサ素子内部に含浸することに起因する等価
直列抵抗の増大化を抑制するものである。
固体電解コンデンサにおいて、前述の如き問題、即ち、
水をコンデンサ素子内部に含浸することに起因する等価
直列抵抗の増大化を抑制するものである。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明はコンデンサ素子に融解液化したTCNQ塩を含
浸し、冷却固化した後、素子内部に分子における双極子
モーメントの値が水分子の値未満である溶媒、例えばメ
タノール、エタノール、1−フロパノール、2−プロパ
ノール、ベンゼン、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホル
ム、トルエン等を水に代えて含浸させるものである。
浸し、冷却固化した後、素子内部に分子における双極子
モーメントの値が水分子の値未満である溶媒、例えばメ
タノール、エタノール、1−フロパノール、2−プロパ
ノール、ベンゼン、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホル
ム、トルエン等を水に代えて含浸させるものである。
(ホ)作 用
詳細な作用については現在の所、判らない部分があるが
、凡そ次のようであると推測される。即ち、TCNQ塩
に液状分子を作用させると、クーロン力、ファンデルワ
ールス力或いは、交換斥力などのTCNQ塩と液状分子
間における相互作用により漏れ電流は低減するものと考
えられる。しかし液状分子として水又は水分子以上の双
極子モーメントの値をもつ極性分子を用いた場合、各分
子におけるそれぞれのへテロ原子である酸素などには、
非結合電子対を有するため、TCNQ塩のカチオン側に
特にこれらの相互作用が強く生じる。従って、漏れ電流
は低減するものの、同時にTCNQ塩のカチオン側への
必要以上の配位のため、半導体としての機能が弱められ
、その結果、等個直列抵抗が増大するものと考えられる
。
、凡そ次のようであると推測される。即ち、TCNQ塩
に液状分子を作用させると、クーロン力、ファンデルワ
ールス力或いは、交換斥力などのTCNQ塩と液状分子
間における相互作用により漏れ電流は低減するものと考
えられる。しかし液状分子として水又は水分子以上の双
極子モーメントの値をもつ極性分子を用いた場合、各分
子におけるそれぞれのへテロ原子である酸素などには、
非結合電子対を有するため、TCNQ塩のカチオン側に
特にこれらの相互作用が強く生じる。従って、漏れ電流
は低減するものの、同時にTCNQ塩のカチオン側への
必要以上の配位のため、半導体としての機能が弱められ
、その結果、等個直列抵抗が増大するものと考えられる
。
本発明では双極子モーメントの値が水分子の値未満であ
る分子、即ち水分子に比較し、より無極性に近い液状分
子を用いることによりTCNQ塩のカチオン側への配位
を従来の水の場合より低減し、等個直列抵抗の増大化を
抑制するものである。
る分子、即ち水分子に比較し、より無極性に近い液状分
子を用いることによりTCNQ塩のカチオン側への配位
を従来の水の場合より低減し、等個直列抵抗の増大化を
抑制するものである。
(へ)実施例
エツチング処理および化成処理を行なったアルミニウム
箔を陽極箔(1)とし、対向陰極箔(2)との間にセパ
レータ(3)を挟み円筒上に巻き取り、コンデンサ素子
(6)を形成する。次にTCNQ塩の粉末(8)をケー
スに収納し、290〜300℃の温度でTCNQ塩を融
解液化し、コンデンサ素子(6)を浸漬してTCNQ塩
を含浸する。含浸後ケース(7)を冷却し、コンデンサ
素子に含浸したTCNQ塩を冷却固化し、ケース(7)
内にコンデンサ素子(6)を固定する。
箔を陽極箔(1)とし、対向陰極箔(2)との間にセパ
レータ(3)を挟み円筒上に巻き取り、コンデンサ素子
(6)を形成する。次にTCNQ塩の粉末(8)をケー
スに収納し、290〜300℃の温度でTCNQ塩を融
解液化し、コンデンサ素子(6)を浸漬してTCNQ塩
を含浸する。含浸後ケース(7)を冷却し、コンデンサ
素子に含浸したTCNQ塩を冷却固化し、ケース(7)
内にコンデンサ素子(6)を固定する。
次に該ケース(7)の開口部まで、分子における双極子
モーメントの値が水分子の値未満である溶媒、例えばベ
ンゼン、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホルム、トルエ
ン、エタノール、メタノール、1−プロパノール、2−
プロパノールの液体を注入し、注入後85℃の温度にて
放置する。そしてケース内に残留するこの液体の消失後
、ケース開口部を樹脂(9)又は、ゴムにて封止し、1
25℃にて1時間コンデンサの定格電圧を印加(エージ
ング)して目的とする固体電解コンデンサを完成させる
。
モーメントの値が水分子の値未満である溶媒、例えばベ
ンゼン、ヘキサン、四塩化炭素、クロロホルム、トルエ
ン、エタノール、メタノール、1−プロパノール、2−
プロパノールの液体を注入し、注入後85℃の温度にて
放置する。そしてケース内に残留するこの液体の消失後
、ケース開口部を樹脂(9)又は、ゴムにて封止し、1
25℃にて1時間コンデンサの定格電圧を印加(エージ
ング)して目的とする固体電解コンデンサを完成させる
。
第1表は本発明の実施例である分子における双極子モー
メントの値が水分子の値より大きい溶媒を使用して製造
した場合と、従来例である水の場合の漏れ電流値並びに
等価直列抵抗値の比較データを示すものである。
メントの値が水分子の値より大きい溶媒を使用して製造
した場合と、従来例である水の場合の漏れ電流値並びに
等価直列抵抗値の比較データを示すものである。
