JPH03285084A - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
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- JPH03285084A JPH03285084A JP2085292A JP8529290A JPH03285084A JP H03285084 A JPH03285084 A JP H03285084A JP 2085292 A JP2085292 A JP 2085292A JP 8529290 A JP8529290 A JP 8529290A JP H03285084 A JPH03285084 A JP H03285084A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は膜形成方法に関するものであり、更に詳しく言
えば、基板に対し付着性の低い膜を基板から剥離しない
ように固持させる新規な膜形成方法に関するものである
。
えば、基板に対し付着性の低い膜を基板から剥離しない
ように固持させる新規な膜形成方法に関するものである
。
陶磁器やタイル、あるいはダイヤ等の宝石の表面に金や
白金等の貴金属を塗布したり、これら貴金属の箔膜を被
着することによって図柄装飾を施したい場合がある。
白金等の貴金属を塗布したり、これら貴金属の箔膜を被
着することによって図柄装飾を施したい場合がある。
した機械的接触にも剥がれやすいものである。
そこで、例えば従来より膠(にかわ)を下地の上に塗り
、その上に金箔等を貼着する方法がある。
、その上に金箔等を貼着する方法がある。
〔発明が解決しようとする課題]
しかし、この方法は手作業によるものであり、手間がか
かるとともに、金箔が表面に現れるため、傷が付きやす
い問題がある。
かるとともに、金箔が表面に現れるため、傷が付きやす
い問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、付着性の悪い下地に対しても再現性良く、かつ簡便に
所定の膜を形成することのできる膜形成方法の提供を目
的とする。
、付着性の悪い下地に対しても再現性良く、かつ簡便に
所定の膜を形成することのできる膜形成方法の提供を目
的とする。
陶MI器、タイル、プラスティシフあるいはダイヤ等の
宝石の表面に金や白金等の貴金属を塗布したり、これら
貴金属の箔膜を被着することによって図柄装飾を施すこ
とがある。
宝石の表面に金や白金等の貴金属を塗布したり、これら
貴金属の箔膜を被着することによって図柄装飾を施すこ
とがある。
しかし、かかる貴金属は化学的に安定であるため、必ず
しも付着性が良いとはいえず、ちょっと〔課題を解決す
るための手段〕 上記の課題を達成するために、 第1の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設ける工程
と、前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付
着性の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基
板に固持させる工程とを有することを特徴とし、 第2の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設け、かつ
線孔を介して基板表面に凹部を形成する工程と、前記基
板に対して付着性の高い第2の膜を前記多孔性の第1の
膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜を基板に固持さ
せる工程とを有することを特徴とする。
しも付着性が良いとはいえず、ちょっと〔課題を解決す
るための手段〕 上記の課題を達成するために、 第1の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設ける工程
と、前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付
着性の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基
板に固持させる工程とを有することを特徴とし、 第2の発明の膜形成方法は、基板上に該基板に対して付
着性の低い第1の膜を堆積する工程と、前記第1の膜に
前記基板の表面に達する微細で高密度の孔を設け、かつ
線孔を介して基板表面に凹部を形成する工程と、前記基
板に対して付着性の高い第2の膜を前記多孔性の第1の
膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜を基板に固持さ
せる工程とを有することを特徴とする。
上記基板としては、セラミック、ガラス、プラスチック
、金属1合金、または宝石が用いられ、また、第1の膜
としては、金膜、白金膜、銀膜インジウム膜、銅膜、ニ
ッケル膜、クロム膜等の金属膜、もしくはこれらの金属
の合金膜、またはTiN #等の1rIa金属化合物膜
が用いられ、第2の膜としては、釉薬膜、 SiO膜、
5ift膜。
、金属1合金、または宝石が用いられ、また、第1の膜
としては、金膜、白金膜、銀膜インジウム膜、銅膜、ニ
ッケル膜、クロム膜等の金属膜、もしくはこれらの金属
の合金膜、またはTiN #等の1rIa金属化合物膜
が用いられ、第2の膜としては、釉薬膜、 SiO膜、
5ift膜。
ベリリウムU、US、モリブデン膜、鉛膜、タングステ
ン膜、もしくは金属の合金膜、または有機金属化合物膜
が用いられるが、これに限られるものではなく、基板に
対して付着性の小さい第1の膜と付着性の大きい第2の
膜に対して一般的に適用可能である。
ン膜、もしくは金属の合金膜、または有機金属化合物膜
が用いられるが、これに限られるものではなく、基板に
対して付着性の小さい第1の膜と付着性の大きい第2の
膜に対して一般的に適用可能である。
第1の発明のI12形成方法によれば、基板と第2の膜
とは、第1の股に設けられた高密度で微細な孔を介して
互いに固着しており、第1の膜は、孔の部分を除いてこ
れら基板と第2の膜に挟まれた状態にある。
とは、第1の股に設けられた高密度で微細な孔を介して
互いに固着しており、第1の膜は、孔の部分を除いてこ
れら基板と第2の膜に挟まれた状態にある。
従って、第1の膜が基板に対して付着性が低い場合にも
、該第1の膜が基板から7.11がれることを防止する
ことが可能となる。
、該第1の膜が基板から7.11がれることを防止する
ことが可能となる。
また、第2の発明の膜形成方法によれば、第1の膜に孔
を形成するだけでな(、線孔を介して基板に凹部を形成
している。このため、第2の欣と基板との接触面積は第
1の発明の膜形成方法の場合よりも大きくなるとともに
、第2の膜は釘を打ったような状態で基板に形成される
ので、第1の膜の基板に対する付着性は、より向上する
。
を形成するだけでな(、線孔を介して基板に凹部を形成
している。このため、第2の欣と基板との接触面積は第
1の発明の膜形成方法の場合よりも大きくなるとともに
、第2の膜は釘を打ったような状態で基板に形成される
ので、第1の膜の基板に対する付着性は、より向上する
。
(実施例〕
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
る。
■第1の実施例
第1図は本発明の第1の実施例に係るセラミックからな
るタイル基板にAu膜を固着する方法の説明図である0
図のように、施釉温度1140°C〜1300”C(中
火度施釉)で施釉されたタイル基板1(基板)の表面を
トリクロルエチレン等で洗浄した後、100℃、1時間
程度、乾燥する。
るタイル基板にAu膜を固着する方法の説明図である0
図のように、施釉温度1140°C〜1300”C(中
火度施釉)で施釉されたタイル基板1(基板)の表面を
トリクロルエチレン等で洗浄した後、100℃、1時間
程度、乾燥する。
次に、Arガス、 2 X 10−’Torrのチャ
7バー内にタイル基板1を送入した後、スパッタリング
法により、タイル基板1上に薄いAu膜2を形成する。
7バー内にタイル基板1を送入した後、スパッタリング
法により、タイル基板1上に薄いAu膜2を形成する。
次いで、粒径2〜5μ請のA+、O,粒子3を3%石鹸
液に混入した後、該石鹸液を^U膜膜上上散布して乾燥
させ、al、O,粒子3をAu膜膜上上固着させる0次
に該へ1201粒子3をマスクとしてアルゴンイオン(
Ar” ) 4によるAu1i2をドライエツチング
する。このときのドライエツチング条件は、加速電圧4
00V、Arガス2 X 10−’Torr、 I
0分間である。その後、超音波洗浄機で水洗するとAh
Os粒子3および石鹸材が除去され、細孔面積率25%
の不定形微細孔が形成されたAu膜3が得られる。
液に混入した後、該石鹸液を^U膜膜上上散布して乾燥
させ、al、O,粒子3をAu膜膜上上固着させる0次
に該へ1201粒子3をマスクとしてアルゴンイオン(
Ar” ) 4によるAu1i2をドライエツチング
する。このときのドライエツチング条件は、加速電圧4
00V、Arガス2 X 10−’Torr、 I
0分間である。その後、超音波洗浄機で水洗するとAh
Os粒子3および石鹸材が除去され、細孔面積率25%
の不定形微細孔が形成されたAu膜3が得られる。
次に、スピナーで0.7 μ−厚のレジスト膜6を塗布
し、該レジスト膜6に所定のパターン画像を形成した後
、該レジスト膜をマスクとしてAu膜2を部分的に除去
する。その後、レジスト膜6を全面除去する。
し、該レジスト膜6に所定のパターン画像を形成した後
、該レジスト膜をマスクとしてAu膜2を部分的に除去
する。その後、レジスト膜6を全面除去する。
次に、Au膜2およびタイル基板1の表面に楽焼軸7を
施した後、850°Cの炉中で焼成する。なお、楽焼軸
7は鉛丹、熔融硼砂、フリントガラスを9:6:2の割
合でフリットを造り、このフリントに硝石1を加えて粉
砕して作成したものである。
施した後、850°Cの炉中で焼成する。なお、楽焼軸
7は鉛丹、熔融硼砂、フリントガラスを9:6:2の割
合でフリットを造り、このフリントに硝石1を加えて粉
砕して作成したものである。
このようにして、タイル基板1上に楽焼軸7が施された
Au膜2のパターン画像が得られる。
Au膜2のパターン画像が得られる。
以上のように、本発明の第1の実施例によれば、多数の
微細な孔を介して楽焼軸7とタイル基板1とが固着して
いるので、楽焼軸7とタイル基板lに挟まれたAu膜2
が剥がれ難くなる。
微細な孔を介して楽焼軸7とタイル基板1とが固着して
いるので、楽焼軸7とタイル基板lに挟まれたAu膜2
が剥がれ難くなる。
このようにして、付着性の小さいタイル基板lに対して
も、絢爛豪華なAu模様を施してこれを楽しむことがで
きる。
も、絢爛豪華なAu模様を施してこれを楽しむことがで
きる。
なお、本発明の実施例によれば、^1205粒子の径の
大きさや散布状態を変えることによって、Aul!2の
孔の形成状態を調整することができる。
大きさや散布状態を変えることによって、Aul!2の
孔の形成状態を調整することができる。
例えば、微細孔がAu膜全全体占める割合(細孔面積率
)を多くすることにより、Auの色相を淡くすることが
できるし、逆に微細孔が^U膜全全体占める割合を少な
くして、視覚的にほぼ完全なAu膜に見えるようにする
こともできる。
)を多くすることにより、Auの色相を淡くすることが
できるし、逆に微細孔が^U膜全全体占める割合を少な
くして、視覚的にほぼ完全なAu膜に見えるようにする
こともできる。
■第2の実施例
第2図は本発明の第2の実施例に係るタイル基板にAu
膜を固着する方法の説明図である。
膜を固着する方法の説明図である。
まず、同図(a)に示すように、中火度施釉タイル基板
1上のAu膜2に約0.7 μm厚のレジストl!!8
を形成し、微細孔が形成された不図示のマスクを介して
露光・現像することにより、レジスト膜8に約2μ−の
孔を設けた後、同図(b)に示すように、ドライエツチ
ング法によりレジスト膜8をマスクとしてAu膜2に孔
9を形成する。
1上のAu膜2に約0.7 μm厚のレジストl!!8
を形成し、微細孔が形成された不図示のマスクを介して
露光・現像することにより、レジスト膜8に約2μ−の
孔を設けた後、同図(b)に示すように、ドライエツチ
ング法によりレジスト膜8をマスクとしてAu膜2に孔
9を形成する。
その後、同図(c)に示すように、透明楽焼軸10を全
面に施すと、タイル基板1に固着したAu膜2が得られ
る。
面に施すと、タイル基板1に固着したAu膜2が得られ
る。
この実施例によれば、マスクにより孔9の大きさや個数
を制御することができるので、Autf22の固着の度
合いやAu膜2の色相を、精度良く調整して楽しむこと
ができる。
を制御することができるので、Autf22の固着の度
合いやAu膜2の色相を、精度良く調整して楽しむこと
ができる。
また、人物写真画像をスクリーン網を介して転写すると
、微細な白・黒点からなる人物画像マスクが得られるが
、該マスクを上記の本発明の実施例の工程で用いると、
該タイル基板1上にAu膜からなる鮮明な人物画像を描
くことができる。
、微細な白・黒点からなる人物画像マスクが得られるが
、該マスクを上記の本発明の実施例の工程で用いると、
該タイル基板1上にAu膜からなる鮮明な人物画像を描
くことができる。
■第3の実施例
第3図は本発明の第3の実施例に係るガラス基板にAu
膜を固着する方法の説明図である。
膜を固着する方法の説明図である。
まず、同図(a)のように、約1m厚のガラス基板11
(基板)の表面をトリクロルエチレン等で洗浄した後、
100″C,1時間程度、乾燥する。
(基板)の表面をトリクロルエチレン等で洗浄した後、
100″C,1時間程度、乾燥する。
次に、圧力2 X 10−’Torrのチャンバー内に
ガラス基板11を送入した後、真空蒸着法によりガラス
基板ll上に0.I IJm−1μmの薄いAu膜I2
を形成する。
ガラス基板11を送入した後、真空蒸着法によりガラス
基板ll上に0.I IJm−1μmの薄いAu膜I2
を形成する。
その後、第1図の第1の実施例で説明したのと同様な方
法で、Au膜12に細孔面積比率約10%の孔13を設
けた後(第3図(b))、スパッタリング法によりCr
Ml 4をAu1pJ16上に5μm〜30μm堆積す
る(第3図(C))。
法で、Au膜12に細孔面積比率約10%の孔13を設
けた後(第3図(b))、スパッタリング法によりCr
Ml 4をAu1pJ16上に5μm〜30μm堆積す
る(第3図(C))。
これにより、不透明なCrMl4を背面にしたAu膜1
2による金色の鏡が得られる0本発明の実施例において
も、孔13を介して固着するC「膜14とガラスFil
lとの間にAu膜12を挟み込んでいるので、該Au膜
12は剥がれ難いものとなる。
2による金色の鏡が得られる0本発明の実施例において
も、孔13を介して固着するC「膜14とガラスFil
lとの間にAu膜12を挟み込んでいるので、該Au膜
12は剥がれ難いものとなる。
■第4の実施例
第4図は本発明の第4の実施例に係るプラスチックレリ
ーフにAufiを固着する方法の説明図である。
ーフにAufiを固着する方法の説明図である。
まず、プラスチックレリーフ15の表面を洗浄した後、
スパッタリング法により0.1 μm〜1μmlいAu
膜9.16を形成する(同図(a))。
スパッタリング法により0.1 μm〜1μmlいAu
膜9.16を形成する(同図(a))。
次いで、粒径2〜5μ(至)のA1□O,1粒子と3%
澱粉糊溶液を混合して縣濁液17を作り、咳縣濁液17
中にプラスティックレリーフ15を浸漬してAu膜16
の表面に縣濁液17を付着させる(同図(b))。
澱粉糊溶液を混合して縣濁液17を作り、咳縣濁液17
中にプラスティックレリーフ15を浸漬してAu膜16
の表面に縣濁液17を付着させる(同図(b))。
茨に常温乾燥させて、AIJa粒子18を^U膜16上
に固着させる(同図(C))。
に固着させる(同図(C))。
次いで、該A+、O,粒子I8をマスクとして、ドライ
エツチングして^U膜16に孔19を形成する(同図(
C))。
エツチングして^U膜16に孔19を形成する(同図(
C))。
その後、水洗して^hoi粒子18及び糊剤を除去した
後、■工5iFi (ケイフッ化水素酸)の水溶液にシ
リカゲルを入れて飽和させ、更にほう酸溶液を加えて得
られた常温の液に、プラスティックレリーフ15を15
時間、浸漬すると、同図(d)に示すように、Au1Q
16上を被覆する0、3 μmPLのSiO□膜20
が得られる。
後、■工5iFi (ケイフッ化水素酸)の水溶液にシ
リカゲルを入れて飽和させ、更にほう酸溶液を加えて得
られた常温の液に、プラスティックレリーフ15を15
時間、浸漬すると、同図(d)に示すように、Au1Q
16上を被覆する0、3 μmPLのSiO□膜20
が得られる。
このS+0zllW2oは孔19を介してプラスチイン
クレリーフ15に対して強固に密着しているので、Au
1pJ16がプラスチインクレリーフ15から剥がれる
のを防止できるとともに、透明なSing膜20の膜厚
による光の干渉色とAu膜16の金色の輝きとが交じり
合った複合的な色を楽しむことができる。
クレリーフ15に対して強固に密着しているので、Au
1pJ16がプラスチインクレリーフ15から剥がれる
のを防止できるとともに、透明なSing膜20の膜厚
による光の干渉色とAu膜16の金色の輝きとが交じり
合った複合的な色を楽しむことができる。
特に、本発明の実施例によれば、AhOz粒子18を含
む!!濁液】7に浸漬することにより^uli916上
にAhO*粒子18を固着させることができるので、表
面が平でないプラスチインクレリーフ15上にも容易に
一様に形成することが可能となる。
む!!濁液】7に浸漬することにより^uli916上
にAhO*粒子18を固着させることができるので、表
面が平でないプラスチインクレリーフ15上にも容易に
一様に形成することが可能となる。
これにより、孔19も曲面全体に平均して形成すること
ができるので、曲面のプラスチインクレリーフ15に対
しても^J916を固着させることができる。
ができるので、曲面のプラスチインクレリーフ15に対
しても^J916を固着させることができる。
同様にして、鉛等からなる曲面をもった仏像に対しても
^4を固着させることが可能となり、Si0□膜やSi
O膜の保護膜によって被覆された耐久性のある黄金の仏
像も極めて容易に作製することができる。
^4を固着させることが可能となり、Si0□膜やSi
O膜の保護膜によって被覆された耐久性のある黄金の仏
像も極めて容易に作製することができる。
■第5の実施例
第5図は本発明の第5の実施例に係るダイヤモンド基板
にpt膜を固着する方法の説明図である。
にpt膜を固着する方法の説明図である。
図のように、ダイヤモンド基板21の表面を洗浄した後
、スパッタリング法により0.1 μrn〜1μm厚
のPt11922を形成する(同図(a))。
、スパッタリング法により0.1 μrn〜1μm厚
のPt11922を形成する(同図(a))。
次いで、レジストlI223をバターニングして細孔を
含む所定のパターンを形成した後(同図(b))、!亥
しジスLIE!23’c77、クトLテPtFl!22
をドライエツチングして孔24および開口部25を形成
する(同図(C))。
含む所定のパターンを形成した後(同図(b))、!亥
しジスLIE!23’c77、クトLテPtFl!22
をドライエツチングして孔24および開口部25を形成
する(同図(C))。
その後、スパッタリングにより全面に炭素(C)からな
る0、05μrr+I’7の透明ダイヤモンド保護[2
6を形成すると、同図(d)に示すようなP1膜22に
よる所定のパターン模様が描かれたダイヤモンド基板2
1が得られる。
る0、05μrr+I’7の透明ダイヤモンド保護[2
6を形成すると、同図(d)に示すようなP1膜22に
よる所定のパターン模様が描かれたダイヤモンド基板2
1が得られる。
この実施例によれば、孔24を介してダイヤモンド基板
21と透明ダイヤモンド保護M26とが固着しているの
で、それらの膜に挟まれたPt膜22も固着した状態に
ある。
21と透明ダイヤモンド保護M26とが固着しているの
で、それらの膜に挟まれたPt膜22も固着した状態に
ある。
また、pt膜22は透明ダイヤモンド保li膜26によ
って被覆されているので、耐久性を増すことができる。
って被覆されているので、耐久性を増すことができる。
従って、指輪や首飾り等の装飾品に適用すれば、丈夫で
、より豪華な物になる。
、より豪華な物になる。
なお、本発明の各実施例では代表的な場合について説明
したが、これらに限るものではなく、本発明が示す原理
により、基板に付着性の小さい膜を固着する有効な方法
として広く適用可能なものである。
したが、これらに限るものではなく、本発明が示す原理
により、基板に付着性の小さい膜を固着する有効な方法
として広く適用可能なものである。
以上説明したように、第1の発明の膜形成方法によれば
、高密度で微細な孔を介して第2の膜と基板とは互いに
固着しているので、第1の膜が基板に対して付着性が低
い場合にも、該第1の膜が基板から剥がれることを防止
することが可能となる。
、高密度で微細な孔を介して第2の膜と基板とは互いに
固着しているので、第1の膜が基板に対して付着性が低
い場合にも、該第1の膜が基板から剥がれることを防止
することが可能となる。
また、第2の発明の膜形成方法によれば、第1の膜に孔
を形成するだけでなく、線孔を介して基板に凹部を形成
して接触面積を第1の発明の膜形成方法の場合よりも増
やし、かつ釘打ち形状効果を付加しているので、第1の
膜の基板に対する付着性を、より向上させることができ
る。
を形成するだけでなく、線孔を介して基板に凹部を形成
して接触面積を第1の発明の膜形成方法の場合よりも増
やし、かつ釘打ち形状効果を付加しているので、第1の
膜の基板に対する付着性を、より向上させることができ
る。
これにより、例えば従来より付着性が悪く使用に不便が
あった貴金属膜を種々の物品に固着させたり、あるいは
更に文字や絵柄等の模様を形成することができ、その豪
華さを楽しむことが可能になる。
あった貴金属膜を種々の物品に固着させたり、あるいは
更に文字や絵柄等の模様を形成することができ、その豪
華さを楽しむことが可能になる。
第1図は、本発明の第1の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第2図は、本発明の第2の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第3図は、本発明の第3の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第4図は、本発明の第4の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第5図は、本発明の第5の実施例に係る膜形成方法の説
明図である。 (符号の説明) l・・・タイル基板、 2、 12. l 6−Au15!、3.1B・・・
a+、O,粒子、 4・・・アルゴンイオン、 5.9,13,19.24・・・孔、 6.8.23・・・レジスト膜、 7、lO・・・楽焼釉、 11・・・ガラス基板、 14 ・・・crNL 15・・・プラスティックレリーフ、 17・・・US液、 20・・・SiO□膜、 21・・・ダイヤモンド基板、 22・・・ptll。 25・・・開口部、 26・・・ダイヤモンド保護膜。
明図、 第2図は、本発明の第2の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第3図は、本発明の第3の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第4図は、本発明の第4の実施例に係る膜形成方法の説
明図、 第5図は、本発明の第5の実施例に係る膜形成方法の説
明図である。 (符号の説明) l・・・タイル基板、 2、 12. l 6−Au15!、3.1B・・・
a+、O,粒子、 4・・・アルゴンイオン、 5.9,13,19.24・・・孔、 6.8.23・・・レジスト膜、 7、lO・・・楽焼釉、 11・・・ガラス基板、 14 ・・・crNL 15・・・プラスティックレリーフ、 17・・・US液、 20・・・SiO□膜、 21・・・ダイヤモンド基板、 22・・・ptll。 25・・・開口部、 26・・・ダイヤモンド保護膜。
Claims (5)
- (1)基板上に該基板に対して付着性の低い第1の膜を
堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設ける工程と、 前記多孔性の第1の膜の上から前記基板に対して付着性
の高い第2の膜を形成して該多孔性の第1の膜を基板に
固持させる工程とを有することを特徴とする膜形成方法
。 - (2)基板上に該基板に対して付着性の低い第1の膜を
堆積する工程と、 前記第1の膜に前記基板の表面に達する微細で高密度の
孔を設け、かつ該孔を介して基板表面に凹部を形成する
工程と、 前記基板に対して付着性の高い第2の膜を前記多孔性の
第1の膜の上に形成して、該多孔性の第1の膜を基板に
固持させる工程とを有することを特徴とする膜形成方法
。 - (3)請求項1または2の第1の膜に微細な孔を設ける
工程は、該第1の膜の上に耐エッチング性の微粒子を散
布した後、該微粒子をマスクとして第1の膜をエッチン
グすることにより行うことを特徴とする膜形成方法。 - (4)請求項1または2の第1の膜に微細な孔を設ける
工程は、微細孔が形成されたマスクを介してレジスト膜
を露光・現像し、該レジスト膜をマスクとして第1の膜
をエッチングすることにより行うことを特徴とする膜形
成方法。 - (5)前記基板はセラミック,ガラス,プラスチック,
金属,合金,または宝石からなり、前記第1の膜は金膜
,白金膜,銀膜,インジウム膜,銅膜,ニッケル膜,ク
ロム膜等の金属膜,もしくはこれらの金属の合金膜また
は,TiN膜等の有機金属化合物膜からなり、前記第2
の膜は釉薬膜,SiO膜,SiO_2膜,ベリリウム膜
,Al膜,モリブデン膜,鉛膜,タングステン膜,もし
くは金属の合金膜,または有機金属化合物膜からなるこ
とを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の膜形成
方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085292A JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
| KR9016387A KR930003822B1 (en) | 1990-03-30 | 1990-10-15 | Film forming process |
| EP19900120941 EP0448781A3 (en) | 1990-03-30 | 1990-10-31 | Film forming process |
| CN90106054.2A CN1027087C (zh) | 1990-03-30 | 1990-12-14 | 膜形成方法 |
| CS91262A CZ281021B6 (cs) | 1990-03-30 | 1991-02-04 | Způsob vytváření tenké vrstvy |
| IL9765091A IL97650A (en) | 1990-03-30 | 1991-03-22 | Use a porous intermediate layer on a surface for gluing a coating |
| US07/853,892 US5275693A (en) | 1990-03-30 | 1992-03-19 | Film forming process |
| US08/081,500 US5405676A (en) | 1990-03-30 | 1993-06-22 | Film forming process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085292A JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285084A true JPH03285084A (ja) | 1991-12-16 |
| JPH079073B2 JPH079073B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13854507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2085292A Expired - Fee Related JPH079073B2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 膜形成方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0448781A3 (ja) |
| JP (1) | JPH079073B2 (ja) |
| KR (1) | KR930003822B1 (ja) |
| CN (1) | CN1027087C (ja) |
| CZ (1) | CZ281021B6 (ja) |
| IL (1) | IL97650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027564A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面処理方法及び表面処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1053650C (zh) * | 1997-06-20 | 2000-06-21 | 清华大学 | 一种氧化铝-氧化硅-氧化钛复合陶瓷薄膜的制备方法 |
| US6819540B2 (en) | 2001-11-26 | 2004-11-16 | Shipley Company, L.L.C. | Dielectric structure |
| KR100731549B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-06-22 | 이노필터 주식회사 | 다공성 복합 세라믹 분리막 제조방법과, 이에 의해 제조된다공성 복합 세라믹 분리막 |
| CN104275868B (zh) * | 2014-06-27 | 2016-05-11 | 江苏金恒新型包装材料有限公司 | 一种金箔及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2323824C3 (de) * | 1973-05-11 | 1979-09-13 | Volk, K.E., Dr.-Ing., 5070 Bergisch- Gladbach | Überzugssystem zur dekorativen Oberflächenveredelung |
| GB2145132B (en) * | 1983-07-08 | 1986-08-20 | Aluteck Co Ltd | Decorative tile and a method for its manufacture |
| DE3817600C2 (de) * | 1987-05-26 | 1994-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem keramischen Substrat und einem integrierten Schaltungskreis |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085292A patent/JPH079073B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-15 KR KR9016387A patent/KR930003822B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-31 EP EP19900120941 patent/EP0448781A3/en not_active Withdrawn
- 1990-12-14 CN CN90106054.2A patent/CN1027087C/zh not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-04 CZ CS91262A patent/CZ281021B6/cs unknown
- 1991-03-22 IL IL9765091A patent/IL97650A/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007027564A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Shibaura Mechatronics Corp | 表面処理方法及び表面処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL97650A (en) | 1995-11-27 |
| CZ281021B6 (cs) | 1996-05-15 |
| IL97650A0 (en) | 1992-06-21 |
| KR930003822B1 (en) | 1993-05-13 |
| CN1055398A (zh) | 1991-10-16 |
| EP0448781A3 (en) | 1992-05-20 |
| CS9100262A2 (en) | 1991-11-12 |
| JPH079073B2 (ja) | 1995-02-01 |
| EP0448781A2 (en) | 1991-10-02 |
| CN1027087C (zh) | 1994-12-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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