尚り、C,は漏れ電流のデータであり、定格電圧印加1
0秒後の値で試料者10個の値の平均値を示している。
0秒後の値で試料者10個の値の平均値を示している。
E、S、R,は100KHzにおける等価直列抵抗値で
あり、試料者10個の値の平均値を示している。
あり、試料者10個の値の平均値を示している。
第1表において(a)は定格電圧35V、容量0.68
μF、TCNQ塩としてN−n−ブチルイソキノリニウ
ム・TCNQ、を用いたコンデンサ、(b)は定格電圧
25V、容量1μF、TCNQ塩としてN、N−ペンタ
メチレン・ルチジニウム、・TCNQ、とN−フェネチ
ル・ルチジニウム・TCNQ、の等量混合物を用いたコ
ンデンサである。(A )(B )(C)(D )(E
)(F )(G )(H)(1)は本発明の実施例で
あり、分子における双極子モーメントの値が水分子の値
未満である溶媒を使用した場合の製造方法によるもので
ある。(J)は従来の水を使用した場合の製造方法であ
る。参考までに(K)(L)に双極子モーメントの値が
水分子の値より大きい分子の溶媒を使用した場合のデー
タを示し、また(M)には何も使用しなかった場合のデ
ータを記載する。
μF、TCNQ塩としてN−n−ブチルイソキノリニウ
ム・TCNQ、を用いたコンデンサ、(b)は定格電圧
25V、容量1μF、TCNQ塩としてN、N−ペンタ
メチレン・ルチジニウム、・TCNQ、とN−フェネチ
ル・ルチジニウム・TCNQ、の等量混合物を用いたコ
ンデンサである。(A )(B )(C)(D )(E
)(F )(G )(H)(1)は本発明の実施例で
あり、分子における双極子モーメントの値が水分子の値
未満である溶媒を使用した場合の製造方法によるもので
ある。(J)は従来の水を使用した場合の製造方法であ
る。参考までに(K)(L)に双極子モーメントの値が
水分子の値より大きい分子の溶媒を使用した場合のデー
タを示し、また(M)には何も使用しなかった場合のデ
ータを記載する。
第1表より次のことが判かる。即ち、双極子モーメント
の値に関係なく、液状分子をTCNQ塩に作用させた場
合、漏れ電流は著しく低減している。しかし乍ら等個直
列抵抗については、使用した分子(溶媒)の双極子モー
メントの値によりかなりの差が生じている。即ち水分子
以上の双極子モーメントの値を有した分子(溶媒)の使
用(水の使用を含む)においては急激に等価直列抵抗は
劣化し、−力水分子より小さい双極子モーメントの値を
有する分子(溶媒)の使用においては、等価直列抵抗の
劣化は小さい。特に双極子モーメントの値がゼロ近辺で
ある所謂、無極性分子(溶媒)の使用においては等価直
列抵抗の劣化は殆ど生じていない。これらのことからT
CNQ塩に作用させた分子(溶媒)の双極子モーメント
の値とコンデンサの性能(特に等価直列抵抗の劣化)と
は密接な関係があることが分かる。そして、水分子より
小さい双極子モーメントの分子(溶媒)をTCNQ塩に
作用させれば、従来(水の使用時)に比べて、等価直列
抵抗の増大化は著しく抑制される。
の値に関係なく、液状分子をTCNQ塩に作用させた場
合、漏れ電流は著しく低減している。しかし乍ら等個直
列抵抗については、使用した分子(溶媒)の双極子モー
メントの値によりかなりの差が生じている。即ち水分子
以上の双極子モーメントの値を有した分子(溶媒)の使
用(水の使用を含む)においては急激に等価直列抵抗は
劣化し、−力水分子より小さい双極子モーメントの値を
有する分子(溶媒)の使用においては、等価直列抵抗の
劣化は小さい。特に双極子モーメントの値がゼロ近辺で
ある所謂、無極性分子(溶媒)の使用においては等価直
列抵抗の劣化は殆ど生じていない。これらのことからT
CNQ塩に作用させた分子(溶媒)の双極子モーメント
の値とコンデンサの性能(特に等価直列抵抗の劣化)と
は密接な関係があることが分かる。そして、水分子より
小さい双極子モーメントの分子(溶媒)をTCNQ塩に
作用させれば、従来(水の使用時)に比べて、等価直列
抵抗の増大化は著しく抑制される。
尚、本発明はコンデンサ素子として陽極箔と陰極箔とを
セパレータ紙を介して巻回した巻取り素子を使用した場
合に限られるものではなく、コンデンサ素子として弁作
用を有する金属粉末を加圧成形し焼結した焼結素子を使
用した場合にも適用できるものであることは言うまでも
ない。
セパレータ紙を介して巻回した巻取り素子を使用した場
合に限られるものではなく、コンデンサ素子として弁作
用を有する金属粉末を加圧成形し焼結した焼結素子を使
用した場合にも適用できるものであることは言うまでも
ない。
(ト)発明の効果
このように本発明によれば、TCNQ塩を使用する有機
半導体固体電解コンデンサにおいて、水分子より小さい
双極子モーメントの分子(溶媒)をTCNQ塩に作用さ
せるので、等価直列抵抗の増大が抑制され、漏れ電流も
著しく低減する。
半導体固体電解コンデンサにおいて、水分子より小さい
双極子モーメントの分子(溶媒)をTCNQ塩に作用さ
せるので、等価直列抵抗の増大が抑制され、漏れ電流も
著しく低減する。
第1図はコンデンサ素子の斜視図、第2図は固体電解コ
ンデンサの断面図である。 (1)(2)・・・陽、陰極箔、(3)・・・セパレー
タ、(6)・・・コンデンサ素子、(7)・・・アルミ
ケース、(8)・・・TCNQ錯塩。
ンデンサの断面図である。 (1)(2)・・・陽、陰極箔、(3)・・・セパレー
タ、(6)・・・コンデンサ素子、(7)・・・アルミ
ケース、(8)・・・TCNQ錯塩。
Claims (2)
- (1)アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有
する金属を化成しエッチングした箔よりなる陽極箔と該
金属の薄箔よりなる陰極箔との間にセパレータ紙を介し
て巻回して形成したコンデンサ素子に、加熱融解可能で
且つ冷却固化後コンデンサ用電解質として使用し得る電
導度を有するTCNQ塩を加熱して含浸させ、冷却固化
させてなる有機半導体固体電解コンデンサにおいて、分
子における双極子モーメントの値が水分子の値未満であ
る溶媒を前記TCNQ塩の含浸済みコンデンサ素子内部
に含浸させた後、乾燥させる工程を含むことを特徴とす
る有機半導体固体電解コンデンサの製造方法。 - (2)前記分子における双極子モーメントの値が水分子
の値未満である溶媒は、メタノール、エタノール、1−
プロパノール、2−プロパノール、ベンゼン、ヘキサン
、四塩化炭素、クロロホルム、トルエンである特許請求
の範囲第1項に記載の有機半導体固体電解コンデンサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082502A JP3030047B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2082502A JP3030047B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03280520A true JPH03280520A (ja) | 1991-12-11 |
| JP3030047B2 JP3030047B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=13776276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2082502A Expired - Fee Related JP3030047B2 (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030047B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2082502A patent/JP3030047B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3030047B2 (ja) | 2000-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04229611A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH03280520A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR970004277B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
| JPH09260215A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3253126B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3055199B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2950898B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2755767B2 (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH01105525A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03276711A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH047086B2 (ja) | ||
| JPH04357815A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR940005995B1 (ko) | 고체전해 콘덴서 | |
| JP3162738B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH03280521A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS6151910A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH07115042A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS6151908A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0744131B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH03241726A (ja) | 電解コンデンサ | |
| JPH05326344A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH062675U (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0426534B2 (ja) | ||
| JPH0550125B2 (ja) | ||
| JPH0260047B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |